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1、電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)方法電子產(chǎn)品 電子產(chǎn)品領(lǐng)域非常廣泛,基本上我們?nèi)粘k娮赢a(chǎn)品領(lǐng)域非常廣泛,基本上我們?nèi)粘I疃茧x不開(kāi)電子產(chǎn)品,但電子產(chǎn)品到目生活都離不開(kāi)電子產(chǎn)品,但電子產(chǎn)品到目前還沒(méi)有明確的定義前還沒(méi)有明確的定義 電子信息產(chǎn)品 電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法第三電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法第三條第一款給出了電子信息產(chǎn)品的定義條第一款給出了電子信息產(chǎn)品的定義 電子信息產(chǎn)品,是指采用電子信息技術(shù)制電子信息產(chǎn)品,是指采用電子信息技術(shù)制造的電子雷達(dá)產(chǎn)品、電子通信產(chǎn)品、廣播造的電子雷達(dá)產(chǎn)品、電子通信產(chǎn)品、廣播電視產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、家用電子產(chǎn)品、電視產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、家用電子產(chǎn)品、電子測(cè)量?jī)x器產(chǎn)品、電子專用產(chǎn)品、
2、電子電子測(cè)量?jī)x器產(chǎn)品、電子專用產(chǎn)品、電子元器件產(chǎn)品、電子應(yīng)用產(chǎn)品、電子材料產(chǎn)元器件產(chǎn)品、電子應(yīng)用產(chǎn)品、電子材料產(chǎn)品等產(chǎn)品及其配件品等產(chǎn)品及其配件 隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,其概念將會(huì)不斷擴(kuò)隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,其概念將會(huì)不斷擴(kuò)展展 電子產(chǎn)品設(shè)計(jì) 基本原則:滿足產(chǎn)品的功能特性及技術(shù)指基本原則:滿足產(chǎn)品的功能特性及技術(shù)指標(biāo)要求,同時(shí)兼顧:標(biāo)要求,同時(shí)兼顧: 成本低、性價(jià)比高成本低、性價(jià)比高 可靠性高、體積小可靠性高、體積小 電磁兼容性好,環(huán)境的適應(yīng)性強(qiáng)電磁兼容性好,環(huán)境的適應(yīng)性強(qiáng) 集成度高,可維修性好集成度高,可維修性好 生產(chǎn)工藝要求簡(jiǎn)單生產(chǎn)工藝要求簡(jiǎn)單一、設(shè)計(jì)原則二、電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的一般步驟三、產(chǎn)品設(shè)計(jì)的
3、一般方法1、頂層設(shè)計(jì)法2、底層設(shè)計(jì)法過(guò)程與底層設(shè)計(jì)法相反3、頂層與底層綜合設(shè)計(jì) 實(shí)際工作過(guò)程中,一般首先采用頂層設(shè)計(jì)方實(shí)際工作過(guò)程中,一般首先采用頂層設(shè)計(jì)方法,根據(jù)產(chǎn)品的功能需求分解到各子功能模塊,法,根據(jù)產(chǎn)品的功能需求分解到各子功能模塊,并分配各子功能模塊的技術(shù)指標(biāo)。這一過(guò)程往往并分配各子功能模塊的技術(shù)指標(biāo)。這一過(guò)程往往需要經(jīng)過(guò)從上到下和從下到上的反復(fù)論證、修改、需要經(jīng)過(guò)從上到下和從下到上的反復(fù)論證、修改、優(yōu)化才能滿足設(shè)計(jì)的要求。優(yōu)化才能滿足設(shè)計(jì)的要求。4、現(xiàn)代電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)方法EDA設(shè)計(jì) 電路設(shè)計(jì)一般包含模擬電路與數(shù)字電路。電路設(shè)計(jì)一般包含模擬電路與數(shù)字電路。 模擬電路設(shè)計(jì)主要依賴于典型電
