

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1、靜電場(chǎng)中的電介質(zhì)偶極子轉(zhuǎn)向極化 自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化 不考慮偶極分子間的相互作用,即不考慮偶極子間的相互作用,只考慮受熱運(yùn)動(dòng)的支配,這就是自由偶極子; 自由偶極子的聚集相當(dāng)于極性氣體; 當(dāng)存在外電場(chǎng)時(shí),各分子受轉(zhuǎn)矩作用,趨于使它們?nèi)∠蚺c外電場(chǎng)平行,但熱運(yùn)動(dòng)抵抗這種趨勢(shì),使體系最后達(dá)到一個(gè)新的統(tǒng)計(jì)平衡; 自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化 具有時(shí)間常數(shù)(稱(chēng)之偶極子弛豫時(shí)間)并且沿外電場(chǎng)取向的偶極子的平均分量終達(dá)一個(gè)穩(wěn)定正值,所有分子的偶極矩沿電場(chǎng)方向的統(tǒng)計(jì)平均分量:cos0E偶極子分子的固有偶極矩 電場(chǎng)與偶極子間的夾角 自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化xL(x) 熱源A,體系A(chǔ),處于狀態(tài)r,能量為Wr,接觸后達(dá)到熱平衡,
2、則狀態(tài)r出現(xiàn)的幾率密度: kTWrreCGK為波爾茲曼常數(shù),為波爾茲曼常數(shù),T為熱源溫度為熱源溫度 自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化 設(shè)A為一偶極分子,A為除A以外的所有偶極分子組成的熱源,Wr為A偶極分子的總能: WWWar動(dòng)能動(dòng)能電勢(shì)能電勢(shì)能KTWKTWWrCeeCGa/C為一個(gè)常數(shù) 自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化cos00eeEEW0:)(WGr為幾率密度; dWWGr)(表示在勢(shì)能 dWWW范圍內(nèi)找到偶極分子A的幾率 dWCedWWGKTEre/cos0)(dEdWesin0自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化 設(shè)單位體積中粒子數(shù)為n0,則: dWWGnr)(0為在單位體積中在勢(shì)能 dWWW范圍內(nèi)的分子數(shù) dndAendW
3、WGndnKTEresin)(cos000CEAe0dAenKTEecos002AA 其中自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化 單位體積內(nèi)在立體角 偶極分子的偶極矩在電場(chǎng)方向分量 ddndndmEEcos0為單位體積內(nèi)偶極分子在電場(chǎng)方向的分量和,其平均值為: EmEEdmdn0ndmdmeE0ndndn自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化dndmdndmEEEdeAnndnKTEesin0cos000dedendmKTEKTEEeesinsincos0/cos0/cos0000自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化dedeKTEKTEeesinsincoscos0/cos0/cos00令 cosyKTExe0)(11cos1111xLxcth
4、xxeeeedyedyyeyxxxxxyxy稱(chēng)稱(chēng)Langevin函數(shù)函數(shù) 自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化L(x)KTExe0 x/3隨著x增大, 從零增到1,這是因?yàn)?增大,電場(chǎng)的取向作用壓倒溫度的擾亂作用,使所有偶極子都趨向與外電場(chǎng)平行,達(dá)到飽和 coscos.94524513)(cos53xxxxL當(dāng)當(dāng) 10KTExe自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化eEEKT3cos200KTExe33cos0KT320稱(chēng)偶極子轉(zhuǎn)向極化率與溫度有關(guān),與溫度成正比,稱(chēng)偶極子轉(zhuǎn)向極化率與溫度有關(guān),與溫度成正比,溫度愈高,熱運(yùn)動(dòng)加劇,轉(zhuǎn)向極化降低溫度愈高,熱運(yùn)動(dòng)加劇,轉(zhuǎn)向極化降低 自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化 一個(gè)典型偶極子 兩個(gè)相距1的電
5、荷 ,外電場(chǎng) ,環(huán)境溫度 emvE/106evKT41110440101036100eeKTEe郎之萬(wàn)函數(shù)所表示的體系只在原點(diǎn)附近才有物理意義郎之萬(wàn)函數(shù)所表示的體系只在原點(diǎn)附近才有物理意義 非球狀偶極分子的轉(zhuǎn)向極化 假設(shè)分子是各向異性,具有一個(gè)對(duì)稱(chēng)軸,有兩個(gè)極化率分量,1是平行于長(zhǎng)軸的極化率,2是沿短軸方向的極化率,固有偶極矩0平行于長(zhǎng)軸,各向異性極化率=1-2,平均極化率 這是偶極分子的電子位移極化,因此偶極分子的極化包括電子位移極化和自由點(diǎn)偶極子轉(zhuǎn)向極化兩部分。 )(21231非球狀偶極分子的轉(zhuǎn)向極化 在電場(chǎng)作用下,單個(gè)橢球偶極分子的偶極矩在電場(chǎng)方向的分量 及其在電場(chǎng)中的勢(shì)能 EWcos)
