模擬電子電路答案

1、4.1 簡述耗盡型和增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的區(qū)別；對于適當(dāng)?shù)碾妷浩茫╒DS>0V，VGS>VT），畫出P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管，簡要說明溝道、電流方向和產(chǎn)生的耗盡區(qū)，并簡述工作原理。解：耗盡型場效應(yīng)管在制造過程中預(yù)先在襯底的頂部形成了一個(gè)溝道，連通了源區(qū)和漏區(qū)，也就是說，耗盡型場效應(yīng)管不用外加電壓產(chǎn)生溝道。而增強(qiáng)型場效應(yīng)管需要外加電壓VGS產(chǎn)生溝道。隨著VSG逐漸增大，柵極下面的襯底表面會積聚越來越多的空穴，當(dāng)空穴數(shù)量達(dá)到一定時(shí)，柵極下面的襯底表面空穴濃度會超過電子濃度，從而形成了一個(gè)“新的P型區(qū)”，它連接源區(qū)和漏區(qū)。如果此時(shí)在源極和漏極之間加上一個(gè)負(fù)電壓，那么空穴就會沿著新

2、的P型區(qū)定向地從源區(qū)向漏區(qū)移動，從而形成電流，把該電流稱為漏極電流，記為。當(dāng)一定，而持續(xù)增大時(shí)，則相應(yīng)的減小，近漏極端的溝道深度進(jìn)一步減小，直至，溝道預(yù)夾斷，進(jìn)入飽和區(qū)。電流不再隨的變化而變化，而是一個(gè)恒定值。4.2 考慮一個(gè)N溝道MOSFET，其= 50A/V2，Vt = 1V，以及W/L = 10。求下列情況下的漏極電流：（1）VGS = 5V且VDS = 1V；（2）VGS = 2V且VDS = 1.2V；（3）VGS = 0.5V且VDS

3、 = 0.2V；（4）VGS = VDS = 5V。(1) 根據(jù)條件，該場效應(yīng)管工作在變阻區(qū)。=1.75mA(2) 根據(jù)條件，該場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)。=0.25mA(3) 根據(jù)條件，該場效應(yīng)管工作在截止區(qū)，(4) 根據(jù)條件，該場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)=4mA4.3 由實(shí)驗(yàn)測得兩種場效應(yīng)管具有如圖題4.1所示的輸出特性曲線，試判斷它們的類型，并確定夾斷電壓或開啟電壓值。圖題4.1圖（a）P溝道耗盡型圖 (b) P溝道增強(qiáng)型4.4 一個(gè)NMOS晶體管有Vt = 1V。當(dāng)VGS = 2V時(shí)，求得電阻rDS

4、為1kW。為了使rDS = 500W，則VGS為多少？當(dāng)晶體管的W為原W的二分之一時(shí)，求其相應(yīng)的電阻值。解：由題目可知，該晶體管工作在變阻區(qū)，則有當(dāng)時(shí)，代入上式可得則時(shí)，當(dāng)晶體管的W為原W的二分之一時(shí)，當(dāng)VGS = 2V時(shí)，當(dāng)晶體管的W為原W的二分之一時(shí)，當(dāng)VGS = 3V時(shí)，4.5 （1）畫出P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)。   （2）漏極和源極之間加上適當(dāng)?shù)钠?，畫出VGS = 0V時(shí)的耗盡區(qū)，并簡述工作原理。解：（1） (2)4.6 用歐姆表的兩測試棒分別連接JFET的漏極和源極，測得阻值為R1，然后

5、將紅棒（接負(fù)電壓）同時(shí)與柵極相連，發(fā)現(xiàn)歐姆表上阻值仍近似為R1，再將黑棒（接正電壓）同時(shí)與柵極相連，得歐姆表上阻值為R2，且R2>> R1，試確定該場效應(yīng)管為N溝道還是P溝道。解：時(shí)，低阻抗，時(shí)，高阻抗，即時(shí)導(dǎo)通，所以該管為P溝道JFET。4.7 在圖題4.2所示電路中，晶體管VT1和VT2有Vt = 1V，工藝互導(dǎo)參數(shù)=100A/V2。假定l = 0，求下列情況下V1、V2和V3的值：（1）(W/L)1 = (W/L)2 = 20；（2）(W/L)1 = 1.5(W/L)2

6、0;= 20。圖題4.2（1） 解：因?yàn)?W/L)1 = (W/L)2 = 20；電路左右完全對稱，則則有，可得該電路兩管工作在飽和區(qū)。則有：（2） 解：因?yàn)?W/L)1 = 1.5(W/L)2 = 20，同時(shí)可求得：則有，可得該電路兩管工作在飽和區(qū)。則有：4.8 場效應(yīng)管放大器如圖題4.3所示。(W/L)=0.5mA/V2，（1）計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)Q；（2）求Av、Avs、Ri和Ro。 圖題4.3解：（1），考慮到放大器應(yīng)用中，場效應(yīng)管應(yīng)工作在飽和區(qū)，則有：代入上式可得：解得，當(dāng)時(shí)場效應(yīng)管截止。因此，(2)

