盛美股份（A20142）：清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)化重要推動(dòng)者差異化產(chǎn)品路線助推公司走向世界

1、目錄 HYPERLINK l _TOC_250033 一、國(guó)產(chǎn)清洗設(shè)備龍頭供應(yīng)商，客戶涵蓋國(guó)內(nèi)外知名廠商 1 HYPERLINK l _TOC_250032 深耕半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備領(lǐng)域，產(chǎn)品獲國(guó)內(nèi)外客戶認(rèn)可 1 HYPERLINK l _TOC_250031 公司產(chǎn)品線豐富，覆蓋集成電路前道晶圓制造與后道先進(jìn)封裝環(huán)節(jié) 2 HYPERLINK l _TOC_250030 公司產(chǎn)品應(yīng)用于集成電路制造中前道晶圓制造、后道先進(jìn)封裝兩大環(huán)節(jié) 2 HYPERLINK l _TOC_250029 清洗設(shè)備：產(chǎn)品包括多類型清洗設(shè)備，可覆蓋 80%左右清洗設(shè)備市場(chǎng) 4 HYPERLINK l _TOC_2500

2、28 電鍍?cè)O(shè)備：后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備憑借差異化研發(fā)進(jìn)入市場(chǎng)并獲得重復(fù)訂單 8 HYPERLINK l _TOC_250027 封裝設(shè)備：基于前端濕法清洗設(shè)備技術(shù)將產(chǎn)品拓展至先進(jìn)封裝領(lǐng)域 9 HYPERLINK l _TOC_250026 立式爐管設(shè)備：首先從 LPCVD 切入并向ALD 設(shè)備應(yīng)用拓展 12 HYPERLINK l _TOC_250025 產(chǎn)品受國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商認(rèn)可，客戶涵蓋存儲(chǔ)、代工、封裝等各類廠商 13 HYPERLINK l _TOC_250024 股權(quán)結(jié)構(gòu)清晰，公司為美國(guó) ACMR 的核心運(yùn)營(yíng)子公司 14 HYPERLINK l _TOC_250023 公司股權(quán)結(jié)構(gòu)清

3、晰，公司實(shí)控人即為公司創(chuàng)始人 14 HYPERLINK l _TOC_250022 公司核心技術(shù)人員均具備行業(yè)相關(guān)學(xué)歷背景及多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn) 16 HYPERLINK l _TOC_250021 二、主營(yíng)業(yè)務(wù)突出，持續(xù)高研發(fā)投入等構(gòu)筑公司全球競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì) 18 HYPERLINK l _TOC_250020 公司收入保持高速增長(zhǎng)，其中清洗設(shè)備營(yíng)收占比持續(xù)保持在 80%以上 18 HYPERLINK l _TOC_250019 2.1.1 公司 2017-2019 年收入/歸母凈利CAGR 分別為 72.25%/250.32% 18 HYPERLINK l _TOC_250018 主營(yíng)業(yè)務(wù)突出，半導(dǎo)體清

4、洗設(shè)備/單片清洗設(shè)備營(yíng)收占比保持在 80%/70%以上 18 HYPERLINK l _TOC_250017 槽式/單片槽式組合清洗設(shè)備逐步放量，2020H1 在手訂單飽滿 19 HYPERLINK l _TOC_250016 公司主力產(chǎn)品單片清洗設(shè)備單臺(tái)均價(jià)約 2000 萬(wàn)元，且其均價(jià)不斷提升 20 HYPERLINK l _TOC_250015 公司 90%以上收入通過(guò)代銷方式取得，代理傭金費(fèi)率 0.5-5%不等 21 HYPERLINK l _TOC_250014 公司掌握多項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)專利，高研發(fā)投入構(gòu)筑其高毛利率 21 HYPERLINK l _TOC_250013 公司擁有多項(xiàng)相關(guān)設(shè)

