半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

1、關(guān)于半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識第一張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1.1 半導(dǎo)體的基本知識 自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。 有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。 半導(dǎo)體的電阻率為10-3109 cm。一、半導(dǎo)體及其特性1、什么是半導(dǎo)體第二張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。GeSi電子器件所用的半導(dǎo)體具有晶體結(jié)構(gòu)，因此把半導(dǎo)體也稱為晶體。第三張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于202

2、2年6月2、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1）熱敏性 與溫度有關(guān)。溫度升高，導(dǎo)電能力增強(qiáng)。2）光敏性 與光照強(qiáng)弱有關(guān)。光照強(qiáng)，導(dǎo)電能力增強(qiáng)3）摻雜性 加入適當(dāng)雜質(zhì)，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)。3、常用半導(dǎo)體材料1）元素半導(dǎo)體 如：硅、鍺2）化合物半導(dǎo)體 如：砷化鎵3）摻雜或制成其他化合物半導(dǎo)體的材料 如；硼、磷、銦、銻第四張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1、本征半導(dǎo)體完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為本征半導(dǎo)體。如硅晶體中，原子之間靠的很近，分屬于每個原子的價電子受到相鄰原子的影響，而使價電子為兩個原子所共有，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。 在高度純凈的硅晶體中，所有外層電子均用

3、于構(gòu)成共價鍵，沒有多余的自由電子，只有通過很強(qiáng)的力才能使電子脫離晶體束縛。1）內(nèi)部結(jié)構(gòu)一、半導(dǎo)體物質(zhì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電機(jī)理第五張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)共價鍵共用電子對+4+4+4+4+4表示除去價電子后的原子第六張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第七張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2）本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理在絕對0度（T=0K）和沒有外界激發(fā)時,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有可以運(yùn)動的帶電粒子，它的導(dǎo)電能力為0，相當(dāng)于絕緣體。在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，

4、稱為空穴。電子空穴對的產(chǎn)生第八張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月+4+4+4+4電子空穴對的產(chǎn)生自由電子空穴束縛電子第九張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月兩種導(dǎo)電方式+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引臨近的價電子來填補(bǔ)。這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動，即：空穴電流在外電場作用下，有兩部分電流：1、自由電子定向移動。2、空穴電流第十張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月說明復(fù)合： 激發(fā)： 激發(fā)和復(fù)合成對產(chǎn)生成對消失載流子：電子和空穴漂移運(yùn)動：載流子在電場力的作用下的定向運(yùn)動自由電子向電源正極移動，空穴向負(fù)極移動。雖然電子、空穴的運(yùn)動方向相反

5、，但在外電路中形成電流卻一致。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子的濃度越高。溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。第十一張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2 雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體（電子半導(dǎo)體），使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體（空穴半導(dǎo)體）。第十二張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1）N型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)

6、取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相臨的半導(dǎo)體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。第十三張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月+4+4+5+4N型半導(dǎo)體多余電子磷原子+N型半導(dǎo)體第十四張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月N型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體中的載流子是什么？1、由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。2、本征半導(dǎo)體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。3、摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為多數(shù)載流子（多子），空穴

7、稱為少數(shù)載流子（少子）。第十五張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2）P型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相臨的半導(dǎo)體原子形成共價鍵時，產(chǎn)生一個空穴。這個空穴可能吸引束縛電子來填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動的帶負(fù)電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子。第十六張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月+4+4+3+4空穴P型半導(dǎo)體硼原子P型半導(dǎo)體第十七張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月總 結(jié)1、N型半導(dǎo)體中電子是多子，其中大部分是摻雜提供的電子，本征半導(dǎo)體中受激產(chǎn)生的電子只占少數(shù)。 N型

8、半導(dǎo)體中空穴是少子，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。2、P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。3、多子由摻雜濃度決定，少子由溫度決定。第十八張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月三、 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?、 PN 結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。第十九張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場E漂移運(yùn)動空間電荷區(qū)1）多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動及空間電荷區(qū)的產(chǎn)生(即:PN結(jié)的產(chǎn)生)(濃度差產(chǎn)生)第二十張，PPT共七十六頁，創(chuàng)

