激光芯片測試

1、激光芯片測試:測試系統(tǒng)設(shè)備:CCD（2個）：上方用于俯視芯片位置，后方用于后視芯片和透鏡之間的距離。電流源（80-123mA）:經(jīng)過測試電流在這個范圍內(nèi)，測試出來的光功率相對較大。給芯片提供電流。放置于芯片的兩側(cè)。透鏡（LENS）一對：用于將芯片發(fā)出的光進(jìn)行匯聚到功率計(jì)的探頭上。透鏡有兩端，小端為進(jìn)光口，大端為出光口。TEC（半導(dǎo)體制冷器）：DC=1v在溫度為15°C時(shí)，光功率最高。TEC的溫度通過調(diào)節(jié)供電電壓來調(diào)節(jié)，可以用萬用表的溫度檔檢測功率計(jì)(81618A/81533B):20mw注意事項(xiàng)：平時(shí)探頭不用時(shí)需要蓋上防塵帽，定期保養(yǎng)，用無塵布和酒精擦拭。光源：波長1310測試882

2、芯片波長1550測試871芯片光譜分析儀準(zhǔn)直器：準(zhǔn)直器型號（接頭）：APC（接頭為斜8度）-FC（金屬外殼）PC（平角）-FCSC（塑料外殼）TC（金屬外殼）測試參數(shù)：出光功率：P1P2（P1/P2如下圖）飽和光功率：Psat（測試條件：Pin=-3dbm）增益GainP（測試條件：Pin：-25dbm,入=1310nm）影響芯片出光的因素:熱敏電阻1,芯片的尺寸大?。豪?20um和670um花匕王全錫捏赳走向幸存<57金錫焊料（導(dǎo)電）金錫焊料芯片電壓為0.68v芯片上（有導(dǎo)光槽）P1出光口一廣P2出光口測試系統(tǒng)平臺搭建:上（垂直方向）CCD鏡頭支架（上下左右前后可調(diào)），后（縱向）CC

3、D鏡頭支架（上下左右前后可調(diào)），供電探針支架正負(fù)極（2個上下左右前后可調(diào)），透鏡支架（2個上下左右前后可調(diào)），TEC托盤，功率計(jì)探頭支架（2個上下左右前后可調(diào)）設(shè)備儀器相關(guān)信息：電流源：E-TEKEA-3010LASERPOWERSUPPLY&STABILIZER功率計(jì)：Agilent8163ALightwaveMultimeter電壓源：HPE3620A0-25V0-1ADUALOUTPUTDCPOWERSUPPLY光譜分析儀（OSA）:HP70004A光源:HP8167BTUNABLELASERSOURSEF1310nm衰減器：Agilent8156AOpticalAttenuat

4、or待解決的疑惑：1 .電流源設(shè)置為123mA未加芯片默認(rèn)值為101mA,加上芯片為123mA后來默認(rèn)值為-0.05mA,加上芯片后為123mA,-0.05應(yīng)該為正常值，需將未加芯片時(shí)的默認(rèn)值校正為0mA電流源設(shè)置為80mA未加芯片默認(rèn)值為80mA,加上芯片為80mA待測試2 .芯片導(dǎo)光槽出光角度，平面還是三維？3 .測試探頭的參數(shù)指標(biāo)（性能）要求4 .如何保證測試平臺和環(huán)境的穩(wěn)定，及測試數(shù)據(jù)的穩(wěn)定與可靠。由于目前測試平臺和條件的限制，測試數(shù)據(jù)會出現(xiàn)不穩(wěn)定和較大的誤差。5 .出光功率P1和P2理論上應(yīng)該時(shí)相等的，但實(shí)際相差很大，原因？理論上P1=P2，但是實(shí)際值是由于誤差和測試條件的限制，會有

5、一定的差距。6 .電流源上的LD和PD的作用？其和芯片LD和PD有何關(guān)系？LD為激光器發(fā)射芯片，PD為監(jiān)控芯片7 .激光芯片尺寸白定義？如882/871待查飽和光功率測試Psat:測試芯片：1550nm的激光器芯片測試設(shè)備：功率計(jì)和光源，光纖（一端是連接頭，另一端是準(zhǔn)直器）將光源的輸出波長設(shè)置為1550nm,功率為-3dBm目前的測試方式是：,然后去掉一端的功率計(jì)探頭換成帶有將測試平臺的出光功率調(diào)試到最佳狀態(tài)（功率最大）準(zhǔn)直器的光纖（光纖的另一端接光源）（光源）一1（光纖連接頭）一一_18a1550nm，直器fc*人-3dBm（光纖）-八八功率計(jì)探頭00增益測試P:目前的測試方式：如果光源不能直接提供需要的輸出功率（例如-25dBm），那就需