(待分)晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造技術(shù)流程

1、.晶圓封裝測試工序一、檢測.缺陷檢查.（）用來檢測出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。.（）對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。二、封裝.構(gòu)裝（）構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（）及塑膠（）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈睿ǎ?、黏晶（）、焊線（）、封膠（）、剪切成形（）、印字（）、電鍍（）及檢

2、驗(yàn)（）等。（）晶片切割（）晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（）切割分離。舉例來說：以微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的微量。欲進(jìn)行晶片切割，首先必須進(jìn)行晶圓黏片，而后再送至晶片切割機(jī)上進(jìn)行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺褶與晶粒之相互碰撞。（）黏晶（）黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置于導(dǎo)線架上并以銀膠（）粘著固定。黏晶完成后之導(dǎo)線架則經(jīng)由傳輸設(shè)備送至彈匣（）內(nèi)，以送至下一制程進(jìn)行焊線。（）焊線（）構(gòu)裝制程（）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（。簡稱），此制程的目的是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械

3、性刮傷或是高溫破壞。最后整個集成電路的周圍會向外拉出腳架（），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。（）封膠（）封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機(jī)械方式支持導(dǎo)線、內(nèi)部產(chǎn)生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導(dǎo)線架置于框架上并預(yù)熱，再將框架置于壓模機(jī)上的構(gòu)裝模上，再以樹脂充填并待硬化。（）剪切成形（）剪切之目的為將導(dǎo)線架上構(gòu)裝完成之晶粒獨(dú)立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預(yù)先設(shè)計好之形狀，以便于裝置于電路板上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機(jī)配上多套不同制程之模具，加上進(jìn)料及出料組織所組成。（）印字（）及電鍍（）印字乃將字體印于構(gòu)裝完

4、的膠體之上，其目的在于注明商品之規(guī)格及制造者等資訊。（）檢驗(yàn)（）晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之檢驗(yàn)之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合與使用。其中項(xiàng)目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗(yàn)。（）封裝制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導(dǎo)線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。.測試制程（）（）芯片測試（）（）芯片目檢（）（）芯片粘貼測試（）（）壓焊強(qiáng)度測試（）（）穩(wěn)定性烘焙（）（）溫度循環(huán)測試（）（）離心測試（）（）滲漏測試（）（）高低溫電測試（）高溫老化（）（）老化后測試（.半導(dǎo)體

5、制造工藝流程高頻小功率晶體管制造的工藝流程為：外延片編批清洗水汽氧化一次光刻檢查清洗干氧氧化硼注入清洗淀積清洗硼再擴(kuò)散二次光刻檢查單結(jié)測試清洗干氧氧化磷注入清洗鋁下清洗發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散三次光刻檢查雙結(jié)測試清洗鋁蒸發(fā)四次光刻檢查氫氣合金正向測試清洗鋁上檢查五次光刻檢查氮?dú)夂姹簷z查中測中測檢查粘片減薄減薄后處理檢查清洗背面蒸發(fā)貼膜劃片檢查裂片外觀檢查綜合檢查入中間庫。小功率晶體管制造的工藝流程為：外延片編批擦片前處理一次氧化檢查（）一次光刻檢查前處理基區(qū)涂覆預(yù)淀積后處理檢查（口）前處理基區(qū)氧化擴(kuò)散一檢查（、）二次光刻一一檢查一一單結(jié)測試一一前處理一一預(yù)淀積一一后處理（液）一一檢查一一前處理一一發(fā)射區(qū)氧

6、化一一檢查（）一一前處理一一發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散（）一一前處理一一鋁下一一檢查（、口）一一前處理一一氧化一一前處理一一氫氣處理一一三次光刻一一檢查一一追擴(kuò)散一一雙結(jié)測試一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一檢查（）一一四次光刻一一檢查一一前處理一一氮?dú)夂辖鹨灰坏獨(dú)夂姹阂灰粰z查（）一一五次光刻一一檢查一一大片測試一一中測一一中測檢查（一一粘片一一減薄一一減薄后處理一一檢查一一清洗一一背面蒸發(fā)一一貼膜一一劃片一一檢查一一裂片一一外觀檢查）一一綜合檢查一一入中間庫。平面品種（小功率三極管）工藝流程為：編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一檢查（）一一一次光刻一一檢查一一前處理一一基區(qū)干氧氧化一一檢查（）一一一光刻（不腐蝕