9、作于2022年6月2、擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。漂移運(yùn)動P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場E2）內(nèi)電場的形成及其作用1、內(nèi)電場越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。阻擋多子擴(kuò)散促進(jìn)少子漂移3）矛盾運(yùn)動3、所以擴(kuò)散和漂移這一對相反的運(yùn)動最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。第二十一張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月+空間電荷區(qū)N型區(qū)P型區(qū)電位UU04）內(nèi)建電勢差第二十二張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1、空間電荷區(qū)中沒有載流子。2、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙P中的空穴、N中的電子（都是多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動（擴(kuò)散運(yùn)動）。

10、3、P中的電子和N中的空穴（都是少子），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。請注意第二十三張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2 PN結(jié)的特性-單向?qū)щ娦?PN結(jié)加上正向電壓、正向偏置的意思都是： P區(qū)加正、N區(qū)加負(fù)電壓。 PN結(jié)加上反向電壓、反向偏置的意思都是： P區(qū)加負(fù)、N區(qū)加正電壓。第二十四張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1)PN結(jié)正向偏置+內(nèi)電場外電場變薄PN+_內(nèi)電場被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。第二十五張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2)PN結(jié)反向偏置+內(nèi)電場外電場變厚NP+_內(nèi)電場被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，

11、只能形成較小的反向電流。第二十六張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 在PN結(jié)的兩端加上電壓后，通過管子的電流I隨管子兩端電壓V變化的曲線-伏安特性。PN 結(jié)的單向?qū)щ娦裕赫珜?dǎo)通，呈小電阻，電流較大; 反偏截止，電阻很大，電流近似為零。PN結(jié)伏安特性第二十七張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1.2 二極管二極管的結(jié)構(gòu)和分類二極管的符號和型號二極管的伏安特性二極管的參數(shù)二極管的溫度特性二極管的應(yīng)用第二十八張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月一、 二極管的結(jié)構(gòu)和分類 在PN結(jié)上加上引線和外殼，就成為一個二極管。二極管按結(jié)構(gòu)一般分有點(diǎn)接觸型、面接觸型(1) 點(diǎn)接觸型二極管(a)

12、點(diǎn)接觸型 圖 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。1、結(jié)構(gòu)第二十九張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 圖 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖(c)平面型(3) 平面型二極管 往往用于集成電路制造工藝中。PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。(2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。(b)面接觸型第三十張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2、分類1）按材料分：硅管和鍺管2）按結(jié)構(gòu)分：點(diǎn)接觸和面接觸3）按用途分：檢波、整流4）按頻率分：高頻和低頻二、符號和型號AK陽極、P型材料陰極、N型材料第三十一張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6

13、月半導(dǎo)體二極管的型號國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下：第三十二張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月三、 二極管的伏安特性 式中IS 為反向飽和電流，u為二極管兩端的電壓降，UT =kT/q 稱為溫度的電壓當(dāng)量，k為玻耳茲曼常數(shù)，q 為電子電荷量，T 為熱力學(xué)溫度。對于室溫（相當(dāng)T=300 K），則有UT=26 mV。二極管的伏安特性曲線可用下式表示第三十三張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月圖 二極管的伏安特性曲線圖示第三十四張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1、正向特性 硅二極管的死區(qū)電壓Uth=0.6V-0.7V左右， 鍺二極管的死區(qū)電壓Uth=0.2V-0.3V

14、左右。 當(dāng)0UUth時，正向電流為零，Uth稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。 當(dāng)U0即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段： 當(dāng)UUth時，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。第三十五張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2、反向特性當(dāng) U0時，即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個區(qū)域： 當(dāng)UBRU0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS 。 當(dāng)UUBR時，反向電流急劇增加，UBR稱為反向擊穿電壓 。第三十六張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月PN結(jié)反向偏置+內(nèi)電場外電場變厚NP+_第三十七張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月四、二極管的參數(shù)

