經(jīng)典的存儲(chǔ)器介紹

1、第一章第一章 80868086程序設(shè)計(jì)程序設(shè)計(jì)第二章第二章 MCS-51MCS-51程序設(shè)計(jì)程序設(shè)計(jì)第三章第三章 微機(jī)基本系統(tǒng)的設(shè)計(jì)微機(jī)基本系統(tǒng)的設(shè)計(jì)第四章第四章 存貯器與接口存貯器與接口第五章第五章 并行接口并行接口第六章第六章 計(jì)數(shù)器、定時(shí)器與接口計(jì)數(shù)器、定時(shí)器與接口第七章第七章 顯示器與鍵盤(pán)接口顯示器與鍵盤(pán)接口第八章第八章 串行通信及接口串行通信及接口第九章第九章 數(shù)模轉(zhuǎn)換器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器接口數(shù)模轉(zhuǎn)換器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器接口本章知識(shí)點(diǎn)本章知識(shí)點(diǎn)常用存貯器常用存貯器* *微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接* * 存貯器信息的斷電保護(hù)存貯器信息的斷電保護(hù)*本章知識(shí)點(diǎn)本章知識(shí)點(diǎn) 常用存貯器常

2、用存貯器* * 微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接* * 存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)*常用存貯器常用存貯器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySRAMFRAMDRAM只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySRAMFRAMDRAM 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 只讀存貯器（只讀存貯器（ROMROM）的信息在制造時(shí)）的信息在制造時(shí)或通過(guò)一定的編程方法寫(xiě)入，或通過(guò)一定的編程方法寫(xiě)入， 在系統(tǒng)中通常只能讀出不能寫(xiě)入；在系統(tǒng)中通常只能讀出不能寫(xiě)入； 在斷電

3、時(shí)，其信息不會(huì)丟失；在斷電時(shí)，其信息不會(huì)丟失； 它用來(lái)存放固定的程序及數(shù)據(jù)，如它用來(lái)存放固定的程序及數(shù)據(jù)，如監(jiān)控程序、數(shù)據(jù)表格等。監(jiān)控程序、數(shù)據(jù)表格等。只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySRAMFRAMDRAM 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 EPROM 能夠重復(fù)編程能夠重復(fù)編程 光檫除，整片一起檫除光檫除，整片一起檫除 寫(xiě)入數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)無(wú)限制寫(xiě)入數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)無(wú)限制 用編程器編程用編程器編程A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CE-PGM2 22121242425253 34 45 56 67

4、78 89 9101022222020272719181716151312112764VPP1 1O7O6O5O4O3O2O1O02323EPROM 2764 2764 8K X 88K X 8字節(jié)字節(jié)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器2764 工作方式工作方式讀讀- -C CE E- -O OE E- -P PG GM MV VP PP P數(shù)數(shù) 據(jù)據(jù) 線線維維 持持編編 程程編編 程程 校校 驗(yàn)驗(yàn)編編 程程 禁禁 止止L LH HV VC CC CL LH HL LL LL LX XX XL LX XX XH HX XL LV VC CC CV VP PP PV VP PP PV VP PP

5、P輸輸 出出輸輸 出出輸輸 入入高高 阻阻高高 阻阻只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 由于由于 EPROM EPROM 的擦或?qū)懢鑼?zhuān)用設(shè)備，在的擦或?qū)懢鑼?zhuān)用設(shè)備，在使用時(shí)即使只要求修改一個(gè)或少數(shù)幾個(gè)使用時(shí)即使只要求修改一個(gè)或少數(shù)幾個(gè)數(shù)據(jù)也需要將其從系統(tǒng)中取出，編程后數(shù)據(jù)也需要將其從系統(tǒng)中取出，編程后再裝入系統(tǒng)，再裝入系統(tǒng)， 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 光擦除的光擦除的EPROM用于存放程序或固定的用于存放程序或固定的數(shù)據(jù)，通常只需采用其讀出工作方式數(shù)據(jù)，通常只需采用其讀出工作方式; -CE 為片選信號(hào)為片選信號(hào); -OE 為程序存儲(chǔ)器的讀信號(hào)。為程序存儲(chǔ)器的讀信號(hào)。只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 EPROM AT27

