化學(xué)機(jī)械拋光工藝設(shè)計(jì)CMP

1、-. z化學(xué)機(jī)械拋光液CMP氧化鋁拋光液具體添加劑摘要：本文首先定義并介紹CMP工藝的根本工作原理，然后，通過介紹CMP系統(tǒng)，從工藝設(shè)備角度定性分析了解CMP的工作過程，通過介紹分析CMP工藝參數(shù)，對(duì)CMP作定量了解。在文獻(xiàn)精度中，介紹了一個(gè)SiO2的CMP平均磨除速率模型，其中考慮了磨粒尺寸，濃度，分布，研磨液流速，拋光勢(shì)地形，材料性能。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)，得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型比擬吻合。MRR模型可用于CMP模擬，CMP過程參數(shù)最正確化以及下一代CMP設(shè)備的研發(fā)。最后，通過對(duì)VLSI制造技術(shù)的課程回憶，歸納了課程收獲，總結(jié)了課程感悟。關(guān)鍵詞： CMP、研磨液、平均磨除速率、設(shè)備Abstract：Thi

2、s article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introducing the CMP process parameters, make quantitativ

3、e understanding on CMP.In literature precision, introduce a CMP model of SiO2, which takes into account the particle size, concentration, distribution of grinding fluid velocity, polishing potential terrain, material performance.After test, the e*periment result pared with the model.MRR model can be

4、 used in the CMP simulation, CMP process parameter optimization as well as the ne*t generation of CMP equipment research and development.Through the review of VLSI manufacturing technology course, finally sums up the course, summed up the course.Key word: CMP、slumry、MRRs、device1.前言 隨著半導(dǎo)體工業(yè)飛速開展，電子器件尺

5、寸縮小，要求晶片外表平整度到達(dá)納米級(jí)。傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，僅僅能夠?qū)崿F(xiàn)局部平坦化，但是當(dāng)最小特征尺寸到達(dá)0.25m以下時(shí)，必須進(jìn)展全局平坦化。常見的傳統(tǒng)平面化技術(shù)很多。如熱流法，旋轉(zhuǎn)玻璃法，回蝕法，電子環(huán)繞共振法，選擇淀積，低壓CVD，等離子增強(qiáng)CVD,淀積-腐蝕-淀積法等。但它們都屬于局部平面化工藝，不能做到全局平面化。90年代興起的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)CMP則從加工性能和速度上同時(shí)滿足硅片圖形加工的要求，其也是目前唯一可以實(shí)現(xiàn)全局平坦化的技術(shù)1。2.根本原理2.1 CMP定義 CMP就是用化學(xué)腐蝕和機(jī)械力對(duì)加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)展平滑處理。2.2 CMP工作原理2如圖1，將硅片固定在

6、拋光頭的最下面，將拋光墊放置在研磨盤上，拋光時(shí)，旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，由亞微米或納米磨粒和化學(xué)溶液組成的研磨液在硅片外表和拋光墊之間流動(dòng)，然后研磨液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層研磨液液體薄膜。研磨液中的化學(xué)成分與硅片外表材料產(chǎn)生化學(xué)反響，將不溶的物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)，或者將硬度高的物質(zhì)進(jìn)展軟化，然后通過磨粒的微機(jī)械摩擦作用將這些化學(xué)反響物從硅片外表去除，溶入流動(dòng)的液體中帶走，即在化學(xué)去膜和機(jī)械去膜的交替過程中實(shí)現(xiàn)平坦化的目的。其反響分為兩個(gè)過程3： 化學(xué)過程：研磨液中的化學(xué)品和硅片外表發(fā)生化學(xué)反響，生成比擬容易去除的物質(zhì)； 物理過