5、備領(lǐng)域核心技術(shù)專利，具備一定的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力 21 HYPERLINK l _TOC_250012 公司研發(fā)費(fèi)用率持續(xù)保持較高水平且全部費(fèi)用化處理 23 HYPERLINK l _TOC_250011 清洗設(shè)備保持 45%左右高毛利水平，整體毛利率比肩國(guó)際巨頭 23 HYPERLINK l _TOC_250010 公司客戶整體客戶信用良好，近三年未出現(xiàn)實(shí)際壞賬損失 25三、清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程重要推動(dòng)者，以清洗設(shè)備為基礎(chǔ)向電鍍、立式爐管設(shè)備等方向拓展 26 HYPERLINK l _TOC_250009 全球清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模 200 億元以上且保持高速增長(zhǎng)，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局 26 HYPERLINK

6、 l _TOC_250008 清洗設(shè)備應(yīng)用于晶圓制造等集成電路生產(chǎn)中的多道工序 26 HYPERLINK l _TOC_250007 全球清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模超 200 億元，且其規(guī)模隨半導(dǎo)體制程提升而加速擴(kuò)張 27 HYPERLINK l _TOC_250006 清洗設(shè)備以濕法工藝為核心路線，單晶圓清洗設(shè)備占比較高 30 HYPERLINK l _TOC_250005 迪恩士等四大設(shè)備廠商占據(jù)全球清洗設(shè)備 90%以上市場(chǎng)份額，公司市占率不足 5% 33 HYPERLINK l _TOC_250004 電鍍?cè)O(shè)備前道市場(chǎng)高度壟斷，后道市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，公司前后道均有布局 35 HYPERLINK l _

7、TOC_250003 全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)保持快速擴(kuò)張，公司先進(jìn)封裝設(shè)備業(yè)務(wù)值得期待 36全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)空間廣闊，新款立式爐管設(shè)備有望為公司打開更大成長(zhǎng)空間 39 HYPERLINK l _TOC_250002 四、擬募投 18 億加碼半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造 42 HYPERLINK l _TOC_250001 五、投資建議 44 HYPERLINK l _TOC_250000 六、風(fēng)險(xiǎn)分析 44一、國(guó)產(chǎn)清洗設(shè)備龍頭供應(yīng)商，客戶涵蓋國(guó)內(nèi)外知名廠商深耕半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備領(lǐng)域，產(chǎn)品獲國(guó)內(nèi)外客戶認(rèn)可盛美股份成立于 2005 年，自設(shè)立以來(lái)始終專注于半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是一家深耕半導(dǎo)體濕

8、法設(shè)備的全球化布局企業(yè)，當(dāng)前主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等，產(chǎn)品線布局清晰、產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng)。公司控股股東美國(guó) ACMR 成立于 1998 年，美國(guó) ACMR 自成立起即從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)工作。2005 年，美國(guó) ACMR 在上海投資設(shè)立了公司的前身盛美有限，并將其前期研發(fā)形成的半導(dǎo)體專用設(shè)備相關(guān)技術(shù)使用權(quán)投入盛美有限。公司在美國(guó) AMCR 投入的技術(shù)使用權(quán)基礎(chǔ)上，進(jìn)行持續(xù)的技術(shù)開發(fā)和創(chuàng)新，繼續(xù)開展半導(dǎo)體專用設(shè)備的技術(shù)研發(fā)和技術(shù)積累工作。在公司的技術(shù)和產(chǎn)品線中，半導(dǎo)體清洗設(shè)備首先實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)突破。2008 年公司 SAPS 技術(shù)研發(fā)成功，2009年 SAPS

9、清洗設(shè)備進(jìn)入全球十大半導(dǎo)體企業(yè)、全球存儲(chǔ)器龍頭企業(yè)韓國(guó)海力士開展產(chǎn)品驗(yàn)證，2011 年公司用于 12 英寸 45nm 工藝的SAPS 清洗設(shè)備首次取得海力士的正式訂單，并于 2013 年獲得了海力士多臺(tái)重復(fù)訂單。2015年后，中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了快速發(fā)展期，對(duì)半導(dǎo)體專用設(shè)備的需求增長(zhǎng)迅速，憑借自身在國(guó)際行業(yè)內(nèi)取得的業(yè)績(jī)和聲譽(yù)，公司于 2015 年后順利取得了長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際及華虹集團(tuán)等中國(guó)大陸領(lǐng)先客戶的訂單。2015年及 2018 年，公司 TEBO 技術(shù)和 Tahoe 技術(shù)分別研發(fā)成功，在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品線更加豐富。 2017-2019 年，公司牢牢把握中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)