6、C256R AT27C256R 32K X 832K X 8字節(jié)字節(jié) 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CEVPP223212425345678910222011918171615131211AT27C256RA14A132726O7O6O5O4O3O2O1O027C256R工作方式工作方式- -C CE E- -O OE EA Ai iV VP PP P數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線V VI IL LV VC CC CV VI IH HX XX XV VC CC CV VP PP P輸輸出出輸輸入入高高阻阻高高阻阻V VI IL LV VI IL

7、 LV VI IL LV VI IH HX XV VI IH HA Ai iA Ai iV VC CC CV VI IH HX XV VP PP P輸輸入入高高阻阻高高阻阻V VI IL LV VI IH HA Ai iV VC CC CX XV VI IL LV VI IL LA Ai iV VP PP P讀讀暫暫停停快快速速編編程程禁禁止止輸輸出出選選擇擇的的編編程程校校驗(yàn)驗(yàn)編編程程禁禁止止編編程程校校驗(yàn)驗(yàn)只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySRAMFRAMDRAM 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 E2

8、PROM 能夠重復(fù)編程能夠重復(fù)編程 電檫除，在寫(xiě)入的同時(shí)檫除電檫除，在寫(xiě)入的同時(shí)檫除 字節(jié)與頁(yè)（字節(jié)與頁(yè)（6464字節(jié)）的寫(xiě)入方式字節(jié)）的寫(xiě)入方式 寫(xiě)入包括了數(shù)據(jù)鎖存與編程寫(xiě)入包括了數(shù)據(jù)鎖存與編程 編程時(shí)間編程時(shí)間10mS10mS 可在系統(tǒng)中編程可在系統(tǒng)中編程 E2PROM AT28C256 AT28C256 32K X 832K X 8字節(jié)字節(jié) 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CE-WE2232124253456789102220271918171615131211AT28C256A14A13126I/O7I/O6I/O5I/

9、O4I/O3I/O2I/O1I/O0只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器AT28C256AT28C256的工作方式的工作方式- -C CE E- -O OE E- -W WE E數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線V VI IL LV VI IH H輸輸出出輸輸入入高高阻阻V VI IL LV VI IL LV VI IL LV VI IH HX XV VI IH H高高阻阻高高阻阻V VI IL LV VH HX XV VI IL L讀讀寫(xiě)寫(xiě)暫暫停停禁禁止止寫(xiě)寫(xiě)V VI IH HV VI IL LX X寫(xiě)寫(xiě)禁禁止止寫(xiě)寫(xiě)禁禁止止輸輸出出禁禁止止整整片片擦擦除除X XX XX XV VI IH HX XX X E2PROM AT28C

10、256的數(shù)據(jù)讀出類(lèi)似于靜的數(shù)據(jù)讀出類(lèi)似于靜態(tài)態(tài)RAM（SRAM）的數(shù)據(jù)讀出，只需提）的數(shù)據(jù)讀出，只需提供地址信號(hào)和讀控制信號(hào)即可。供地址信號(hào)和讀控制信號(hào)即可。 當(dāng)當(dāng)-CE和和-OE為低，為低，-WE為高時(shí)，存儲(chǔ)在為高時(shí)，存儲(chǔ)在由地址信號(hào)決定的存儲(chǔ)單元內(nèi)的數(shù)據(jù)呈由地址信號(hào)決定的存儲(chǔ)單元內(nèi)的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)在數(shù)據(jù)輸出端。現(xiàn)在數(shù)據(jù)輸出端。 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 AT28C256的數(shù)據(jù)寫(xiě)分為的數(shù)據(jù)寫(xiě)分為字節(jié)寫(xiě)入字節(jié)寫(xiě)入和和頁(yè)寫(xiě)入頁(yè)寫(xiě)入兩種模式。兩種模式。 在器件內(nèi)包含了一個(gè)在器件內(nèi)包含了一個(gè)64字節(jié)的頁(yè)寄存器，字節(jié)的頁(yè)寄存器，允許最多寫(xiě)入允許最多寫(xiě)入64個(gè)字節(jié)（一頁(yè)）的數(shù)據(jù)。個(gè)字節(jié)（一頁(yè)）的數(shù)據(jù)。 寫(xiě)入操作包

