手機(jī)電池保護(hù)板知識(shí)講解

1、保護(hù)板知識(shí)講解1、 保護(hù)板的主要保護(hù)功能：過充電保護(hù)功能過放電保護(hù)功能過電流保護(hù)電流 包括過流1 過流2短路保護(hù)2、 主要器件IC 它由精確的比較器來獲得保護(hù)可靠的保護(hù)參數(shù)，主要參數(shù)：-過充電壓-過充恢復(fù)電壓-過放電壓-過放恢復(fù)電壓-過流檢測(cè)電壓-短路保護(hù)電壓-耗電MOSFET 串在主充放電回路中，擔(dān)當(dāng)高速開關(guān)，執(zhí)行保護(hù)動(dòng)作。我司所用的都是串在B- P-間。MOSFET包含三個(gè)電極：漏極 （D） 源極（S） 柵極（G）；當(dāng)G極為高電平時(shí)，D極與S極導(dǎo)通，當(dāng)G極為低電平時(shí)，D極與S極斷開。主要參數(shù):-內(nèi)阻-耐電流-耐電壓-內(nèi)部是否連通-封裝FUSE PTC ：二次保護(hù)器件。電流導(dǎo)通流程圖：正極:

2、B+ FUSE P+負(fù)極:B- MOS(2、3)腳 MOS（1）腳 MOS（8）腳 MOS（5、6）腳夫 P-通常狀態(tài)： 當(dāng)電芯電壓在2。5V-4。2V之間，IC的充電控制腳（第1腳）和放電管控制腳(第3腳)同時(shí)處于高電平,充電MOS、 放電MOS同時(shí)打開，B-與P-連通,保護(hù)板有輸出電壓,能正常允放電.-過放狀態(tài):當(dāng)電池接上手機(jī)等負(fù)載后，電芯電壓漸漸降低，同時(shí)IC同部通過R1電阻實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電芯電壓，當(dāng)電芯電壓降到IC的過放保護(hù)電壓時(shí)，IC放電控制腳（第1腳）輸出電壓為0V，即低電平,放電MOS關(guān)閉,無輸出電壓。-過充狀態(tài)：當(dāng)電池通過充電器充電時(shí)，隨著充電時(shí)間的增加，電芯電壓越來越高，當(dāng)電芯電壓

3、升高到過充保護(hù)電壓時(shí)，IC將認(rèn)為電芯處于過充電電壓狀態(tài)，IC的充電控制腳（第3腳）輸出為低電平，即0V；此時(shí)充電MOS管關(guān)閉，B-與P-處于斷開狀態(tài)，充電回路切斷，充電停止。保護(hù)板處于過充狀態(tài)并一直保持。等到P+ P-之間接上負(fù)載后，因此時(shí)雖然充電管處于關(guān)閉狀態(tài)，但其內(nèi)部的二極管的正方向與放電回路的方向相同，故放電回路可以放電，當(dāng)電芯電壓被放低至過充電恢復(fù)電壓以下時(shí)，充電管又導(dǎo)通，電芯的B-與保護(hù)板的P-又重新接上，電芯又能正常的充放電。-過流及短路保護(hù)：當(dāng)電池的負(fù)載電流超過IC的過流保護(hù)值時(shí),IC的放電控制腳（第1腳）輸出低電平，MOS管關(guān)閉。3、 常見的問題點(diǎn)：-內(nèi)阻大：決定電池內(nèi)阻的器件

4、有 PCB的線阻，MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻， FUSE的內(nèi)阻，電芯內(nèi)阻及鎳片的電阻。解決方法：首先判斷電芯內(nèi)阻（一般要求小于60m）是否超過標(biāo)準(zhǔn)，其次是測(cè)試保護(hù)板內(nèi)阻（一般要求小于60m）、FUSE內(nèi)阻（一般要求小于15m），最后檢查鎳片及接觸電阻（一般要求小于15m）-無電壓無內(nèi)阻（不能充放電等）：無電壓無內(nèi)阻通常是充電MOSFET關(guān)閉或放電MOSFET關(guān)閉或充放電MOS同時(shí)關(guān)閉，導(dǎo)致MOS管關(guān)閉的原因有 IC不能正常工作或MOS管自身損壞或MOS連錫，虛焊。解決方法：先檢查IC第5腳電壓電否正常（電壓與電芯電壓相同），第6腳與B-是否連好，電芯電壓是否正常，R1電阻是阻值是否正確，R1是否虛焊。其次檢查IC的充電控制腳（3腳）和放電控制腳（5腳）電壓是否正確（在通常的狀態(tài)，IC的1、3腳都是高電平，等于電芯電壓）。再次檢查MOS是否短路，虛焊。無ID（熱敏）：ID電阻一端連接保護(hù)板的P-端子，一端連接保接保護(hù)板的ID端子，若有此類問題時(shí)，可首先確認(rèn)線路是否導(dǎo)通，其次可確認(rèn)電阻本身是否不良