VOLTE-MOS質(zhì)量提升VIP

1、SR調(diào)度周期和Drx參數(shù)試驗報告1 .試驗背景根據(jù)VoLTE網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量提升百日會戰(zhàn)的要求，為提升VoLTE®音DT測試指標，提升用戶感知，對可能提升測試指標的相關(guān)參數(shù)進行分析研究，找出適合于網(wǎng)絡(luò)需求的參數(shù)值，提升DT測試中各項指標。目前的集團的考核要求為:VOLTE接通率(%)VOLT即話率(%)呼叫建立時延MOS>=3占比()eSRVC頃功率(%)eSRVCCU換用戶面時延（ms）RTP丟包率>=97=<1=<4>=85>=97=<350=<>=98=<=<3>=90>=98=<300=<此次參

2、數(shù)試驗主要是針對VoLTE語音DT測試指標中的MOSf關(guān)的參數(shù)cellSrPeriod和drxProfile2drxLongCycle。2 .參數(shù)試驗內(nèi)容及要求參數(shù)介紹和試驗方案本次主要針對VoLTElT務(wù)專載QCI1的Drx相關(guān)參數(shù)、SR調(diào)度周期等參數(shù)進行組合試驗驗證。修改參數(shù)如下:參數(shù)名稱參數(shù)取值范圍是否會中斷業(yè)務(wù)備注cellSrPeriod5ms(0),10ms(1),20ms(2),40ms(3),80ms(4)需鎖小區(qū)SR周期qciTab1drxProfileIndex1(1),2否QCI1drx開關(guān)drxProfile2drxLongCycle20ms(20),40ms(40)否D

3、R調(diào)期驗證參數(shù)配置如下:參數(shù)名現(xiàn)網(wǎng)配置1配置2配置3配置4配置5配置6配置7配置8配置9cellSrPeriod80ms40ms(3)40ms(3)40ms(3)20ms(2)20ms(2)20ms(2)5ms(0)5ms(0)5ms(0)qciTab1/drxProfileIndex2221221221drxProfile2/drxLongCycle40ms40ms(40)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置測試路線及測試規(guī)范根據(jù)地市優(yōu)化人員意見，選取平頂山如下區(qū)域進行參數(shù)修改試驗驗證區(qū)域道路共涉及小區(qū)51個，D頻段13個，F(xiàn)頻段

4、38個平頂山VOLT參數(shù)試驗站點測試規(guī)范及要求：VoLTE測試，每次通話時長180秒，呼叫間隔30秒，分析不同參數(shù)下的指標情況。3 .參數(shù)試驗結(jié)果cellSrPeriod參數(shù)試驗現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2LongCycle主要為40m6本次選取drxProfile2LongCycle為40ms的配置1、4、7和現(xiàn)網(wǎng)配置的測試情況進行對比分析，三次參數(shù)配置如下:參數(shù)名現(xiàn)網(wǎng)配置1配置4配置7cellSrPeriod80ms40ms(3)20ms(2)5ms(0)qciTabl/drxProfilelndex2222drxProfile2/drxLongCycle40ms40ms(40)40ms(4

5、0)40ms(40)Volte業(yè)務(wù)測試指標參數(shù)名MOS均值占比RT屋包率RTP抖動呼叫建立時延接通率掉話率IMS注冊成功率LTE覆蓋率(RSRP>=-110andSINR>=-3)平均RSRP平均SINR現(xiàn)網(wǎng)配置%100%配置1%100%配置4%100%配置7%100%配置1和現(xiàn)網(wǎng)對比%-配置4和現(xiàn)網(wǎng)對比%-配置7和現(xiàn)網(wǎng)對比%-測試配置1的抖動比現(xiàn)網(wǎng)配置增長的原因是：配置1有一次掉話，掉話原因是：衛(wèi)東區(qū)敬老院-L1越區(qū)覆蓋導(dǎo)致和安培中心-L1模3干擾，質(zhì)差掉話。說明：橫軸括號中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗值測試對比結(jié)論

6、：1 .占比提升效果明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時測試占比為68%cellSrPeriod配置1為40ms時測試占比為cellSrPeriod配置4為20ms時測試占比為cellSrPeriod配置7為5ms時測試占比為100%相對現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了%。/%2 .RTP5包率提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時測試RTPS包率為，cellSrPeriod配置1為40ms時測試RTP丟包率為，cellSrPeriod配置4為20msM測試RTPS包率為，cellSrPeriod配置7為5ms時測試RTFS包率為；相對現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配

7、置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了，；3 .呼叫建立時延提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時測試呼叫建立時延為，cellSrPeriod配置1為40ms時測試呼叫建立時延為，cellSrPeriod配置4為20ms時測試呼叫建立時延為，cellSrPeriod配置7為5ms時測試呼叫建立時延為；相對現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了，；4 .RTP抖動提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時測試RTP抖動為，cellSrPeriod配置1為40msM測試RTP4動為（受掉話影響出現(xiàn)波動劣化），cellSrPeriod配置4為20ms時測試RT吶動為，cell

8、SrPeriod配置7為5ms時測試RT吶動為；5 .其他指標正常無明顯異常變化：因無eSRVCCU換，eSRVCCU換成功率指標不做列述。其他注冊成功率、覆蓋率、平均RSRP接通率等指標變化不大，都在正常范圍內(nèi)波動；6 .cellSrPeriod調(diào)整建議：從驗證對比統(tǒng)計看，cellSrPeriod調(diào)度周期越小MOS/RT丟包/抖動等指標越好，但隨著網(wǎng)絡(luò)用戶的不斷增多對用戶調(diào)度會有一定影響，因此cellSrPeriod參數(shù)建議調(diào)整設(shè)置為20msdrxProfile2drxLongCycle參數(shù)試驗本次選取cellSrPeriod參數(shù)試驗設(shè)置為20ms時的Drx參數(shù)按配置4、5和6進行對比分析，

