太陽(yáng)能電池制作及測(cè)量實(shí)驗(yàn)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上太陽(yáng)能電池製作及量測(cè)實(shí)驗(yàn)B陳怡如 B賴亦蘋 B沈郁芷一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簩W(xué)習(xí)基本太陽(yáng)能電池的原理、製作及量測(cè)。了解P-N junction能階圖的義意、太陽(yáng)能電池的電壓-電流曲線、影響太陽(yáng)能電池效率的因素、基本半導(dǎo)體製程。二、實(shí)驗(yàn)原理： 太陽(yáng)能電池能將光能轉(zhuǎn)換成電能的原理是應(yīng)用半導(dǎo)體的光伏特效應(yīng)(photovoltaic effect)。 光伏特效應(yīng)一般是指當(dāng)光子射入具有PN接面(junction)的二極體元件後，會(huì)在二極體的兩端電極可以產(chǎn)生輸出功率的電壓值，這個(gè)過(guò)程主要包含的是光子射到半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生電子-電洞對(duì)(electron-hole pair)、電子與電洞因?yàn)镻N接面

2、所形成的內(nèi)建電場(chǎng)(built-in electric field)作用下而分離、電子與電洞各自朝著相反方向運(yùn)動(dòng)，並且由兩端電極來(lái)輸出至負(fù)載，在迴路上形成光電流。 具有PN接面的半導(dǎo)體元件一般是以摻雜少量硼原子的P型半導(dǎo)體當(dāng)作基板(substrate)，然後以濃度較高於硼的磷為擴(kuò)散源，用高溫?zé)釘U(kuò)散的方法把磷摻入P型基板內(nèi)，如此即可形成PN接面。在接面處會(huì)因電子擴(kuò)散行成空乏區(qū)，空乏區(qū)內(nèi)會(huì)形成一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng)，內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從N型區(qū)指向P型區(qū)。 當(dāng)太陽(yáng)能電池受光時(shí)，太陽(yáng)能電池可以吸收能量大於其能隙(energy gap)的光子，使電子由價(jià)電帶(valence band)躍遷至導(dǎo)電帶(conductio

3、n band)，進(jìn)而產(chǎn)生電子-電洞對(duì)，其中自由電子會(huì)因?yàn)閮?nèi)建電場(chǎng)的作用而向N型區(qū)漂移(drift)，相反地，電洞則因內(nèi)建電場(chǎng)的作用向P型區(qū)漂移，這種因?yàn)閮?nèi)建電場(chǎng)的影響而產(chǎn)生從N型區(qū)向P型區(qū)的漂移電流，就是所謂的光電流 (photocurrent)。光伏特效應(yīng)中的光電流對(duì)PN二極體而言，剛好就是逆向偏壓 (reverse bias)的電流方向。最後光電流經(jīng)由PN二極體的金屬接觸(metal contact)輸出至負(fù)載，形成一個(gè)迴路，這就是光伏特電池(photovoltaic cell) 的基本原理。太陽(yáng)能電池的等效電路 對(duì)原本的理想二極體而言，太陽(yáng)電池照光產(chǎn)生的光電流為負(fù)向電流，所以太陽(yáng)電池的電

4、流-電壓關(guān)係就是理想二極體加上一個(gè)負(fù)向的光電流IL，理想太陽(yáng)能電池的電流I-電壓V關(guān)係可用下式表示：其中I代表電流，電流的方向是定義在元件內(nèi)從p型流向n型；V代表電壓，電壓的正負(fù)值，則是定義為p 型端電壓減去n型端電壓；IS為二極體的逆向飽和電流(saturation current)；KB為Boltzmann常數(shù)；q為單位電量；T為絕對(duì)溫度，在室溫下，qV/KBT=0.026。太陽(yáng)能電池的電壓-電流特性曲線短路電流：(short-circuit current)短路電流的定義為太陽(yáng)能電池的負(fù)載為零時(shí)所輸出的電流，也就是輸出電壓V0時(shí)所對(duì)應(yīng)的電流。圖中照光下的I-V曲線，其Y軸截距的絕對(duì)值即為

5、短路電流I SC的大小。開(kāi)路電壓：(open-circuit voltage)當(dāng)太陽(yáng)能電池開(kāi)放時(shí)，也就是負(fù)載為無(wú)限大，此時(shí)迴路上的電流I0，太陽(yáng)能電池兩端的輸出電壓即為開(kāi)路電壓VOC。轉(zhuǎn)換效率的計(jì)算與量測(cè)太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率(energy conversion efficiency)是指電池將入射太陽(yáng)光的功率Pin轉(zhuǎn)換成最大輸出之電功率Pmax 之比例，意即太陽(yáng)能電池的輸出功率就是電流和電壓的乘積：明顯地，太陽(yáng)電池輸出的功率並非是個(gè)固定值，而是在某個(gè)電流-電壓工作點(diǎn)達(dá)到最大輸出功率，最大功率的條件可由dP/dV=0來(lái)決定。而太陽(yáng)電池最大輸出功率為：因此轉(zhuǎn)換效率為：或其中FF稱為填充因子(Fil