7、程：研磨液中的磨粒和硅片外表材料發(fā)生機(jī)械物理摩擦，去除化學(xué)反響生成的物質(zhì)。2.3 CMP主要參數(shù)4(1)平均磨除率(MRR)在設(shè)定時(shí)間磨除材料的厚度是工業(yè)生產(chǎn)所需要的。(2)CMP平整度與均勻性平整度是硅片*處CMP前后臺(tái)階高度之差占CMP之前臺(tái)階高度的百分比。(3)選擇比在CMP中，對(duì)不同材料的拋光速率是影響硅片平整性和均勻性的一個(gè)重要因素。(4)外表缺陷CMP工藝造成的硅片外表缺陷一般包括擦傷或溝、凹陷、侵蝕、殘留物和顆粒污染。2.4 CMP系統(tǒng) CMP系統(tǒng)5圖1包括： CMP設(shè)備、研磨液(拋光液)、拋光墊、拋光終點(diǎn)檢測(cè)及工藝控制設(shè)備、后CMP清洗設(shè)備、漿料分布系統(tǒng)、廢物處理和測(cè)量設(shè)備。其

8、中研磨液和拋光墊為消耗品。圖1.CMP設(shè)備組成1)拋光頭組件新型的拋光頭組件圖2具有用于吸附晶圓的真空吸附裝置，對(duì)晶圓施加壓力的下壓力系統(tǒng)，以及調(diào)節(jié)晶圓的定位環(huán)系統(tǒng)。圖2.拋光頭組件2研磨盤 研磨盤是CMP研磨的支撐平臺(tái)，其作用是承載拋光墊并帶動(dòng)其轉(zhuǎn)動(dòng)。它是控制拋光頭壓力大小、轉(zhuǎn)動(dòng)速度、開關(guān)動(dòng)作、研磨盤動(dòng)作的電路和裝置。(3) 拋光墊 拋光墊圖3通常使用聚亞胺脂(Polyurethane)材料制造，利用這種多孔性材料類似海綿的機(jī)械特性和多孔特性，外表有特殊之溝槽，提高拋光的均勻性，墊上有時(shí)開有可視窗，便于線上檢測(cè)。通常拋光墊為需要定時(shí)整修和更換之耗材，一個(gè)拋光墊雖不與晶圓直接接觸，但使用售命約

9、僅為45至75小時(shí)。 拋光墊有軟墊，硬墊之分6。圖3.拋光墊左軟，右硬硬墊圖3，右:較硬，拋光液固體顆粒大，拋光速度較快,平行度、平整度也較好, 但外表較粗糙,損傷層較嚴(yán)重。軟墊圖3，左具有更好的硅片平均性,拋光液中固體顆粒較小,因此可以增加光潔度, 同時(shí)去除粗拋時(shí)留下的損傷層。故采用粗精拋相結(jié)合的方法, 既可保持晶片的平行度、平整度,又可到達(dá)去除損傷層及保持硅片外表高光潔度的目的。拋光墊上有很多小孔, 這些小孔有利于輸送漿料和拋光, 還可用于將漿料中的磨蝕粒子送入硅片外表并去除副產(chǎn)品。在使用中, 拋光墊在對(duì)假設(shè)干片晶片進(jìn)展拋光后被研磨得十分平整, 同時(shí)孔填滿了磨料粒子和片子外表的磨屑聚集物,

10、 一旦產(chǎn)生釉化現(xiàn)象, 就會(huì)使拋光墊失去局部保持研漿的能力, 拋光速率也隨之下降, 同時(shí)還會(huì)使硅片外表產(chǎn)生劃傷,對(duì)電路元件造成損傷。因此, 拋光墊外表須定期地用一個(gè)金剛石調(diào)節(jié)器修整, 這樣便可延長拋光墊的使用壽命。4拋光墊修整器 圖4.拋光墊調(diào)整器 圖5.拋光墊調(diào)整器外表 拋光墊調(diào)整器7圖4作用是掃過墊外表提高外表粗糙度，除去用過的漿料。包含一個(gè)不銹鋼盤以及一個(gè)鍍鎳CVD金剛石層的金剛石磨粒圖5。(5)研磨液系統(tǒng) 1)研磨液8由磨粒、酸堿劑、純水及添加物構(gòu)成，其成分見表1。被拋光材料磨粒研磨液添加物研磨液pH值介質(zhì)二氧化硅SiO2, CeO2, ZrO2Al2O3 ,Mn2O3KOH,NH2OH