11、括寫(xiě)入操作包括數(shù)據(jù)鎖存數(shù)據(jù)鎖存和和編程編程2個(gè)過(guò)程，寫(xiě)個(gè)過(guò)程，寫(xiě)周期最大為周期最大為10ms。在寫(xiě)入操作的同時(shí)，原。在寫(xiě)入操作的同時(shí)，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。先的數(shù)據(jù)即被擦除。 AT28C256不需提供額外的高編程電壓，外不需提供額外的高編程電壓，外部只需提供部只需提供5V的電壓即可。的電壓即可。 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 在字節(jié)寫(xiě)入模式時(shí)，一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)先在字節(jié)寫(xiě)入模式時(shí)，一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)先被鎖存，接著進(jìn)行編程操作。被鎖存，接著進(jìn)行編程操作。 當(dāng)當(dāng)-OE為高時(shí)，如為高時(shí)，如-CE為低、為低、-WE輸入一輸入一負(fù)脈沖或負(fù)脈沖或-WE為低、為低、-CE輸入一負(fù)脈沖，輸入一負(fù)脈沖，寫(xiě)周期

12、開(kāi)始。寫(xiě)周期開(kāi)始。 -CE和和-WE相或，其下降沿鎖存地址信號(hào)，相或，其下降沿鎖存地址信號(hào)，上升沿鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)。上升沿鎖存數(shù)據(jù)信號(hào)。 字節(jié)寫(xiě)周期開(kāi)始后，時(shí)序自動(dòng)控制編程字節(jié)寫(xiě)周期開(kāi)始后，時(shí)序自動(dòng)控制編程操作完成。操作完成。只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 在頁(yè)寫(xiě)入模式時(shí)，允許在頁(yè)寫(xiě)入模式時(shí)，允許1到到64個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)在一個(gè)編程周期寫(xiě)入。在一個(gè)編程周期寫(xiě)入。 頁(yè)寫(xiě)入操作的開(kāi)始類(lèi)似于字節(jié)寫(xiě)入，在第一頁(yè)寫(xiě)入操作的開(kāi)始類(lèi)似于字節(jié)寫(xiě)入，在第一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)鎖存后，接著輸入個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)鎖存后，接著輸入1-63個(gè)額外個(gè)額外的字節(jié)，每個(gè)接著的字節(jié)必須在前一個(gè)字節(jié)的字節(jié)，每個(gè)接著的字節(jié)必須在前一個(gè)字節(jié)結(jié)束后的結(jié)束

13、后的150 s（字節(jié)裝入周期）之內(nèi)。（字節(jié)裝入周期）之內(nèi)。 如超過(guò)字節(jié)裝入周期的規(guī)定時(shí)間，如超過(guò)字節(jié)裝入周期的規(guī)定時(shí)間，AT28C256將終止數(shù)據(jù)寫(xiě)入，并開(kāi)始內(nèi)部編將終止數(shù)據(jù)寫(xiě)入，并開(kāi)始內(nèi)部編程操作。程操作。只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySRAMFRAMDRAM 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器Flash Memory 能夠重復(fù)編程能夠重復(fù)編程 電檫除，在寫(xiě)入的同時(shí)檫除電檫除，在寫(xiě)入的同時(shí)檫除 整頁(yè)（整頁(yè)（6464字節(jié)）的寫(xiě)入方式字節(jié)）的寫(xiě)入方式 寫(xiě)入包括了數(shù)據(jù)鎖存與編程寫(xiě)入包括了數(shù)據(jù)鎖存與編程 編程時(shí)間編程時(shí)間10mS1

14、0mS 可在系統(tǒng)中編程可在系統(tǒng)中編程只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 Flash Memory AT29C256 AT29C256 32K X 832K X 8字節(jié)字節(jié) 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CE-WE223212425345678910222011918171615131211AT29C256A14A132726I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器AT29C256AT29C256的工作方式的工作方式A Ai iX XA Ai iX X- -C CE E- -O OE E- -W WE E數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線V

15、 VI IL LV VI IH H輸輸出出輸輸入入高高阻阻V VI IL LV VI IL LV VI IL LV VI IH HX XV VI IH H高高阻阻高高阻阻V VI IL LV VH HX XV VI IL L讀讀寫(xiě)寫(xiě)暫暫停停禁禁止止編編程程V VI IH HV VI IL LX X寫(xiě)寫(xiě)禁禁止止寫(xiě)寫(xiě)禁禁止止輸輸出出禁禁止止高高電電壓壓整整片片擦擦除除X XX XX XV VI IH HX XX XV VI IL LV VI IL L5 5V V整整片片擦擦除除V VI IH HA Ai iA Ai i只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 AT29C256的編程基于的編程基于整頁(yè)操作整頁(yè)操作方式，