6、l factor)，其定義為太陽(yáng)能電池在最大電功率輸出時(shí)，輸出功率Pmax 與開(kāi)路電壓VOC和短路電流ISC乘積之比值，也就是電流-電壓特性曲線中最大功率矩形(灰色面積)對(duì)VOCxISC矩形的比例。實(shí)際上，填充因子深受串聯(lián)電阻RS與並聯(lián)電阻Rsh的影響，因此我們可以只用填充因子來(lái)同時(shí)概括串聯(lián)電阻與並聯(lián)電阻二個(gè)效應(yīng)，因?yàn)槿魏蔚拇?lián)電阻的增加或是並聯(lián)電阻的減少，都會(huì)減少填充因子，進(jìn)而造成轉(zhuǎn)換效率的降低。太陽(yáng)能電池的效率可以由三個(gè)重要參數(shù)：開(kāi)路電壓VOC、短路電流ISC和填充係數(shù)FF來(lái)表達(dá)。 明顯地，要提高太陽(yáng)電池的效率，則要同時(shí)增加其開(kāi)路電壓、短路電流(即光電流)，和填充因子(即減少串聯(lián)電阻與漏電

7、流)。理論上，在AM1.5的條件下，理想的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率為29%。串、並聯(lián)電阻的影響任何半導(dǎo)體材料本身，或是半導(dǎo)體與金屬之間的接觸，無(wú)可避免地都會(huì)有或多或少的電阻，如此就會(huì)產(chǎn)生太陽(yáng)能電池的串聯(lián)電阻，串聯(lián)電阻通常與接面深度、p型和n型區(qū)的雜質(zhì)濃度、正面歐姆接觸等有關(guān)。另一方面，太陽(yáng)能電池的正負(fù)電極間，存在任何非經(jīng)由理想PN接面的其他電流通道，都會(huì)造成所謂的漏電流(leakage current)，例如因?yàn)殡娮?電洞對(duì)的再度結(jié)合，在空乏區(qū)內(nèi)所產(chǎn)生的複合(recombination)電流或是在表面的複合(surface recombination)電流、元件的邊緣隔離(edge isolatio

8、n)不完全、和金屬接觸穿透PN接面造成漏電流等，都是形成並聯(lián)電阻的原因。一般我們可以使用並聯(lián)電阻用來(lái)定義太陽(yáng)能電池的漏電流大小，意即。並聯(lián)電阻越大，就表示漏電流越小。 串聯(lián)電阻的存在會(huì)使得短路電流變小，並聯(lián)電阻不夠大會(huì)降低開(kāi)路電壓，這兩個(gè)因素是使太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率下降的原因。除此之外，更重要的是串、並聯(lián)電阻也會(huì)使填充因子FF大幅度的降低。當(dāng)串聯(lián)電阻增加時(shí)，電流-電壓曲線在順?lè)较虻闹本€斜率會(huì)變小，而當(dāng)並聯(lián)電阻不夠大時(shí)，逆方向的直線斜率會(huì)變大，這樣一來(lái)，填充因子(灰色面積與VOCxISC的比值)便會(huì)快速地減少，進(jìn)而造成轉(zhuǎn)換效率的下降。表面結(jié)構(gòu)的抗反射原理為了減少太陽(yáng)光的反射，除了在矽基板上鍍上一層

9、抗反射層(Antireflective coating，ARC)外，將基板表面的結(jié)構(gòu)化(textured)來(lái)降低反射率也是常見(jiàn)的作法：(1)金字塔結(jié)構(gòu)的抗反射原理：表面金字塔結(jié)構(gòu)可利用使用方向性蝕刻(anisotropic etching)來(lái)完成。使用KOH加異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)的混和溶液，就會(huì)對(duì)矽晶圓(100)表面產(chǎn)生方向性蝕刻，暴露出矽晶<111>的晶面，因而會(huì)在表面形成如同大大小小的金字塔結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)可以讓入射光至少要經(jīng)過(guò)晶片表面的二次反射，因此就大大的減低入射光經(jīng)過(guò)第一次反射就折回的機(jī)率，延長(zhǎng)了入射光的行進(jìn)距離與吸收，如圖所示。(2)次波