7、 ，忽略厄爾利效應(yīng)4.9 圖題4.4所示電路中FET的，靜態(tài)時(shí)IDQ = 0.64mA，(W/L)=0.5mA/V2求：（1）源極電阻R應(yīng)選多大？（2）電壓放大倍數(shù)Av、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro；（3）若C3虛焊開路，則Av、Ri、Ro為多少？ 圖題4.4解：（1）(2) ，忽略厄爾利效應(yīng)（3）=1.24.10 共源放大電路如圖題4.5所示，已知MOSFET的nCoxW/2L = 0.25mA/V2，各電容對信號可視為短路，試求：（1）靜態(tài)IDQ、VGSQ和VDSQ；（2）Av、Ri和Ro。 圖題4.5解：（1），考慮到放大器應(yīng)用中，場效應(yīng)管應(yīng)工作在飽

8、和區(qū)，則有：代入上式可得：解得，當(dāng)時(shí)場效應(yīng)管截止。因此，(2) ，忽略厄爾利效應(yīng)4.11 對于圖題4.6所示的固定偏置電路：（1）用數(shù)學(xué)方法確定IDQ和VGSQ；（2）求VS、VD、VG的值。圖題4.6解：（1）假設(shè)該JFET工作在飽和區(qū)，則有(2) ， 4.12 對于圖題4.7所示的分壓偏置電路，VD=9V，求：（1）ID；（2）VS和VDS；（3）VG和VGS。 圖題4.7，則=-1.48V, 則4.13 如圖題4.8所示，求該放大器電路的小信號電壓增益、輸入電阻和最大允許輸入信號。該晶體管有Vt = 1.5V，(W/L)=0.25mA/V2，VA =

9、0;50A。假定耦合電容足夠大使得在所關(guān)注的信號頻率上相當(dāng)于短路。 圖題4.8解：等效電路如圖所示則因，其上的交流電流可以忽略，則為了計(jì)算輸入電阻，先考慮輸入電流（此處也可用密勒定理），最大允許輸入信號需根據(jù)場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)條件來確定，即， 即4.14 考慮圖題4.9所示的FET放大器，其中，Vt = 2V，(W/L)=1mA/V2，VGS = 4V，VDD = 10V，以及RD=3.6kW。（1）求直流分量ID和VD；（2）計(jì)算偏置點(diǎn)處的gm值；（3）計(jì)算電壓增益值A(chǔ)v；（4）如果該MOSFET有l(wèi) = 0.01V1，

10、求偏置點(diǎn)處的ro以及計(jì)算源電壓增益Avs。 圖題4.9解：（1）則（2）（3）（4） 4.15 圖題4.10所示為分壓式偏置電路，該晶體管有Vt = 1V，(W/L)=2mA/V2。（1）求ID、VGS；（2）如果VA = 100V，求gm和ro；（3）假設(shè)對于信號頻率所有的電容相當(dāng)于短路，畫出該放大器完整的小信號等效電路；（4）求Ri、Ro、vo/vgs以及vo/vsig。 圖題4.10解：（1）假設(shè)該電路工作在飽和區(qū)，則有 ， ，則 (2) ， (3) （4） 4.16 設(shè)計(jì)圖題4.11所示P溝道EMOSFET電路中的RS、RD。要求器件工作在飽和區(qū)

11、，且ID = 0.5mA，VDS = 1.5V，。已知pCoxW/(2L) = 0.5mA/V2，Vt = 1V，設(shè)l = 0。 圖題4.11解： 4.17 在圖題4.12電路中，NMOS晶體管有|Vt| = 0.9V，VA = 50A，(W/L)=0.25mA/V2并且工作在VD = 2V。電壓增益vo/vi為多少？假設(shè)電流源內(nèi)阻為50kW，求、。圖題4.12解：由電路結(jié)構(gòu)可知，該場效應(yīng)管工作在飽和模式因，其上的交流電流可以忽略，則為

12、了計(jì)算輸入電阻，先考慮輸入電流（此處也可用密勒定理），4.18 對于圖題4.13所示的共柵極電路，：（1）確定Av和Gv；（2）RL變?yōu)?.2kW，計(jì)算Av和Avs，并說明RL的變化對電壓增益有何影響；（3）Rsig變?yōu)?.5kW（RL為4.7kW），計(jì)算Av和Avs，說明Rsig的變化對電壓增益有何影響。 圖題4.13.解：（1）等效電路如下圖所示=3.88(2) RL變?yōu)?.2kW時(shí)，=1.52若RL減小，則Av和Avs均減小，反之亦然。（3） Rsig變?yōu)?.5kW（RL為4.7kW）時(shí)，若Rsig變減小，則Av不變，Avs增加。反之亦然。4.19 計(jì)算圖題4.14所示的級聯(lián)放大器的直流偏置、輸入電阻、輸出電阻及輸出電壓。如果輸出端負(fù)載為10kW，計(jì)算其負(fù)載電壓。已知結(jié)型場效應(yīng)管，輸入信號電壓有效值為10mV。圖題4.14解：（1）兩級放大器具有相同的直流偏置。，考慮到放大器應(yīng)用中，場效應(yīng)管應(yīng)工作在飽和區(qū)，則有：代入上式可得：解得， (2) ，由于第二級沒有負(fù)載，則 對于第一級放大器，可得到相同的增益則級聯(lián)放大器的增益為輸出電壓為負(fù)載10kW兩端的輸出電壓為 4.20 圖題4.15所示電路中的MOSFET有Vt = 1V，(W/L)= 0.8mA/V2，VA = 40V，。圖題4.15（1