EMC_測(cè)試作業(yè)指導(dǎo)書(shū)

1、EMC 測(cè)試作業(yè)指導(dǎo)書(shū)EMC 測(cè)試類(lèi)型EMC 測(cè)試包括ESD 測(cè)試， EFT 測(cè)試， Surge 測(cè)試， Harmonic 測(cè)試， Flicker測(cè)試， Conducted Immunity 測(cè)試， Power Dip 測(cè)試和 EMI 測(cè)試，相應(yīng)的測(cè)試 標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試方法將在下面詳細(xì)介紹。ESD：靜電放電EFT：電快速瞬變脈沖群Harmonic ：諧波Flicker ：閃爍發(fā)射Surge ：浪涌Power Dip：電壓跌落Conducted Immunity : 傳導(dǎo)免疫性EUT：受試設(shè)備5.1 ESD 測(cè)試5.11 測(cè)試目的驗(yàn)證產(chǎn)品設(shè)計(jì)的成熟度，模擬在干燥地區(qū)易遭受靜電放電的情況，保證產(chǎn)品在 E

2、SD 下性能保持完好，功能正常，不被損害。5.12 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)按照 EN61000-4-2 進(jìn)行， 測(cè)試電壓為8KV（空氣放電）和 4KV（接觸放電）5.13 測(cè)試場(chǎng)地BQC EMC 實(shí)驗(yàn)室5.14 測(cè)試設(shè)備N(xiāo)oiseKen ESS-2002（靜電測(cè)試器）5.15 ESD原理一個(gè)充電的導(dǎo)體接近另一個(gè)導(dǎo)體時(shí)，就有可能發(fā)生ESD。首先，兩個(gè)導(dǎo)體之間會(huì)建立一個(gè)很強(qiáng)的電場(chǎng)，產(chǎn)生由電場(chǎng)引起的擊穿。兩個(gè)導(dǎo)體之間的電壓超過(guò)它們之間空氣和絕緣介質(zhì)的擊穿電壓時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生電弧。在 0.7ns到 10ns的時(shí)間里， 電弧電流會(huì)達(dá)到幾十安培，有時(shí)甚至?xí)^(guò)100 安培。 電弧將一直維持直到兩個(gè)導(dǎo)體接觸短路或者電流低到不

3、能維持電弧為止?？赡墚a(chǎn)生電弧的實(shí)例有人體、帶電器件和機(jī)器。人的自然動(dòng)作摩擦?xí)纬?00 600V 電勢(shì)，如果他們?cè)诖蜷_(kāi)或包裝泡沫襯底紙箱或氣泡塑料袋過(guò)程中一直接觸的都是絕緣體，其身體表面上的凈電荷積累可能達(dá)到約26,000V。針對(duì)大多數(shù)環(huán)境的產(chǎn)品和通用標(biāo)準(zhǔn)決定使用如 5.12標(biāo)準(zhǔn)所列的測(cè)試水平.5.16 測(cè)試方法1 .EUT 按照正常運(yùn)行時(shí)的典型安裝進(jìn)行布局和配置, 并將所有電纜都連接上對(duì)地的連接尤為重要.EUT 放置在離地平面80cm 的木桌上,設(shè)備下面放置一個(gè)水平耦合板,但該耦合板與設(shè)備之間絕緣隔離.如圖5.1.2 .信號(hào)輸入將 Notebook 的信號(hào)輸入到EUT 的 D-Sub 端口,

4、將 DVD Player 信號(hào)輸入到 EUT，運(yùn)行一段程序.3 .靜電放電發(fā)生器設(shè)置靜電放電發(fā)生器的面板如圖5.2所示。通過(guò)模式選擇可以選“電壓設(shè)定”“時(shí)間參數(shù)” “放電次數(shù)”，分別對(duì)應(yīng)數(shù)字屏的第一欄，第二欄，第三欄，一旦選擇好一項(xiàng)，相應(yīng)的欄會(huì)閃爍，可以通過(guò)上下鍵來(lái)改變參數(shù)，通過(guò) “ SET” 鍵確認(rèn)?！扒辶恪辨I將所有的參數(shù)歸零。參數(shù)設(shè)定后，就可以通過(guò) START 和 END 鍵控制靜電放電發(fā)生器的動(dòng)作。開(kāi)始后，警示燈會(huì)閃爍。注意，只有在接觸放電也即AIR/CONDUCT 按下后，相應(yīng)的第二欄和第三欄參數(shù)才可設(shè)定。4 .施加放電4.1 接觸放電接觸放電是首選的測(cè)試方式,要求EUT 具有導(dǎo)電的表

