DB工程師中級教育20130419

1、 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.粘片工程中級工程師粘片工程中級工程師教育資料教育資料 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.組立技術(shù)組立技術(shù)1 1科科 董露瀟董露瀟2013-4-192013-4-19 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.目錄目錄一一. .粘片工程概要粘片工程概要P3.P3.二二. .粘片設(shè)備介紹粘片設(shè)備介紹P12.P12.三三. .框架

2、相關(guān)介紹框架相關(guān)介紹P26.P26.五五. .樹脂樹脂銀銀漿漿粘片粘片工藝工藝P62.P62.四四. .樹脂膠片粘片工藝樹脂膠片粘片工藝P36.P36.2 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.3一一. .粘片工程概要粘片工程概要 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.DBDB工程基礎(chǔ)知識工程基礎(chǔ)知識框架供給切片后晶片供給拾取芯片框架送入料盒粘片材供給粘片點(diǎn)切刃切刃吸嘴吸嘴加熱臺加熱臺突上針突上針料盒切片后利用接合材，將一個(gè)個(gè)芯片固定在粘片

3、臺上切片后利用接合材，將一個(gè)個(gè)芯片固定在粘片臺上84 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.DBDB工藝方式工藝方式根據(jù)使用的接合材料的種類及形狀分類根據(jù)使用的接合材料的種類及形狀分類金屬接合金屬接合樹脂接合樹脂接合Au-SiAu-Si共共晶晶粘片粘片半田粘片半田粘片（Pb-5SnPb-5Sn等）等）銀漿粘片銀漿粘片膠片粘片膠片粘片工藝方式工藝方式主要適用領(lǐng)域主要適用領(lǐng)域超高信賴超高信賴（火箭火箭、人工、人工衛(wèi)衛(wèi)星等星等）電力系、高功率半導(dǎo)體電力系、高功率半導(dǎo)體ICIC全部全部（車用車用、民、民用用、產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)）95

4、2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.切刃切刃半半田田帶、線帶、線Au-SiAu-Si共共晶晶粘片粘片半田粘片半田粘片擦抹擦抹Au-SiAu-Si箔箔約約400400芯片芯片鍍金約約350350400400芯片芯片鍍銀背面鍍金背面鍍金(Ti/Ni/Au(Ti/Ni/Au蒸著蒸著) )氛圍氣氛圍氣（氫氣氮?dú)猓錃獾獨(dú)猓ㄑ鯕鉂舛妊鯕鉂舛龋簲?shù)數(shù)100100ppmppm) )溶融溶融接合接合接合接合DPDPDPDP壓接壓接DBDB工藝流程（工藝流程（1 1）106 2010 Renesas Electronics Corp

5、oration. All rights reserved.銀漿粘片銀漿粘片膠片粘片膠片粘片摩擦摩擦樹脂銀漿樹脂銀漿室溫室溫芯片接著接著 硬化硬化1501503003006060秒秒120120分分切刃切刃樹脂膠片帶樹脂膠片帶芯片芯片銀漿滴下，涂敷銀漿滴下，涂敷DPDPDPDP粘貼粘貼100100200200接著面積擴(kuò)大接著面積擴(kuò)大膠管膠管噴針噴針切片切片DBDB工藝流程（工藝流程（2 2）150150250250程度程度接著接著waferM環(huán)環(huán)貼貼附膠片附膠片100200芯片芯片7 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserve

6、d. 不同粘片方式工藝特點(diǎn)不同粘片方式工藝特點(diǎn)項(xiàng)項(xiàng)目內(nèi)容目內(nèi)容半田半田銀漿銀漿膠片膠片材料成分材料成分Pb95%Sn5%Pb95%Sn5%樹樹脂脂( (環(huán)環(huán)氧氧樹樹脂或丙脂或丙烯烯酸酸)+)+填料填料(Ag(Ag粉粉) )樹樹脂脂( (聚聚酰酰胺胺+ +環(huán)環(huán)氧氧樹樹脂脂)+)+填料填料(Ag(Ag粉或二氧化硅粉或二氧化硅) )粘片溫度粘片溫度360+30360+30， ，-20-20粘片粘片時(shí)時(shí)常溫常溫需要后固化需要后固化150(CRM1076DH)150(CRM1076DH)180 (RZ032C)180 (RZ032C)在在線線固化固化( (各溫度點(diǎn)不同各溫度點(diǎn)不同) )25025010

7、10 吸嘴吸嘴鈦鈦氟氟龍圓龍圓吸嘴吸嘴/ /木屐木屐( (超超鋼鋼材，材，車車品品) )鈦鈦氟氟龍圓龍圓/ /橡膠橡膠圓圓吸嘴吸嘴/ /木屐木屐( (超超鋼鋼材材) )鈦鈦氟氟龍圓龍圓/ /橡膠橡膠圓圓吸嘴吸嘴/ /木木屐屐( (超硬超硬鋼鋼材材) )氛氛圍圍氣氣H H2 2/N/N2 2無無( (例外例外in line cure Nin line cure N2 2） ）N N2 2粘片粘片時(shí)間時(shí)間1sec1sec以上以上02sec02sec1sec1sec以上以上128 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.RE

8、NESASRENESAS欠缺欠缺傷傷位置偏移位置偏移芯片方向芯片方向錯誤錯誤DPDP背面?zhèn)趁鎮(zhèn)鸭y裂紋浸潤不足浸潤不足浸潤過度浸潤過度剪切強(qiáng)度剪切強(qiáng)度139 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.突上針痕跡突上針痕跡芯片強(qiáng)度高芯片強(qiáng)度高、拾取時(shí)從膠拾取時(shí)從膠布剝離布剝離從膠布還沒有剝離時(shí)，從膠布還沒有剝離時(shí)，芯片斷裂芯片斷裂薄薄芯片芯片厚厚tt約約100m100m薄芯片課題薄芯片課題厚厚芯片芯片吸嘴吸嘴芯片下垂造成裂紋芯片下垂造成裂紋芯片芯片厚厚約約100m 100m 突上針突上針突上針突上針吸嘴吸嘴芯片芯片吸嘴吸

9、嘴芯片芯片1410 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.11各種粘片方式的主要適用范圍各種粘片方式的主要適用范圍半田半田樹脂銀漿樹脂銀漿樹脂膠片樹脂膠片 因?yàn)榄h(huán)境相關(guān)問題，在要求無鉛的情況下，需要更因?yàn)榄h(huán)境相關(guān)問題，在要求無鉛的情況下，需要更換為樹脂粘接方式換為樹脂粘接方式 但是一部分制品（但是一部分制品（powerpower品等需要高導(dǎo)電、導(dǎo)熱、耐品等需要高導(dǎo)電、導(dǎo)熱、耐熱性的熱性的PKGPKG仍需要半田）仍需要半田） 芯片較厚且芯片較厚且1 1個(gè)個(gè)PKGPKG封裝封裝1 1個(gè)芯片時(shí)可以主要使用這種方個(gè)芯片時(shí)可以