10、的發(fā)展機(jī)遇，半導(dǎo)體清洗設(shè)備業(yè)務(wù)規(guī)模迅速擴(kuò)大。在先進(jìn)封裝濕法設(shè)備領(lǐng)域，公司經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積累，于 2013 年獲得了國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試龍頭企業(yè)長(zhǎng)電科技的訂單；后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備和無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備是公司發(fā)展早期的業(yè)務(wù)方向之一，公司歷經(jīng)多年的研發(fā)和市場(chǎng)推廣，分別于 2018 年及 2019 年取得了長(zhǎng)電科技訂單；前道銅互連電鍍?cè)O(shè)備于 2019 年取得華虹集團(tuán)的訂單。為了進(jìn)一步擴(kuò)大公司可覆蓋的半導(dǎo)體專用設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模，2018 年公司在濕法工藝的基礎(chǔ)上，開始干法設(shè)備的研發(fā)，并于 2020 年推出了立式爐管設(shè)備，進(jìn)一步豐富了公司的產(chǎn)品線，擴(kuò)大了公司產(chǎn)品覆蓋的市場(chǎng)領(lǐng)域。圖表1： 公司在股東美國(guó) ACMR 技術(shù)基礎(chǔ)

11、上進(jìn)一步拓展，產(chǎn)品獲得國(guó)內(nèi)外知名客戶訂單資料來(lái)源:盛美股份，中信建投新股定價(jià)深度報(bào)告圖表2： 公司產(chǎn)品從清洗設(shè)備起步，并逐步向先進(jìn)封裝設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備及立式爐管設(shè)備領(lǐng)域拓展資料來(lái)源:盛美股份，中信建投公司產(chǎn)品線豐富，覆蓋集成電路前道晶圓制造與后道先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)公司產(chǎn)品應(yīng)用于集成電路制造中前道晶圓制造、后道先進(jìn)封裝兩大環(huán)節(jié)公司主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、先進(jìn)封裝濕法設(shè)備以及立式爐管設(shè)備四大類，可覆蓋集成電路制造過(guò)程中的前道晶圓制造和后道先進(jìn)封裝等步驟。其整體產(chǎn)品布局如下圖所示：圖表3： 公司產(chǎn)品線豐富，部分產(chǎn)品已進(jìn)入知名半導(dǎo)體企業(yè)資料來(lái)源:中信建投分產(chǎn)品來(lái)看其應(yīng)用領(lǐng)域，清洗設(shè)備方面，

12、公司的清洗設(shè)備可覆蓋集成電路前后道制造過(guò)程中的多道工序。如下圖所示，集成電路前后道制造工藝中均包含多道清洗相關(guān)工藝，公司開發(fā)的單片清洗、槽式清洗以及單片槽式組合清洗等清洗設(shè)備可用于完成其中大部分的清洗步驟；電鍍?cè)O(shè)備方面，公司開發(fā)的前道銅互連電鍍、后道先進(jìn)封裝電鍍兩款設(shè)備可分別應(yīng)用于集成電路前后道金屬化工藝環(huán)節(jié)；先進(jìn)封裝濕法設(shè)備及立式爐管設(shè)備方新股定價(jià)深度報(bào)告面，公司開發(fā)的濕法刻蝕設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備去膠設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備及立式爐管系列設(shè)備可用于現(xiàn)金封裝工藝中的涂膠、顯影、去膠、刻蝕等多個(gè)步驟。圖表4： 公司產(chǎn)品可應(yīng)用于集成電路前道晶圓制造工藝八道工序中的七道工序資料來(lái)源: 盛美股份招股說(shuō)