5、面或不被認(rèn)為是起絕緣作用的噴涂表面.在相同的點(diǎn)選用正負(fù)極性電壓(± 4KV )施加單次放電,每個(gè)點(diǎn)單次放電的次數(shù)不少于10 次 ,每次之間的間隔不小于1S.接觸放電使用尖頭端子.靜電放電發(fā)生器應(yīng)與EUT表面垂直,或者與耦合平面在同一平面內(nèi)且對(duì)準(zhǔn)耦合平面的中心邊緣.4.2 空氣放電空氣放電是指在不具備接觸放電測(cè)試條件的某些點(diǎn),在這些點(diǎn)上施加空氣放電有可能會(huì)引發(fā)內(nèi)部電路產(chǎn)生故障,例如:按鍵邊緣,連接器或通風(fēng)孔等.對(duì)于空氣放電,使用圓頭端子,放電尖端應(yīng)盡可能快的接近EUT,但注意不能導(dǎo)致設(shè)備受損,由于這種測(cè)試不能慢慢接近受EUT,因此需要測(cè)試者精力充沛且有積極性.空氣放電的電壓為±

6、;8KV.4.3 模擬放電這種間接放電施加到距EUT 固定距離的一個(gè)耦合板上,耦合板的大小為50cm× 50cm,與 EUT 的距離為10cm,并行放置,包括垂直耦合和水平耦合.EUT 的四個(gè)面都要施加這種耦合放電.耦合放電的方法:在耦合板的邊緣中間用尖頭端子單點(diǎn)施加±4KV 電壓 ,至少十次,每次間隔不小于1S.5.17 測(cè)試結(jié)果EUTLOADs:測(cè)試項(xiàng)目S/N:S/N:測(cè)試前狀況測(cè)試后狀況測(cè)試前狀況測(cè)試后狀況圖象品質(zhì)音質(zhì)品質(zhì)5.2 NoiseKen ESS-2002面板示意圖5.2 EFT 測(cè)試5.21 測(cè)試目的驗(yàn)證產(chǎn)品設(shè)計(jì)的成熟度，評(píng)估EUT 對(duì)來(lái)自操作暫態(tài)過(guò)程（諸如

7、開(kāi)斷感性負(fù)載、繼電器觸頭彈跳等）中各種瞬態(tài)擾動(dòng)的抗擾性。5.22 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)按照 IEC 61000-4-4進(jìn)行。5.23 測(cè)試場(chǎng)地BQC EMC 實(shí)驗(yàn)室5.24 測(cè)試設(shè)備TRANIENT 2000， PC5.25 EFT原理快速瞬間脈沖群被規(guī)定為：源阻抗50 、上升時(shí)間與持續(xù)時(shí)間為5ns/50ns的單脈沖（如圖5.2.1） ，并以5KHz（在最大測(cè)試電壓時(shí)為2.5KHz）的重復(fù)頻率持續(xù)15ms,每 300ms 施加一次的脈沖群（如圖5.2.2） ，電壓水平變化的范圍為250V 4KV。Pulse RateT圖 5.2.1 單脈沖波形圖Incident Burst15msec20 %300mse

8、c + 20 %P ossible IC inputV st aircasedue t o Burst. Must not be synched to AC line圖 5.2.2 脈沖群規(guī)格電源線耦合網(wǎng)絡(luò)以共模方式通過(guò)電容（相對(duì)于地面）向每一根電源線施加脈LC 網(wǎng)絡(luò)去耦。對(duì)信號(hào)的耦合可以使用容性5.2.3 。去耦網(wǎng)絡(luò)耦合 /口端O/ITUE 口端源電容性耦合夾相關(guān)設(shè)備10cm5.2.3 EFT布置簡(jiǎn)圖5.26 測(cè)試水平開(kāi)路輸出測(cè)試電壓（±10%） ，脈沖重復(fù)度（±20%）電壓水平電源端口，保護(hù)地端口信號(hào)、數(shù)據(jù)、控制I/O 端口電壓峰值KV循環(huán)頻率KHz電壓峰值KV循環(huán)頻率