11、1013金屬鎢Al2O3,Mn2O3KIO3,Fe(NO3)2,H2O226鋁SiO2KIO3,Fe(NO3)2,H2O226銅Al2O3KIO3,Fe(NO3)2,H2O226表1.研磨液成分 2)研磨液供應(yīng)與輸送系統(tǒng) 研磨液供應(yīng)與輸送系統(tǒng)與CMP工藝之間的關(guān)系：研磨液中的化學(xué)品在配比混合輸送過程中可能有許多變化，這一點(diǎn)，使輸送給機(jī)臺(tái)的研磨液質(zhì)量與拋光工藝的成功形成了非常嚴(yán)密的關(guān)系，其程度超過了與高純化學(xué)品的聯(lián)系。盡管CMP設(shè)備是控制并影響CMP工藝結(jié)果的主要因素，但是研磨液在防止缺陷和影響CMP的平均拋光速率方面起著巨大的作用。 研磨液供應(yīng)與輸送系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)：通過恰當(dāng)設(shè)計(jì)和管理研磨液供應(yīng)

12、與輸送系統(tǒng)來保證CMP工藝的一致性。研磨液的混合、過濾、滴定以及系統(tǒng)的清洗等程序會(huì)減輕很多與研磨液相關(guān)的問題。則就要設(shè)計(jì)一個(gè)適宜的研磨液的供應(yīng)與輸送系統(tǒng)，完成研磨液的管理，控制研磨液的混合、過濾、濃度、滴定及系統(tǒng)的清洗，減少研磨液在供應(yīng)、輸送過程中可能出現(xiàn)的問題和缺陷，保證CMP的平坦化效果。研磨液組分通常是分開存儲(chǔ)圖6，使用時(shí)按比例混合使用。圖6.研磨液混合系統(tǒng)LFC: 流量控制裝置 研磨液混合和輸送設(shè)備的設(shè)計(jì)特點(diǎn)：攪動(dòng)：一般來講，研磨液中的固體顆粒經(jīng)過一段時(shí)間后會(huì)逐漸淀積，為了滿足特定的工藝要求，必須保持桶中和儲(chǔ)蓄罐中的液體均一，專業(yè)的研磨液系統(tǒng)制造商可以為每種研磨液設(shè)置特定的淀積率和分散

13、率。拋光研磨液后處理：作為消耗品，研磨液一般是一次性使用。隨著CMP市場(chǎng)的擴(kuò)大，拋光研磨液的排放及后處理工作量也在增大(出于環(huán)保原因，即使研磨液不再重復(fù)利用，也必須先處理才可以排放)。而且，拋光研磨液價(jià)格昂貴，如何對(duì)拋光研磨液進(jìn)展后處理，補(bǔ)充必要的化學(xué)添加劑，重復(fù)利用其中的有效成分，或降級(jí)使用，不僅可以減少環(huán)境污染，而且可以大大降低加工本錢。拋光研磨液的后處理研究將是未來的新研究熱點(diǎn)。6終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備9 終點(diǎn)檢測(cè)是檢測(cè)CMP工藝把材料磨除到一個(gè)正確的厚度的能力。檢測(cè)方法大致分為間接地對(duì)拋光晶片進(jìn)展物理測(cè)定電流，直接檢測(cè)晶片光學(xué)兩種。檢測(cè)電流終點(diǎn)檢測(cè)。 CMP接近終點(diǎn)時(shí), 拋光墊與硅片摩擦力開場(chǎng)改

14、變，拋光頭轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)的電流會(huì)改變來保證不變的旋轉(zhuǎn)速率，監(jiān)測(cè)馬達(dá)電流來測(cè)終點(diǎn)。光學(xué)干預(yù)法終點(diǎn)檢測(cè)圖7.電介質(zhì)光干預(yù)終點(diǎn)檢測(cè) 圖8.后CMP清洗刷子電解質(zhì)光干預(yù)法圖7，反射光相互干預(yù)，薄膜厚度的變化引起干預(yù)狀態(tài)的周期變化，電解質(zhì)薄膜厚度的變化可以由反射光的變化來監(jiān)測(cè)。圖9.光學(xué)測(cè)金屬CMP終點(diǎn) 反射率的改變可用來測(cè)金屬CMP終點(diǎn)，金屬外表有很高反射率圖9左，金屬層被磨除圖9右時(shí)外表反射率大幅減少，通過這種方法可測(cè)終點(diǎn)。CMP后清洗10 三步法:清潔, 沖洗,枯燥。 后清洗目的主要是去除顆粒和其他化學(xué)污染物，用到去離子水及刷子，去離子水量越大, 刷子壓力越大清洗效率越高。刷子圖8通常是多孔聚合物材質(zhì),