16、即方式，即先通過(guò)寫(xiě)操作將先通過(guò)寫(xiě)操作將64字節(jié)（一頁(yè)）的內(nèi)容字節(jié)（一頁(yè)）的內(nèi)容裝入器件，然后同時(shí)編程。因此，編程裝入器件，然后同時(shí)編程。因此，編程操作包括了操作包括了數(shù)據(jù)裝入數(shù)據(jù)裝入和和編程編程兩個(gè)部分。兩個(gè)部分。只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 AT29C256AT29C256的整頁(yè)編程方式要求在一頁(yè)中的整頁(yè)編程方式要求在一頁(yè)中的一個(gè)數(shù)據(jù)需修改，整個(gè)頁(yè)的數(shù)據(jù)必須的一個(gè)數(shù)據(jù)需修改，整個(gè)頁(yè)的數(shù)據(jù)必須都裝入器件。都裝入器件。 在編程時(shí)，一頁(yè)中未裝入的數(shù)據(jù)將為不在編程時(shí)，一頁(yè)中未裝入的數(shù)據(jù)將為不確定數(shù)據(jù)。確定數(shù)據(jù)。只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySR

17、AMFRAMDRAM 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 隨機(jī)存取存貯器可根據(jù)需要隨機(jī)存取存貯器可根據(jù)需要寫(xiě)入寫(xiě)入或或讀出讀出數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可以分為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可以分為靜態(tài)RAM、鐵電存儲(chǔ)器（鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）及動(dòng)態(tài)）及動(dòng)態(tài)RAM。只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySRAMFRAMDRAM 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SRAM 能夠重復(fù)編程能夠重復(fù)編程 電檫除，在寫(xiě)入的同時(shí)檫除電檫除，在寫(xiě)入的同時(shí)檫除 字節(jié)與頁(yè)（字節(jié)與頁(yè)（6464字節(jié)）的寫(xiě)入方式字節(jié)）的寫(xiě)入方

18、式 寫(xiě)入包括了數(shù)據(jù)鎖存與編程寫(xiě)入包括了數(shù)據(jù)鎖存與編程 編程時(shí)間編程時(shí)間10mS10mS 可在系統(tǒng)中編程可在系統(tǒng)中編程隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM 6264 6264 8K X 88K X 8字節(jié)字節(jié)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0D7D6D5D4D3D2D1D0191817161513121162642 223232121242425253 34 45 56 67 78 89 910102222202027272626-OE-CS1-WECS2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器62646264的工作方式的工作方式C CS S2 2- -O OE E- -

19、W WE E數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線H HH H輸輸出出輸輸入入高高阻阻H HL LX XH HX X高高阻阻L LX X讀讀輸輸出出禁禁止止寫(xiě)寫(xiě)H HL LH H非非選選非非選選X XX XX X- -C CS S1 1L LL LL LX XH H高高阻阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 靜態(tài)靜態(tài) RAM用于存放數(shù)據(jù)或作為程序運(yùn)行用于存放數(shù)據(jù)或作為程序運(yùn)行時(shí)工作單元，因此在使用時(shí)不僅需利用它時(shí)工作單元，因此在使用時(shí)不僅需利用它的讀出方式，還需用到它的寫(xiě)入方式的讀出方式，還需用到它的寫(xiě)入方式 CS信號(hào)為片選信號(hào)信號(hào)為片選信號(hào) -OE為存儲(chǔ)器讀出控制信號(hào)為存儲(chǔ)器讀出控制信號(hào) -WR為存儲(chǔ)器寫(xiě)入控制信號(hào)為存儲(chǔ)器

20、寫(xiě)入控制信號(hào)只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySRAMFRAMDRAM 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 FRAM 信息在掉電后不會(huì)丟失信息在掉電后不會(huì)丟失 讀寫(xiě)時(shí)序與讀寫(xiě)時(shí)序與SRAMSRAM相同相同隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM F1608 F1608 8K X 88K X 8位位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A02232124253456789102220271918171615131211F1608DQ7DQ6DQ5DQ4DQ3DQ2DQ1DQ0-OE-CE-W