9、KHz10.550.2552150.5532515442.525X指定指定指定指定X 是開(kāi)放的測(cè)試水平，由專用設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)指定。5.27測(cè)試方法將臺(tái)式 EUT 放置在地平面上80cm高的一個(gè)絕緣桌上，同時(shí)，使用1m 長(zhǎng)的電源電纜將EUT 連接到耦合網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)本身與地平面連接在一起。若 EUT 外殼上有一個(gè)單獨(dú)的保護(hù)接地端，那么它也要通過(guò)這一耦合網(wǎng)絡(luò)連接到地平上，這是因?yàn)樗矐B(tài)干擾也會(huì)直接作用在其上。I/O 電纜則需要穿過(guò)放置在地平面上方10cm 高處的容性耦合夾。測(cè)試軟件Genecs設(shè)置和操作如附件一。.5.28測(cè)試結(jié)果電壓水平SPE檢查標(biāo)準(zhǔn)S/N：S/N：0.25 1.0KV自我恢復(fù)1.0 2.

10、0KV人為干涉或系統(tǒng)復(fù)位后 EUT 正常2.0 4.0KV元器件或設(shè)備 不能損壞5.3 Surge 測(cè)試5.31 測(cè)試目的在電源線和長(zhǎng)信號(hào)線上可能出現(xiàn)高能量但相對(duì)較慢的瞬態(tài)過(guò)電壓現(xiàn)象,它通常是由線纜附近的雷擊所引起的.Surge 測(cè)試的目的是確保EUT 能夠承受得起規(guī)定水平的瞬態(tài)干擾,而不會(huì)出現(xiàn)故障或者工作狀態(tài)混亂.5.32 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)按 IEC 61000-4-5進(jìn)行 .5.33 測(cè)試場(chǎng)地BQC EMC 實(shí)驗(yàn)室5.34 測(cè)試設(shè)備TRANSIENT 2000, PC5.35 Surge原理浪涌瞬態(tài)被耦合進(jìn)電源、I/O 端口,因?yàn)镋UT 中的保護(hù)裝置（如果沒(méi)有保護(hù)裝置 ,可能發(fā)生閃絡(luò)或元件擊穿）動(dòng)

11、作時(shí)將自動(dòng)地從高阻抗轉(zhuǎn)換到低阻抗,所以測(cè)試中使用的浪涌發(fā)生器輸出的是電壓和電流的組合波.發(fā)生器的電路元件值必須加以限制,以使發(fā)生器可以在高阻抗負(fù)載上產(chǎn)生1.2/50 的電壓浪涌波形,以及在短路負(fù)載上產(chǎn)生8/20 的電流浪涌波形（如圖5.3.1）,對(duì) EUT 施加波形時(shí)必須通過(guò)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（參見(jiàn)圖5.3.2 ） 。1.50VWaveform1.000.500.00-0.505.3.1 浪涌波形圖5.3.2 浪涌波形的規(guī)格及其耦合方法5.36 測(cè)試水平測(cè)試水平開(kāi)路測(cè)試電壓(± 10%)KV10.521.032.044.0X指定X 是一個(gè)開(kāi)放指標(biāo),有相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)指定1KV: 線對(duì)線2K

12、V:線對(duì)地(Criteria B)以 2KV 線對(duì)地和1KV 線對(duì)線模式施加于交流電源輸入端口，對(duì)直流輸入端0.5 KV 。5.37 測(cè)試方法對(duì)于電源端口,高能浪涌需要施加在相線之間和相線與地之間;對(duì)于I/O 線纜 ,需要施加線對(duì)線的浪涌和線對(duì)地的浪涌,只是源阻抗稍高一些.2 代表電源網(wǎng)絡(luò)的差模源阻抗,12 代表線對(duì)地的電源網(wǎng)絡(luò)阻抗,42 代表所有其他線纜的線對(duì)線源阻抗和線對(duì)地源阻抗.施加浪涌的次數(shù):10 次 (正、負(fù)極性各5 次 );重復(fù)率 : >1 次 /min.軟件操作 : 參見(jiàn)附錄一,相應(yīng)的軟件程式不同。5.38 測(cè)試結(jié)果EUT:S/N:S/N：輸入電壓:220V溫度 :濕度 :