10、主要使用這種方式（式（DIPDIP、SOPSOP、QFPQFP、L-QFPL-QFP、T-QFPT-QFP、BGABGA、FBGAFBGA等）等） 瑞薩的標(biāo)準(zhǔn)瑞薩的標(biāo)準(zhǔn)PKGPKG、銅框架的、銅框架的QFPQFP也適用樹脂銀漿方式也適用樹脂銀漿方式 薄芯片薄芯片（100m100m）、）、疊層芯片等制品疊層芯片等制品、及需要確保及需要確保高粘片品質(zhì)的高粘片品質(zhì)的PKGPKG適用這種方式適用這種方式（S-CSPS-CSP、S-MCPS-MCP等）等） 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.二二. . 粘片設(shè)備介紹粘片設(shè)備

11、介紹12 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.13序號序號型號型號廠家廠家數(shù)量數(shù)量粘片方式粘片方式對應(yīng)對應(yīng)WaferWafer尺尺寸寸溫度溫度氛氛圍圍氣氣無黑點(diǎn)化無黑點(diǎn)化1DB-700AC日立9銀漿8、12英寸無不需要可使用24100三菱19半田8、6英寸高溫需要可使用29膠片8、6英寸高溫需要可使用34150三菱13膠片8英寸高溫需要可使用44200三菱4膠片8英寸高溫需要可使用1銀漿8英寸無不需要可使用7半田8英寸高溫需要可使用5CPS1800NEC9銀漿8英寸無不需要可使用6CPS1800RNEC3銀漿8英寸

12、無不需要可使用7BESTEM-D01CANON1銀漿8英寸無不需要可使用8BESTEM-D02CANON13銀漿8、12英寸無不需要可使用9BESTEM-D03CANON1半田8英寸高溫需要可使用10CPS-400NEC3半田8、6英寸高溫需要不可使用11CPS-400FNEC4半田8、6英寸高溫需要不可使用12CPS-4000LCANON3半田8、6英寸高溫需要不可使用粘片工程設(shè)備清單粘片工程設(shè)備清單共計(jì)：共計(jì)：118118臺臺 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.14 型型 號：號：DB-700ACDB-700

13、AC 廠廠 家：日立高新技術(shù)家：日立高新技術(shù) 電電 源：單相源：單相200V 200V 氣氣 源：干空源：干空400400495kPa 495kPa 真空：真空：-66 -66 - 101kPa- 101kPa 設(shè)備精度：設(shè)備精度：X X、Y Y25um25um 0.50.5 重重 量：量：1600Kg1600Kg粘片粘片設(shè)備設(shè)備基本信息基本信息 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.15. .入料部入料部. .搬送部搬送部. .銀漿部銀漿部. .粘片部粘片部. .無黑點(diǎn)化系統(tǒng)無黑點(diǎn)化系統(tǒng). .出料部出料部. .操作

14、部操作部. .突上部突上部. .繃片部繃片部. .基板控制部基板控制部設(shè)備設(shè)備各部位功能各部位功能說說明明 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.16拾取手臂升降入料部升降入料部入入 料料 部部返回返回框架的放置場所，同時(shí)通過拾取手臂將框架放置軌道中框架的放置場所，同時(shí)通過拾取手臂將框架放置軌道中料盒排出平臺料盒入料部料盒入料部 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.17入入料料軌軌道道中中間間軌軌道道搬搬 送送 部部出出料料軌軌道道框架的

15、搬送場所，通過搬送爪將框架送至各加工位置框架的搬送場所，通過搬送爪將框架送至各加工位置 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.廠家：武藏廠家：武藏型號：型號：SuperCMV2SuperCMV218返回返回舍打板點(diǎn)漿機(jī)點(diǎn)漿機(jī)銀漿部通過認(rèn)識確定框架位置，依靠伺服電機(jī)控制點(diǎn)漿頭動作，對銀漿部通過認(rèn)識確定框架位置，依靠伺服電機(jī)控制點(diǎn)漿頭動作，對框架各個(gè)粘接區(qū)進(jìn)行銀漿涂布?？蚣芨鱾€(gè)粘接區(qū)進(jìn)行銀漿涂布。銀銀 漿漿 部部干空真空銀銀漿漿吐吐出出示示意意圖圖銀銀 漿漿 部部 2010 Renesas Electronics Cor

16、poration. All rights reserved.19粘片部通過認(rèn)識確定框架位置，依靠伺服電機(jī)控制粘片頭動作，對框架各個(gè)粘粘片部通過認(rèn)識確定框架位置，依靠伺服電機(jī)控制粘片頭動作，對框架各個(gè)粘接區(qū)進(jìn)行粘片。接區(qū)進(jìn)行粘片。粘粘 片片 部部粘片時(shí)序圖粘片時(shí)序圖粘粘 片片 部部 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.20無黑點(diǎn)系無黑點(diǎn)系統(tǒng)統(tǒng)無黑點(diǎn)化系統(tǒng)狀態(tài)返回返回?zé)o黑點(diǎn)化電腦使用無黑點(diǎn)化電腦使用XPXP操作系統(tǒng)操作系統(tǒng)無黑點(diǎn)化系統(tǒng)版本：無黑點(diǎn)化系統(tǒng)版本：2.16.32.16.3INKINK品的良品與不良品是通過品的

17、良品與不良品是通過認(rèn)識認(rèn)識來區(qū)分的，我們?nèi)庋垡彩悄芸闯鰜淼?；來區(qū)分的，我們?nèi)庋垡彩悄芸闯鰜淼模?INKLESSINKLESS品的良品的良品與不良品是通過品與不良品是通過無黑點(diǎn)化系統(tǒng)無黑點(diǎn)化系統(tǒng)來區(qū)分的，直觀上是區(qū)分不出來的。來區(qū)分的，直觀上是區(qū)分不出來的。無黑點(diǎn)化系統(tǒng)利用無黑點(diǎn)化系統(tǒng)利用waferwafer的代碼信息，通過網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)庫得到當(dāng)枚的代碼信息，通過網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)庫得到當(dāng)枚waferwafer的具體數(shù)的具體數(shù)據(jù)，并反饋于設(shè)備進(jìn)行處理據(jù)，并反饋于設(shè)備進(jìn)行處理INKINK品品INKLESSINKLESS品品良品不良品Map【白色良品紅色不良品】 2010 Renesas Electronics C

18、orporation. All rights reserved.21出出 料料 部部料盒放置平臺料盒排出平臺區(qū)域傳感器返回返回粘片完了制品的排出場所粘片完了制品的排出場所 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.22操操 作作 部部非常停止觸摸屏上下左右鍵高 速停 止開 始返回返回DB-700ACDB-700AC使用使用QNXQNX操作系統(tǒng)操作系統(tǒng)設(shè)備版本：設(shè)備版本：02.098/0002.098/00設(shè)備手動控制的操作場所設(shè)備手動控制的操作場所 2010 Renesas Electronics Corporation

