補黑機良率提升改善提案--第四組侯相洋123

1、FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential補黑機良率提升改善案補黑機良率提升改善案報告單位報告單位: :第三營運中心第三營運中心指導主管指導主管: :陳松陳松報報 告告 人人: :侯相洋侯相洋 報告日期報告日期: : 20 201212年年1212月月2727日日FoxconnGeneral Interface SolutionConfidentialContent1.1.選題理由選題理由2 2. .問題問題描述描述4 4. .對策實施對策實施5 5. .效果驗證效果驗證3 3. .原因分析原因分析 7 7. .改善心得改善心得6 6. .技朮匯

2、總技朮匯總 FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential1.1.選題理由選題理由1.提升品質(zhì)，減少公司損失，節(jié)省成本(緊急)2.提升良率，減少客訴(重要)3.增強團隊執(zhí)行力，凝聚力(隱形)( (一一) ) 選題評估選題評估( (二二) ) 選題理由選題理由經(jīng)我們團隊評估后，確立對補黑機良率進行改善FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential2.2.問題描述問題描述補黑作業(yè)流程圖補黑作業(yè)流程圖R-FD補補黑黑NGNGNG NG 降等降等OKOK 續(xù)流續(xù)流補黑作業(yè)R-BIR-FDR-FVR-FQCPKG1.

3、區(qū)分Laser可修復產(chǎn)品 (亮點,微亮點)2.標示修復點詳細信息(坐標, Pixel顏色) )二次補黑流程二次補黑作業(yè)Aging2小時領料OKOK標示二次補黑標示二次補黑FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential3.3.原原因分析因分析人為操作不當?率率良良低低 作業(yè)失誤未補黑產(chǎn)品漏至R-FD方法方法來料來料人員人員設備設備補黑設備鐳射路徑偏移雙stage真空由一個電磁閥控制CELL異物規(guī)格放寬不良坐標標錯( (一一) )魚骨圖分析魚骨圖分析Panel來料CELL異物Mark對位偏移Panel保護膜穿透率差異Panel點亮后形變差異補黑鐳射能量不

4、穩(wěn)定一次Gapping不良FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential(二) 要因分析整理表FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential人為操作不當?率率良良低低 作業(yè)失誤未補黑產(chǎn)品漏至R-FD方法方法來料來料人員人員設備設備補黑設備鐳射路徑偏移雙stage真空由一個電磁閥控制CELL異物規(guī)格放寬不良坐標標錯( (一一) )魚骨圖分析魚骨圖分析Panel來料CELL異物Mark對位偏移Panel保護膜穿透率差異Panel點亮后形變差異補黑鐳射能量不穩(wěn)定一次Gapping不良FoxconnGeneral

5、Interface SolutionConfidential原原因分析與真因驗證因分析與真因驗證一一( (一一) ) 真因驗證一真因驗證一：CELLCELL異物異物規(guī)格放寬規(guī)格放寬( (二二) ) 結(jié)論結(jié)論規(guī)格放寬后良率提升9.7%.RP-FD G3 Cell發(fā)亮異物(D0.3mm),W1241周開始變更為0.15mmD0.3mm且異物發(fā)亮部分不滿整個Sub-pixel可判定G1. W1240-W1241良率變化如下真真 因因FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential原原因分析與真因驗證因分析與真因驗證二二( (一一) ) 真因驗證二真因驗證二：

6、PanelPanel保護膜穿透率差異保護膜穿透率差異( (三三) )結(jié)論結(jié)論從從9/39/3導入撕膜后鐳射不良趨勢下降導入撕膜后鐳射不良趨勢下降 鐳射修復鐳射修復Sub-pixel,Sub-pixel,穿透穿透PanelPanel保護膜時因保護保護膜時因保護膜穿透率影響導致射線偏轉(zhuǎn)角度誤差造成鐳射膜穿透率影響導致射線偏轉(zhuǎn)角度誤差造成鐳射NG.NG.20122012年年9 9月月3 3日設備調(diào)機由不撕膜鐳射修正為撕日設備調(diào)機由不撕膜鐳射修正為撕膜后鐳射做對比驗證膜后鐳射做對比驗證: :1.1.選取選取30PCS B Sub-pixel30PCS B Sub-pixel待補黑產(chǎn)品待補黑產(chǎn)品, ,確

7、認無確認無其他降等不良其他降等不良.(B Sub-pixel.(B Sub-pixel修補良率高于修補良率高于R&G)R&G)2.2.統(tǒng)計此批產(chǎn)品數(shù)據(jù)對比統(tǒng)計此批產(chǎn)品數(shù)據(jù)對比9/39/3之前之前B Sub-pixelB Sub-pixel良率良率. .( (二二) ) 佐證的證據(jù)佐證的證據(jù)真真 因因FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential原原因分析與真因驗證因分析與真因驗證三三( (一一) ) 真因驗證三真因驗證三：雙雙stagestage真空由一個電磁閥控制真空由一個電磁閥控制( (三三) )結(jié)論結(jié)論雙雙stagestage真