13、項(xiàng)目測(cè)試水平結(jié)果共模0.5KV(L TO E) (N TO E)1KV± 2KV差模0.5KV(L TO E)± 1KV備注 :1. 測(cè)試溫度范圍15 35 C°.2. 測(cè)試濕度范圍10%75%5.4Power Dip 測(cè)試5.41 測(cè)試目的模擬 EUT 在供電電源不連續(xù)和中斷的情況下的抗擾度。5.42 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)按 EN61000-4-11 進(jìn)行測(cè)試；5.43 測(cè)試場(chǎng)地BQC EMC 試驗(yàn)室5.44 測(cè)試設(shè)備TRANSIENT 2000, PC5.45 測(cè)試原理電氣和電子設(shè)備可能會(huì)受到電源電壓跌落、短時(shí)中斷或電壓變化的影響。電壓跌落和短時(shí)中斷是由網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備中的故障

14、引起的，或者由突發(fā)的、大的負(fù)載變化導(dǎo)致。在特定情況下，可能會(huì)發(fā)生多次跌落或中斷。電壓變化則由連接到網(wǎng)絡(luò)上的連續(xù)變化的負(fù)載所導(dǎo)致的。這些現(xiàn)象在本質(zhì)上都是隨機(jī)的。電壓跌落和短時(shí)中斷不總是突然的。如果大型電源網(wǎng)絡(luò)被切斷，則因?yàn)樵谠摼W(wǎng)絡(luò)上連接有大量電動(dòng)機(jī)設(shè)備，電壓會(huì)逐步下降。在短時(shí)間內(nèi)，這些電動(dòng)機(jī)設(shè)備相當(dāng)于向電源網(wǎng)絡(luò)中發(fā)送能量的發(fā)電機(jī)。由于跌落和中斷測(cè)試在通用的抗擾度標(biāo)準(zhǔn)和一些產(chǎn)品中被引用，所以這些測(cè)試非常重要。5.46 測(cè)試水平項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)（%降低率）（周期）測(cè)試次數(shù)測(cè)試間隔性能指標(biāo)電壓跌落>95%0.5 10ms 50Hz>3>10sB30%25 500ms 50Hz>3>

15、;10sC電壓中斷>95%250 5s 50Hz>3>10sC性能指標(biāo)B：在測(cè)試完成后，設(shè)備將按照預(yù)期的方式持續(xù)運(yùn)行；如果設(shè)備按照預(yù)定的方式使用，則不允許有任何在生產(chǎn)商規(guī)定的性能水平以下的性能降級(jí)或者功能喪失。但是在測(cè)試期間，允許有性能降級(jí)，但不允許有實(shí)際的工作狀態(tài)或者存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的改變。性能指標(biāo)C：暫時(shí)的功能喪失是允許的，只是功能喪失可以自動(dòng)恢復(fù)，或者可以通過(guò)控制操作恢復(fù)正常。跌落電壓波形如圖5.4.1 和 5.4.2.圖 5.4.1 70%的電壓跌落圖 5.4.2 >95%的電壓跌落5.47 測(cè)試方法在 Surge 測(cè)試完畢后，將相應(yīng)的程序換成Power Dip的測(cè)試程