15、(1) 最大整流電流IF二極管長期連續(xù)工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。(2) 反向擊穿電壓UBR 二極管反向電流急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR。 為安全計(jì)，在實(shí)際工作時，最大反向工作電壓URM一般只按反向擊穿電壓UBR的一半計(jì)算。最大反向工作電壓URM-第三十八張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 (3) 反向電流IR (4) 正向壓降UF(5) 動態(tài)電阻rd 硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級；鍺二極管在微安(A)級。 在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.60.8V；鍺二極管約0.20.3V。 反映

16、了二極管正向特性曲線斜率的倒數(shù)。顯然， rd與工作電流的大小有關(guān)，即 rd =UF /IF第三十九張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月iDUDIDUDQiDUDrD是二極管特性曲線工作點(diǎn)Q附近電壓的變化與電流的變化之比：顯然，rD是對Q附近的微小變化量的電阻。第四十張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月五、二極管的溫度特性 溫度對二極管的性能有較大的影響，溫度升高時，反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加，如硅二極管溫度每增加8，反向電流將約增加一倍；鍺二極管溫度每增加12，反向電流大約增加一倍。 另外，溫度升高時，二極管的正向壓降將減小，每增加1，正向壓降UF(UD)大約減小2mV，即具有負(fù)的溫

17、度系數(shù)。第四十一張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 圖 溫度對二極管伏安特性曲線的影響圖示第四十二張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月例1 一限幅電路如圖（a）， R=1k,UREF=3V。（1）當(dāng)ui=0V、6V時，分別求輸出uO的值；（2）當(dāng)ui=6sint V時，畫出輸出電壓uo的波形（正向壓降為零）。六、二極管的應(yīng)用第四十三張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月例 2、 二極管構(gòu)成“門”電路，設(shè) V1、V2 均為理想二極管，當(dāng)輸入電壓 UA、UB 為低電壓 0 V 和高電壓 5 V 的不同組合時，求輸出電壓 UO 的值。0 V正偏導(dǎo)通5 V正偏導(dǎo)通0 V第四十四張，P

18、PT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月輸入電壓理想二極管輸出電壓UAUBV1V20 V0 V正偏導(dǎo)通正偏導(dǎo)通0 V0 V5 V正偏導(dǎo)通反偏截止0 V5 V0 V反偏截止正偏導(dǎo)通0 V5 V5 V正偏導(dǎo)通正偏導(dǎo)通5 V第四十五張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月例 3、 畫出硅二極管構(gòu)成的橋式整流電路在ui = 15sint (V) 作用下輸出 uO 的波形。(按理想模型)Otui / V15RLV1V2V3V4uiBAuO第四十六張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月OtuO/ V15第四十七張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1.3 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特

19、殊硅二極管。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線與硅二極管的伏安特性曲線完全一樣(b)一、特性(a)二、符號第四十八張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 (1) 穩(wěn)定電壓UZ (2) 動態(tài)電阻rZ 在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下，所對應(yīng)的反向工作電壓。 其概念與一般二極管的動態(tài)電阻相同，只不過穩(wěn)壓二極管的動態(tài)電阻是從它的反向特性上求取的。 rZ愈小，反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡。 rZ =UZ /IZ三、主要參數(shù)第四十九張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 (3) 最大耗散功率 PZM 穩(wěn)壓管的最大功率損耗取決于PN結(jié)的面積和散熱等條件。反向工作時PN結(jié)的功率損耗為 PZ= UZ IZ，由 PZ