13、明書，中信建投新股定價(jià)深度報(bào)告圖表5： 公司產(chǎn)品可應(yīng)用于后道先進(jìn)封裝工藝中的清洗、涂膠、顯影、電鍍、去膠及刻蝕六大工序資料來(lái)源: 盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投清洗設(shè)備：產(chǎn)品包括多類型清洗設(shè)備，可覆蓋 80%左右清洗設(shè)備市場(chǎng)清洗設(shè)備是集成電路制造過(guò)程中清洗工藝的核心設(shè)備，可用于清洗原材料及每個(gè)步驟中半成品上可能存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響成品質(zhì)量和下游產(chǎn)品性能。半導(dǎo)體清洗設(shè)備是公司的核心產(chǎn)品，2017-2019 年期間占公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比例分別為 86.27%、92.91%和 84.10%。公司生產(chǎn)的清洗設(shè)備包括單片清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備、單片背面清洗設(shè)備、前道洗刷設(shè)備以及全自動(dòng)槽式清洗設(shè)

14、備五種。單片清洗設(shè)備：公司的單片清洗設(shè)備共有兩款：1）SAPS 兆聲波清洗設(shè)備，主要適用于平坦晶圓表面和高深寬比通孔結(jié)構(gòu)內(nèi)清洗；2）TEBO 兆聲波清洗設(shè)備，主要適用于圖形晶圓包括先進(jìn) 3D 圖形結(jié)構(gòu)的清洗。公司通過(guò)自主研發(fā)并具有全球知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的 SAPS 和 TEBO 兆聲波清洗技術(shù)，解決了兆聲波技術(shù)在集成電路單片清洗設(shè)備上應(yīng)用時(shí)，兆聲波能量如何在晶圓上均勻分布及如何實(shí)現(xiàn)圖形結(jié)構(gòu)無(wú)損傷的全球性難題。為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能最大化，公司單片清洗設(shè)備可根據(jù)客戶需求配置多個(gè)工藝腔體，最高可單臺(tái)配置 18 腔體，有效提升客戶的生產(chǎn)效率。制程及工藝覆蓋方面，SAPS 技術(shù)目前已應(yīng)用于邏輯 28nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)及 D

15、RAM 19nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)，在 DRAM上有 70 多步應(yīng)用，而在邏輯電路 FinFET 結(jié)構(gòu)清洗中有近 20 步應(yīng)用；TEBO 技術(shù)主要針對(duì) 45nm 及以下圖形晶圓的無(wú)損傷清洗，目前已應(yīng)用于邏輯芯片 28nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)，在 DRAM 上有 70 多步應(yīng)用，而在邏輯電路 FinFET新股定價(jià)深度報(bào)告結(jié)構(gòu)清洗中有 10 多步應(yīng)用。圖表6： 傳統(tǒng)兆聲清晰處理曲面困難且可能破壞已有結(jié)構(gòu)圖表7： 盛美 SAPS 清洗可實(shí)現(xiàn)能量的均勻傳導(dǎo)資料來(lái)源:盛美股份，中信建投資料來(lái)源:盛美股份，中信建投圖表8： 傳統(tǒng)兆聲清洗下變化空穴會(huì)破壞晶圓結(jié)構(gòu)圖表9： TEBO 兆聲清潔可穩(wěn)定空穴實(shí)現(xiàn)無(wú)損/低損清洗資料來(lái)源

16、:盛美股份。中信建投資料來(lái)源:盛美股份。中信建投單片槽式組合清洗設(shè)備：公司的單片槽式組合清洗設(shè)備名為 Tahoe，該設(shè)備整合了單片清洗和槽式清洗的優(yōu)點(diǎn)，在單個(gè)濕法清洗設(shè)備中集成了兩個(gè)模塊：槽式模塊和單片模塊。在槽式模塊中，溶液在獨(dú)立的槽式模塊中淸洗晶圓并循環(huán)使用槽式清洗之后，晶圓在濕潤(rùn)狀態(tài)下傳至單片模塊，進(jìn)行單片清洗工藝；單片清洗腔體可按客戶需求進(jìn)行靈活的配置，如配備標(biāo)準(zhǔn)清洗液、氫氟酸臭氧水以及其它各種工藝藥液。單片清洗腔體可配置至多 4 支擺臂，每支擺臂可提供至多 3 種工藝藥液，該系統(tǒng)還可為圖形晶圓提供所需的 IPA 干燥功能。Tahoe清洗設(shè)備可被應(yīng)用于光刻膠去除，刻蝕后清洗，離子注入后