16、序，分別為 short,interruptions, voltage variation, 相應(yīng)的軟件操作同Surge，參見(jiàn)附錄一。5.48 測(cè)試結(jié)果測(cè)試項(xiàng)目S/N:S/N:電壓跌落電壓中斷電壓變化5.5Flicker 測(cè)試5.51 測(cè)試目的驗(yàn)證產(chǎn)品設(shè)計(jì)的成熟度，限制EUT 的電壓波動(dòng)對(duì)公共電網(wǎng)的影響程度。5.52 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)EN61000-3-35.53 測(cè)試場(chǎng)地BQC EMC 實(shí)驗(yàn)室5.54 測(cè)試設(shè)備Harmonics 10005.55 測(cè)試原理閃爍 （ Flicker） 的定義為：由光線刺激（光線的亮度和譜分布隨著時(shí)間變化）所帶來(lái)的視覺(jué)上的不穩(wěn)定性的主觀感受。就EMC 而言，這個(gè)問(wèn)題是指由

17、電力網(wǎng)絡(luò)上負(fù)載的變化所產(chǎn)生的在公共連接點(diǎn)上的電壓的變化，這個(gè)變化大到足以使連接到其上的光源產(chǎn)生閃爍，而受影響的光源可能與導(dǎo)致變化的負(fù)載設(shè)備并沒(méi)有什么關(guān)聯(lián)。能產(chǎn)生閃爍的典型設(shè)備包括：任何在運(yùn)行期間切換變化的負(fù)載的裝置，大多數(shù)家用電器都?xì)w入這一類(lèi)設(shè)備；其他特殊的產(chǎn)品是指具有溫度由脈沖點(diǎn)火控制加熱器的設(shè)備。閃爍總共包括以下三個(gè)主要因素：1.相對(duì)電壓變化；2.短期閃爍值Pst； 3.長(zhǎng)期閃爍值Plt；電壓變化本身不足以形成閃爍的可感知性，在閃爍的頻率變化時(shí)，人類(lèi)的眼腦結(jié)合對(duì)閃爍的感覺(jué)是變化的。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定Pst不能大于1 ；標(biāo)準(zhǔn)同時(shí)表明，對(duì)于通常一次工作超過(guò)30 分鐘的設(shè)備，長(zhǎng)期閃爍是必須要做的。觀察周期

18、是2 小時(shí)，也就是連續(xù)記錄12個(gè) Pst值，Plt的值不允許大于0.65。有效的正當(dāng)理由是：盡管一般人可以忍受高達(dá)1 的 Pst值達(dá) 10分鐘，但如果閃爍能持續(xù)更長(zhǎng)的時(shí)間，則人的過(guò)敏閾值會(huì)更低。5.56 測(cè)試方法1 打開(kāi) Harmonics1000電源開(kāi)關(guān)；2將Harmonics 1000的電源輸出線插入到EUT 機(jī)臺(tái)；3給EUT 輸入信號(hào)（PC） ，用最大的分辨率運(yùn)行一段程序（Run “ H”） ；4打開(kāi)軟件，操作如附錄二；5.電壓電流限制依據(jù)不同的EUT ，以 TV 為例，一般選“230V 5A ”，此值僅供參考，可以參見(jiàn)機(jī)臺(tái)的銘牌標(biāo)示。5.57 測(cè)試結(jié)果測(cè)試項(xiàng)目S/N:S/N:閃爍5.6

19、Harmonic5.61 測(cè)試目的驗(yàn)證產(chǎn)品設(shè)計(jì)成熟度，限制EUT 將諧波電流注入到公共電力系統(tǒng).5.62 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)EN61000-3-25.63 測(cè)試場(chǎng)地BQC EMC 實(shí)驗(yàn)室5.64 測(cè)試設(shè)備Harmonics 1000 PC5.65 測(cè)試原理將電流輸入到設(shè)備的AC 電源的諧波分量來(lái)源于負(fù)載在單周期輸入電壓上呈現(xiàn)非線性。諧波電流是一種高頻率的電流，當(dāng)它流經(jīng)電抗器設(shè)備（如導(dǎo)線、變壓器、電機(jī)等）將產(chǎn)生額外的溫升及絕緣的破壞；當(dāng)它流經(jīng)電容器設(shè)備（如電力電容器等） ，將造成電容器過(guò)載、跳閘、故障、燒毀，亦會(huì)產(chǎn)生諧振，將設(shè)備產(chǎn)生的諧波電流放大，再注入電網(wǎng)，更加大諧波電壓的諧變。標(biāo)準(zhǔn)所考慮的諧波頻率范圍