19、. All rights reserved.23返回返回突突 上上 部部突上臺突上針升降馬達(dá)突上部升降氣缸拾取時(shí)，突上針向上動作，瞬時(shí)的局部突起，使芯片與膠布分離，保證吸嘴的拾取時(shí)，突上針向上動作，瞬時(shí)的局部突起，使芯片與膠布分離，保證吸嘴的順利拾取順利拾取第一段突上量第二段突上量1 1段段+2+2段突上量段突上量700um700um 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.24繃繃 片片 部部內(nèi) 環(huán)M導(dǎo)軌夾 子掃碼器外 環(huán)返回返回繃片是通過內(nèi)外環(huán)的高度差將繃片是通過內(nèi)外環(huán)的高度差將waferwafer的膠布均勻拉伸、

20、繃緊，達(dá)到擴(kuò)大芯片與芯片間的膠布均勻拉伸、繃緊，達(dá)到擴(kuò)大芯片與芯片間距離的目的，提供良好的拾取環(huán)境距離的目的，提供良好的拾取環(huán)境 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.25控控 制制 部部傳感器信號控制卡影像系統(tǒng)控制卡馬達(dá)控制卡硬 盤返回返回硬盤容量：硬盤容量：80G 80G 端端 口：并口口：并口銀漿、粘片、繃片部狀態(tài)顯示設(shè)備的控制中心，對各個(gè)單元的反饋信息進(jìn)行處理，并發(fā)出新的指令設(shè)備的控制中心，對各個(gè)單元的反饋信息進(jìn)行處理，并發(fā)出新的指令 2010 Renesas Electronics Corporation.

21、 All rights reserved.三三. . 框架相關(guān)介紹框架相關(guān)介紹26 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.工程內(nèi)檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)分條切割分條切割沖沖 壓壓電電 鍍鍍T/D/C計(jì)量包裝計(jì)量包裝產(chǎn)品出貨產(chǎn)品出貨原材料原材料沖壓法框架生產(chǎn)工藝流程圖沖壓法框架生產(chǎn)工藝流程圖工程內(nèi)檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)進(jìn)貨檢驗(yàn)進(jìn)貨檢驗(yàn)出貨檢驗(yàn)出貨檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)27 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.框架沖壓工序示意圖框架沖壓工

22、序示意圖28 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.框架制造電鍍、切斷工序示意圖框架制造電鍍、切斷工序示意圖29 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.腐蝕腐蝕感光掩膜涂附感光掩膜涂附/干燥干燥顯像顯像工程內(nèi)檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)電鍍電鍍工程內(nèi)檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)曝光曝光材料進(jìn)貨及檢驗(yàn)材料進(jìn)貨及檢驗(yàn)貼膠帶貼膠帶/壓深壓深/切斷切斷發(fā)貨運(yùn)輸發(fā)貨運(yùn)輸出貨檢驗(yàn)及包裝出貨檢驗(yàn)及包裝工程內(nèi)檢驗(yàn)工程內(nèi)檢驗(yàn)腐蝕法框架生產(chǎn)工藝流程腐蝕法框架生產(chǎn)工藝流程30 2010 R

23、enesas Electronics Corporation. All rights reserved.- 31 -脫脂 （酸処理）感光液塗布 乾燥材料焼付焼付現(xiàn)像現(xiàn)像前処理塗布塗布使用腐蝕腐蝕寸検生材検査現(xiàn)像硬膜処理水洗乾燥腐腐蝕蝕框架制造工序（前工程）框架制造工序（前工程）剝膜処理腐蝕処理後処理乾燥斷裁積載剝膜剝膜31 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.- 32 -除去部分腐蝕液除去部分腐蝕液除去除去剝膜完了後狀斷裁剝膜完了後狀斷裁材料主材料主Cu系系Fe系使用（得意先指定）系使用（得意先指定）材料狀納入材料

24、狀納入板厚板厚0.1mm0.30mm幅幅300mm600mm未露光部分現(xiàn)像液現(xiàn)像、形成未露光部分現(xiàn)像液現(xiàn)像、形成現(xiàn)像後、殘硬膜処理現(xiàn)像後、殘硬膜処理材料表面防錆油汚除去材料表面防錆油汚除去感光性塗布感光性塗布現(xiàn)像現(xiàn)像露光露光塗布塗布剝膜剝膜腐蝕腐蝕材料材料材料幅：300600mm板厚：0.1mm0.30mm版用版用 （露光）露光）腐腐蝕蝕框架制造方法框架制造方法32 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.- 33 -Ag前処理後処理流方向鍍銀工程詳細(xì)介紹（省略水洗工程） 電 解 脫 脂酸 洗 浄銅置 換 防 止剝 離

25、表 面 処 理絞 乾 燥銀銀回 収 鍍銀鍍銀區(qū)區(qū)為了進(jìn)行壓焊，需要對框架部分區(qū)域進(jìn)行鍍銀腐腐蝕蝕框架框架電鍍電鍍工序工序33 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.- 34 -后加工之前進(jìn)行的都是化學(xué)方法的處理而后加工是進(jìn)行機(jī)械加工加工前加工後后加工是貼貼附加附加強(qiáng)強(qiáng)膠片膠片切掉不需要的部分切掉不需要的部分金屬彎曲加工金屬彎曲加工腐腐蝕蝕框架后加工工序框架后加工工序34 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.35成成 分：銅合金（分：銅合金

26、（C/E/M/T)C/E/M/T)或鐵合金或鐵合金(F)(F)保管場所：保管保管場所：保管柜柜保管期限：一年保管期限：一年鍍層情況：詳見下表鍍層情況：詳見下表鐵框架鐵框架銅框架銅框架框架框架擴(kuò)擴(kuò)展名展名粘接區(qū)和內(nèi)引腳的粘接區(qū)和內(nèi)引腳的鍍銀鍍銀情況情況-200沒有銀鍍層-203粘接區(qū)和內(nèi)引腳有鍍銀層（區(qū)域鍍層）-205內(nèi)引腳有鍍銀層 （雙行鍍層，環(huán)形鍍層）-208內(nèi)引腳有鍍銀層 （正反面鍍層如52PTG用框架）粘片工程使用的框架的分類，如：粘片工程使用的框架的分類，如：1616C CB-B-203203，5252F FZPTG-ZPTG-208208擴(kuò)展名：-203擴(kuò)展名：-205擴(kuò)展名：-20

27、8（正反雙芯片）框架命名方法框架命名方法 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.36四四. .樹脂膠片粘片工藝樹脂膠片粘片工藝 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.37樹脂膠片粘接方式的特征（樹脂膠片粘接方式的特征（1 1）芯片芯片粘片臺粘片臺樹脂膠片粘片樹脂膠片粘片樹脂膠片屬于低彈性材料，芯片發(fā)生應(yīng)力較低，當(dāng)芯片較大、框架熱膨脹率較大時(shí)，使用樹脂膠片屬于低彈性材料，芯片發(fā)生應(yīng)力較低，當(dāng)芯片較大、框架熱膨脹率較大時(shí)，使用樹脂膠片的效果較明