10、長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的抗反射原理：當(dāng)基板表面上所形成的奈米結(jié)構(gòu)，如奈米尖錐、奈米柱等，其尺度小於入射光波長(zhǎng)時(shí)，即為次波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。表面結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性可由等效介質(zhì)理論 (Effective medium theory，EMT)來(lái)解釋，此種結(jié)構(gòu)可以使得折射率從空氣介質(zhì)漸變至基板，當(dāng)光波從一介質(zhì)進(jìn)入另一介質(zhì)時(shí)，部分的光會(huì)反射回原介質(zhì)，若兩介質(zhì)的折射率差異越大，則反射率會(huì)越大，反之，兩介質(zhì)的折射率差異越小，則反射率亦會(huì)越小，因此利用漸變折射率的方式可以得到在一段非常寬廣的波段中得到低折射率。 三、實(shí)驗(yàn)設(shè)備:超音波震洗機(jī)、快速加熱退火爐(Rapid Thermo Annealing Furnace)、旋轉(zhuǎn)塗佈機(jī)(Spin

11、 Coater)、研磨機(jī)、真空熱蒸鍍機(jī)(Thermo Evaporator)、打線機(jī)(Wire Bounder)、雙極性電源電表(KEITHLEY 236)、個(gè)人電腦、GPIB介面卡、Labview圖控軟體、氙燈四、實(shí)驗(yàn)步驟：(1) 基板的清潔處理A.本實(shí)驗(yàn)使用電阻率0.10.3-cm、晶面方向?yàn)?100)的單面拋光p型矽晶圓(p-type silicon)為基板，並以拋光面製作本實(shí)驗(yàn)所需要的矽奈米結(jié)構(gòu)。B.將矽晶圓切割成1.5×1.5cm2的正方形作為基板C. (GP是清潔劑、DI是去離子水)(2) 高溫爐擴(kuò)散製作PN接面A. 將P509均勻塗佈於基板B. 光阻塗佈機(jī)：為step1

12、：1500rmp，5秒、step2：2500rmp，25秒，其中step1可以使P509佈滿整個(gè)基板，而step2決定P509的厚度。C. 完成塗佈的基板放入烤箱中烘烤(bake)15分鐘，120，烘烤的目的主要是為了使P509中的有機(jī)溶劑能夠加以揮發(fā)，並使P509固定於基板上(3). 高溫?cái)U(kuò)散的處理氣體流量分別為450與150sccm以氧化鋁舟為載臺(tái)，放置於石英管中，但不要直接進(jìn)入加熱區(qū)(加熱區(qū)溫度設(shè)定1150)，先在加熱區(qū)外等待5分鐘的淨(jìng)化(purge)，之後將基板推入加熱區(qū)，加熱25分鐘，加熱過(guò)程中溫度約在1分鐘左右達(dá)熱平衡，此時(shí)溫度大約降至1050。等加熱完成後再將基板推出，以風(fēng)扇加速

13、其降溫利用RTP的熱擴(kuò)散方式可以節(jié)省太陽(yáng)能電池的製程時(shí)間，而且降低磷原子的擴(kuò)散深度，淺接面(shallow junction)結(jié)構(gòu)可以增加太陽(yáng)能電池對(duì)短波長(zhǎng)的吸收。(4). 邊緣隔離(邊緣漏電流是造成漏電流最主要的原因)P509塗佈的過(guò)程中，不只是堆積在基板的拋光面上，在基板的四個(gè)側(cè)邊，甚至背面上都會(huì)堆積P509，所以經(jīng)過(guò)高溫?cái)U(kuò)散後，除了拋光面，基板的側(cè)邊和背面部分區(qū)域也會(huì)變成n型矽。我們利用研磨的方式完成邊緣隔離(5). 快速熱氧化基板經(jīng)過(guò)RTO的程序處理後，更多原先堆積在表面上的磷原子可以進(jìn)入基板內(nèi)部，使磷原子濃度較為均勻，更重要的是經(jīng)過(guò)RTO後，電子濃度與磷原子濃度趨於一致，原先不活躍的

14、部分磷原子在RTO的作用下，轉(zhuǎn)變成活躍的磷原子可以提供電子。此外，經(jīng)過(guò)RTO處理基板表面上會(huì)形成一層SiO2，可以修補(bǔ)基板經(jīng)過(guò)蝕刻後所造成的表面缺陷(defects)，意即鈍化(passivation)處理，鈍化處理可以降低表面上電子與電洞再?gòu)?fù)合的速率。以氧化鋁舟為載臺(tái)，放置於石英管中，不要直接進(jìn)入加熱區(qū)(1050)，先在加熱區(qū)外等待5分鐘的淨(jìng)化(purge)，石英管中通流量為150sccm的氧氣，之後將基板推入加熱區(qū)，加熱90秒，加熱完成後再將基板推出，並以風(fēng)扇加速其降溫。完成RTO處理後，我們?cè)賹⒒褰蒽禕OE於五分鐘，以去除SiO2，最後再以氮?dú)鈱⒒宕登?6). 電極的製作我們利用蒸