20、只擴(kuò)展到2KHz,（ 50Hz 的第 40 次諧波） ，所以不需要使用任何的RF 測(cè)試技術(shù)。基本測(cè)量電路如下5.6.1，它的組成包括：一個(gè)AC 源；一個(gè)電流傳感器；一個(gè)波形分析儀；圖 5.6.1 基本測(cè)量電路AC 源需要失真非常小、電壓穩(wěn)定性高、低阻抗.諧波失真的要求是:三次諧波小于0.9%,五次諧波小于0.4%,七次諧波小于0.3%,九次諧波小于0.2%,其他各次諧波小于0.1%.在阻抗Zm的壓降應(yīng)當(dāng)?shù)陀?.15峰值.電流傳感器的作用是將諧波電流 In 耦合到測(cè)量?jī)x器,既可以是電流分流器,也可以是電流互感器.波形分析儀被用來(lái)測(cè)量每一次諧波分量In,其中n=2 40.根據(jù)標(biāo)準(zhǔn) ,最大諧波電流如

21、下表5.6.2.奇次諧波最大允許諧波電流偶次諧波最大允許諧波電流32.3021.0851.1440.4370.7760.3090.408 n 400.23 * 8/n110.33130.2115 n 390.15 * 15/n表 5.6.2 諧波電流允許值5.66 測(cè)試方法步驟 1、 2、 3同 5.5操作步驟 .4.打開(kāi)軟件操作如附錄三.5.67測(cè)試結(jié)果測(cè)試項(xiàng)目S/N:S/N:閃爍5.7Conducted Immunity 測(cè)試5.71 測(cè)試目的評(píng)估 EUT 在共模射頻(150kHz 80MHz)傳導(dǎo)下的抗擾度.5.72 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)EN61000-4-65.73 測(cè)試場(chǎng)地BQC EMC 實(shí)驗(yàn)室

22、5.74 測(cè)試設(shè)備傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試器CDN M3 ( CDN M2 )5.75 測(cè)試原理由于實(shí)施輻射射頻抗擾度測(cè)試的難度和費(fèi)用高,所以為允許較低頻率上進(jìn)行傳導(dǎo)抗擾度的測(cè)試帶來(lái)了越來(lái)越大的壓力.標(biāo)準(zhǔn)EN61000-4-6 定義了傳導(dǎo)抗擾度的測(cè)試方法.第一 ,耦合方法.在 EN61000-4-6定義的三種耦合方法,最好的方法是通過(guò)耦合/去耦 （CDN）直接注入電壓,這樣插入損耗為零,因此只需要較小的功率.第二 ,電纜射頻注入測(cè)試要求遠(yuǎn)離EUT的電纜末端上的共模阻抗固定不變.所以 ,每一種類(lèi)型的電纜都必須在其遠(yuǎn)端有一個(gè)共模去耦網(wǎng)絡(luò)或阻抗穩(wěn)固網(wǎng)絡(luò)（ISN）,以確保這一阻抗,并將任何輔助設(shè)備與電纜上的射頻

23、電流影響隔離開(kāi),并且,使用該網(wǎng)絡(luò)將射頻電壓耦合到電纜上.第三 ,傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試雖然不需要昂貴的電磁吸波屏蔽室設(shè)施,但當(dāng)幾根電纜連接到 EUT上時(shí),它能否反映EUT 的真實(shí)情況還值得懷疑.所以,這種電壓注入法不太適合按規(guī)定有很多電纜連接到其上的設(shè)備.第四 ,對(duì)傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試的主要限制條件是頻率.EUT 尺寸遠(yuǎn)小于測(cè)試頻率的波長(zhǎng)時(shí),射頻能量的大部分被暴露在輻射場(chǎng)中的設(shè)備電纜所獲得,因此傳導(dǎo)測(cè)試可以反映真實(shí)情況.但隨著頻率的增大,以至于EUT 尺寸接近半波長(zhǎng)時(shí),則電纜的主導(dǎo)作用減小,并且在較高頻率上,場(chǎng)耦合路徑與EUT 尺寸的結(jié)構(gòu)、內(nèi)部電路及其電纜相互影響.所以標(biāo)準(zhǔn)EN61000-4-6 規(guī)定上限頻

