茂捷M5573與芯聯(lián)CL1156兼容互換

1、描述 M5573是一款優(yōu)化的高性能高集成的用于反激式變換器的電流模式PWM控制芯片，具備低待機(jī)功耗和低成本的優(yōu)點(diǎn)。 正常工作下，PWM開關(guān)頻率通過外部電阻可調(diào)。在空載或輕載條件下，IC就會工作在“跳周期模式”來減少開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)低待機(jī)功耗和高轉(zhuǎn)換效率的實(shí)現(xiàn)。 M5573提供全面的保護(hù)，包括自動恢復(fù)保護(hù)，逐周期電流限制（OCP），過載保護(hù)（OLP）、帶遲滯功能的VDD欠壓保護(hù)，和過電壓（固定或可調(diào)的）保護(hù)（OVP）。 M5573頻率抖動能實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的EMI性能。 M5573在工作中消除了低于20kHz音頻噪聲的消除。 M5573采用SOT-23-6封裝。典型應(yīng)用圖典型應(yīng)用圖特征 軟啟動功能，減

2、少應(yīng)力功率MOSFETVDS 降低EMI頻率抖動功能 跳周期模式控制的改進(jìn)，提高效率降低待機(jī)功耗 最小功率的備用電源設(shè)計 消除音頻噪聲 開關(guān)頻率通過外部電阻可調(diào) 綜合保護(hù)性能1.帶遲滯功能的VDD欠壓保護(hù)2.逐周的過流閾值設(shè)置，在全電壓范圍內(nèi)恒定輸出功率3.過載保護(hù)（OLP）與自動恢復(fù)4.自動恢復(fù)的VDD過壓保護(hù)（OVP）應(yīng)用領(lǐng)域 適用于AC/DC反激式變換器 手機(jī)充電器,上網(wǎng)本充電器 筆記本適配器 機(jī)頂盒電源 各種開放式開關(guān)電源引腳功能描述管腳I/O描述GDP地COMPI反饋輸入引腳。PWM的占空比決定于COMP引腳電壓和SE引腳電流檢測信號RI開關(guān)頻率設(shè)置引腳。SEI電流檢測輸入VDDP電

3、源DRVO輸出DRV驅(qū)動功率MOSFET。絕對值范圍項目值單位最小值最大值VDD直流供電電壓30VVDD齊納嵌位電壓10VVDD直流嵌位電流VDD_Clamp+0.1mACOMP輸入電壓-0.37VSE輸入電壓-0.37VR輸入電壓-0.37V最小/最大工作結(jié)溫-20150最小/最大貯存溫度-55165最高溫度（焊接，10秒）260芯片框圖應(yīng)用信息M5573是一款優(yōu)化的高性能高集成的用于反激式變換器的電流模式PWM控制芯片，具備低待機(jī)功耗和低成本的優(yōu)點(diǎn)，擴(kuò)展模式大大降低了待機(jī)功耗，方案設(shè)計適應(yīng)國際節(jié)能的要求。l 啟動電流和啟動控制M5573啟動電流非常低，便于獲取高于VDD的UVLO值并迅速啟

4、動。因此，高阻值啟動電阻可減少功率損耗，并能在應(yīng)用中穩(wěn)定可靠的啟動。l 工作電流M5573工作電流低至1.4mA。跳周期模式與工作電流一起擴(kuò)展能實(shí)現(xiàn)較高效率。l 軟啟動M5573在通電時觸發(fā)一個4ms的軟啟動來降低啟動時的應(yīng)力。當(dāng)VDD達(dá)到VDD_O，SE尖峰電壓由0.15V逐漸升高增至最大。每次重啟后都會重新軟啟動。l 頻率抖動干擾的改進(jìn)M5573集成了頻率抖動（開關(guān)頻率調(diào)制）功能進(jìn)行擴(kuò)頻，最大限度地降低了EMI帶寬，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。l 跳周期模式操作在輕載或空載狀態(tài)，開關(guān)電源的功耗來源于開關(guān)MOSFET的損耗、變壓器磁心損耗和啟動電路損耗，功率損耗的大小在于開關(guān)頻率的比例。較低的開關(guān)頻率，

5、能降低功率損耗，從而節(jié)約了能源。開關(guān)頻率在空載或輕載條件下自行調(diào)節(jié)，降低開關(guān)頻率在輕載、空載的情況下可以提高轉(zhuǎn)換效率。只有當(dāng)VDD電壓下降到低于預(yù)先設(shè)定的值且COMP電壓處在適當(dāng)狀態(tài)的時候，DRV驅(qū)動才處于打開狀態(tài)，否則，DRV驅(qū)動將處于關(guān)閉狀態(tài)來最大程度的降低開關(guān)損耗和待機(jī)損耗。開關(guān)頻率的控制消除了在任何負(fù)載條件下的噪聲。l 振蕩器通過PI3腳外接電阻設(shè)置內(nèi)部振蕩工作頻率。l 電流檢測和前沿消隱M5573是curret模式PWM控制，提供逐周期電流限制。開關(guān)電流是通過一個電阻接到SE引腳來檢測。內(nèi)部的前沿消隱電路會屏蔽掉電壓尖峰內(nèi)部功率MOSFET的初始狀態(tài)，由于緩沖二極管反向恢復(fù)電流和DR