17、清洗，機(jī)械拋光后清洗等幾十道關(guān)鍵清洗工藝中。制程及工藝覆蓋方面，公司單片槽式組合設(shè)備目前已完成邏輯芯片邏輯 40nm 及 28nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)線驗(yàn)證，可用于 20 步及以上的清洗高溫硫酸及高溫磷酸的清洗步驟。Tahoe 的清洗效果與工藝適用性可與單片清洗設(shè)備相媲美，與此同時(shí)，與單片清洗設(shè)備相比，還可大幅減少硫酸使用量，幫助客戶降低了生產(chǎn)成本又能更好的符合中國(guó)政府節(jié)能環(huán)保的政策。單片背面清洗設(shè)備：背面清洗設(shè)備一般應(yīng)用于背面薄膜去除、晶圓背面的多晶硅濕法刻蝕和晶背減薄以及去除背面金屬污染等工藝。公司研發(fā)的單片背面清洗設(shè)備采用伯努利卡盤，應(yīng)用空氣動(dòng)力學(xué)懸浮原理，使用機(jī)械手將晶圓送入腔體后，使晶背朝上

18、，晶圓正面朝下，在工藝過(guò)程中，精準(zhǔn)流量控制的高純氮?dú)馔ㄟ^(guò)卡具下方的氣體管路和卡盤表面一圈的環(huán)形小孔源源不斷地輸入晶圓與卡具之間的空隙中。該設(shè)備可用于背面金屬污染清洗及背面刻蝕等核心工藝。前道刷洗設(shè)備：采用單片腔體對(duì)晶圓正背面依工序清洗，可進(jìn)行包括晶圓背面刷洗、晶圓邊緣刷洗、正背面二流體清洗等清洗工序；設(shè)備占地面積小，產(chǎn)能高，穩(wěn)定性強(qiáng)，多種清洗方式靈活可選?？捎糜诩呻娐分圃炝鞒讨星岸沃梁蠖胃鞯浪⑾垂に嚒．a(chǎn)品進(jìn)展方面，公司首臺(tái)設(shè)備于 2020 年 4 月交付給客戶進(jìn)行驗(yàn)證，預(yù)計(jì) 2020H2 完成驗(yàn)收并確認(rèn)收入。全自動(dòng)槽式清洗設(shè)備：公司開發(fā)的全自動(dòng)槽式清洗設(shè)備廣泛應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域和先進(jìn)封裝領(lǐng)域

19、的清洗、刻蝕、光刻膠去除等工藝，采用純水、堿性藥液、酸性藥液作為清洗劑，與噴淋、熱浸、溢流和鼓泡等清洗方式組合，再配以先進(jìn)的 IPA 干燥方式，能夠同時(shí)清洗 50 片晶圓。該設(shè)備自動(dòng)化程度高，設(shè)備穩(wěn)定性好，清洗效率高，金屬、材料及顆粒的交叉污染低。設(shè)備覆蓋面及研發(fā)方向方面，公司通過(guò)自主研發(fā)，已實(shí)現(xiàn) 12 寸自動(dòng)槽式清洗設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化，該設(shè)備主要應(yīng)用于 45nm 以上邏輯電路芯片及功率器件的制造工藝。公司的槽式清洗設(shè)備已在回收片刻蝕及清洗、光刻膠去除和氧化膜腐蝕等工藝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。公司正在開發(fā)用于 SiN 清洗工藝的 12 寸磷酸槽式自動(dòng)清洗設(shè)備，已開始客戶驗(yàn)證，后續(xù)基于此氮化硅設(shè)備平臺(tái)與工藝技術(shù)