9、三次參數(shù)配置如下：參數(shù)名配置4配置5配置6cellSrPeriod20ms(2)20ms(2)20ms(2)qciTab1/drxProfileIndex221drxProfile2/drxLongCycle40ms(40)20ms(20)不設(shè)置Volte業(yè)務(wù)測試指標參數(shù)配置MOS均值占比RTP丟包率RTP4動呼叫建立時延接通率掉話率IMS注冊成功率LTE覆蓋率(RSRP>=-110andSINR>=-3)平均RSRP平均SINR配置4%100%0%100%配置5%100%0%100%配置6%100%0%100%配置5和配置4對比%-配置6和配置4對比%-本次測試配置5出現(xiàn)正常的波

10、動，導(dǎo)致丟包率和RTPM動比配置4有所劣化說明：橫軸括號中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗值測試對比結(jié)論：1 .占比/MOSi勻值提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2drxLongCycle配置4為40ms測試占比為/MOS?值為，drxProfile2drxLongCycle配置5為20ms測試占比為/乂。母勻值為，drxProfile2drxLongCycle配置6為關(guān)閉drx測試占比為加。覲值為；2 .RTP丟包率/RTP抖動略有波動效果不明顯：現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2drxLongCycle配置4為40ms測試RTP

11、4;包率為/RT*動為，drxProfile2drxLongCycle配置5為20ms測試RTP®包率為/RT*動為，drxProfile2drxLongCycle配置6為關(guān)閉drx測試RTP®包率為%/RTP4動為；3 .其他指標正常無明顯異常變化：其他注冊成功率、覆蓋率、平均RSRP接通率等指標變化不大，都在正常范圍內(nèi)波動；4 .drxProfile2drxLongCycle調(diào)整建議：從對比統(tǒng)計看，drxProfile2drxLongCycle越小MOS指標越好，但關(guān)閉drx會導(dǎo)致UE終端的耗電量增加，因此drxProfile2drxLongCycle參數(shù)建議調(diào)整設(shè)置為

12、20ms參數(shù)組合指標情況對本次修改的參數(shù)組合進行總體的指標對比，指標如下:參數(shù)名現(xiàn)網(wǎng)配置配置1配置2配置3配置4配置5配置6配置7配置8配置9cellSrPeriod80ms(4)40ms(3)40ms(3)40ms(3)20ms(2)20ms(2)20ms(2)5ms(0)5ms(0)5ms(0)qciTabl/drxProfilelndex2221221221drxProfile2/drxLongCycle40ms(40)40ms(40)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置MO弱值占比%100%RTP丟包率RTP抖動呼叫建立時延

13、接通率100%100%100%100%100%100%100%100%100%100%掉話率%IMS注冊成功率100%100%100%100%100%100%100%100%100%100%LTE覆蓋率(RSRP>=-110andSINR>=-3)%99%平均RSRP平均SINR下面按照cellSrPeriod參數(shù)的設(shè)置劃分為4個區(qū)間，區(qū)間內(nèi)cellSrPeriod參數(shù)一致，drxProfile2/drxLongCycle參數(shù)分別為40,20和關(guān)閉，橫軸括號中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的值，對比分析如下:9種配置下MOS勻

14、值和MOS占比變化趨勢：MOS均值和MQ53.。占比由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的MOS勻值分別為：、，MOS占比分別為：%配置1指標異常）、%MO羽占比均呈提升趨勢；在區(qū)間內(nèi)，隨著drxProfile2drxLongCycle的減小或關(guān)閉，MOS口占比也基本呈提升趨勢；另外，配置7、8、9經(jīng)過多次驗證測試，會有波動的情況。9種配置下RTP丟包率和抖動變化趨勢：RTP丟包率和*動說明：橫軸括號中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗值由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的RTP丟包率均值分別為：%

15、抖動分別為：，、，丟包率和抖動值呈降低趨勢；在區(qū)間內(nèi)，隨著drxProfile2drxLongCycle的減小或關(guān)閉，丟包率和抖動值也基本呈降低趨勢;另外，配置7、8、9經(jīng)過多次驗證測試，會有波動情況。9種配置下呼叫建立時延變化趨勢：由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的呼叫建立時延分別為：，、，呼叫建立時延呈減小趨勢；在區(qū)間內(nèi)，隨著drxProfile2drxLongCycle的減小或關(guān)閉，呼叫建立時延也基本呈減小趨勢；另外，配置7、8、9經(jīng)過多次驗證測試，會有波動。4.參數(shù)調(diào)整試驗總結(jié)及建議試驗總結(jié)1 .隨著cellSrPeriod參數(shù)的減小，MOS勻值、占比、丟包率、抖動、呼叫建立時延等指標呈改善提升趨勢。各種參數(shù)設(shè)置測試指標對比：20ms對比40m65ms對比20msMOS占比分別提升%呼叫建立時延分別提升0%RTP丟包率分別提升,%參數(shù)設(shè)置為5ms每次指標會有波動。2 .隨著drxProfile2drxLongCycle參數(shù)的減小或關(guān)閉，MOS勻值、占比、丟包率、抖動、呼叫建立時延呈改善提升趨勢。各種參數(shù)設(shè)置測試指標對比：20ms對比40ms關(guān)閉drx對比20msiMOS占比分別提