大三下模擬ic的分析與設(shè)計(jì)

1、D/A轉(zhuǎn)換器電阻網(wǎng)絡(luò)部分 微電981 付立軍一、D/A轉(zhuǎn)換器的組成 D/A轉(zhuǎn)換器主要由以下幾部分組成：由數(shù)字信號(hào)控制的開(kāi)關(guān)電路（電壓型或電流型）；網(wǎng)絡(luò)陣列（電阻或電容）；運(yùn)算電路（例如加法器、跟隨器等）及模擬輸出。二、電路圖 本次設(shè)計(jì)采用反梯子形R-2R電阻網(wǎng)絡(luò)電流開(kāi)關(guān)，其電路圖如圖：三、等效模型 其反梯子形電阻網(wǎng)絡(luò)等效電路如圖： 從圖中，利用串并聯(lián)求電流的方法，可得到各支路電流，分別為I/2，I/4，I/8，I/16，I/32，I/64，I/218，I/256，其中I=Vcc/R。 這里假設(shè)Vcc=5V, IMAX=5mA,R=200/，若采用恒定源擴(kuò)散，可由余誤差依爾芬曲線查得ND。 其電

2、路模擬由PSPICE完成，版圖由L-EDIT完成，詳圖見(jiàn)附頁(yè)。附頁(yè)1附頁(yè)2參觀實(shí)習(xí)報(bào)告1：3月5日 參觀驪山微電子公司；2：3月6、7日 參觀永濟(jì)電機(jī)廠；3：3月8日 參觀西安亞同；1、驪山之行 此次驪山之行是參觀驪山微電子公司的生產(chǎn)和工藝車(chē)間，比較全面的了解了半導(dǎo)體材料的制備，及工藝過(guò)程，使我在工藝及半導(dǎo)體材料方面的知識(shí)與實(shí)際聯(lián)系了起來(lái)，有了感官上的了解。2、去永濟(jì) 去永濟(jì)主要是參觀永濟(jì)電機(jī)廠元件分廠，在那里我們充分了解了半導(dǎo)體元器件的制備，其中主要是大功率晶閘管，我們充分了解了整個(gè)工藝過(guò)程，從氧化、擴(kuò)散，到燒結(jié)、封裝，都用了較深層次的認(rèn)識(shí)。 再回來(lái)的途中，我們參觀了普救寺，留下了 非常好的

3、印象。3、參觀亞同 亞同公司是西安最大的集成電路設(shè)計(jì)公司。在那里我們見(jiàn)到了很多的設(shè)計(jì)人員，真正的感覺(jué)的了人才才是一個(gè)企業(yè)發(fā)展的動(dòng)力，和西部大開(kāi)發(fā)對(duì)人才的吸引和需求。集成電路產(chǎn)業(yè)是一個(gè)高技術(shù)含量的產(chǎn)業(yè)，只有掌握了先進(jìn)的知識(shí)和技術(shù)，才有能力發(fā)展壯大，激勵(lì)了我們對(duì)知識(shí)的汲取，更加努力學(xué)習(xí)。 4、設(shè)計(jì)期間的得與失 在這兩周的設(shè)計(jì)期間，遇到了一些麻煩，因?yàn)槲业脑O(shè)計(jì)項(xiàng)目是電阻網(wǎng)絡(luò)，涉及不到MOS管，在開(kāi)始階段我想到用MOS管的多晶硅柵和MOS溝道作電阻，但考慮到多晶硅柵電阻的阻值不容易確定，而且溝道電阻的不穩(wěn)定（隨環(huán)境變化而變化），后來(lái)問(wèn)過(guò)蒲老師，決定采用普通的擴(kuò)散電阻。線路圖確定以后，考慮到與下一級(jí)之間的連接，將版圖做成長(zhǎng)方形，以便連接?？偨Y(jié) 總的來(lái)