24、率在80 230MHz（相應(yīng)設(shè)備尺寸約為0.6 2m）.根據(jù)電磁輻射環(huán)境,測(cè)試水平為1V、 3V或 10V.在設(shè)計(jì)的測(cè)試中，我們選擇3V的測(cè)試水平。實(shí)際施加的信號(hào)需用1kHz正弦波進(jìn)行80%深度的幅度調(diào)制.傳導(dǎo)抗擾度的測(cè)試環(huán)境布置示意圖如下5.7.1:T 50 終端阻抗 ;T2:衰減器PA:功率放大器輔助設(shè)備CDN10cm insulationGround Reference PlaneTNon-Conducted TableEUTCDN輔助設(shè)備屏蔽室RF 發(fā)生器PAT25.7.1 傳導(dǎo)抗擾度的測(cè)試環(huán)境布置示意簡(jiǎn)圖5.76 測(cè)試方法1 .將傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試器預(yù)熱半小時(shí);2 .接通 EUT的電源,

25、將電源線接到CDN 處的插口，（兩相電選用CDN-M2 ，三相電選用CDN-M3 ） ， 通過(guò) D-Sub 接口輸入PC訊號(hào)， 從 PC輸入音頻訊號(hào)（保證有圖像和聲音）。3 .打開(kāi)軟件 ,操作見(jiàn)附錄四.4 .檢查EUT 的畫(huà)質(zhì)和音質(zhì)有沒(méi)有影響。注 : 射頻掃描速率低于1.5× 10-3 十倍頻程/秒或不超過(guò)1%的步進(jìn)頻率,駐留時(shí)間應(yīng)使EUT產(chǎn)生響應(yīng).頻率范圍為150kHz 80MHz（可能到 230MHz）,通過(guò)耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（CDN）施加到EUT 的電纜端口.當(dāng) CDN 不適合或不可用時(shí),可選的方法是使用電磁鉗或電流注入探頭（除了電源線除外）.5.77測(cè)試結(jié)果溫度 :濕度 :測(cè)試項(xiàng)

26、目S/N:S/N:傳導(dǎo)抗擾度5.8EMI 測(cè)試5.81 測(cè)試目的評(píng)估 EUT 電磁輻射干擾的限值是否符合國(guó)家和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。5.82 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)EN55022;FCC Part15 B;5.83 測(cè)試場(chǎng)地常州實(shí)驗(yàn)室5.84 測(cè)試設(shè)備EMI 自動(dòng)測(cè)試控制系統(tǒng)（電腦及其介面單元）；EMI 測(cè)試接收機(jī)（或頻譜分析儀）；各式天線及天線控制單元；電源阻抗模擬網(wǎng)絡(luò)（LISN）5.85 測(cè)試原理在 30MHz 1000MHz 頻率范圍內(nèi),用帶有準(zhǔn)峰值檢波器的測(cè)量接收機(jī)進(jìn)行測(cè)量.為了節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間,可以用峰值測(cè)量替代準(zhǔn)峰值測(cè)量,一旦發(fā)生爭(zhēng)議,則以準(zhǔn)峰值測(cè)量接收機(jī)的測(cè)量結(jié)果為準(zhǔn).天線應(yīng)為一對(duì)稱偶極子天線.當(dāng)頻率等于或高

27、于80MHz 時(shí) ,天線的長(zhǎng)度應(yīng)為諧振頻率 ;當(dāng)頻率低于80MHz 時(shí) ,其長(zhǎng)度應(yīng)等于80MHz 的諧振頻率。進(jìn)行輻射測(cè)量應(yīng)將天線放在距EUT 邊框一定遠(yuǎn)的距離處，EUT 的邊框系由一條反映EUT 簡(jiǎn)單幾何構(gòu)型的假想直線確定。ITE 系統(tǒng)間的所有電纜及所有連接的 ITE 都應(yīng)包括在這一邊框內(nèi)。應(yīng)在地面高度1 4m 的范圍內(nèi)調(diào)整天線的高度，以便在每一個(gè)測(cè)試頻率點(diǎn)獲得最大的指示值。在測(cè)量的過(guò)程中應(yīng)改變天線相對(duì)于EUT 的方位以尋找最大的場(chǎng)強(qiáng)讀數(shù)。為了達(dá)到此目的，可以旋轉(zhuǎn)EUT。 如果這樣做有困難，則可以使EUT的位置不變，讓天線圍繞EUT 進(jìn)行測(cè)量。在測(cè)量的過(guò)程中，為了尋找最大的場(chǎng)強(qiáng)讀數(shù)，應(yīng)改變天