28、顯。樹脂膠片的效果較明顯。半田粘片半田粘片芯片芯片粘片臺粘片臺裂紋裂紋彈性率低，有彈性率低，有緩和應(yīng)力的效果緩和應(yīng)力的效果彈性率高，芯片彈性率高，芯片有熱應(yīng)力作用有熱應(yīng)力作用芯片背面不用芯片背面不用鍍金屬鍍金屬芯片背面要電鍍芯片背面要電鍍（Ti-Ni-AuTi-Ni-Au）粘片臺表面粘片臺表面不用鍍銀不用鍍銀粘接區(qū)表面粘接區(qū)表面要鍍銀要鍍銀需要加熱使半田融化需要加熱使半田融化和半田粘接方式相比，可以使用較低的加熱溫度和半田粘接方式相比，可以使用較低的加熱溫度 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.38樹脂膠片粘接方式

29、的特征樹脂膠片粘接方式的特征（）（）由于是以膠片形式粘接在固定區(qū)域上邊，所以沒有必要對粘片后的氣泡由于是以膠片形式粘接在固定區(qū)域上邊，所以沒有必要對粘片后的氣泡、厚度厚度、反翹反翹、芯芯片傾斜等問題進(jìn)行管理，因?yàn)椴牧献陨砭涂梢员ＷC其厚度片傾斜等問題進(jìn)行管理，因?yàn)椴牧献陨砭涂梢员ＷC其厚度、浸潤浸潤面積面積、芯片平坦度和芯片平坦度和位置位置的精度。的精度。另外，因?yàn)闀l(fā)生硬化所以不用在粘片后實(shí)施固化處理，同時(shí)可以節(jié)省工期。另外，因?yàn)闀l(fā)生硬化所以不用在粘片后實(shí)施固化處理，同時(shí)可以節(jié)省工期。芯片芯片粘片臺粘片臺樹脂膠片粘片樹脂膠片粘片樹脂銀漿粘片樹脂銀漿粘片芯片芯片粘片臺粘片臺粘接層的厚度是一定的粘

30、接層的厚度是一定的不存在反翹和滲出不存在反翹和滲出芯片可能會傾斜芯片可能會傾斜芯片背面不用芯片背面不用電鍍電鍍芯片背面不用電鍍芯片背面不用電鍍粘片臺的形狀粘片臺的形狀可以改變可以改變產(chǎn)生滲出產(chǎn)生滲出需要粘片后固化需要粘片后固化同樹脂銀漿粘接一樣不需要固化（熱處理）同樹脂銀漿粘接一樣不需要固化（熱處理） 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.39樹脂膠片的成分樹脂膠片的成分結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)（樹脂樹脂） 聚酰亞胺樹脂聚酰亞胺樹脂 ：膠片的主要成分膠片的主要成分（基材基材）。）。 可塑性可塑性樹脂在常溫下呈固態(tài)，加熱后會軟化，冷卻

31、后會再次凝固，樹脂在常溫下呈固態(tài)，加熱后會軟化，冷卻后會再次凝固， 具有反復(fù)性具有反復(fù)性。 環(huán)氧樹脂環(huán)氧樹脂：膠片的膠片的硬化成分，硬化成分，熱熱硬化型樹脂經(jīng)過加熱會硬化硬化型樹脂經(jīng)過加熱會硬化。 （通常常溫（通常常溫下呈液態(tài)下呈液態(tài)或固態(tài)）或固態(tài)） 硬化劑硬化劑：與環(huán)氧樹脂發(fā)生反應(yīng)使其硬化與環(huán)氧樹脂發(fā)生反應(yīng)使其硬化。 溶劑溶劑：使樹脂溶解、將其混合，用來制作涂裝用清漆使樹脂溶解、將其混合，用來制作涂裝用清漆。膠片膠片成型時(shí)成型時(shí) 大部分會揮發(fā)，部分會大部分會揮發(fā)，部分會殘留殘留。材料結(jié)構(gòu)材料結(jié)構(gòu)（填料填料） 膠片膠片中加入填料后，可以保證膠片的強(qiáng)度及遮光性，在粘片中加入填料后，可以保證膠片的

32、強(qiáng)度及遮光性，在粘片機(jī)上面機(jī)上面 的的可控性和傳感器認(rèn)識性也會提高?？煽匦院蛡鞲衅髡J(rèn)識性也會提高。 銀粉銀粉：其中添加了其中添加了4040的片狀的片狀銀粉，銀粉，呈導(dǎo)電性呈導(dǎo)電性。 通過通過粘接強(qiáng)度銀粉添加量依賴性評價(jià)，選定最適合參數(shù)粘接強(qiáng)度銀粉添加量依賴性評價(jià)，選定最適合參數(shù)。 （DF-335-7DF-335-7、IBF-3910IBF-3910） 無機(jī)物無機(jī)物：填料使用填料使用了了無機(jī)物，電特性呈絕緣體無機(jī)物，電特性呈絕緣體。（。（DF-470RDF-470R）樹脂膠片卷樹脂膠片卷 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reser

33、ved.40原反原反 巻取巻取涂布用清漆涂布用清漆 基礎(chǔ)聚合物基礎(chǔ)聚合物（聚酰亞胺聚酰亞胺） 填料填料（銀粉銀粉 ） 銀粉樹脂銀粉樹脂 硬化劑硬化劑等等溶劑溶劑混合材料以及做成涂布清漆混合材料以及做成涂布清漆膠片原卷的制作膠片原卷的制作涂布涂布烘干烘干巻取巻取塗塗布布用用基礎(chǔ)膠片基礎(chǔ)膠片（材）（材）通過控制壓輪調(diào)整膜厚通過控制壓輪調(diào)整膜厚膠片原卷膠片原卷烘干溶劑的剩余成分烘干溶劑的剩余成分檢驗(yàn)品檢驗(yàn)品：出荷検査：出荷検査出荷出荷膠片膠片原原卷卷切刀刃切刀刃粘度調(diào)整粘度調(diào)整涂布用清漆涂布用清漆樹脂膠片制造商以及制造流程樹脂膠片制造商以及制造流程制造流程制造流程制造廠家制造廠家（常溫保管常溫保管夏

34、季需要冷藏運(yùn)輸夏季需要冷藏運(yùn)輸）主要日本廠家主要日本廠家：日立化成日立化成（DFDF系列系列）住友住友貝克萊特貝克萊特（IBFIBF系列系列） 琳得科琳得科（LELEtapetape）（）（膠布一體式膠布一體式）另外還有不經(jīng)過切割并另外還有不經(jīng)過切割并與與DCDC膠布粘在膠布粘在一起一起的品種（的品種（DFDF）。）。 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.41熱熱可塑性可塑性樹樹脂脂（ （基材基材） ）（ （聚聚酰亞酰亞胺胺樹樹脂脂） ）樹樹脂膠片的構(gòu)成材料及其物脂膠片的構(gòu)成材料及其物質(zhì)質(zhì)相關(guān)特性等相關(guān)特性等環(huán)環(huán)境

