電容屏Sensor基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)介

1、電容屏電容屏Sensor基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)介介T(mén)aiger2014.08.08一Sensor基本常識(shí)簡(jiǎn)介二Glass Sensor與Film Sensor的比較三電容屏ITO制程工藝簡(jiǎn)介四電容屏Sensor常見(jiàn)不良簡(jiǎn)介目錄目錄一、一、Sensor基本常識(shí)簡(jiǎn)介基本常識(shí)簡(jiǎn)介 Sensor：是電容屏的電信號(hào)功能層，其可以是單層材料構(gòu)成，也可以是多層材料形成復(fù)合結(jié)構(gòu)，俗稱(chēng)功能片 種類(lèi)及其特點(diǎn)種類(lèi)及其特點(diǎn)：Film做做ITO載體的載體的Sensor ： 厚度優(yōu)勢(shì)，未來(lái)Film電容屏將越來(lái)越薄Glass做做ITO載體的載體的Sensor： 可全I(xiàn)TO工藝，OGS結(jié)構(gòu)等Glass ITOFilm ITOS

2、ensor基本常識(shí)基本常識(shí)Film做做ITO載體的工藝載體的工藝：v單層單層： 一層ITO層，無(wú)屏蔽層，主要用于中小尺寸Film，成本低；v雙層雙層： 兩層ITO層，無(wú)屏蔽層，大尺寸都傾向于Film，成本低；v三層三層： 兩層ITO層，一層屏蔽層，工藝步驟多且良率不好控制，F(xiàn)ilm只能承載單層ITO。Glass做做ITO載體的工藝：載體的工藝：v單層搭橋單層搭橋： 只需要一片玻璃，一面搭橋做ITO層一面做屏蔽層，主要用于小尺寸的屏，工藝少、成本低、良率好控制；v雙層雙層： 一塊玻璃的兩面都鋪有ITO，由于自電容抗干擾能力弱必須再加一層屏蔽層，導(dǎo)致成本增加但實(shí)現(xiàn)工藝比單層容易，通常把一層ITO做

3、到LENS上面，另一塊玻璃做ITO層和屏蔽層。二、二、Glass Sensor與與Film Sensor的比較的比較vITO Film（菲林）分為亮面材料和霧面材料。均有不防劃傷、防劃傷、防牛頓環(huán)、防 反射（高透處理）等材質(zhì)；vITO Glass（導(dǎo)電玻璃）分為普通玻璃和強(qiáng)化玻璃。其中強(qiáng)化玻璃有表面鍍膜和離子置換工藝。厚度有2.0mm、1.1mm、0.7mm、0.55mm、0.4mm、0.3mm等規(guī)格。結(jié)構(gòu)及其主要材料比較結(jié)構(gòu)及其主要材料比較v ITO 是一種N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜,通常有兩個(gè)性能指標(biāo):電阻率和透光率。在氧化物導(dǎo)電膜中，以摻Sn的In

4、2O3(ITO)膜的透過(guò)率最高和導(dǎo)電性能最好,而且容易在酸液中蝕刻出細(xì)微的圖形.其中透光率達(dá)90%以上,ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例來(lái)控制,通常Sn2O3:In2O3=1:9,多用于觸控面板、觸摸屏、冷光片等。v ITO 是所有電阻技術(shù)觸屏及電容技術(shù)觸摸屏都用到的主要材料，實(shí)際上電阻和電容技術(shù)觸摸屏的工作面就是ITO 涂層。 ITO：OCA是將光學(xué)亞克力膠做成無(wú)基材，然后在上下底層各貼合一層離型薄膜，是一種無(wú)基體材料的雙面貼合膠帶。 特性特性：高透光率、霧度低、耐紫外線(xiàn)、高粘著力、耐高溫、長(zhǎng)時(shí)間不使用不發(fā)黃OCA：Glass Sensor與與Film Sensor的

5、比較的比較市場(chǎng)比較市場(chǎng)比較1、蘋(píng)果采用的是Double-ITO玻璃電容屏，Sumsung采用的是Film電容屏；2、目前，HTC、ZTE、MEIZU等都有玻璃電容屏和Film電容屏產(chǎn)品；3、目前市面上的芯片都能支持玻璃電容屏和Film電容屏，因此，客戶(hù)選擇 玻璃電容屏還是Film電容屏將不限制電容屏芯片與平臺(tái)之間調(diào)制的限制；4、Film電容屏采用印刷工藝制程，設(shè)備不需要采用曝光、顯影等高端制程，因此相對(duì)玻璃電容屏而言，成本較低；5、Film電容屏是柔性的Film與面板玻璃貼合，貼合容易，而玻璃電容屏是剛性的玻璃與玻璃貼合，貼合難；6、Film電容屏打樣周期短，目前，國(guó)內(nèi)供應(yīng)商還是以Film電容