8、空分別由兩個電磁閥控制有效提升真空分別由兩個電磁閥控制有效提升良率良率 雙雙stagestage真空由一個電磁閥控制時真空由一個電磁閥控制時, ,第一片產(chǎn)品鐳第一片產(chǎn)品鐳射完成后取產(chǎn)品需釋放真空射完成后取產(chǎn)品需釋放真空, ,導致第二片產(chǎn)品鐳射導致第二片產(chǎn)品鐳射時未能被真空吸附固定時未能被真空吸附固定, ,影響鐳射焦距產(chǎn)生誤差影響鐳射焦距產(chǎn)生誤差. .9 9/ /8 8設備增加一根真空管使雙設備增加一根真空管使雙stagestage分別由兩個電分別由兩個電磁閥控制驗證是否減小鐳射焦距誤差產(chǎn)生的鐳射磁閥控制驗證是否減小鐳射焦距誤差產(chǎn)生的鐳射不良不良. .( (二二) ) 佐證的證據(jù)佐證的證據(jù)真真

9、因因FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential原原因分析與真因驗證因分析與真因驗證四四( (一一) )真因驗證四真因驗證四：PanelPanel點亮后產(chǎn)品形變差異點亮后產(chǎn)品形變差異( (三三) ) 結(jié)論結(jié)論PanelPanel點亮后產(chǎn)品形變差異對鐳射會產(chǎn)生影響點亮后產(chǎn)品形變差異對鐳射會產(chǎn)生影響1.1.產(chǎn)品點亮后發(fā)熱膨脹產(chǎn)品點亮后發(fā)熱膨脹7-9m,7-9m,膨脹時間持續(xù)膨脹時間持續(xù)25-30s,25-30s,鐳射過程時間需鐳射過程時間需121.3s,121.3s,故剛點亮產(chǎn)品故剛點亮產(chǎn)品鐳射時會造成鐳射過程中產(chǎn)品發(fā)熱形變導致鐳鐳射時會造成鐳射過程中

10、產(chǎn)品發(fā)熱形變導致鐳射對焦產(chǎn)生差異射對焦產(chǎn)生差異. .2.2.補黑機作業(yè)模式為補黑機作業(yè)模式為2pcs2pcs產(chǎn)品交叉鐳射產(chǎn)品交叉鐳射, ,9/129/12開開始驗證當開始鐳射第一片產(chǎn)品的同時點亮第二片始驗證當開始鐳射第一片產(chǎn)品的同時點亮第二片待鐳射產(chǎn)品使其點亮發(fā)熱膨脹后穩(wěn)定待鐳射產(chǎn)品使其點亮發(fā)熱膨脹后穩(wěn)定, ,減小鐳射減小鐳射時焦距變化差異時焦距變化差異. .( (二二) )佐證的證據(jù)佐證的證據(jù)改善前改善前改善改善后后真真 因因FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential原原因分析與真因驗證因分析與真因驗證五五( (一一) ) 真因驗證五真因驗證五

11、：MarkMark對位偏移對位偏移( (三三) ) 結(jié)論結(jié)論MarkMark對位偏移誤差會對鐳射效果產(chǎn)生影響對位偏移誤差會對鐳射效果產(chǎn)生影響補黑機鐳射時需正對補黑機鐳射時需正對Sub-pixel, MarkSub-pixel, Mark對位偏移對位偏移時時Sub-pixelSub-pixel部分位置未能鐳射到導致修補部分位置未能鐳射到導致修補NG.NG.9/149/14設備調(diào)整設備調(diào)整MarkMark對位方式由十字形變更為對位方式由十字形變更為Sub-Sub-pixelpixel形對位驗證對位偏移是否影響鐳射效果形對位驗證對位偏移是否影響鐳射效果. .( (二二) ) 佐證的證據(jù)佐證的證據(jù)真真

12、 因因FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential4.4.對策實施對策實施一一CELLCELL異物規(guī)格放寬異物規(guī)格放寬計畫改善計畫改善(Plan)對策實施對策實施(Do) 改善效果改善效果 (Check) 檢討與標準化檢討與標準化(Action)問題點問題點1.1.對對R-FDR-FD人員進行規(guī)格宣導人員進行規(guī)格宣導. .2.2.拿拿limit samplelimit sample進行畫檢教育進行畫檢教育訓練訓練. . 文件連接：文件連接： 1.20121.2012年年9 9月月8 8日開始規(guī)格宣導日開始規(guī)格宣導. . 2.2012 2.2012年