35、氣境氣膠片形成膠片形成粘片溫度粘片溫度高溫高溫穩(wěn)穩(wěn)定性定性保管期限保管期限（ （常溫常溫） ）設(shè)備認(rèn)識設(shè)備認(rèn)識打卷打卷切割切割構(gòu)成材料構(gòu)成材料材料物理特性材料物理特性特性（特性（信信賴賴性性） ）熱熱硬化性硬化性樹樹脂脂（ （硬化成分硬化成分） ）（ （環(huán)環(huán)氧氧樹樹脂脂） ）硬化硬化劑劑填料填料抽出水特性抽出水特性殘存殘存揮發(fā)揮發(fā)量量粘片后粘接粘片后粘接強(qiáng)強(qiáng)度度高溫粘接高溫粘接強(qiáng)強(qiáng)度度拉力拉力強(qiáng)強(qiáng)度度彈彈性率性率轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移溫度移溫度（ （Tg)線線膨膨脹脹系數(shù)系數(shù)濕氣吸收率濕氣吸收率加水分解率加水分解率 壓焊壓焊性性HAST性性PCT性性PKG裂裂紋紋耐性耐性溫度循溫度循環(huán)環(huán)性性作作業(yè)業(yè)性性關(guān)關(guān)聯(lián)

36、聯(lián)性大性大有關(guān)有關(guān)聯(lián)聯(lián)性性 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.42樹脂膠片物理特性值樹脂膠片物理特性值（）（）內(nèi)容內(nèi)容和工藝和工藝 對品質(zhì)的影響對品質(zhì)的影響材料物理特性材料物理特性物理特性物理特性填料含量填料含量膠片里所含的填料量膠片里所含的填料量填料含量一旦變化，粘接強(qiáng)度就會變化填料含量一旦變化，粘接強(qiáng)度就會變化。填料含量一旦變化，膠片韌性填料含量一旦變化，膠片韌性、傳感器光的通透性會發(fā)生變化，傳感器光的通透性會發(fā)生變化，作業(yè)性作業(yè)性、設(shè)備識別性也會低下。設(shè)備識別性也會低下。殘留溶劑揮發(fā)殘留溶劑揮發(fā)殘留在膠片內(nèi)

37、的溶劑成分。殘留在膠片內(nèi)的溶劑成分。粘接膠片時(shí)會發(fā)生氣泡粘接膠片時(shí)會發(fā)生氣泡。粘片粘片、壓焊壓焊工程中工程中排出氣蒸發(fā)排出氣蒸發(fā)、污染設(shè)備及治工具。污染設(shè)備及治工具。從膠片中從膠片中溶出溶出的不純物離子濃度的不純物離子濃度PKGPKG信頼性信頼性，特別是通過耐潮試驗(yàn)檢驗(yàn)芯片腐蝕等，特別是通過耐潮試驗(yàn)檢驗(yàn)芯片腐蝕等1 1抽出水特性抽出水特性不純物離子不純物離子濃度濃度（NaNa,K,K,C,C）PHPH導(dǎo)電度導(dǎo)電度 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.43樹脂膠片物理特性樹脂膠片物理特性（）（）內(nèi)容及工藝內(nèi)容及工藝

38、對品質(zhì)的影響對品質(zhì)的影響材料物理特性材料物理特性物理特物理特性性膠片的彈性率膠片的彈性率 影響壓焊性影響壓焊性加熱時(shí)彈性降低加熱時(shí)彈性降低壓焊時(shí)超聲波無法有效作用于鋁金結(jié)合，壓焊時(shí)超聲波無法有效作用于鋁金結(jié)合， 導(dǎo)致焊球剝落等。導(dǎo)致焊球剝落等。彈性率彈性率（常溫常溫 加熱時(shí)加熱時(shí)）拉力強(qiáng)度及拉力強(qiáng)度及 被拉伸量被拉伸量 （固化前固化前）通過拉力試驗(yàn)得出其強(qiáng)度及被拉伸量通過拉力試驗(yàn)得出其強(qiáng)度及被拉伸量影響膠片打卷影響膠片打卷切割性切割性。PKGPKG裂紋耐性低下裂紋耐性低下。（。（粘接層斷裂粘接層斷裂）硬化物硬化物的物理特性突變帶來的溫度變化的物理特性突變帶來的溫度變化（軟化時(shí)的溫度變化軟化時(shí)的

39、溫度變化）膠片粘貼工藝膠片粘貼工藝（溫度）（溫度），影響粘貼性，影響粘貼性。組立工程，影響到組立工程，影響到PKGPKG信賴性信賴性（應(yīng)力相關(guān)應(yīng)力相關(guān)）。）。溫度（）溫度（） 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.44樹脂膠片物理特性值樹脂膠片物理特性值（）（）內(nèi)容內(nèi)容及工藝及工藝 對品質(zhì)的影響對品質(zhì)的影響材料物理特性材料物理特性物理特性物理特性膠片的熱膨脹率膠片的熱膨脹率熱膨脹率熱膨脹率 （以下、以下、 以上）以上）影響影響PKGPKG信賴性信賴性（應(yīng)力相關(guān)應(yīng)力相關(guān)）。）。強(qiáng)度強(qiáng)度、剪切剪切強(qiáng)度強(qiáng)度粘接粘接強(qiáng)度強(qiáng)度

40、（常溫常溫 加熱加熱時(shí)時(shí)）組立后工程中會引起飲片震動及位移組立后工程中會引起飲片震動及位移。影響影響PKGPKG信賴性信賴性（裂紋耐性相關(guān)裂紋耐性相關(guān)）。）。吸濕率吸濕率膠片的膠片的吸濕率吸濕率影響影響PKGPKG信頼性（信頼性（裂紋耐性相關(guān)裂紋耐性相關(guān)）。）。 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.45樹樹脂膠片粘片工脂膠片粘片工藝藝流程流程樹樹脂膠片卷脂膠片卷粘接區(qū)粘接區(qū)膠片膠片粘著工序粘著工序粘片粘片工工序序加加熱塊熱塊（ （250） ）加加熱塊熱塊（ （160） ）SF吸嘴吸嘴膠片供給工膠片供給工序序（開卷開

41、卷切割切割）芯片芯片膠片膠片切斷切斷（下刃）（下刃）切斷切斷（上刃）（上刃）工工藝藝流程及粘片機(jī)部分和流程及粘片機(jī)部分和半田半田粘片基本一致粘片基本一致。 。但是但是、 、由于粘接材料不同，工由于粘接材料不同，工藝藝條件也會不一條件也會不一樣樣。 。 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.46膠片粘著工藝膠片粘著工藝（）（）樹脂膠片樹脂膠片膠片膠片供給工程供給工程（開卷開卷切割切割）切刀切刀（下刃）（下刃）切刀切刀（上刃）（上刃）膠片膠片GuideGuide膠片上料軸膠片上料軸SFSF吸嘴吸嘴膠片上料軸膠片上料軸膠片