6、屏為主。注注：曝光、顯影制程是一種高端制程、在芯片封裝和LCD電極設(shè)備中常用，相對(duì)印刷而言，其精度高、成本高，但是電容屏芯片在計(jì)算坐標(biāo)時(shí)是一種權(quán)重計(jì)算，分辨率低，因此精度高對(duì)觸摸屏的實(shí)際坐標(biāo)精度提高不明顯。最大的優(yōu)勢(shì)是可以使玻璃電容屏的邊框能設(shè)計(jì)很窄。三、電容屏三、電容屏ITO制程工藝簡(jiǎn)介制程工藝簡(jiǎn)介絲印工藝（即化學(xué)蝕刻法）絲印工藝（即化學(xué)蝕刻法）： 在絕大多數(shù)的場(chǎng)合中，化學(xué)蝕刻法是ITO 圖形制備最成熟和可行的技術(shù)，它可以根據(jù)你的需要，生成目前足夠精細(xì)的圖案和相對(duì)比較少的前期投資。隨著深紫外線(xiàn)技術(shù)在曝光設(shè)備上的應(yīng)用，微米的精度，早已被大多數(shù)廠(chǎng)家所實(shí)現(xiàn)。它具有高效率、批次穩(wěn)定性和重復(fù)性好、設(shè)備

7、投資額低、配套技術(shù)完善等諸多優(yōu)點(diǎn)，目前仍是大規(guī)模生產(chǎn)的主要方向，使用的原料有蝕刻膏、耐酸油墨、光刻膠。v蝕刻膏制程（簡(jiǎn)稱(chēng)干蝕刻）蝕刻膏制程（簡(jiǎn)稱(chēng)干蝕刻）：是直接在產(chǎn)品電極圖形區(qū)域外印制蝕刻膏，等反應(yīng)完全后，用蝕刻膏溶劑，一般是水清洗干凈，留下所需的電極圖形。因?yàn)椴挥煤馁M(fèi)大量的化學(xué)物品，對(duì)環(huán)境污染影響更小，節(jié)省大量水、電費(fèi)、場(chǎng)地費(fèi)用，前期投資費(fèi)用低廉，一般的中小型企業(yè)都可以掌握大部分技術(shù)。該工藝的線(xiàn)寬線(xiàn)距一般要求在0.2mm以上，對(duì)絲印網(wǎng)版感光膠要求高。 控制要點(diǎn)：溫度、蝕刻速度、邊緣效應(yīng)v耐酸油墨制程（簡(jiǎn)稱(chēng)濕蝕刻）耐酸油墨制程（簡(jiǎn)稱(chēng)濕蝕刻）：分為UV 型和熱固型。它是在產(chǎn)品電極圖形區(qū)域內(nèi)印制阻

8、蝕油墨保護(hù)起來(lái)，然后把產(chǎn)品浸入化學(xué)蝕刻液中，讓產(chǎn)品電極圖形區(qū)域外部分與化學(xué)蝕刻液完全反應(yīng)后，再把阻蝕油墨從產(chǎn)品電極圖形表面剝離下來(lái)，形成產(chǎn)品電極圖形。它的線(xiàn)寬和線(xiàn)距做到0.08mm，仍可以達(dá)到95%以上的蝕刻良率 阻蝕油墨的控制要點(diǎn)：針孔度、粘度v保護(hù)膠制程保護(hù)膠制程：熱固型，過(guò)酸不過(guò)減蝕刻良率較高，成本較高絲印絲印工藝流程工藝流程激光工藝：激光工藝：v ITO 具有反射紅外線(xiàn)，吸收紫外線(xiàn)能量的特性。人們利用這兩個(gè)特性制作了1055nm 和355nm 的激光器，進(jìn)行ITO 膜圖形制備加工。紅外線(xiàn)激光加工是使 ITO 層在高溫下汽化揮發(fā)，把ITO 去除掉。紫外線(xiàn)激光加工讓ITO 層里的原子吸收紫

9、外線(xiàn)能量后自己激化成離子，從ITO 層表面不斷逃逸，把ITO 去除掉。v 激光蝕刻法制作 ITO 層有比較嚴(yán)格的線(xiàn)距限制，在圖形制備工藝中有相當(dāng)大的局限性，對(duì)那些圖形簡(jiǎn)單的產(chǎn)品如觸摸屏、硅片光伏電池、薄膜開(kāi)關(guān)等比較實(shí)用。當(dāng)然，在其它使用ITO 膜的產(chǎn)品中，也經(jīng)常用來(lái)做為ITO 線(xiàn)路短、斷路修補(bǔ)使用。v 在激光加工方式中，大尺寸的ITO 膜一般采用矢量圖形激光切割I(lǐng)TO 層的方式加工，小尺寸的除了采用矢量切割方式外，也有人使用振鏡式圖形點(diǎn)陣激光掃描雕刻方式進(jìn)行快速加工。v 激光加工是一種非接觸性加工，對(duì)產(chǎn)品表面處理要求不高，產(chǎn)品表面更容易得到保護(hù)，產(chǎn)品品質(zhì)更能得到保證。由于不用使用化學(xué)原料和消耗

