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2、耗散功率轉(zhuǎn)化為熱,使集電結(jié)結(jié)溫升高,集電結(jié)結(jié)電流進一步加大,會造成惡性循環(huán)使管子燒毀。這種情況叫熱擊穿。使管子不發(fā)生熱擊穿的最高工作溫度定義為最高結(jié)溫。硅材料PN結(jié)的最高結(jié)溫是:Tjm=6400/(10.45ln)另一種情況,當管子未達到最高結(jié)溫時,或者未超過最大耗散功率時,由于材料的缺陷和工藝的不均勻性,以及結(jié)構(gòu)原因造成的發(fā)射區(qū)電流加緊效應,使得三極管的工作電流分布不均勻。當電流分布集中在某一點時,該點的功耗增加,引起局部溫度增高,溫度的增高反過來又使得該處的電流進一步增大,從而形成“過熱點”,其溫度若超過金屬電極與半導體的共熔點,造成三極管燒毀。另一方面,局部的溫升和大電流密度會引起局部的
3、雪崩(擊穿),此時的局部大電流能使管子燒通,使擊穿電壓急劇降低,電流上升,最后導致管子燒毀。這種情況就是所謂的二次擊穿。三極管二次擊穿的特性曲線如圖2所示1。二次擊穿是功率管失效的重要原因。為保證管子正常工作,提出了安全工作區(qū)SOA的概念。SOA示意圖如圖3所示,它由集電極最大電流Icm線、擊穿電壓BVceo線、集電極最大耗散功率Pcm線和二次擊穿功耗Psb線組成。由于使用時工作電流和最大電壓的設計都不會超過管子的額定值,因此,正常情況下,集電極耗散功率和二次擊穿特性就是造成管子失效燒毀的主要因素。3影響失效的因素從上面的失效機理分析可知,為減少失效,重要的是要盡量降低管子工作時的功率、改善二
4、次擊穿特性,這兩者其實是相關(guān)的。由二次擊穿的發(fā)生機理可知,溫度上升,導致管子HFE增大,開關(guān)性能變差,二次擊穿特性變差(更容易發(fā)生二次擊穿);溫度的升高,也使得管子的實際耗散功率參數(shù)變差,管子的安全工作區(qū)變小了。反過來,由于管子的耗散功率主要和管子的熱阻有關(guān),耗散功率小,實際上也就是其所能承受的電流電壓低,散熱性能差,同樣也影響到了二次擊穿特性。因此,防止工作時管子溫升過高、提高管子的耗散功率,是提高管子質(zhì)量的最有效辦法。 1)熱阻管子工作中,當PN結(jié)溫度超過允許最高結(jié)溫時,管子消耗的功率就是管子的集電極最大耗散功率。由于一定材料的最高結(jié)溫是一定的,因此,提高管子的散熱性能,就是提高管子的耗散
5、功率,同時,散熱性能好,管子的溫升就低,也降低了二次擊穿的可能性,這是提高二次擊穿特性的重要因素。熱阻作為大功率管的一個重要參數(shù),代表了管子的散熱能力。熱阻與耗散功率的關(guān)系為:Pcm=(TjmTa)/RT其中Tjm為最高結(jié)溫,Ta為環(huán)境溫度,RT為熱阻??梢?,當最高結(jié)溫和環(huán)境溫度一定時,耗散功率的大小取決于熱阻的大小。在節(jié)能燈產(chǎn)品中,應選用熱阻盡可能低的管子。除了芯片本身之外,后工序裝配的材料、工藝和質(zhì)量對熱阻的影響非常大。對管子進行熱阻的測試篩選,是保證節(jié)能燈功率管質(zhì)量的基本要求。2)開關(guān)參數(shù)典型的節(jié)能燈線路工作時,兩只管子輪流工作于飽和和截止狀態(tài),因此管子的開關(guān)參數(shù)對其工作情況有重大的影響
6、。管子的開關(guān)參數(shù)有4個:延遲時間td、上升時間tr、儲存時間ts和下降時間tf。如圖4所示的三級管開關(guān)波形圖,管子由截止到飽和時,過渡時間受延遲時間和上升時間的影響,由飽和到截止時,過渡時間受存儲時間和下降時間的影響。管子在不同工作狀態(tài)時消耗的功率為:截止時:P=Vce·Icex飽和時:P=Vces·Ic由于三級管的反向漏電流Icex和飽和壓降Vces都很低,因此,飽和和截止時,管子的消耗功率并不大,但在兩種狀態(tài)的轉(zhuǎn)換過程中,管子有一部分時間工作于放大區(qū),此時的電流電壓均較大,處于放大區(qū)的時間越長,從而消耗功率也越大,溫度也就升高越多。由波形圖可看出,影響管子處于放大區(qū)的開
7、關(guān)參數(shù)主要是上升時間和下降時間。因此,應選用上升時間和下降時間盡可能短的管子。另一方面,由于節(jié)能燈的兩只管子輪流工作于飽和和截止狀態(tài),開關(guān)參數(shù)之間的關(guān)系也很重要。除延遲時間外,如果儲存時間和下降時間的和比上升時間大太多,則兩個管子同時處于導通狀態(tài)的機會就大,也會導致不良的結(jié)果。同樣,兩個管子的開關(guān)參數(shù)的一致性也非常重要。 因為三極管的開關(guān)時間中,儲存時間ts最長,因此其影響也最大。應盡量選用儲存時間短的管子,同時要求儲存時間一致性盡量好。3)高溫漏電流在上面的說明中,我們知道管子工作在截止狀態(tài)時的功耗主要由反向漏電流Icex決定。常溫下,Icex一般很小,因此,管子的截止功率并不大,但當工作后
8、溫度升高后,Icex變大,則其消耗功率也變大,直至影響到正常的工作。另一方面,反向漏電流的增大使得PN結(jié)擊穿特性變軟,也使管子變得易于燒毀。因此,高溫漏電流也是影響管子質(zhì)量的重要參數(shù)。硅三極管的ce反向漏電為:Iceo=(1)Icbo(1)Ae×Ni×XMG/2其隨溫度的變化主要與材料和工藝有關(guān)。在管子的測試中,常以不同溫度(高溫和常溫)下的漏電流變化Iceo作為指標進行挑選,要求Iceo盡可能的小。4)其它功率開關(guān)三極管的其他參數(shù),也與其使用有關(guān)。hFE也是經(jīng)??紤]的因素之一。其對管子質(zhì)量的影響,也體現(xiàn)在對開關(guān)時間的影響,其重要性相對沒有開關(guān)參數(shù)影響那么大。除此之外,Icm和BVceo也是常常考慮
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