4、路與功能模塊。模擬電路設(shè)計(jì)主要依賴于典型電路與功能模塊。模擬電路數(shù)字化的趨勢(shì)更加明顯。模擬電路數(shù)字化的趨勢(shì)更加明顯。如:數(shù)字接收機(jī),數(shù)字儲(chǔ)頻。如:數(shù)字接收機(jī),數(shù)字儲(chǔ)頻。數(shù)字電路的發(fā)展經(jīng)過(guò)了分離元件,數(shù)字電路的發(fā)展經(jīng)過(guò)了分離元件,SSLSSL、MSLMSL、LSLLSL、VLSLVLSL。數(shù)字電路設(shè)計(jì)經(jīng)歷了邏輯設(shè)計(jì)、數(shù)字電路設(shè)計(jì)經(jīng)歷了邏輯設(shè)計(jì)、CADCAD、EDAEDA?,F(xiàn)代的數(shù)字系統(tǒng)廣泛采用了基于芯片的現(xiàn)代的數(shù)字系統(tǒng)廣泛采用了基于芯片的EDAEDA設(shè)設(shè)計(jì)方法。計(jì)方法。四、電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容1 1、總體設(shè)計(jì)、總體設(shè)計(jì) 根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)任務(wù)、功能、性能的需根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)任務(wù)、功能、性能的需求,一
5、般采用頂層設(shè)計(jì)的方法,分析產(chǎn)品應(yīng)該求,一般采用頂層設(shè)計(jì)的方法,分析產(chǎn)品應(yīng)該完成的功能,將總體功能分解成若干子功能模完成的功能,將總體功能分解成若干子功能模塊,理清主、次功能的相互關(guān)系,形成總體方塊,理清主、次功能的相互關(guān)系,形成總體方案。通過(guò)比較論證、修改、優(yōu)化形成相對(duì)比較案。通過(guò)比較論證、修改、優(yōu)化形成相對(duì)比較完善的最佳方案,同時(shí)提出有關(guān)結(jié)構(gòu)、可靠性、完善的最佳方案,同時(shí)提出有關(guān)結(jié)構(gòu)、可靠性、標(biāo)準(zhǔn)化、質(zhì)量控制與監(jiān)督、計(jì)量控制、工藝等標(biāo)準(zhǔn)化、質(zhì)量控制與監(jiān)督、計(jì)量控制、工藝等方面的要求。方面的要求。 總體設(shè)計(jì)中的幾個(gè)注意點(diǎn):總體設(shè)計(jì)中的幾個(gè)注意點(diǎn):(1 1)技術(shù)指標(biāo))技術(shù)指標(biāo) 如:重頻跟蹤器設(shè)計(jì)
6、中,對(duì)被跟蹤雷達(dá)信號(hào)的如:重頻跟蹤器設(shè)計(jì)中,對(duì)被跟蹤雷達(dá)信號(hào)的理解。理解。(2 2)產(chǎn)品使用環(huán)境)產(chǎn)品使用環(huán)境 如:重頻跟蹤器中,同步信號(hào)丟失情況的補(bǔ)充。如:重頻跟蹤器中,同步信號(hào)丟失情況的補(bǔ)充。(3 3)產(chǎn)品的環(huán)境指標(biāo):)產(chǎn)品的環(huán)境指標(biāo): 溫度、器件的選取、濕度(鹽霧)、三防、振溫度、器件的選取、濕度(鹽霧)、三防、振動(dòng)等。動(dòng)等。(4 4)關(guān)鍵元器件的采購(gòu)渠道)關(guān)鍵元器件的采購(gòu)渠道 例:例:8989年年MD8096MD8096的采購(gòu)的采購(gòu) 大功能大功能MM MM 波行波管,波行波管,“巴統(tǒng)巴統(tǒng)”的禁運(yùn)條款(引的禁運(yùn)條款(引進(jìn)項(xiàng)目設(shè)備)進(jìn)項(xiàng)目設(shè)備)(5 5)細(xì)節(jié)決定成?。┘?xì)節(jié)決定成敗 元器件的