6、cos022EE(cos)cos(210222EEW對(duì)于有很多分子組成的電介質(zhì),求 非球狀偶極分子的轉(zhuǎn)向極化 對(duì)于有很多分子組成的電介質(zhì),求 的平均值E0/0/220sin2sin2coscosdedeEKTWKTWEE令 cosyKTEx0KTEz22KTxz2022 非球狀偶極分子的轉(zhuǎn)向極化111122cosdyedyyeyzyxyzyxy1x1z由于.)2(1)exp(222yxzyxzyyx.15)21 (1 3cos2xxy非球狀偶極分子的轉(zhuǎn)向極化.)1 (45231cos22x.45)241 ()3(33340220TKEEKTE 的值從1/3變到1,1/3是對(duì)應(yīng)于隨機(jī)取向的分子,
7、1對(duì)應(yīng)于所有分子平行或反平行于電場(chǎng)E的方向,引入一個(gè)量S 2cos晶體中的偶極取向極化 缺陷偶極子 實(shí)際晶體存在缺陷和雜質(zhì),在這些區(qū)域往往有著空格點(diǎn)和束縛得不那么緊密的,它們等效地帶有正、負(fù)電荷,熱運(yùn)動(dòng)使空格點(diǎn)和弱束縛離子作混亂排布,而正負(fù)電荷間的庫(kù)侖引力把它們耦合在一起,形成偶極子稱(chēng)點(diǎn)缺陷偶極子,介紹兩種缺陷偶極子 晶體中的偶極取向極化如圖是一個(gè)具有缺陷的晶格示意圖,其中一個(gè)雜質(zhì)離子取代了晶格格點(diǎn)上的一個(gè)離子,由于階數(shù)不同在該點(diǎn)形成一個(gè)正電荷的空間電荷,空間電荷束縛在晶體缺陷上,因而不是自由電荷,由于這個(gè)正電荷的庫(kù)侖作用,容易吸引另一個(gè)負(fù)離子作為填隙離子,并束縛在其附近,顯然,填隙負(fù)離子處于
8、圖中所示位置或改變到圖中的位置2,3,4其能量是相同的,與正電荷相束縛的填隙副理事長(zhǎng)例子的各種可能位置使得正負(fù)空間電荷形成一個(gè)有幾個(gè)可能取向的偶極子,電矩在外電場(chǎng)中的方向改變實(shí)際上是雜質(zhì)離子的跳躍(hopping)運(yùn)動(dòng),即由一個(gè)填隙位置跳到另一個(gè)填隙位置,在跳躍過(guò)程中要克服一定的勢(shì)壘,跳躍運(yùn)動(dòng)也可以是取代雜質(zhì)離子由一個(gè)晶格格點(diǎn)跳到鄰近格點(diǎn)上,而正負(fù)離子既可以是由取代方式也可以是由填隙方式產(chǎn)生,在完整性較差的晶體中,跳躍進(jìn)化的貢獻(xiàn)是顯著,例如陶瓷等多晶體中,晶粒邊界層缺陷很多,容易束縛大量的空間電荷,對(duì)極化現(xiàn)象會(huì)作出響應(yīng),其微觀機(jī)構(gòu)很復(fù)雜 晶體中的偶極取向極化另一種缺陷偶極子形式:NaCl為例,
9、Na+在格點(diǎn)上作熱振動(dòng),由于熱振動(dòng)能量足夠大,Na+離子脫離格點(diǎn)形成帶負(fù)電的陽(yáng)離子空格點(diǎn),等效地帶有負(fù)電荷Na-形成庫(kù)侖電場(chǎng),排斥周?chē)?fù)離子Cl-,當(dāng)溫度足夠高,可以是負(fù)離子Cl-在一個(gè)或幾個(gè)格點(diǎn)范圍內(nèi)遷移,借助熱運(yùn)動(dòng),迫使Cl-離開(kāi)格點(diǎn)從而形成一個(gè)帶正電的負(fù)離子空格點(diǎn)Cl+,在NaCl晶體中總是存在一定數(shù)量的這種熱缺陷空格點(diǎn),隨熱運(yùn)動(dòng)作混亂分布,從而一個(gè)正離子空格點(diǎn)與附近一個(gè)負(fù)離子空格點(diǎn)由于庫(kù)侖作用耦合在一起,就形成了由于熱缺陷產(chǎn)生的缺陷偶極子。 ClNa空位耦合空位耦合 Brexkenridge 1954年提出 晶體中的偶極取向極化缺陷偶極子 以L(fǎng)iF為例 2MgLi形成一個(gè)缺陷偶極子:
10、MgLiMg取代LiLi占據(jù)的2個(gè)最近鄰位置的某一個(gè)之一, 且可隨機(jī)躍遷晶體中的偶極取向極化 在外場(chǎng)作用下,12個(gè)位置就不再等價(jià),不同取向的缺陷偶極子 在電場(chǎng)中勢(shì)能是不同的,沿電場(chǎng)方向取向的缺陷偶極子勢(shì)能最低。 MgLi空位趨向于沿反電場(chǎng)方向的格點(diǎn)躍遷 Li這樣,在電場(chǎng)方向就出現(xiàn)了偶極矩,這樣,在電場(chǎng)方向就出現(xiàn)了偶極矩,著就是缺陷偶極子極化。著就是缺陷偶極子極化。 晶體中的偶極取向極化具體分析如下:在電場(chǎng)方向分量 ae2143cos011位缺陷偶極子在電場(chǎng)方向分量 02cos022位缺陷偶極子在電場(chǎng)方向分量 ae214cos033位缺陷偶極子在電場(chǎng)方向分量 晶體中的偶極取向極化在電場(chǎng)中能量 eaEEW2143cos01能量最高 02cos02EW次之 aeEEW214cos
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