13、年9 9月月8 8日開始用日開始用limit limit samplesample進行教育訓練進行教育訓練. .DA AP PC C會議檢討會議檢討改善改善FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential對策實施二對策實施二PanelPanel保護膜穿透率差異保護膜穿透率差異計畫改善計畫改善(Plan)對策實施對策實施(Do) 改善效果改善效果 (Check)( (Action) )問題點問題點1.1.由產(chǎn)品直接鐳射改善為撕除上由產(chǎn)品直接鐳射改善為撕除上偏保護膜后鐳射偏保護膜后鐳射, ,避免保護膜穿透避免保護膜穿透率影響率影響. . 會議檢討會議檢討會

14、議記錄會議記錄：1.20121.2012年年9 9月月4 4日設備工程師調(diào)日設備工程師調(diào)整補黑機臺改為撕膜鐳射參數(shù)整補黑機臺改為撕膜鐳射參數(shù). .DA AP PC C 檢討與標準化檢討與標準化改善前FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential對策實施三對策實施三雙雙stagestage真空由一個電磁閥控制真空由一個電磁閥控制計畫改善計畫改善(Plan)對策實施對策實施(Do)改善效果改善效果(Check)( (Action)問題點問題點1.1.將雙將雙stagestage改裝為雙電磁閥雙改裝為雙電磁閥雙真空管分別控制真空管分別控制. . 會議檢討會

15、議檢討會議記錄：會議記錄：DA AP PC C 檢討與標準化檢討與標準化1.20121.2012年年9 9月月8 8日設備工程師將日設備工程師將補黑機臺雙補黑機臺雙stagestage增加一組電磁增加一組電磁閥與真空管閥與真空管. .原組真空管與電磁原組真空管與電磁閥閥新增組真空管與電磁閥新增組真空管與電磁閥FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential對策實施四對策實施四 PanelPanel點亮后產(chǎn)品形變差異點亮后產(chǎn)品形變差異計畫改善計畫改善(Plan)對策實施對策實施(Do)改善效果改善效果(Check)( (Action) )問題點問題點 1

16、.1.由鐳射前點亮產(chǎn)品改為第由鐳射前點亮產(chǎn)品改為第一片鐳射過程中點亮第二片待一片鐳射過程中點亮第二片待鐳射產(chǎn)品鐳射產(chǎn)品, ,穩(wěn)定發(fā)熱膨脹程度穩(wěn)定發(fā)熱膨脹程度. . 會議檢討會議檢討會議記錄會議記錄：DA AP PC C 檢討與標準化檢討與標準化1.20121.2012年年9 9月月1 12 2日日RPRP補黑機操補黑機操作人員開始執(zhí)行作人員開始執(zhí)行. .改善前改善前改善后改善后改善前改善后FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential對策實施五對策實施五MarkMark對位偏移對位偏移計畫改善計畫改善(Plan)對策實施對策實施(Do)改善效果改善效

17、果(Check)( (Action) )問題點問題點1.1.由十字由十字MarkMark對位改為對位改為Sub-pixelSub-pixel形形MarkMark對位對位. . 會議檢討會議檢討會議記錄：會議記錄：DA AP PC C 檢討與標準化檢討與標準化1.20121.2012年年9 9月月1515日設備工程師日設備工程師修改軟體將定位修改軟體將定位MarkMark變更為變更為Sub-pixelSub-pixel形狀形狀. .改善前改善前改善后改善后改善前改善前改善后改善后FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential效果效果驗證驗證(一) 目標

18、達成率改善前改善後改善前目標值X100% =改善前改善前改善中改善中改善后改善后72.88%93.82%72.88%90.00%= =122.31%提升提升20.94%20.94%FoxconnGeneral Interface SolutionConfidential( (三三) ) 專案的財務效益專案的財務效益( (二二) ) 有形成果有形成果1.RP 1.RP 補黑產(chǎn)品補黑產(chǎn)品G1G1等級由等級由72.88%72.88%提升至提升至93.82%,93.82%,目標達成目標達成122.31%,122.31%,後續(xù)後續(xù)會長期保持在此水準會長期保持在此水準. .LH倉庫可修復的庫存為28.869K,按照補黑良率93.82%,G3升G1差價18USD計算. 其效益為=28869*18*93.82%=48.75萬USD.補黑維修人力為3人/班,人力費用6*4045RMB/月=3852USD/月 USD:RMB=6.3:1設備UT損耗為2.6KW/H*0.11USD/KW/H*26天/月=7.5USD/月補黑機購入價為73萬USD,設備Capa 為13K/M, 則ROI=2.73/12+(730000-(662400-(7.5+3852)*