7、老化、篩選元器件的老化、篩選 例:數(shù)字儲(chǔ)頻中某電容在例:數(shù)字儲(chǔ)頻中某電容在-55-50-55-50之間之間失敗。失敗。(6 6)研制技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn))研制技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn) 一個(gè)產(chǎn)品的研制,一般都會(huì)存在技術(shù)上一個(gè)產(chǎn)品的研制,一般都會(huì)存在技術(shù)上的難點(diǎn)??傮w設(shè)計(jì)在于盡可能利用成熟技術(shù)的難點(diǎn)??傮w設(shè)計(jì)在于盡可能利用成熟技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的功能,以減小研制風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的功能,以減小研制風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于技術(shù)上的難點(diǎn),應(yīng)首先進(jìn)行預(yù)先研究,待技技術(shù)上的難點(diǎn),應(yīng)首先進(jìn)行預(yù)先研究,待技術(shù)成熟以后再轉(zhuǎn)入后續(xù)的研制。術(shù)成熟以后再轉(zhuǎn)入后續(xù)的研制。(7 7)產(chǎn)業(yè)政策與環(huán)境評(píng)估)產(chǎn)業(yè)政策與環(huán)境評(píng)估2 2、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 所謂結(jié)構(gòu),包
8、括外部結(jié)構(gòu)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)兩部所謂結(jié)構(gòu),包括外部結(jié)構(gòu)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)兩部分。外部結(jié)構(gòu)指機(jī)柜、機(jī)箱、機(jī)架、底座、面分。外部結(jié)構(gòu)指機(jī)柜、機(jī)箱、機(jī)架、底座、面板、底板等。內(nèi)部結(jié)構(gòu)指零部件的布局、安裝、板、底板等。內(nèi)部結(jié)構(gòu)指零部件的布局、安裝、相互連接等。欲達(dá)到合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),必須對(duì)相互連接等。欲達(dá)到合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),必須對(duì)整機(jī)的原理方案、使用條件和環(huán)境、整機(jī)的功整機(jī)的原理方案、使用條件和環(huán)境、整機(jī)的功能與技術(shù)指標(biāo)及元器件等十分熟悉。能與技術(shù)指標(biāo)及元器件等十分熟悉。 根據(jù)產(chǎn)品的總體要求進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品的總體要求進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)根據(jù)電子產(chǎn)品使用的溫度范圍、環(huán)境因素,設(shè)根據(jù)電子產(chǎn)品使用的溫度范圍、環(huán)境因素,
9、設(shè)計(jì)合理的結(jié)構(gòu)形式和布局計(jì)合理的結(jié)構(gòu)形式和布局, ,考慮是否需要減震、考慮是否需要減震、“三防三防”等措等措施,特別是電路的散熱問(wèn)題施,特別是電路的散熱問(wèn)題,設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)合理的風(fēng)道等。合理的風(fēng)道等。因?yàn)椋焊邷貢?huì)引起電子產(chǎn)品的絕緣性能退化、因?yàn)椋焊邷貢?huì)引起電子產(chǎn)品的絕緣性能退化、元器件損壞、材料的熱老化、低熔點(diǎn)焊縫開(kāi)裂、元器件損壞、材料的熱老化、低熔點(diǎn)焊縫開(kāi)裂、焊點(diǎn)脫落等。焊點(diǎn)脫落等。 溫度對(duì)元器件的影響:一般而言,溫度溫度對(duì)元器件的影響:一般而言,溫度升高電阻阻值降低;高溫會(huì)降低電容器的使用升高電阻阻值降低;高溫會(huì)降低電容器的使用壽命;會(huì)使變壓器、扼流圈絕緣材料的性能下壽命;會(huì)使變壓器、扼流圈絕緣