15、 允許化學(xué)物質(zhì)滲入并傳遞到晶圓外表2.5 CMP設(shè)備的開展(1)單拋光頭旋轉(zhuǎn)式系統(tǒng)CMP 轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)備是用以玻璃瓷或其他金屬的磨平拋光設(shè)備為根底的，這種設(shè)備由單個(gè)研磨盤和單個(gè)拋光頭構(gòu)成。(2) 多拋光頭旋轉(zhuǎn)式CMP系統(tǒng)隨著生產(chǎn)力需求和缺陷標(biāo)準(zhǔn)提高，出現(xiàn)了多研磨頭的旋轉(zhuǎn)體系，這類設(shè)備有很多種。多研磨盤CMP系統(tǒng)由于Auriga公司和Symphony公司的設(shè)備缺乏靈活性，例如加工的硅片片數(shù)是22片而不是25片硅片，就不能發(fā)揮它們生產(chǎn)力高的優(yōu)點(diǎn)。(4) 軌道式CMP系統(tǒng)圖10 由于對(duì)于工藝的靈活性和生產(chǎn)力的需求提高，IPEC公司開發(fā)出了676軌道式CMP系統(tǒng)。 圖10.軌道式CMP系統(tǒng) 圖11.線性CM

16、P系統(tǒng)(5) 線性CMP系統(tǒng)圖11最后，有些公司開發(fā)出能夠?qū)崿F(xiàn)高線速度的線性CMP系統(tǒng)。2.6 影響CMP效果的主要參數(shù)設(shè)備參數(shù)研磨液參數(shù)拋光墊/背墊參數(shù)CMP對(duì)象薄膜參數(shù)拋光時(shí)間磨粒大小硬度種類研磨盤轉(zhuǎn)速磨粒含量密度厚度拋光頭轉(zhuǎn)速磨粒的凝聚度空隙大小硬度拋光頭搖擺度酸堿度彈性化學(xué)性質(zhì)背壓氧化劑含量背墊彈性圖案密度下壓力流量修整粘滯系數(shù)表2.影響CMP效果的主要參數(shù)1.拋光頭壓力 壓力越大，磨除速率越快。2.拋光頭與研磨盤間的相對(duì)速度拋光速率隨著拋光頭與研磨盤間的相對(duì)速度的增大而增大。3.拋光墊拋光墊是在CMP中決定拋光速率和平坦化能力的一個(gè)重要部件。 碎片后為防止缺陷而更換拋光墊。 優(yōu)化襯墊

17、選擇以便取得好的硅片和硬膜的均勻性和平坦化(建議采用層疊或兩層墊)。 運(yùn)用集成的閉環(huán)冷卻系統(tǒng)進(jìn)展研磨墊溫度控制。 孔型墊設(shè)計(jì)、外表紋理化、打孔和制成流動(dòng)渠道等有利于研磨液的傳送。 CMP前對(duì)研磨墊進(jìn)展修正、造型或平整。 有規(guī)律地對(duì)研磨墊用刷子或金剛石修整器做臨場(chǎng)和場(chǎng)外修整。4.研磨液研磨液是影響CMP速率和效果的重要因素，在半導(dǎo)體工藝中，針對(duì)SiO2、鎢栓、多晶硅和銅，需要用不同的研磨液來進(jìn)展研磨。1)磨粒 磨粒材料：對(duì)不同的薄膜CMP和不同工藝的CMP要精心選擇磨粒材料。即使是對(duì)同種薄膜材料進(jìn)展CMP，其磨粒材料不同，拋光速率也不同。例如對(duì)于ILD氧化硅進(jìn)展CMP ,采用二氧化鈰(CeO2)