42、幅寬相關(guān)治具膠片幅寬相關(guān)治具 膠片上料軸膠片上料軸 膠片軌道膠片軌道 SFSF吸嘴吸嘴 將膠片幅寬調(diào)整成合適的量將其安裝在上料軸上，并將此將膠片幅寬調(diào)整成合適的量將其安裝在上料軸上，并將此 軸安裝在粘片機(jī)上軸安裝在粘片機(jī)上。 膠片卷在上料軸上膠片卷在上料軸上、外側(cè)的面朝外通過外側(cè)的面朝外通過。（外側(cè)的膠片表面比反面更具有光澤度。外側(cè)的膠片表面比反面更具有光澤度。光澤的一面光澤的一面：將溶液涂將溶液涂在在PETPET基材基材上，烘干后制作膠片時(shí)、上，烘干后制作膠片時(shí)、 和和PETPET基材基材接觸的那一面接觸的那一面。）。）打卷傳送機(jī)打卷傳送機(jī)安裝在膠片設(shè)備上安裝在膠片設(shè)備上膠片卷軸的膠片卷軸的

43、外側(cè)外側(cè)（光澤面光澤面）膠片卷軸的膠片卷軸的內(nèi)側(cè)內(nèi)側(cè) 膠片的打卷長度通過設(shè)備上的參數(shù)設(shè)定可以變成固定長度。膠片的打卷長度通過設(shè)備上的參數(shù)設(shè)定可以變成固定長度。 開卷開卷：被切刀切割后，通過：被切刀切割后，通過SFSF吸吸嘴被帶嘴被帶到到粘接點(diǎn)粘接點(diǎn)（和半田一樣和半田一樣） 為了去掉膠片為了去掉膠片上的靜電，要開啟離子風(fēng)扇。上的靜電，要開啟離子風(fēng)扇。膠片膠片的開卷的開卷切割切割去靜電離子風(fēng)扇去靜電離子風(fēng)扇（去靜電對策去靜電對策）吹風(fēng)吹風(fēng) 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.47 膠片膠片有正面和反面；有正面和反面；

44、將溶液涂布將溶液涂布在在PETPET基基材上，烘干后制作膠片時(shí)，有接觸材上，烘干后制作膠片時(shí)，有接觸PETPET基材基材的一面及的一面及另一面；另一面； 烘干后將烘干后將PETPET基材基材剝離后，接觸剝離后，接觸PETPET基材基材的膠片面變得具有光澤，另一面就會的膠片面變得具有光澤，另一面就會變得凹凸不平；變得凹凸不平； 不接觸基材的那一面在烘干中溶劑易揮發(fā)，所以接觸不接觸基材的那一面在烘干中溶劑易揮發(fā)，所以接觸PETPET基材基材的那一面就會有較多的那一面就會有較多的殘留溶劑；的殘留溶劑； 因此在因此在將膠片粘貼在粘接區(qū)時(shí)，殘留溶劑多的面接觸粘接區(qū)時(shí)溶劑會較容易揮發(fā)，將導(dǎo)致膠片將膠片粘貼

45、在粘接區(qū)時(shí)，殘留溶劑多的面接觸粘接區(qū)時(shí)溶劑會較容易揮發(fā)，將導(dǎo)致膠片產(chǎn)生氣泡；產(chǎn)生氣泡； 所以所以，需要讓膠片光澤的一面向上，這樣影響比較?。?，需要讓膠片光澤的一面向上，這樣影響比較?。?膠片廠家中會通過膠片廠家中會通過GKOGKO提示光澤面朝外卷，但是實(shí)物如出現(xiàn)問題還是要向廠家聯(lián)系。提示光澤面朝外卷，但是實(shí)物如出現(xiàn)問題還是要向廠家聯(lián)系。PETPET基材基材揮發(fā)揮發(fā)光澤光澤面面凹凸面凹凸面膠片粘著工藝膠片粘著工藝（）（）烘干工程烘干工程（干燥爐內(nèi)干燥爐內(nèi)）溶劑揮發(fā)溶劑揮發(fā)溶液涂布溶液涂布膠片膠片斷面斷面凹凸面凹凸面光澤面光澤面殘留殘留溶劑溶劑少少殘留殘留溶劑溶劑多多加熱塊加熱塊（160160）膠

46、片膠片粘接區(qū)粘接區(qū)氣泡氣泡膠片表膠片表正正反反面對品質(zhì)的影響面對品質(zhì)的影響不具合事例不具合事例 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.48膠片粘著工藝膠片粘著工藝（）（）離子風(fēng)扇的效果離子風(fēng)扇的效果樹脂膠片樹脂膠片切刀切刀（下刃）（下刃）切刀切刀（上刃）（上刃）膠片軌道膠片軌道SFSF吸嘴吸嘴離子風(fēng)扇離子風(fēng)扇（除靜電對策除靜電對策）吹風(fēng)吹風(fēng)發(fā)生靜電發(fā)生靜電發(fā)生膠片位置偏移發(fā)生膠片位置偏移 絕緣性膠片絕緣性膠片開始開卷開始開卷時(shí)，會帶有時(shí)，會帶有靜電。靜電。 在這樣的狀態(tài)下打卷切割的話，受靜電影響膠片位置會發(fā)生偏移在這

47、樣的狀態(tài)下打卷切割的話，受靜電影響膠片位置會發(fā)生偏移。 為防止其發(fā)生，將離子風(fēng)扇面向膠片，去除靜電。為防止其發(fā)生，將離子風(fēng)扇面向膠片，去除靜電。 另外，為了另外，為了防止開卷防止開卷中靜電的產(chǎn)生，傳送器使用金屬材質(zhì)中靜電的產(chǎn)生，傳送器使用金屬材質(zhì)或?qū)щ娀驅(qū)щ?性性橡膠。橡膠。離子風(fēng)扇前端的電極需要離子風(fēng)扇前端的電極需要定期清掃定期清掃 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.49膠片粘著工膠片粘著工藝藝（）（）膠片粘著工藝膠片粘著工藝粘接區(qū)粘接區(qū)加熱快加熱快（160160）SFSF吸嘴吸嘴膠片膠片膠片粘著粘著工藝的基本

48、條件膠片粘著粘著工藝的基本條件 加熱塊加熱塊溫度：溫度：( (加熱塊加熱塊表面）表面） 荷重：荷重：KgKg 時(shí)間時(shí)間：秒以上：秒以上SFSF吸嘴尺寸選擇基準(zhǔn)吸嘴尺寸選擇基準(zhǔn)假假設(shè)設(shè)膠片面膠片面積積和粘片區(qū)面和粘片區(qū)面積積正好吻合正好吻合 SF吸嘴尺寸吸嘴尺寸：膠片尺寸膠片尺寸（為為了防止吸嘴和切刀刃了防止吸嘴和切刀刃發(fā)發(fā)生干涉，將膠片尺寸生干涉，將膠片尺寸） 如果沒有符合上述如果沒有符合上述標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)的吸嘴準(zhǔn)的吸嘴時(shí)時(shí)， ，請選請選用比膠片尺寸大并且與基準(zhǔn)相近的。用比膠片尺寸大并且與基準(zhǔn)相近的。 （ （因因?yàn)闉槊總€(gè)品種每個(gè)品種單單獨(dú)制作吸嘴很困獨(dú)制作吸嘴很困難難，所以和，所以和銀漿銀漿粘片的多用