10、材料的性能下降降, , 一般變壓器、扼流圈的允許溫度要低于一般變壓器、扼流圈的允許溫度要低于9595度,溫度過(guò)高還會(huì)造成焊點(diǎn)合金結(jié)構(gòu)的變度,溫度過(guò)高還會(huì)造成焊點(diǎn)合金結(jié)構(gòu)的變化化IMCIMC增厚,焊點(diǎn)變脆,機(jī)械強(qiáng)度降低;結(jié)增厚,焊點(diǎn)變脆,機(jī)械強(qiáng)度降低;結(jié)溫的升高會(huì)使晶體管的電流放大倍數(shù)迅速增加,溫的升高會(huì)使晶體管的電流放大倍數(shù)迅速增加,導(dǎo)致集電極電流增加,進(jìn)而使結(jié)溫進(jìn)一步升高,導(dǎo)致集電極電流增加,進(jìn)而使結(jié)溫進(jìn)一步升高,最終導(dǎo)致組件失效。最終導(dǎo)致組件失效。 因此,必須采用合理的散熱方式控制產(chǎn)因此,必須采用合理的散熱方式控制產(chǎn)品內(nèi)部所有電子元器件的溫度,使其所處的品內(nèi)部所有電子元器件的溫度,使其所處
11、的工作環(huán)境溫度不超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)范所規(guī)定的最工作環(huán)境溫度不超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)范所規(guī)定的最高溫度,最高允許溫度的計(jì)算應(yīng)以元器件的高溫度,最高允許溫度的計(jì)算應(yīng)以元器件的應(yīng)力分析為基礎(chǔ),并且與產(chǎn)品的可靠性要求應(yīng)力分析為基礎(chǔ),并且與產(chǎn)品的可靠性要求以及分配給每一個(gè)元器件的失效率相一致。以及分配給每一個(gè)元器件的失效率相一致。也就是說(shuō)熱設(shè)計(jì)是電子設(shè)計(jì)中不可缺少的環(huán)也就是說(shuō)熱設(shè)計(jì)是電子設(shè)計(jì)中不可缺少的環(huán)節(jié)。節(jié)。3 3、可靠性設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì) 產(chǎn)品的可靠性設(shè)計(jì)方法,從表面上看都產(chǎn)品的可靠性設(shè)計(jì)方法,從表面上看都是技術(shù)問(wèn)題,但實(shí)質(zhì)上包含技術(shù)和管理兩個(gè)是技術(shù)問(wèn)題,但實(shí)質(zhì)上包含技術(shù)和管理兩個(gè)方面。首先要對(duì)產(chǎn)品的可靠性方面。首
12、先要對(duì)產(chǎn)品的可靠性(MTBF(MTBF)進(jìn)行)進(jìn)行預(yù)測(cè),以確定是否滿足總體要求。預(yù)測(cè),以確定是否滿足總體要求。 1 1、電阻器降額外加功率、極限電壓、極、電阻器降額外加功率、極限電壓、極限應(yīng)用溫度三個(gè)指標(biāo),功率降額系數(shù)限應(yīng)用溫度三個(gè)指標(biāo),功率降額系數(shù)0.10.50.10.5;2 2、電容器降額外加電壓、頻率范圍、溫度極、電容器降額外加電壓、頻率范圍、溫度極限三個(gè)指標(biāo),普通鋁電解電容和無(wú)極性電容的限三個(gè)指標(biāo),普通鋁電解電容和無(wú)極性電容的電壓降額系數(shù)電壓降額系數(shù)0.30.70.30.7之間,鉭電容的電壓降之間,鉭電容的電壓降額系數(shù)額系數(shù)0.30.3以下;、晶體三極管降額結(jié)溫、以下;、晶體三極管降額
13、結(jié)溫、集電極電流、任何電壓指標(biāo),晶體二極管降額集電極電流、任何電壓指標(biāo),晶體二極管降額結(jié)溫、正向電流及峰值、反向電壓三個(gè)指標(biāo),結(jié)溫、正向電流及峰值、反向電壓三個(gè)指標(biāo),功率降額功率降額0.40.4以下,反向耐壓以下,反向耐壓0.50.5以下,發(fā)光管以下,發(fā)光管電壓降額電壓降額0.60.6以下,功率降額以下,功率降額0.60.6以下,功率開(kāi)以下,功率開(kāi)關(guān)管電壓降額系數(shù)在關(guān)管電壓降額系數(shù)在0.60.6以下,電流降額系數(shù)以下,電流降額系數(shù)在在0.50.5以下;、變壓器降額工作電流、以下;、變壓器降額工作電流、電壓、溫升(按絕緣等級(jí))指標(biāo),電感和變壓電壓、溫升(按絕緣等級(jí))指標(biāo),電感和變壓器的電流降額系
