硅檢制絨應(yīng)知應(yīng)會(huì)

1、 硅檢制絨應(yīng)知應(yīng)會(huì) CIB-B 郝宗海硅檢目的硅檢目的檢測(cè)不良檢測(cè)不良不良分不良分類(lèi)類(lèi)電阻電阻率率少子少子壽命壽命厚度厚度TTV尺寸尺寸PN型型崩崩邊邊崩崩點(diǎn)點(diǎn)油油污污線(xiàn)線(xiàn)痕痕臺(tái)達(dá)硅檢機(jī)全貌臺(tái)達(dá)分選主控機(jī)界面檢測(cè)模組介紹圖一圖三圖二圖一為APV（左）和LPV（右）模組主要檢測(cè)尺寸、缺角和油污、崩點(diǎn)圖二為SM模組主要檢測(cè)線(xiàn)痕，圖三為UC模組主要檢測(cè)隱裂及雜質(zhì)。Semilab模組硅檢流程硅檢流程拆盒拆盒上料上料下料下料填寫(xiě)填寫(xiě)流程流程單單退庫(kù)手插手插片片硅檢注意事硅檢注意事項(xiàng)項(xiàng)線(xiàn)痕線(xiàn)痕 如圖2，機(jī)械手抓料后，硅片在行走臂上的線(xiàn)痕方向與行走臂垂直。圖2如圖3、4，硅片插入小花籃時(shí)線(xiàn)痕方向是平行的（小

2、花籃豎直放置）。圖3圖4小花籃小花籃硅檢操作注意事項(xiàng)硅檢操作注意事項(xiàng)取原材料硅片盒時(shí)，雙手最多抱兩盒。 取、放承片盒時(shí)，注意雙手抱對(duì)角線(xiàn)位置、輕拿輕放。 陷光原理：當(dāng)光入射到一定角度的斜面，光會(huì)反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，從而增加吸收率。制絨原理制絨原理利用低濃度堿溶液對(duì)晶體硅在不同晶體取向上具有不同腐蝕速率的各向異性腐蝕特性，在硅片表面腐蝕形成角錐體密布的表面形貌 ，就稱(chēng)為表面織構(gòu)化。角錐體四面全是由111面包圍形成。 反應(yīng)式為： Si+2NaOH+H2O Na2SiO3 +2H2 制絨原理制絨原理(100)(110)(111)制絨原理制絨原理制絨原理制絨原理顯微鏡下圖像放大

3、后圖像金字塔實(shí)貌NaOH溶液濃度反應(yīng)溫度制絨的根本IPA濃度NaSiO3濃度提高溶液濃稠度，控制反應(yīng)速度硅片表面原始狀態(tài)硅片表面原始狀態(tài)氫氣泡密度及大小以及在硅片表面停留的時(shí)間決定金字塔形貌 攪拌攪拌提高反應(yīng)物疏運(yùn)速度，提高氫氣泡脫附作用 氫氣泡作用各個(gè)因素的作用制絨工藝流程制絨工藝流程1槽槽清洗清洗2槽槽漂洗漂洗3槽槽粗粗拋拋4槽槽漂洗漂洗5.6.8.9.10制絨制絨槽槽7.11槽槽漂洗漂洗12槽槽酸堿過(guò)酸堿過(guò)渡渡13槽槽酸洗酸洗14槽槽漂洗漂洗15槽槽酸洗酸洗16槽槽漂洗漂洗17槽槽慢提慢提拉拉制絨機(jī)制絨機(jī)慢提拉慢提拉制絨作業(yè)注意事項(xiàng)制絨操作注意事項(xiàng)制絨操作注意事項(xiàng) 配制溶液時(shí)，嚴(yán)禁容器在半空中倒液。加酸時(shí)，防護(hù)用具穿戴齊