28、線相對(duì)于EUT 的水平和垂直極化方向。在 30 1000MHz 頻率范圍應(yīng)通過(guò)水平和垂直極化方向的場(chǎng)地衰減測(cè)量來(lái)檢驗(yàn)試驗(yàn)場(chǎng)地的有效性。如果水平和垂直場(chǎng)地衰減測(cè)量值和理想場(chǎng)地衰減值之差不大于±4dB，則認(rèn)為該場(chǎng)地是可接受的。EUT 的布置按圖5.8.1 布置，EUT 應(yīng)放置在輻射場(chǎng)強(qiáng)試驗(yàn)場(chǎng)地中非金屬的桌面上，桌子的高度為0.8m，其下放有一塊金屬接地平板。5.86 測(cè)試方法由被測(cè)接收機(jī)前面面板面向接收天線開(kāi)始，調(diào)整接收天線到水平極化位置，天線高度在1m 到 4m 內(nèi)變化，直到測(cè)量?jī)x器獲得最大讀書(shū)為止。然后，將被測(cè)設(shè)備繞其中心水平旋轉(zhuǎn)，直到測(cè)量?jī)x器獲得最大讀數(shù)為止。將接收天線轉(zhuǎn)到垂直極化

29、位置，重復(fù)上述測(cè)量步驟，但是天線的高度是從2m到 4m 變化。用上述測(cè)量步驟測(cè)試各頻率點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)最高值，并定義為該點(diǎn)的輻射騷擾值。如果在某些頻率接收天線所處位置環(huán)境信號(hào)強(qiáng)度較高，用下述方法之一來(lái)判斷被測(cè)設(shè)備是否符合要求。1. 當(dāng)高電平環(huán)境信號(hào)頻率較窄時(shí)，騷擾值可以依據(jù)與其相鄰的值按內(nèi)插的方法取值，插入值應(yīng)該處于鄰近環(huán)境噪聲的騷擾值的連續(xù)函數(shù)曲線上；2. 其他情況可以參考GB4824-2001 附錄 C 的方法。5.8.1 EMI EUT 測(cè)試布置圖5.87測(cè)試限值1 .輻射發(fā)射限值：測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍( MHz )距離( Meter )場(chǎng)強(qiáng)( dBuV / m )FCC CLASS B30 88&

30、gt; 88 216> 216100034043.546VDE CLASS B30 230> 230 470> 470 100010303740EN55022 CLASS B30 230> 230 1000103037VCCI CLASS 230 230> 230 10001030372 .傳導(dǎo)發(fā)射限值：CONDUCTIONFREQUENCYRANGE ( MHz )RF VOLTAGE ( dB / uV )FCC CLASS B0.45 3048VDE CLASS B0.01 0.05> 0.05 0.15> 0.15 3011090 80Refe

31、r to EN55022EN55O22 CLASS B0.15 0.5> 0.5 5> 5 3066 565660VCCI CLASS 20.15 0.5> 0.5 5> 5 3066 5656605.88 測(cè)試結(jié)果測(cè)試項(xiàng)目S/N:S/N:S/N:S/N:EMI(10m)EMI (3 m)附測(cè)試報(bào)告：附件一：EFT&Surge&Dip Test ProcedureStep1:Power on the PC and the test equipmentStep2:Choose theGenecs”Step4:Choose the test program whichyou want like EFT or Surge or DipStep5:Press “打開(kāi)”Step3:Press “File” and “Open”Step6:Press “SETUP”Step7:PressStep10:Press the “RUN ”to start the testStep9:Press “PWR1 ” then running the EUT under the te