21、E隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器F1608的工作方式的工作方式- -O OE E- -W WE E數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線輸輸出出輸輸入入L LX XX XX X讀讀地地址址鎖鎖存存寫(xiě)寫(xiě)H H非非選選X XX X- -C CE EL LL LH H隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器與靜態(tài)鐵電存儲(chǔ)器與靜態(tài)RAM時(shí)序的差異是時(shí)序的差異是: : FRAM的片選的片選-CE信號(hào)具有雙重作用，信號(hào)具有雙重作用，第一是鎖存寫(xiě)入數(shù)據(jù)的地址，第二是在第一是鎖存寫(xiě)入數(shù)據(jù)的地址，第二是在-CE為高電平時(shí)產(chǎn)生必要的內(nèi)存預(yù)充電時(shí)為高電平時(shí)產(chǎn)生必要的內(nèi)存預(yù)充電時(shí)間。因此在設(shè)計(jì)接口時(shí)，不能像靜態(tài)間。因此在設(shè)計(jì)接口時(shí)，不能像靜態(tài)RA

22、M一樣將一樣將-CE引腳接地。引腳接地。只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EPROME2PROMFlash MemorySRAMFRAMDRAM 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 對(duì)于大容量的存儲(chǔ)器采用動(dòng)態(tài)對(duì)于大容量的存儲(chǔ)器采用動(dòng)態(tài)RAM較經(jīng)較經(jīng)濟(jì)，其功耗小于同樣容量的靜態(tài)濟(jì)，其功耗小于同樣容量的靜態(tài)RAM，存取速度也較快。存取速度也較快。 但它需要刷新電路，每隔一定的間隔需但它需要刷新電路，每隔一定的間隔需對(duì)其刷新，使各個(gè)單元的信息得到保持。對(duì)其刷新，使各個(gè)單元的信息得到保持。 和靜態(tài)和靜態(tài)RAM不同的是，動(dòng)態(tài)不同的是，動(dòng)態(tài)RAM除了除了讀寫(xiě)操作外，還需

23、定時(shí)刷新。讀寫(xiě)操作外，還需定時(shí)刷新。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IS41C16256 262144 X 16位位 高性能高性能CMOS 同步隨機(jī)存儲(chǔ)器同步隨機(jī)存儲(chǔ)器 行與列地址的輸行與列地址的輸入形式入形式數(shù)據(jù)的刷新數(shù)據(jù)的刷新地址緩沖器行譯碼器存儲(chǔ)器陣列數(shù)據(jù)緩沖器行時(shí)針發(fā)生器列時(shí)針發(fā)生器寫(xiě)控制輸出控制刷新計(jì)數(shù)器列譯碼數(shù)據(jù)總線讀寫(xiě)放大器WROEUCASLCASRASA0A8I/O0I/O15隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器本章知識(shí)點(diǎn)本章知識(shí)點(diǎn) 常用存貯器常用存貯器* * 微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接* * 存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)*微處理器與存貯器的連接微處理器與存

24、貯器的連接 EPROM 2764、27C256 E2PROM 28C256 Flash Memory 29C256 SRAM6264 FRAM1608EPROME2PROMFlashSRAMFRAM存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器寫(xiě)寫(xiě)入入方方式式存存儲(chǔ)儲(chǔ)時(shí)時(shí)間間編編程程器器在在線線在在線線在在線線在在線線1 10 0m mS S1 10 0m mS S70-120S70-120S微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接 數(shù)據(jù)信號(hào)與數(shù)據(jù)總線的連接數(shù)據(jù)信號(hào)與數(shù)據(jù)總線的連接 地址信號(hào)的譯碼地址信號(hào)的譯碼 讀控制信號(hào)讀控制信號(hào) 數(shù)據(jù)、程序存儲(chǔ)器統(tǒng)一編址，數(shù)據(jù)、程序存儲(chǔ)器統(tǒng)一

25、編址， 數(shù)據(jù)讀信號(hào)數(shù)據(jù)讀信號(hào) 數(shù)據(jù)程序存儲(chǔ)器分別編址，數(shù)據(jù)程序存儲(chǔ)器分別編址， 數(shù)據(jù)讀、程序存儲(chǔ)器選中信號(hào)數(shù)據(jù)讀、程序存儲(chǔ)器選中信號(hào) 數(shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)數(shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)-WR-WR微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接數(shù)據(jù)程序存儲(chǔ)器統(tǒng)一編址數(shù)據(jù)程序存儲(chǔ)器統(tǒng)一編址 程序存儲(chǔ)器程序存儲(chǔ)器 指令的讀出用讀信號(hào)指令的讀出用讀信號(hào)-RD-RD 程序的寫(xiě)入用寫(xiě)信號(hào)程序的寫(xiě)入用寫(xiě)信號(hào)-WR-WR 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 指令的讀出用讀信號(hào)指令的讀出用讀信號(hào)-RD-RD 數(shù)據(jù)的寫(xiě)入用寫(xiě)信號(hào)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入用寫(xiě)信號(hào)-WR-WRA12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CS1D7D6D5D4D