6、V功率MOSFET浪涌電流造成的檢測電壓尖峰，導(dǎo)致電流限制比較器被屏蔽，無法關(guān)斷功率MOSFET。PWM的占空比是由SE電流檢測輸入電壓和COMP輸入電壓計算確定的。l 內(nèi)部同步斜坡補(bǔ)償內(nèi)部斜坡補(bǔ)償電路是將一個斜坡電壓加入SE引腳輸入電壓來幫忙生成PWM信號，它大大提高了在CCM下的閉環(huán)穩(wěn)定性，防止次諧波振蕩，從而降低輸出紋波電壓。l 驅(qū)動功率MOSFET是由專用DRV驅(qū)動功率開關(guān)驅(qū)動控制。DRV驅(qū)動強(qiáng)度越弱，功率管的導(dǎo)通損耗和MOSFET開關(guān)損耗就越大；而DRV驅(qū)動越強(qiáng)，直接影響EMI性能。一個很好的權(quán)衡方法為通過內(nèi)置的圖騰柱柵驅(qū)動設(shè)計，適當(dāng)?shù)尿?qū)動能力和DRV設(shè)計合適的死區(qū)時間來實(shí)現(xiàn)控制。通

7、過這種設(shè)計很容易達(dá)到良好的電磁系統(tǒng)的設(shè)計和降低空載損耗的目的。l 保護(hù)控制好的電源系統(tǒng)的可靠性需要有自動恢復(fù)特性的保護(hù)功能，包括逐周期電流限制（OCP），過載保護(hù)（OLP）和VDD的欠壓保護(hù)）；無鎖存關(guān)閉功能還包括過溫保護(hù)（OTP），固定或可調(diào)的VDD電壓保護(hù)（OVP）。在全電范圍內(nèi)，OCP被補(bǔ)償后達(dá)到恒定輸出功率。在過載條件下，當(dāng)COMP輸入電壓超過TD_PL功率極限閾值時，控制電路會關(guān)閉轉(zhuǎn)換器。只有在輸入電壓低于閾值功率極限后才重新啟動。電氣參數(shù)(Ta=25oC,其余情況會做說明)項目參數(shù)測試條件最小典型最大單位供電電壓（VDD）I_StartupVDD啟動電流VDD=UVLO(OFF)-

8、1V，測試流入VDD的電流520uAI_VDD_Ops工作電流VCOMP=3V1.42.5mAVDD_OFF欠壓鎖存開啟8910VVDD_O欠壓鎖存結(jié)束（恢復(fù)）14.515.516.5VVpull_up上拉PMOS啟動13VVdd_ClampIVDD=10mA303234VOVP(O)過壓保護(hù)電壓SE=0.3V,COMP=3V,VDD升高直到DRV時鐘關(guān)閉262830V反饋輸入部分（COMPPi）VCOMP_OpeVCOMP開環(huán)電壓45V最大占空比MaxdutycycleVDD=14V,COMP=3V,VSE=0.3V758085%Vref_gree進(jìn)入綠色模式的閾值1.4VVref_burs

9、t_H進(jìn)入跳周期模式的閾值0.68VVref_burst_L離開跳周期模式的閾值0.58VICOMP_ShortCOMP引腳短路電流測量COMP短路到地的電流0.4mAVTH_PL過載時的COMP電壓3.6VTD_PL過載延遲時間808896mSZCOMP_I輸入阻抗16K電流檢測輸入（SEpi）SST軟啟動時間4msT_blakig前沿消隱時間220sTD_OC過載延遲時間從過流產(chǎn)生到DRV引腳關(guān)閉120sVTH_OC內(nèi)部電流限制閾值電壓與零占空比0.75VVocp_clampigSE電壓嵌位0.9V振蕩器Fosc振蕩頻率VDD=14V,COMP=3V,SE=0.3V,R=20K606570

10、KHZVRR電壓0.9511.05Vf_OSC頻率抖動+/-4%f_shufflig抖頻32HzF_Burst跳周期模式頻率R=20K22KHz柵驅(qū)動VOL輸出低電平VDD=14V，IO=6mA1VVOH輸出高電平VDD=14V，IO=5mA6VV_Clampig輸出鉗位電壓12VT_r輸出上升時間1V12VCL=1000pF175sT_f輸出下降時間12V1VCL=1000pF85s封裝外形尺寸圖絲印描述型號封裝描述M5573SRSOT-23-63000/ReelSOT-23-6封裝尺寸項目尺寸（MM）尺寸（英寸）最小最大最小最大A1.0501.2500.0410.049A10.0000.1000.0000.004A21.0501.1500.0410.045b0.3000.4000.0120.016c0.1000.20