14、數(shù)器的電流降額系數(shù)0.60.6以下;、接插件降額電以下;、接插件降額電流、電壓指標(biāo),根據(jù)觸點(diǎn)間隙大小、直流及交流、電壓指標(biāo),根據(jù)觸點(diǎn)間隙大小、直流及交流要求降額。接插件嵌入材料和火花發(fā)熱對(duì)接流要求降額。接插件嵌入材料和火花發(fā)熱對(duì)接點(diǎn)壽命的影響,在中低頻多接點(diǎn)接插件采用兩點(diǎn)壽命的影響,在中低頻多接點(diǎn)接插件采用兩點(diǎn)或多點(diǎn)接地并聯(lián)方式,降額和增加冗余功能;點(diǎn)或多點(diǎn)接地并聯(lián)方式,降額和增加冗余功能;、電纜導(dǎo)線降額指標(biāo):電流(銅線,、電纜導(dǎo)線降額指標(biāo):電流(銅線,7A/mm27A/mm2)、電纜電壓(尤其多芯電纜),塑)、電纜電壓(尤其多芯電纜),塑料導(dǎo)線的電流降額料導(dǎo)線的電流降額0.70.7以下;、電
15、動(dòng)機(jī)降額軸以下;、電動(dòng)機(jī)降額軸承負(fù)載、繞阻功率指標(biāo),伺服電機(jī)的軸承失效承負(fù)載、繞阻功率指標(biāo),伺服電機(jī)的軸承失效和繞組失效,軸承負(fù)載降額和繞組功率降額和繞組失效,軸承負(fù)載降額和繞組功率降額0.30.80.30.8;、對(duì)電子元器件降額系數(shù)應(yīng)隨溫;、對(duì)電子元器件降額系數(shù)應(yīng)隨溫度的增加而進(jìn)一步降低。度的增加而進(jìn)一步降低。對(duì)有些指標(biāo)是不能降額的: 1 1、繼電器的線包電流不能降額,而應(yīng)保持、繼電器的線包電流不能降額,而應(yīng)保持在額定值左右(在額定值左右(1001005% 5% );否則會(huì)影響繼電);否則會(huì)影響繼電器的可靠吸合。器的可靠吸合。 2 2、電阻器降低到、電阻器降低到10%10%以下對(duì)可靠性提高已
16、以下對(duì)可靠性提高已經(jīng)沒(méi)有效果。經(jīng)沒(méi)有效果。 3 3、對(duì)電容器降額應(yīng)注意,對(duì)某些電容器降、對(duì)電容器降額應(yīng)注意,對(duì)某些電容器降額水平太大,常引起低電平失效,交流應(yīng)用要額水平太大,常引起低電平失效,交流應(yīng)用要比直流應(yīng)用降額幅度要大,隨著頻率增加降額比直流應(yīng)用降額幅度要大,隨著頻率增加降額幅度要隨之增加。幅度要隨之增加。 4 4、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)降額不能增加過(guò)大,否則造成、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)降額不能增加過(guò)大,否則造成設(shè)備體積、重量、經(jīng)費(fèi)的增加。設(shè)備體積、重量、經(jīng)費(fèi)的增加。4 4、電路設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì) 在電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾方面的細(xì)節(jié):在電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾方面的細(xì)節(jié):器件的使用器件的使用 1)1)電源電壓電源電壓U
17、cc U cc 允許在允許在5 51010范圍內(nèi),范圍內(nèi),超過(guò)該范圍可能會(huì)損壞器件或使邏輯功能混亂。超過(guò)該范圍可能會(huì)損壞器件或使邏輯功能混亂。 2) 2)電源濾波電源濾波 TTL TTL器件的高速切換,將產(chǎn)生器件的高速切換,將產(chǎn)生電流跳變。其幅度約電流跳變。其幅度約45mA45mA,該電流在公共走線,該電流在公共走線上的壓降會(huì)引起噪聲干擾。因此要盡量縮短與地上的壓降會(huì)引起噪聲干擾。因此要盡量縮短與地線的距高來(lái)減小干擾??稍陔娫摧斎攵瞬⒔泳€的距高來(lái)減小干擾??稍陔娫摧斎攵瞬⒔? 1個(gè)個(gè)100F100F的電容作為低頻濾波及的電容作為低頻濾波及1 1個(gè)個(gè)0.010.010.1F0.1F的電容作為高頻
