變頻器主器件識(shí)別和主回路結(jié)構(gòu)易驅(qū)英威騰歐瑞正玄PPT教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1變頻器主器件識(shí)別和主回路結(jié)構(gòu)易驅(qū)英變頻器主器件識(shí)別和主回路結(jié)構(gòu)易驅(qū)英威騰歐瑞正玄威騰歐瑞正玄第1頁(yè)/共40頁(yè)第2頁(yè)/共40頁(yè)第3頁(yè)/共40頁(yè)第4頁(yè)/共40頁(yè)器件型號(hào)第5頁(yè)/共40頁(yè)產(chǎn)品型號(hào)引腳分布情況第6頁(yè)/共40頁(yè)器件型號(hào)接線孔第7頁(yè)/共40頁(yè)內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖產(chǎn)品型號(hào)接線螺孔第8頁(yè)/共40頁(yè)第9頁(yè)/共40頁(yè)第10頁(yè)/共40頁(yè)第11頁(yè)/共40頁(yè)短路銅環(huán)器件品牌標(biāo)簽內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖器件型號(hào)第12頁(yè)/共40頁(yè)第13頁(yè)/共40頁(yè)控制極模塊型號(hào)主回路接線孔位第14頁(yè)/共40頁(yè)導(dǎo)電塑料主回路接線孔第15頁(yè)/共40頁(yè)由于IGBT是在電力MOSFET工藝基礎(chǔ)上所衍生的復(fù)合管，屬于電壓驅(qū)動(dòng)的器件，所以接觸IG

2、BT器件時(shí)要注意防靜電措施，并且要盡量避免手觸及IGBT模塊的控制極第16頁(yè)/共40頁(yè)第17頁(yè)/共40頁(yè)第18頁(yè)/共40頁(yè)額定電流25A第19頁(yè)/共40頁(yè). GBGD為單元封裝.DN2用于區(qū)別IGBT芯片的類型類似的尾綴還有DLC,DLCK,DN2B第20頁(yè)/共40頁(yè)第21頁(yè)/共40頁(yè)第22頁(yè)/共40頁(yè)第23頁(yè)/共40頁(yè)第24頁(yè)/共40頁(yè)第25頁(yè)/共40頁(yè)第26頁(yè)/共40頁(yè)第27頁(yè)/共40頁(yè)第28頁(yè)/共40頁(yè)第29頁(yè)/共40頁(yè)第30頁(yè)/共40頁(yè)阻狀態(tài)，工作電流也急劇增大，當(dāng)電流低于標(biāo)稱的額定電壓時(shí)，壓敏電阻又恢復(fù)為高阻狀態(tài)。當(dāng)壓敏電阻兩端電壓超過(guò)其限制電壓時(shí)，壓敏電阻將被完全擊穿損壞，無(wú)法自行恢復(fù)。第31頁(yè)/共40頁(yè)第32頁(yè)/共40頁(yè)第33頁(yè)/共40頁(yè)第34頁(yè)/共40頁(yè)第35頁(yè)/共40頁(yè)主觸頭輔助觸頭線圈接線端子第36頁(yè)/共40頁(yè)主觸頭L1,L2,L3,T1,T2,T3輔助觸頭常開(kāi)點(diǎn)常閉點(diǎn)第37頁(yè)/共40頁(yè)線圈電壓等級(jí)標(biāo)識(shí)A1,A2線圈接線端子第38