20、基礎(chǔ)，將進(jìn)一步開發(fā)用于高氮化硅/氧化硅選擇比的磷酸槽式設(shè)備，以擴(kuò)展在存儲(chǔ)器領(lǐng)域工藝的應(yīng)用；公司還正在開發(fā)用于爐管前清洗的自動(dòng)槽式清洗設(shè)備，該設(shè)備在金屬與顆粒管控，化學(xué)氧化層控制方面具有極高要求。未來(lái)公司將通過(guò)對(duì)該設(shè)備的前段模塊、搬運(yùn)機(jī)器人手臂模塊、工藝槽模塊、 IPA 干燥模塊和整機(jī)氛圍控制技術(shù)等的研發(fā)、改進(jìn)和完善，在晶圓清洗顆粒潔凈度、機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性、設(shè)備效率等方面持續(xù)提升產(chǎn)品性能，優(yōu)化工藝參數(shù)，以擴(kuò)大槽式清洗設(shè)備在上述應(yīng)用種類中更為關(guān)鍵的步驟上的應(yīng)用。此外，公司也計(jì)劃進(jìn)入 8 寸全自動(dòng)槽式清洗設(shè)備市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)客戶的“一站式”采購(gòu)，結(jié)合公司其他清洗設(shè)備產(chǎn)品的多樣性，方便服務(wù)客戶。圖表10： 公司半

21、導(dǎo)體清洗設(shè)備涵蓋單片、槽式及組合式三大類型主要產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域單片清洗設(shè)備可實(shí)現(xiàn)晶圓正背面同時(shí)清洗，每臺(tái)設(shè)備可配置多種化學(xué)藥液，可應(yīng)用于單片濕法清洗及單片濕法刻蝕工藝?？捎糜谛酒圃斓谋∧こ练e前后清洗，干法刻蝕后清洗，離子注入灰化后清洗，化學(xué)機(jī)械研磨后清洗，拋光和外延后的清洗，化學(xué)濕法刻蝕清洗等工藝。主要產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域SAPS 單片清洗設(shè)備在傳統(tǒng)單片清洗設(shè)備配置的基礎(chǔ)上加配公司自主研發(fā)的兆聲波清洗技術(shù)（SAPS），主要針對(duì)平坦晶圓表面和深孔內(nèi)的清洗工藝，專注于小顆粒的去除，在 45nm 以下工藝有效解決刻蝕后有機(jī)沾污和顆粒的清洗難題，清洗效率大大提升?？捎糜谛酒圃斓谋∧こ练e前后清洗

22、，干法刻蝕后清洗，離子注入灰化后清洗，化學(xué)機(jī)械研磨后清洗，拋光和外延工藝后的清洗等工藝。TEBO 單片清洗設(shè)備在傳統(tǒng)單片清洗設(shè)備配置的基礎(chǔ)上加配公司自主研發(fā)的時(shí)序氣穴振蕩控制（TEBO）兆聲波清洗技術(shù)，為 3D 結(jié)構(gòu)晶圓提供高效清洗。在 3D 芯片高深寬比逐漸提高的情況下，TEBO 技術(shù)可以穩(wěn)定氣泡的震蕩，達(dá)到低損傷甚至零損傷?？捎糜谛酒圃斓谋∧こ练e前清洗，干法刻蝕后清洗，離子注入灰化后清洗等工藝。單片槽式組合清洗設(shè)備集成單腔體清洗模塊和槽式清洗模塊，將槽式去膠工藝與單片清洗工藝整合，相比傳統(tǒng)單片清洗設(shè)備，可極大節(jié)約硫酸用量，清洗能力可和單片清洗設(shè)備相媲美?？捎糜谛酒圃斓墓饪棠z剝離及清洗、

23、干法刻蝕后清洗、離子注入后清洗、化學(xué)機(jī)械研磨后清洗、金屬膜層去除等工藝。單片背面清洗設(shè)備采用伯努利懸浮非接觸式夾持方式，對(duì)晶圓器件面提供有效保護(hù)，對(duì)晶圓背面噴淋化學(xué)藥液進(jìn)行清洗或濕法刻蝕，可用于大翹曲度超薄晶圓或者帶載片的鍵合晶圓?？捎糜谛酒圃斓木A背面清洗與晶圓背面濕法刻蝕等工藝。前道刷洗設(shè)備采用單片腔體對(duì)晶圓正背面依工序清洗，可進(jìn)行包括晶圓背面刷洗、晶圓邊緣刷洗、正背面二流體清洗等清洗工序；設(shè)備占地面積小，產(chǎn)能高，穩(wěn)定性強(qiáng)，多種清洗方式靈活可選?？捎糜谛酒圃斓闹星岸沃梁蠖胃鞯浪⑾垂に?。槽式清洗設(shè)備采用純水、堿性、酸性藥液作為清洗劑，與噴淋、熱浸、溢流和鼓泡等清洗方式組合，再配以先進(jìn)的