49、粘片的多用噴噴嘴一嘴一樣樣 參考其參考其長寬長寬來制作來制作） ）膠片尺寸的選擇基準(zhǔn)膠片尺寸的選擇基準(zhǔn) 帶透孔帶透孔大大粘接區(qū)粘接區(qū)選擇比芯片小一圈的膠片來粘接選擇比芯片小一圈的膠片來粘接。膠片尺寸膠片尺寸：芯片尺寸的整數(shù)值芯片尺寸的整數(shù)值（例）（例）芯片尺寸芯片尺寸：X X膠片尺寸膠片尺寸：X X 縮縮縮小粘接區(qū)縮小粘接區(qū)膠片尺寸膠片尺寸：（粘接區(qū)尺寸粘接區(qū)尺寸）（但是粘接區(qū)在芯片尺寸但是粘接區(qū)在芯片尺寸以下以下時(shí)，請遵循上述大粘接區(qū)基準(zhǔn)時(shí)，請遵循上述大粘接區(qū)基準(zhǔn)。）。）膠片膠片芯片芯片芯片芯片框架框架搬送搬送方向方向框架框架膠片吸嘴膠片吸嘴0.3mm膠片膠片對應(yīng)對應(yīng)吸嘴尺寸表吸嘴尺寸表（例

50、）（例）XY343414 151415 切刃切刃 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.50膠片粘接狀膠片粘接狀態(tài)態(tài)及及產(chǎn)產(chǎn)片品片品質(zhì)質(zhì)對對制品品制品品質(zhì)質(zhì)的影響的影響膠片粘著膠片粘著可能性原因可能性原因膠片氣泡膠片氣泡剪切力剪切力強(qiáng)強(qiáng)度不足度不足芯片浮起芯片浮起、 、傾傾斜斜塑封塑封樹樹脂未注入脂未注入、 、芯片剝離芯片剝離 加加熱熱快溫度低快溫度低 粘著荷重低粘著荷重低 粘著粘著時(shí)間時(shí)間短短 SFSF吸嘴吸嘴對對膠片的膠片的真空吸著真空吸著過強(qiáng)過強(qiáng)， ， 膠片被吸入吸著孔膠片被吸入吸著孔 膠片正反面膠片正反面錯誤

51、錯誤 大粘接區(qū)沒有透孔大粘接區(qū)沒有透孔 SFSF吸嘴偏移吸嘴偏移 粘接區(qū)上有異物粘接區(qū)上有異物 粘接區(qū)上粘接區(qū)上臟污臟污 因因?yàn)闉樾酒瑳]有固定好芯片沒有固定好導(dǎo)導(dǎo)致致壓焊時(shí)壓焊時(shí)接合度低接合度低 樹樹脂沒能注入到芯片和粘接區(qū)之脂沒能注入到芯片和粘接區(qū)之間間， ，導(dǎo)導(dǎo)致氣泡致氣泡發(fā)發(fā)生；從而生；從而 使使PKG信信賴賴性低下性低下 樹樹脂注入后由于芯片粘著力不足脂注入后由于芯片粘著力不足導(dǎo)導(dǎo)致芯片剝離致芯片剝離膠片浮起膠片浮起膠片粘著工膠片粘著工藝藝（）（）膠片與粘膠片與粘結(jié)結(jié)區(qū)之區(qū)之間間存在存在氣泡氣泡粘接區(qū)粘接區(qū)芯片芯片塑封塑封樹樹脂未注入或是脂未注入或是芯片剝離芯片剝離壓焊時(shí)搖搖壓焊時(shí)搖搖

52、晃晃晃晃膠片四周膠片四周邊緣邊緣從粘從粘結(jié)結(jié)區(qū)區(qū)翹翹起起粘接區(qū)粘接區(qū)芯片芯片 塑封塑封樹樹脂未注入或是脂未注入或是芯片剝離芯片剝離壓焊時(shí)搖搖壓焊時(shí)搖搖晃晃晃晃 加加熱熱快溫度低快溫度低 粘著荷重低粘著荷重低 粘著粘著時(shí)間時(shí)間短短 SFSF比膠片小比膠片小 SFSF吸嘴吸嘴傾傾斜斜 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.51膠片粘著狀膠片粘著狀態(tài)態(tài)及制品品及制品品質(zhì)質(zhì)對對制品品制品品質(zhì)質(zhì)的影響的影響膠片粘著狀膠片粘著狀態(tài)態(tài)可能性原因可能性原因膠片位置偏移膠片位置偏移剪切力剪切力強(qiáng)度不足強(qiáng)度不足和金和金線發(fā)線發(fā)生接觸生接

53、觸膠片附著在加膠片附著在加熱塊熱塊等物體上等物體上導(dǎo)導(dǎo)致后致后續(xù)續(xù)制品上出制品上出 現(xiàn)現(xiàn)異物附著。異物附著。 離子離子風(fēng)風(fēng)扇沒有工作扇沒有工作（電電源源、 、工期流量工期流量） ） 框架半送精度低框架半送精度低 SFSF吸嘴的真空吸著力弱吸嘴的真空吸著力弱 膠片切刀膠片切刀鈍鈍化化 膠片的吸著位置和粘接位置的膠片的吸著位置和粘接位置的設(shè)設(shè) 定有定有誤誤膠片破膠片破損損膠片粘著工膠片粘著工藝藝（）（）膠片位置便宜、回膠片位置便宜、回轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)、偏、偏出粘片臺出粘片臺粘接區(qū)粘接區(qū) 加加熱熱快溫度快溫度過過高高 粘接區(qū)透孔粘接區(qū)透孔過過大大芯片芯片加加熱熱快快垂垂付著、破狀態(tài)付著、破狀態(tài)膠片附著在加膠片附

54、著在加熱塊熱塊等物體上等物體上導(dǎo)導(dǎo)致后致后續(xù)續(xù)制品上出制品上出 現(xiàn)現(xiàn)異物附著。異物附著。粘接區(qū)粘接區(qū)加加熱塊熱塊加加熱塊熱塊表面附著有膠片表面附著有膠片在搬送在搬送過過程中膠片破程中膠片破損損 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.52膠片粘片工膠片粘片工藝藝（）（）用吸嘴真空吸著將芯片移用吸嘴真空吸著將芯片移動動至粘接區(qū)。至粘接區(qū)。保持一定保持一定時(shí)間時(shí)間直至粘片完了直至粘片完了。 。站片站片頭頭基本和基本和半田粘片一半田粘片一樣樣。 。 但是，同半田粘片一但是，同半田粘片一樣樣，不是將融化的半天涂布開來，而是通，

