三極管特性曲線參數(shù)及場效應(yīng)管

1、雙極型半導(dǎo)體三極管的特性曲線 這里，B表示輸入電極，C表示輸出電極，E表示公共電極。所以這兩條曲線是共發(fā)射極接法的特性曲線。 iB是輸入電流，vBE是輸入電壓，加在B、E兩電極之間。 iC是輸出電流，vCE是輸出電壓，從C、E 兩電極取出。 輸入特性曲線 iB=f(vBE) vCE=const 輸出特性曲線 iC=f(vCE) iB=const本節(jié)介紹共發(fā)射極接法三極管的特性曲線，即 共發(fā)射極接法的供電電路和電壓-電流關(guān)系如圖02.04所示。圖02.04 共發(fā)射極接法的電壓-電流關(guān)系 簡單地看，輸入特性曲線類似于發(fā)射結(jié)的伏安特性曲線，現(xiàn)討論iB和vBE之間的函數(shù)關(guān)系。因為有集電結(jié)電壓的影響，它

2、與一個單獨的PN結(jié)的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響，在討論輸入特性曲線時，應(yīng)使vCE=const(常數(shù))。(1) 輸入特性曲線 vCE的影響，可以用三極管的內(nèi)部反饋作用解釋，即vCE對iB的影響 。 共發(fā)射極接法的輸入特性曲線見圖02.05。其中vCE=0V的那一條相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當(dāng)vCE1V時， vCB= vCE - vBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，且基區(qū)復(fù)合減少， IC / IB 增大，特性曲線將向右稍微移動一些。但vCE再增加時，曲線右移很不明顯。曲線的右移是三極管內(nèi)部反饋所致，右移不明顯說明內(nèi)部反饋很小。輸入特性曲線的分區(qū)：死區(qū) 非線性區(qū) 圖02.0

3、5 共射接法輸入特性曲線 線性區(qū) (2)輸出特性曲線 共發(fā)射極接法的輸出特性曲線如圖02.06所示，它是以iB為參變量的一族特性曲線?，F(xiàn)以其中任何一條加以說明，當(dāng)vCE=0 V時，因集電極無收集作用，iC=0。當(dāng)vCE稍增大時，發(fā)射結(jié)雖處于正向電壓之下，但集電結(jié)反偏電壓很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0，VGS=0， ID不等于零。不等于零。（2）VGS0時，時，ID 。（3）VGS0時，時，ID 。圖圖 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) (a) 結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖 (b) 轉(zhuǎn)移特轉(zhuǎn)移特性曲線性曲線 圖圖02.17 N溝道耗盡型溝道耗

4、盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 和轉(zhuǎn)移特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線 (2)(2)N N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFETMOSFET (3)(3)P溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET P溝道溝道MOSFET的工作原理與的工作原理與N溝道溝道MOSFET完全相同，只不過導(dǎo)電的載流完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。這如子不同，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有同雙極型三極管有NPN型和型和PNP型一樣。型一樣。 圖02.18 各類場效應(yīng)三極管的特性曲線絕緣柵場效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型伏安特性曲線伏安特性曲線絕緣柵場效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型結(jié)型場效應(yīng)管 N溝道耗盡型

5、P溝道耗盡型2.2.4 2.2.4 場效應(yīng)三極管的參數(shù)和型號場效應(yīng)三極管的參數(shù)和型號(1) 場效應(yīng)三極管的參數(shù) 開啟電壓開啟電壓VGS(th) (或或VT) 開啟電壓是開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值開啟電壓的絕對值, 場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。 夾斷電壓VGS(off) (或VP) 夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS(off) 時,漏極電流為零。 飽和漏極電流IDSS 耗盡型場效應(yīng)三極管, 當(dāng)VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。 輸入電阻輸入電阻RGS 場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于對于結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時RGS約大于約大于107，對于對于絕緣柵型場效應(yīng)三極管絕緣柵型場效應(yīng)三極管, RGS約是約是1091015。 低頻跨導(dǎo)gm 低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用，這一點與電