18、作為磨粒的拋光速率比用氣相納米SiO2為磨粒的拋光速率大約快3倍。 磨粒含量：磨粒含量是指研磨液中磨粒質(zhì)量的百分?jǐn)?shù)。即(磨粒質(zhì)量/研磨液質(zhì)量)100%，又叫磨粒濃度。對(duì)于硅拋光，在低磨粒含量時(shí)，在一定圍對(duì)硅的拋光速率隨著磨粒含量的增加而增加，平整度趨于更好。這主要是由于，隨著磨粒含量的提高，研磨液中參與機(jī)械研磨的有效粒子數(shù)增多，拋光液的質(zhì)量傳遞作用提高，使平坦化速率增加，可以減小塌邊情況的發(fā)生。但并不是磨粒含量越高越好，當(dāng)磨粒含量到達(dá)一定值之后，平坦化速率增加緩慢，且流動(dòng)性也會(huì)受影響，本錢也增加，不利于拋光。要通過實(shí)驗(yàn)對(duì)確定的拋光對(duì)象找出一個(gè)最優(yōu)的磨粒含量。 磨粒大小及硬度：隨著微粒尺寸和硬度

19、的增加，去除速率也隨之增加。但會(huì)產(chǎn)生更多的凹痕和劃傷。所以要很細(xì)心地選擇顆粒的大小和硬度，顆粒硬度要比去除材料的硬度小。要不能使平坦化的外表產(chǎn)生凹痕和擦傷等外表缺陷。2)研磨液的選擇性：對(duì)確定的研磨液，在同樣條件下對(duì)兩種不同的薄膜材料進(jìn)展拋光時(shí)其拋光速率的不同，這就是研磨液的選擇性。3)研磨液中添加物的濃度與pH值：與MRR有直接關(guān)系。5.溫度對(duì)去除率的影響CMP在加工過程中無論是酸性液體還是堿性液體，在與去除材料的化學(xué)反響中都是放熱的反響，造成溫度的上升，同時(shí)在加工過程中，由于拋光頭的壓力作用和拋光頭及研磨盤的旋轉(zhuǎn)具有做功的情況，所以有能量的釋放，造成溫度的上升。6.薄膜特性CMP研磨薄膜材

20、料的性質(zhì)(化學(xué)成分、硬度、密度、外表狀況等)也影響拋光速度和拋光效果。3.文獻(xiàn)精讀3.1半經(jīng)歷SiO2CMP磨除速率MRR模型13為預(yù)測(cè)CMP過程的MRR，建立了半經(jīng)歷的模型公式。假定晶圓磨粒外表是塑性接觸，拋光墊與磨粒彈性接觸，磨粒尺寸分布，拋光墊粗糙度無序分布；模型考慮磨粒尺寸，濃度，分布，研磨液流速，拋光勢(shì)地形，材料性能。3.2模型推導(dǎo)根據(jù)GW模型14和接觸原理15,CMP中一個(gè)平滑晶圓和一個(gè)自由粗糙拋光墊在F作用力下真實(shí)接觸面積為：真實(shí)接觸壓力為：早期研究證明，顆粒尺寸分布滿足一個(gè)密度方程D16,得到活潑顆粒數(shù)量表達(dá)式：根據(jù)活性粒子數(shù)量和顆粒密度，得到平均MRR：而MRR分布模型17可

21、表示為：3.3實(shí)驗(yàn)過程拋光墊上層用型號(hào)IC1000聚氨酯，基層用SubaIV氈型墊，這種設(shè)計(jì)易用，性能連續(xù)。用PECVD在200mm晶圓淀積1.5m厚SiO2層。CMP設(shè)備用的是旋轉(zhuǎn)拋光器GnP POLI500。工作壓力是晶圓壓力27.5KPa；定位環(huán)壓力34.74KPa；研磨液流速是150ml/min；轉(zhuǎn)速40rpm；用到四種不同直徑研磨液表4；顆粒濃度為12.5wt%；CMP中，調(diào)節(jié)進(jìn)程用壓力5.88KPa，調(diào)機(jī)器轉(zhuǎn)速40rpm，盤轉(zhuǎn)速60rpm；拋光1min后，用反射計(jì)(K-Mac ST5030-SL)測(cè)膜厚；每晶圓選41個(gè)點(diǎn)測(cè)MRRs；邊緣去除3mm。變量名稱值單位p墊粗糙度標(biāo)準(zhǔn)誤差3