20、M和UZ可以決定IZmax。 (4) 最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作 電流IZmin 穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定工作電流取決于最大耗散功率，即PZmax =UZIZmax 。而Izmin對應(yīng)VZmin。 若IZIZmin則不能穩(wěn)壓。第五十張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 穩(wěn)壓二極管在工作時應(yīng)反接，并串入一只電阻。 電阻的作用一是起限流作用，以保護(hù)穩(wěn)壓管；其次是當(dāng)輸入電壓或負(fù)載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。(c)四、穩(wěn)壓管的應(yīng)用第五十一張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1、光電二極管反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升

21、。IV照度增加五、其它特殊二極管第五十二張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2、發(fā)光二極管有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。常用作顯示器件。第五十三張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第五十四張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1.4 晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號和分類NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結(jié)集電結(jié) 基區(qū) 發(fā)射區(qū) 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB兩個結(jié)、三個區(qū)、三個極E的箭頭方向?yàn)榘l(fā)射結(jié)加正向電壓時電流的方向基本結(jié)構(gòu)與分類1、第五十

22、五張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月BECNNP基極發(fā)射極集電極1）基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低3）集電區(qū)：面積較大2）發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高2、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)第五十六張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月3、分類：1）按材料分： 硅管、鍺管4）按功率分： 小功率管 1 W中功率管 0.5 1 W第五十七張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月半導(dǎo)體三極管圖片第五十八張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月二、電流放大原理1. 三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏2. 滿足放大條件的三種電路uiuoCEBECBuiuoECBui

23、uo共發(fā)射極共集電極共基極第五十九張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月3. 三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電子， 形成發(fā)射極電流 IE。I CN多數(shù)向 BC 結(jié)方向擴(kuò)散形成 ICN。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。I BN基區(qū)空穴來源基極電源提供(IB)集電區(qū)少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN IB + ICBO即：IB = IBN ICBO 2)電子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合電子到達(dá)基區(qū)后(基區(qū)空穴運(yùn)動因濃度低而忽略)第六十張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月I CNIEI BNI CBOIB 3) 集電區(qū)收集擴(kuò)散過 來的載流子形成集 電極電流 ICICI

24、C = ICN + ICBO 第六十一張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月三、三極管的電流控制作用當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBO穿透電流1、電流分配關(guān)系IE= IC+ IB2、電流的放大作用直流放大系數(shù)第六十二張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月IE = IC + IB定義：為交流放大系數(shù)一般的，當(dāng)EBIBIcRcIc(IB=EB/RB)第六十三張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月四、 晶體三極管的特性曲線、輸入特性輸入回路輸出回路與二極管特性相似時第六十四張，

25、PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月O特性基本重合(電流分配關(guān)系確定)特性右移(因集電結(jié)開始吸引電子)導(dǎo)通電壓 UBE(on)硅管： (0.6 0.8) V鍺管： (0.2 0.3) V取 0.7 V取 0.2 V第六十五張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月、輸出特性iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321）截止區(qū)： IB 0 IC = ICEO 0 條件：兩個結(jié)反偏截止區(qū)ICEO特點(diǎn)：分三個區(qū)第六十六張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0

26、O 2 4 6 8 43212）放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏特點(diǎn)： 水平、等間隔ICEO第六十七張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43213）飽和區(qū)：uCE u BEuCB = uCE u BE 0條件：兩個結(jié)正偏特點(diǎn)：IC IB臨界飽和時： uCE = uBE深度飽和時：0.3 V (硅管)UCE(SAT)=0.1 V (鍺管)放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ICEOIc的大小取決于Ec和Rc，第六十八張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月五、溫度對特性曲線的影響1. 溫度升高，輸入特性曲線向左移。溫度每升高 1C，UBE (2 2.5) mV。溫度每升高 10C，ICBO 約增大 1 倍。OT2 T1第六十九張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2. 溫度升高，輸出特性曲線向上移。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0溫度每升高 1C， (0.5 1)%。輸出特性曲線間距增大。O第七十張，PPT共七十六頁，創(chuàng)作于2022年6月六、 晶體三極管的主要參數(shù)、電流放大系數(shù)1）共發(fā)射極電流放大系數(shù)iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4