15、鍍法(evaporation)來(lái)製作太陽(yáng)能電池的正面(n型矽)與背面(p型矽)電極，蒸鍍的靶材為鋁，蒸鍍厚度為1m。蒸鍍完成的電極與其接觸的基板表面並沒(méi)有形成歐姆接觸(ohmi-contact)，所以還需要經(jīng)過(guò)熱退火(thermal annealing)處理，使電極與其接觸的基板表面間形成歐姆接觸，由於正面電極的n型矽區(qū)屬於淺接面結(jié)構(gòu)，故加熱溫度不能太高，時(shí)間也不能太久，避免鋁原子滲過(guò)PN接面，造成短路現(xiàn)象。(7). 太陽(yáng)能電池元件的製作將銅箔板裁成2.5×2.5cm的正方形，砂紙將其表面的氧化層磨除，避免造成串聯(lián)電阻的增加而影響效率。用銅箔板切割成兩個(gè)互不導(dǎo)電的區(qū)域，將基板的背面電

16、極處塗上銀膠後，黏貼於銅箔版上較大的區(qū)域，正面電極處以銀膠沾黏金線後，將金線連接至銅箔板上另一較小區(qū)域處(8). 轉(zhuǎn)換效率的測(cè)量上：光源下：測(cè)量I-V CURVE的儀器測(cè)量暗電流打光：量I-V CURVE六、實(shí)驗(yàn)結(jié)果兩種方式：KOH蝕刻與利用晶圓霧面晶圓霧面太陽(yáng)能電池I-V圖綠色：未打光紅色：平行光黑色：聚焦的光KOH蝕刻太陽(yáng)能電池紅色：照光黑色：沒(méi)照光五、實(shí)驗(yàn)討論理論上太陽(yáng)能電池的電壓-電流特性曲線應(yīng)該是上面這個(gè)樣子，而我們做出來(lái)的晶圓霧面太陽(yáng)能電池I-V圖長(zhǎng)得是這個(gè)樣子，(1) V<0時(shí)的曲線不是水平的，這應(yīng)該代表著，在理想的狀態(tài)下我們假設(shè)二極體只讓某方向的電流(正向偏壓)通過(guò)，即V

17、<0時(shí)I=0，事實(shí)上，逆向偏壓時(shí)，二極體也會(huì)通過(guò)逆向電流，並不是完美的二極體，且此電流與電壓大小成正比，故在我們實(shí)際測(cè)量的作圖，在V<0的區(qū)域電流會(huì)隨著電壓變化。(2) 黑線與紅線代表了：黑線的數(shù)據(jù)是光聚焦在SAMPLE上的，紅線則是平行光，其實(shí)就代表了不同的入射光INTENSITY，轉(zhuǎn)換效率(energy conversion efficiency)是指電池將入射太陽(yáng)光的功率Pin轉(zhuǎn)換成最大輸出之電功率Pmax 之比例。就算我們沒(méi)有以方程式FIT曲線並求得最大值Pmax，但其實(shí)由圖上可看出來(lái)黑線的Pmax必大於紅線。轉(zhuǎn)換效率，若不小心注意可能會(huì)把黑線和紅線的Pin當(dāng)作是一樣的，而

18、量出不同的效率，所以這是實(shí)驗(yàn)時(shí)必須注意的一點(diǎn)，光源的狀況會(huì)影響到我們量的效率。(3) 本圖I=0.1時(shí)不再增加，是因?yàn)樽鲌D時(shí)設(shè)定的關(guān)係而我們也量測(cè)了KOH蝕刻太陽(yáng)能電池I-V圖(1) 紅線為有照光，黑線沒(méi)照光，但是兩條曲線差別非常些微，在V<0時(shí)照光的電流值只有稍微大於未照光的而已(2) 而且在V>0及V<0曲線斜率並無(wú)太大改變，這代表此二極體對(duì)於兩個(gè)方向電流的電阻值是差不多的，可說(shuō)是已經(jīng)失去二極體的性質(zhì)了。所以理所當(dāng)然的，無(wú)法產(chǎn)生光伏特效應(yīng)，也失去了太陽(yáng)能電池的功用。(3)推測(cè)可能導(dǎo)致此失敗的原因：在製作此電池時(shí)，在電極製作這個(gè)步驟，我們利用蒸鍍法(evaporation)來(lái)製作太陽(yáng)能電池的電極，蒸鍍的靶材為鋁，蒸鍍完成的電極與其接觸的基板表面間並沒(méi)有形成歐姆接觸(ohmi-contact)，所以還需要經(jīng)過(guò)熱退火(thermal annealing)處理，使電極與其接觸的基板表面間形成歐姆接觸，由於正面電極的n型矽區(qū)屬於淺接面結(jié)構(gòu)，有可能在熱退火處理