10、水資源，更符合環(huán)境保護(hù)要求，在包含電子信息業(yè)的各個(gè)產(chǎn)業(yè)中，得到迅速的發(fā)展和應(yīng)用，慢慢在往主流加工方式靠攏。目前我司Film Sensor供應(yīng)商主要采用激光鐳雕配合絲印的工藝外圍線(xiàn)路采用鐳雕工藝、ITO用絲印工藝激光蝕刻工藝流程激光蝕刻工藝流程黃光工藝：黃光工藝：v 單面單面ITO：在玻璃基板的同一面上完成X軸和Y軸導(dǎo)線(xiàn)的光刻，X和Y中間鍍SiO2等做絕緣。具體流程如下圖：v 雙面雙面ITO：在玻璃基板的金屬面和非金屬面上分別完成X軸和Y軸導(dǎo)線(xiàn)的光刻。具體流程如下圖：黃光工藝黃光工藝： 最突出的特點(diǎn)就是走線(xiàn)間距、線(xiàn)寬很小，可以在有限的空間里實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的排線(xiàn)克服大尺寸中排線(xiàn)復(fù)雜問(wèn)題，也能滿(mǎn)足目前市

11、場(chǎng)上追求的超窄邊框的需求；它的電極間距也極小，這顯著提高了觸摸屏觸控時(shí)的識(shí)別率和感應(yīng)性能，精細(xì)化的蝕刻技術(shù)也能顯著減少觸摸屏的耗電量。 該工藝一致性好，良率高，對(duì)于比較窄邊框的方案以及一些相對(duì)高端的案子一般都是使用該制程，該走線(xiàn)一般走0.03-0.05mm甚至更細(xì)。但是價(jià)格會(huì)高些，以及對(duì)設(shè)備要求也高。光罩光罩(Mask)又稱(chēng)鉻版、掩膜版、掩光版、光刻版等，一般為玻璃基材以鉻、氧又稱(chēng)鉻版、掩膜版、掩光版、光刻版等，一般為玻璃基材以鉻、氧化鉻為掩膜的硬掩膜版，為了防止其變形，需要豎直存放，為了保證掩膜版表化鉻為掩膜的硬掩膜版，為了防止其變形，需要豎直存放，為了保證掩膜版表面的潔凈度，一般要保存在面

12、的潔凈度，一般要保存在1,000級(jí)以上的無(wú)塵室內(nèi)，濕度要維持在級(jí)以上的無(wú)塵室內(nèi)，濕度要維持在40-60%RH左右的干燥環(huán)境里，以防止玻璃出現(xiàn)發(fā)霉現(xiàn)象影響光學(xué)性能。濕度太左右的干燥環(huán)境里，以防止玻璃出現(xiàn)發(fā)霉現(xiàn)象影響光學(xué)性能。濕度太高濕會(huì)發(fā)霉，濕度太干燥會(huì)有靜電，容易使光罩吸附異物高濕會(huì)發(fā)霉，濕度太干燥會(huì)有靜電，容易使光罩吸附異物，異物異物容易造成刮傷容易造成刮傷影響圖案的完整性。影響圖案的完整性。四、電容屏四、電容屏Sensor常見(jiàn)不良簡(jiǎn)介常見(jiàn)不良簡(jiǎn)介ITO短路短路不良原因：POSI制作過(guò)程中 ，涂POSI前玻璃基板上有纖維，顯影后纖維類(lèi)異物掉到玻璃上或MASK被污染造成蝕刻后ITO走線(xiàn)短路控制

13、點(diǎn)：顯影后外觀(guān)檢查ITO針孔針孔不良原因：1、光刻掩模版質(zhì)量不好，本身有針孔；2、涂光刻膠時(shí)，操作環(huán)境被灰塵沾污；3、光刻膠涂得太薄，或光刻膠本身抗蝕性能太差；4、曝光時(shí)間控制不好；蝕刻液配比不當(dāng)；5、玻璃表面本身缺陷也可能造成針孔。ITO劃傷劃傷不良原因：清洗或制作過(guò)程中，玻璃表面受到污染，造成蝕刻后ITO走線(xiàn)斷線(xiàn)或缺口控制點(diǎn)：ITO蝕刻后外觀(guān)檢查Film Sensor 重點(diǎn)不良及其管控措施重點(diǎn)不良及其管控措施1：銀漿斷線(xiàn)搭線(xiàn)問(wèn)題，這個(gè)問(wèn)題一直困擾眾多TP企業(yè)，如何解決此問(wèn)題已成為F/F結(jié)構(gòu)電容屏的重點(diǎn)，但是，實(shí)際真正做得好的沒(méi)有幾家，因?yàn)榫蛿嗑€(xiàn)而言，需要控制的因素太多，如車(chē)間潔凈度，銀漿粘度，設(shè)備對(duì)于參數(shù)的可控性，工藝參數(shù)的制定及網(wǎng)版的目數(shù)，絲徑，張力等等，只要其中一項(xiàng)沒(méi)做到位就會(huì)影響銀漿印刷的效果。2：功能問(wèn)題，功能問(wèn)題主要分為三種：第一，由于ITO刻斷引起的局部或整條通道的點(diǎn)觸失效；第二，由于銀漿