靜電放電模式(HBM、MM、IEC)電路及靜電等級及比較

1、LED靜電擊穿原理以PN結(jié)結(jié)構(gòu)為主的LED在制造、篩選、測試、包裝、儲運及安裝使用等環(huán)節(jié)，難免不受靜電感應影響而產(chǎn)生感應電荷。若得不到及時釋放，LED的兩個電極上形成的較高電壓將直接加上led芯片的PN結(jié)兩端。當電壓超過LED的最大承受值后，靜電電荷將以極短的瞬間（納秒級別）在LED芯片的兩個電極之間進行放電，功率焦耳的熱量將使得LED芯片內(nèi)部的導電層、PN發(fā)光層的局部形成高溫，高溫將會把這些層熔融成小孔，從而造成漏電以及短路的現(xiàn)象。ESD的相關(guān)知識。為了ESD:ElectrostaticDischarge,即是靜電放電，每個從事硬件設計和生產(chǎn)的工程師都必須掌握定量表征ESD寺性，一般將ESD

2、f專化成模型表達方式，ESD的模型有很多種，下面介紹最常用的三種。1. HBM:HumanBodyModel,人體模型:該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb為等效人體電阻，Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件HBM真型的ES*級。JEAD22-AU+1SCOOhmvoitdgedBL-OUTSourceG.OUTChisB寸1A250Vffl500VClris舊：XWVioICOTVClr.s1CLOOOVIO2C00VCh5522（K?VtoCLi?5A:4OT0VSCXJOV5B:25Q0GVESD人體模型等效電路圖及其ESD級2. MM:MachineModel,機器模

3、型：機器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容（Cb）是200pF,等效電阻為。，機器模型與人體模型的差異較,取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大 于人體模大，實際上機器的儲電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)式，同等電壓對器件的損害，機器模式遠大于人體模型MjchintMudelJESD2yA115-Prak C m rent * SAF_v JF f ?cmChn B200 V200 V tc 400400 VESD機器模型等效電路圖及其ES次級3. CDM:ChargedDeviceModel，充電器件模型:半導體器件主要采用三種封裝型式（金屬、陶瓷、塑料）。它們在裝配、傳

4、遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于吊殼與其它絕緣材料（如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等）相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM真型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的，器件帶電模型如下:JESD22C10r1OhmDUTVoltageSource丫 帕 looo vPeakCurrent15AmpsChuI<2Q0VChwll200VtcSOO'ChiunClass>1000V.ESD充電器件模型等效電路圖及其ESD?級器件的ESD?級一般按以上三種,g型測試，大部分ESDtt感器件手冊上都有器件

5、的ESDt據(jù)，一般給出的是HBM和MMIEC模式與上面幾種模式相似，只是放電電阻、儲能電容規(guī)格暗IEC標準，具體如下掙電放電霍生器的持性一窗幅電眷G一故電電JUZ一充電比附輸出電壓（見注1）Kc-5C-l'XJMn1 千 U pF± 1G%33on-j0A50 Mfl與100 MQ之間接成電Ek¥ (標椒值)空汽枚 電 15 kV (fcg ; ffl)-0放電拱MIMHBMIEC放電模式比較模式放電電路圖靜電等級CUHA200VCUHB200Vtc400VCUBCi400V.KUA%?±IWFHtms1040IEC楝式CM0250V?",00VCU$s