55、不是將融化的半天涂布開來，而是通過過加加熱熱使膠片具有粘使膠片具有粘性從而性從而實(shí)實(shí)施粘片作施粘片作業(yè)業(yè)動作流程動作流程粘片粘片工程工程加加熱塊熱塊（ （250250） ）芯片芯片粘片工粘片工藝藝的基本條件的基本條件（ （詳詳情情請請參照參照OI） ）粘片溫度粘片溫度：（加加熱塊熱塊表面溫度表面溫度） ）粘片荷重粘片荷重：粘片粘片時(shí)間時(shí)間：秒以上：秒以上吸嘴吸嘴粘片品粘片品質(zhì)質(zhì)基準(zhǔn)基準(zhǔn)膠片粘片的主要膠片粘片的主要項(xiàng)項(xiàng)目目是否接著是否接著。 。規(guī)規(guī)格格：以上（：以上（大粘接區(qū)式大粘接區(qū)式樣樣） ）以上（以上（縮縮小粘接區(qū)式小粘接區(qū)式樣樣） ）與半田粘片和與半田粘片和銀漿銀漿粘片不同，因粘片不同，

56、因?yàn)闉闊o法確無法確認(rèn)認(rèn)浸浸潤潤面面積積所以要十分注意接合所以要十分注意接合強(qiáng)強(qiáng)度。度。另外，像半田和另外，像半田和銀漿銀漿那那樣樣的液體狀粘接材料比的液體狀粘接材料比較較容易同芯片背面和粘接表面容易同芯片背面和粘接表面結(jié)結(jié)合，合，但是膠片并非如此，它會因但是膠片并非如此，它會因?yàn)闉樾酒趁婧驼辰訁^(qū)表面的芯片背面和粘接區(qū)表面的贓贓物等狀物等狀態(tài)態(tài)的影響的影響導(dǎo)導(dǎo)致接著致接著力力發(fā)發(fā)生生變變化。化。膠片由于填料含量少用膠片由于填料含量少用X X線線機(jī)是看不到膠片的。機(jī)是看不到膠片的。（ （詳詳情情請請參照參照OI） ）剪切力剪切力強(qiáng)度強(qiáng)度芯片芯片粘接區(qū)粘接區(qū) 2010 Renesas Electr

57、onics Corporation. All rights reserved.53膠片粘片工膠片粘片工藝藝（）（）對對制品品制品品質(zhì)質(zhì)的影響的影響粘片狀粘片狀態(tài)態(tài)可能性原因可能性原因芯片位置偏移芯片位置偏移芯片接著芯片接著強(qiáng)強(qiáng)度不足度不足后工程不具合后工程不具合（金金線線近接近接、 、接觸接觸、 、塑封塑封樹樹脂未注入脂未注入、 、剝離剝離） ）剪切力剪切力強(qiáng)強(qiáng)度不足度不足 芯片接著芯片接著強(qiáng)強(qiáng)度不足度不足導(dǎo)導(dǎo)致其剝離，由于震致其剝離，由于震動動等原因等原因?qū)?dǎo)致致 壓焊壓焊接合力下降接合力下降 搬送搬送時(shí)時(shí)及及樹樹脂注入脂注入時(shí)發(fā)時(shí)發(fā)生的芯片剝離生的芯片剝離 接著力低下接著力低下導(dǎo)導(dǎo)致致PK

58、G裂裂紋紋耐性降低耐性降低粘片狀粘片狀態(tài)態(tài)及制品品及制品品質(zhì)質(zhì)芯片芯片粘接區(qū)粘接區(qū) 芯片固定不好芯片固定不好導(dǎo)導(dǎo)致致壓焊壓焊接合不良接合不良 芯片位置偏芯片位置偏導(dǎo)導(dǎo)致金致金線線近接、近接、接觸接觸不良不良樹樹脂沒能注入到芯片和粘接區(qū)之脂沒能注入到芯片和粘接區(qū)之間間， ，導(dǎo)導(dǎo)致氣泡致氣泡發(fā)發(fā)生；從而生；從而 使使PKG信信賴賴性低下性低下 樹樹脂注入后由于芯片粘著力不足脂注入后由于芯片粘著力不足導(dǎo)導(dǎo)致芯片剝離致芯片剝離 框架半送精度低框架半送精度低 芯片芯片補(bǔ)補(bǔ)正不足正不足 粘片位置粘片位置設(shè)設(shè)定有偏差定有偏差剪切剪切強(qiáng)強(qiáng)度度芯片芯片粘接區(qū)粘接區(qū)接著強(qiáng)度不足接著強(qiáng)度不足后工程后工程不具合不具合

59、（壓焊壓焊接合性接合性、 、后工程芯片剝離后工程芯片剝離） ） 加加熱熱快溫度低快溫度低 加加熱塊熱塊溫度溫度過過高高 補(bǔ)補(bǔ)正溫度低正溫度低 粘接荷重低粘接荷重低 粘接粘接時(shí)間時(shí)間短短 粘片吸嘴粘片吸嘴傾傾斜斜 芯片表面有金屬物芯片表面有金屬物 芯片背面芯片背面臟污臟污 在粘片點(diǎn)初膠片因在粘片點(diǎn)初膠片因JAMJAM被加被加熱熱放放 置，致使硬化置，致使硬化現(xiàn)現(xiàn)象加速象加速 膠片保膠片保質(zhì)質(zhì)期期過過期。期。 2010 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.54膠片粘片接合膠片粘片接合強(qiáng)強(qiáng)度和芯片背面度和芯片背面臟污臟污（）（）膠

60、片粘片因膠片粘片因?yàn)闉楹桶胩旌桶胩煦y漿銀漿粘片不同，材料并非液粘片不同，材料并非液態(tài)態(tài)所以接觸面的狀所以接觸面的狀態(tài)態(tài)會會給給接合接合強(qiáng)強(qiáng)度度帶帶來很直接的影響。來很直接的影響。所以當(dāng)接合所以當(dāng)接合強(qiáng)強(qiáng)度低下的度低下的時(shí)時(shí)候，不候，不僅僅要確要確認(rèn)認(rèn)工工藝藝條件和條件和設(shè)備設(shè)備狀狀態(tài)態(tài)， ，Wafer正反面的狀正反面的狀態(tài)態(tài)都要確都要確認(rèn)認(rèn)。 。 此此時(shí)時(shí)，特定的，特定的贓贓物點(diǎn)是有可能存在的，所以物點(diǎn)是有可能存在的，所以還還要注意要注意Wafer贓贓物點(diǎn)的物點(diǎn)的規(guī)規(guī)律性。律性。 一定要一定要實(shí)實(shí)施施調(diào)查調(diào)查。 。另外，另外，Wafer的的臟污臟污通常用肉眼是無法辨通常用肉眼是無法辨別別的，事