18、濾波。的電容作為高頻濾波。 3) 3)輸出端的連接輸出端的連接 不允許直接連不允許直接連5 5或接地。或接地。除集電極開(kāi)路除集電極開(kāi)路(OC)(OC)門(mén)和三態(tài)門(mén)和三態(tài)(TS)(TS)門(mén)外,其它門(mén)電門(mén)外,其它門(mén)電路的輸出端不允許并聯(lián)使用,否則會(huì)引起邏輯混路的輸出端不允許并聯(lián)使用,否則會(huì)引起邏輯混亂或損壞器件。亂或損壞器件。 4)4)輸入端的連接輸入端的連接 或門(mén)、或非門(mén)等或門(mén)、或非門(mén)等TT LTT L電電路多余的輸入端是不能懸空,只能接地,與門(mén)、路多余的輸入端是不能懸空,只能接地,與門(mén)、與非門(mén)等與非門(mén)等TT LTT L電路的多余輸入端可以懸空電路的多余輸入端可以懸空( (相相當(dāng)于接高電平當(dāng)于接高
19、電平) ),但因懸空時(shí)對(duì)地呈現(xiàn)的阻抗,但因懸空時(shí)對(duì)地呈現(xiàn)的阻抗很高,容易受到外界干擾。這時(shí)可將它們接電很高,容易受到外界干擾。這時(shí)可將它們接電源或與其它輸入端并聯(lián)使用,以增加電路的可源或與其它輸入端并聯(lián)使用,以增加電路的可靠性,但與其它輸入端并聯(lián)時(shí)對(duì)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電靠性,但與其它輸入端并聯(lián)時(shí)對(duì)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電流要求增加了。流要求增加了。CMOSCMOS器件的使用器件的使用 1)1)電源電壓的要求電源電壓的要求 電源電壓不能接反。電源電壓不能接反。 2) 2)輸出端的連接輸出端的連接 輸出端不允許直接連接輸出端不允許直接連接+VDD+VDD或地,除三態(tài)輸出器件外,不允許兩個(gè)器或地,除三態(tài)輸出器件外,不允
20、許兩個(gè)器件的輸出端連接使用。件的輸出端連接使用。 3)3)輸入端的連接輸入端的連接 輸入端的信號(hào)電壓輸入端的信號(hào)電壓Vi Vi 應(yīng)為應(yīng)為VSSVSSViViVDDVDD,超出該范圍會(huì)損壞器件,超出該范圍會(huì)損壞器件,可在輸入端串接限流電阻。所有多余的輸入端可在輸入端串接限流電阻。所有多余的輸入端一律不準(zhǔn)懸空,應(yīng)按照邏輯要求直接連接一律不準(zhǔn)懸空,應(yīng)按照邏輯要求直接連接+VDD+VDD或地。工作速度不高時(shí)允許輸入端并聯(lián)使用?;虻亍9ぷ魉俣炔桓邥r(shí)允許輸入端并聯(lián)使用。 4)CMOS 4)CMOS電路具有很高的輸入阻抗,易受外電路具有很高的輸入阻抗,易受外界干擾、沖擊和靜態(tài)擊穿。應(yīng)存放在導(dǎo)電容器界干擾、沖
21、擊和靜態(tài)擊穿。應(yīng)存放在導(dǎo)電容器內(nèi)。焊接時(shí)應(yīng)切斷電源電壓內(nèi)。焊接時(shí)應(yīng)切斷電源電壓VDDVDD電烙鐵外殼電烙鐵外殼必須接地良好必要時(shí)可以拔下烙鐵電源,利必須接地良好必要時(shí)可以拔下烙鐵電源,利用余熱進(jìn)行焊接。用余熱進(jìn)行焊接。觸發(fā)器的選用觸發(fā)器的選用 1)1)通常根據(jù)數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序關(guān)系正確選用通常根據(jù)數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序關(guān)系正確選用觸發(fā)器,除持殊功能外,一般在同一系統(tǒng)中選觸發(fā)器,除持殊功能外,一般在同一系統(tǒng)中選擇具有相同觸發(fā)方式的同類型觸發(fā)器較好。擇具有相同觸發(fā)方式的同類型觸發(fā)器較好。 2) 2)工作速度要求較高的情況下,采用邊沿工作速度要求較高的情況下,采用邊沿觸發(fā)方式的觸發(fā)器較好。但速度越高,越易受觸發(fā)