22、0mRp墊粗糙讀平均半徑25mEp墊材料氏模量10MPap墊材料泊松比率0.2-EaSiO2顆粒氏模量94GPaaSiO2顆粒泊松比率0.26-aSiO2顆粒密度2270Kg/m3s研磨液密度1040Kg/m3EwSiO2氏模量66GPawSiO2泊松比率0.3-HwSiO2硬度18GPa表3.模型參量數(shù)值3.3實(shí)驗(yàn)過程拋光墊上層用型號(hào)IC1000聚氨酯，基層用SubaIV氈型墊，這種設(shè)計(jì)易用，性能連續(xù)。用PECVD在200mm晶圓淀積1.5m厚SiO2層。CMP設(shè)備用的是旋轉(zhuǎn)拋光器GnP POLI500。工作壓力是晶圓壓力27.5KPa；定位環(huán)壓力34.74KPa；研磨液流速是150ml/m

23、in；轉(zhuǎn)速40rpm；用到四種不同直徑研磨液表4；顆粒濃度為12.5wt%；CMP中，調(diào)節(jié)進(jìn)程用壓力5.88KPa，調(diào)機(jī)器轉(zhuǎn)速40rpm，盤轉(zhuǎn)速60rpm；拋光1min后，用反射計(jì)(K-Mac ST5030-SL)測(cè)膜厚；每晶圓選41個(gè)點(diǎn)測(cè)MRRs；邊緣去除3mm。研磨液平均直徑nm標(biāo)準(zhǔn)誤差nmD1313.33.7D2222.44.4D6160.912.5D118117.726.4表4.CMP實(shí)驗(yàn)研磨液3.4實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析測(cè)得顆粒尺寸分布為離散分布，離散密度公式用來計(jì)算顆?？倲?shù)圖12.研磨液顆粒尺寸分布 圖13.平均顆粒尺寸與平均MRRs關(guān)系 圖14.顆粒質(zhì)量百分比與平均MRRs關(guān)系以平均顆粒尺

24、寸為變量測(cè)平均磨除速率，得到結(jié)果曲線圖13，并與公式模型所得曲線比擬，可以看出，公式模型與試驗(yàn)結(jié)果相吻合，從D13到D61，磨除速率上升，到D118稍有下降，說明有一個(gè)最適尺寸。以顆粒質(zhì)量百分比為變量測(cè)平均磨除速率，得到結(jié)果曲線圖14 ，并與公式模型所得曲線比擬，可以看出，公式模型與試驗(yàn)結(jié)果相吻合，從5wt%到17.5wt%，MRR一直增加，說明活性顆粒數(shù)量與磨除速率成正比。圖15.不同顆粒直徑下試驗(yàn)與模型MRR分布 圖16.不同顆粒密度下實(shí)驗(yàn)與模型MRR分布圖15和圖16說明，試驗(yàn)結(jié)果符合模型假設(shè)，驗(yàn)證了模型的正確性。3.5結(jié)論基于接觸力學(xué)，本文提供了一個(gè)SiO2的CMP模型，其中考慮了磨粒

25、尺寸，濃度，分布，研磨液流速，拋光勢(shì)地形，材料性能。經(jīng)過試驗(yàn)，得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型比擬吻合。MRR模型可用于CMP模擬，CMP過程參數(shù)最正確化以及下一代CMP設(shè)備的研發(fā)。4.學(xué)習(xí)體會(huì)在本學(xué)期的VLSI制造技術(shù)的課程學(xué)習(xí)中，我收獲很多。首先，因?yàn)樯险n人數(shù)少，獲得了兩次講報(bào)告的時(shí)機(jī)，使我閱讀文獻(xiàn)的能力得到很大提升，也鍛煉了作報(bào)告能力，同時(shí)學(xué)到很多新知識(shí)，其次，在聽其他同學(xué)報(bào)告時(shí)，也了解了很多各方面知識(shí)，最后，通過金教師對(duì)第一次報(bào)告的點(diǎn)評(píng)，我在第二次報(bào)告中改正了很多第一次中的缺乏，報(bào)告能力再次得到提升，同時(shí)，金教師淵博的專業(yè)知識(shí)以及對(duì)每次上臺(tái)作報(bào)告同學(xué)的點(diǎn)評(píng)，都使我獲益匪淺。參考文獻(xiàn)：1 玉嶺,檀柏

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