26、3D2D1D0-WE6264CS2A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CE-WEAT28C256A14A13地址譯碼5V存儲(chǔ)器讀存儲(chǔ)器寫(xiě)數(shù)據(jù)總線地址總線I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0程序存儲(chǔ)器程序存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀信號(hào)-RD寫(xiě)信號(hào)-WR微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接數(shù)據(jù)程序存儲(chǔ)器分別編址數(shù)據(jù)程序存儲(chǔ)器分別編址 程序存儲(chǔ)器程序存儲(chǔ)器 指令的讀出用程序存儲(chǔ)器讀信號(hào)指令的讀出用程序存儲(chǔ)器讀信號(hào) 程序的寫(xiě)入用數(shù)據(jù)寫(xiě)信號(hào)程序的寫(xiě)入用數(shù)據(jù)寫(xiě)信號(hào)-WR-WR 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

27、器 指令的讀出用數(shù)據(jù)讀信號(hào)指令的讀出用數(shù)據(jù)讀信號(hào)-RD-RD 數(shù)據(jù)的寫(xiě)入用數(shù)據(jù)寫(xiě)信號(hào)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入用數(shù)據(jù)寫(xiě)信號(hào)-WR-WRA12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CS1D7D6D5D4D3D2D1D0-WE6264CS2地址譯碼5V程序存儲(chǔ)器讀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)數(shù)據(jù)總線地址總線A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0-WEAT28C256A14A13微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接讀信號(hào)讀信號(hào)-RD-RD寫(xiě)信號(hào)寫(xiě)信號(hào)-WR-WR程序存儲(chǔ)器程序存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)

28、存儲(chǔ)器程序存儲(chǔ)程序存儲(chǔ)器選中器選中 89C51擴(kuò)展擴(kuò)展2片片6264 地址地址0000H、2000H 地址分離采用地址分離采用74LS373 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)采用數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)采用74LS245微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接74LS373Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7LEOED0D1D2D3D4D5D6D774LS245B0B1B2B3B4B5B6B7A0A1A2A3A4A5A6A7DIROE89C51P1.1P1.0P1.3P1.2P1.5P1.4P1.7P1.6P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0

29、.7INT1INT0T1T0EA/VPX1X2RESETRDWRRXDTXDALE/PPSEN74LS138CBA-G2AY0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7-G2BG1A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0OECS1D7D6D5D4D3D2D1D0WE6264CS2+5U3+5VA12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0OECS1D7D6D5D4D3D2D1D0WE6264CS2+5U3微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接74LS37374LS245本章知識(shí)點(diǎn)本章知識(shí)點(diǎn) 常用存貯器常用存貯器* * 微處理器與存貯器的連接微處理器與存貯器的連接* * 存

30、儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)*存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)EPROME2PROMFlashSRAMFRAM存存 儲(chǔ)儲(chǔ) 器器掉掉 電電 信信 息息 保保 留留保保 留留保保 留留保保 留留丟丟 失失保保 留留 SRAM與與FRAM具有同樣的讀寫(xiě)時(shí)序具有同樣的讀寫(xiě)時(shí)序 在微機(jī)系統(tǒng)中采用在微機(jī)系統(tǒng)中采用FRAM不必考慮斷電不必考慮斷電保護(hù)問(wèn)題保護(hù)問(wèn)題 在微機(jī)系統(tǒng)中采用在微機(jī)系統(tǒng)中采用SRAM應(yīng)考慮斷電保應(yīng)考慮斷電保護(hù)問(wèn)題護(hù)問(wèn)題存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù)存儲(chǔ)器信息的斷電保護(hù) 利用靜態(tài)利用靜態(tài)RAM的低電壓保持信息的功能，的低電壓保持信息的功能，對(duì)這些靜態(tài)對(duì)這些靜態(tài)RAM采用后備電源供電。采用后備電源供電