22、方式的觸發(fā)器較好。但速度越高,越易受外界干擾。上升沿觸發(fā)還是下降沿觸發(fā)原則外界干擾。上升沿觸發(fā)還是下降沿觸發(fā)原則上沒(méi)有優(yōu)劣之分。如果是上沒(méi)有優(yōu)劣之分。如果是TTLTTL電路的觸發(fā)器因電路的觸發(fā)器因?yàn)檩敵鰹榈蜁r(shí)的驅(qū)動(dòng)能力遠(yuǎn)強(qiáng)于輸出為高時(shí)的為輸出為低時(shí)的驅(qū)動(dòng)能力遠(yuǎn)強(qiáng)于輸出為高時(shí)的驅(qū)動(dòng)能力,尤其是當(dāng)集電極開(kāi)路輸出時(shí)上升邊驅(qū)動(dòng)能力,尤其是當(dāng)集電極開(kāi)路輸出時(shí)上升邊沿更差,為此選用下降沿觸發(fā)更好些。沿更差,為此選用下降沿觸發(fā)更好些。 3) 3)觸發(fā)器在使用前必須經(jīng)過(guò)全面測(cè)試才能觸發(fā)器在使用前必須經(jīng)過(guò)全面測(cè)試才能保證可靠性。使用時(shí)必須注意置位和復(fù)位脈沖保證可靠性。使用時(shí)必須注意置位和復(fù)位脈沖的最小寬度及恢復(fù)
23、時(shí)間。的最小寬度及恢復(fù)時(shí)間。 4) 4)觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)時(shí)的動(dòng)態(tài)功耗遠(yuǎn)大于靜態(tài)功觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)時(shí)的動(dòng)態(tài)功耗遠(yuǎn)大于靜態(tài)功耗,為此系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能避免同一封裝內(nèi)的耗,為此系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能避免同一封裝內(nèi)的觸發(fā)器同時(shí)翻轉(zhuǎn)觸發(fā)器同時(shí)翻轉(zhuǎn)( (尤其是甚高速電路尤其是甚高速電路) )。 5)CMOS 5)CMOS集成觸發(fā)器與集成觸發(fā)器與TTLTTL集成觸發(fā)器在邏輯集成觸發(fā)器在邏輯功能、觸發(fā)方式上基本相同。使用時(shí)不宜將這功能、觸發(fā)方式上基本相同。使用時(shí)不宜將這兩種器件混合使用。因兩種器件混合使用。因CMOSCMOS觸發(fā)器內(nèi)部電路結(jié)觸發(fā)器內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)及對(duì)觸發(fā)時(shí)鐘脈沖的要求與構(gòu)及對(duì)觸發(fā)時(shí)鐘脈沖的要求與TTLTTL存在較大差
24、存在較大差別。別。5 5、抗干擾設(shè)計(jì)、抗干擾設(shè)計(jì) 在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,為了少走彎路和節(jié)省在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,為了少走彎路和節(jié)省時(shí)間、成本,應(yīng)充分考慮抗干擾要求,盡可能時(shí)間、成本,應(yīng)充分考慮抗干擾要求,盡可能避免在設(shè)計(jì)甚至產(chǎn)品完成后再去進(jìn)行抗干擾的避免在設(shè)計(jì)甚至產(chǎn)品完成后再去進(jìn)行抗干擾的補(bǔ)救措施。形成干擾的基本要素有三個(gè):補(bǔ)救措施。形成干擾的基本要素有三個(gè): 1) 1)干擾源干擾源 指產(chǎn)生干擾的元件、設(shè)備或信號(hào),指產(chǎn)生干擾的元件、設(shè)備或信號(hào),如:雷電、繼電器、可控硅、電機(jī)、高頻如:雷電、繼電器、可控硅、電機(jī)、高頻時(shí)鐘等都可能成為干擾源。時(shí)鐘等都可能成為干擾源。 2) 2)傳播路徑傳播路徑 指干擾信號(hào)從干擾源傳播到敏指干擾信號(hào)從干擾源傳播到敏感器件的通路或媒介。典型的干擾傳播路徑是感器件的通路或媒介。典型的干擾傳播路徑是通過(guò)導(dǎo)線的傳導(dǎo)和空間的輻射。通過(guò)導(dǎo)線的傳導(dǎo)和空間的輻射。 3) 3)敏感器件敏感器件 指容易被干擾的對(duì)象,如:指容易被干擾的對(duì)象,如:A/DA/D、D/AD/A、單片機(jī)、弱信號(hào)放大器等。、單片機(jī)、弱信號(hào)放大器等。 抗干擾設(shè)計(jì)的基本原則是:抑制干擾源,抗干擾設(shè)計(jì)的基本原則是:抑制干擾源,切斷干擾傳播路徑,提高敏感器件的抗干擾性切斷干擾傳播路徑,提高敏感器件的抗干擾性能。能。 抑制干擾源
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