7、）一一硼注入一一濕法去膠一一前處理一一基區(qū)擴(kuò)散一一檢查（、口）一一硼注入一一前處理一一基區(qū)擴(kuò)散與氧化一一檢查（、口）一一二次光刻一一檢查一一單結(jié)測試一一前處理一一發(fā)射區(qū)干氧氧化一一檢查（）一一磷注入一一前處理一一發(fā)射區(qū)氧化和再擴(kuò)散一一前處理一一預(yù)淀積（）一一后處理一一前處理一一鋁下一一檢查（）一一前處理一一氮?dú)馔嘶鹨灰蝗喂饪桃灰粰z查一一雙結(jié)測試一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一檢查（）一一四次光刻一一檢查一一前處理一一氮?dú)夂辖鹨灰坏獨(dú)夂姹阂灰徽驕y試一一五次光刻一一檢查一一大片測試一一中測編批一一中測一一中測檢查一一入中間庫。雙基區(qū)節(jié)能燈品種工藝流程為：編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一檢查（）一

8、一一次光刻一一檢查一一前處理一一基區(qū)干氧氧化檢查（）一硼注入前處理基區(qū)擴(kuò)散后處理檢查（、）前處理一一基區(qū)涂覆一一預(yù)淀積一一后處理一一檢查（口）一一前處理一一基區(qū)氧化與擴(kuò)散檢查（、）二次光刻檢查單結(jié)測試磷注入前處理發(fā)射區(qū)氧化一一前處理一一發(fā)射區(qū)再擴(kuò)散一一前處理一一預(yù)淀積（口）一一后處理一一前處理退火、退火三次光刻檢查雙結(jié)測試前處理鋁蒸發(fā)檢查（）四次光刻一一檢查一一前處理一一氮?dú)浜辖鹨灰坏獨(dú)夂姹阂灰徽驕y試（）一一外協(xié)作（）前處理五次光刻檢查大片測試測試中測編批中測中測檢查入中間庫。變?nèi)莨苤圃斓墓に嚵鞒虨椋和庋悠幣疗疤幚硪淮窝趸瘷z查光刻檢查前處理干氧氧化檢查注入前處理擴(kuò)散光刻檢查硼注入前處理

9、一一（）檢查一一硼注入一一前處理檢查一一前處理一一擴(kuò)散一一特性光刻電容測試是否再加擴(kuò)電容測試（直到達(dá)到電容測試要求）三次光刻一一檢查一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一檢查（）鋁反刻一一檢查一一前處理一一氫氣合金氮?dú)夂姹捍笃瑴y試中測電容測試粘片減薄檢查前處理背面蒸發(fā)綜合檢查入中間庫。擴(kuò)散時間越長，相同條件下電容越小。穩(wěn)壓管（襯底）制造的工藝流程為：外延片編批擦片前處理一次氧化檢查光刻檢查前處理干氧氧化檢查硼注入前處理鋁下檢查前處理擴(kuò)散特性光刻一一擴(kuò)散測試（反向測試）一一前處理一一是否要追擴(kuò)一一三次光刻一一檢查一一前處理鋁蒸發(fā)檢查（）四次光刻檢查前處理氮?dú)夂辖鸬獨(dú)夂姹捍笃瑴y試中測。擴(kuò)散時間越長，相同條件下反向擊穿電壓越高。肖特基二極管基本的制造工藝流程為：編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一檢查（）一一光刻一一檢查一一硼注入一一前處理擴(kuò)散與氧化檢查（，）三次光