24、IPA 干燥方式，對(duì)晶圓進(jìn)行批量清洗?？捎糜谛酒圃斓牡那逑础穹涛g、薄膜剝離、光刻膠去除等工藝。資料來(lái)源：盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投序號(hào)設(shè)備名稱適用技術(shù)節(jié)點(diǎn)中國(guó)同行企業(yè)國(guó)際巨頭1單片清洗設(shè)備產(chǎn)品適用邏輯芯片 14nm 及以上無(wú)明顯差異應(yīng)用于 5nm 及以上生產(chǎn)線2SAPS 單片清洗設(shè)備產(chǎn)品適用邏輯芯片 14nm 及以上、DRAM19/17/16nm、3D NAND 32/64/128 層無(wú)此產(chǎn)品無(wú)此產(chǎn)品3TEBO 單片清洗設(shè)備產(chǎn)品適用邏輯芯片 28nm 及以上無(wú)此產(chǎn)品無(wú)此產(chǎn)品4單片槽式組合清洗設(shè)備產(chǎn)品適用邏輯芯片 28nm 及以上無(wú)此產(chǎn)品無(wú)此產(chǎn)品5單片背面清洗設(shè)備產(chǎn)品適用邏輯芯片 28n

25、m 及以上、3D NAND 32/64/128 層無(wú)明顯差異應(yīng)用于 5nm 及以上生產(chǎn)線6前道刷洗設(shè)備產(chǎn)品適用邏輯芯片 28nm 及以上無(wú)明顯差異應(yīng)用于 5nm 及以上生產(chǎn)線7槽式清洗設(shè)備產(chǎn)品適用邏輯芯片 28nm 及以上無(wú)明顯差異應(yīng)用于 5nm 及以上生產(chǎn)線料來(lái)源：盛美股份，中信建投圖表11： 公司 SAPS、TEBO 單片清洗設(shè)備及槽式單片組合清洗設(shè)備具備獨(dú)特競(jìng)爭(zhēng)力資電鍍?cè)O(shè)備：后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備憑借差異化研發(fā)進(jìn)入市場(chǎng)并獲得重復(fù)訂單半導(dǎo)體電鍍是指在芯片制造過(guò)程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連，電鍍?cè)O(shè)備則是實(shí)現(xiàn)這一工藝的必備的設(shè)備。公司自主研發(fā)的具有全球知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的電鍍?cè)O(shè)

26、備包括前道銅互聯(lián)電鍍銅設(shè)備、后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備兩種，其中前道銅互聯(lián)電鍍銅設(shè)備已獲下游客戶的驗(yàn)證，用于后道先進(jìn)封裝的電鍍?cè)O(shè)備已進(jìn)入市場(chǎng)并獲重復(fù)訂單。前道銅互連電鍍銅設(shè)備：公司是目前全球少數(shù)幾家掌握芯片銅互連電鍍銅技術(shù)核心專利的公司之一。公司自主開發(fā)針對(duì) 28-14nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的 IC 前道銅互連鍍銅技術(shù) Ultra ECP map。公司的多陽(yáng)極局部電鍍技術(shù)采用新型的電流控制方法，實(shí)現(xiàn)不同陽(yáng)極之間毫秒級(jí)別的快速切換，在超薄籽晶層上完成無(wú)空穴填充，同時(shí)通過(guò)對(duì)不同陽(yáng)極的電流調(diào)整，在無(wú)空穴填充后實(shí)現(xiàn)更好的沉積銅膜厚的均勻性。后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備：公司在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域進(jìn)行差異化開發(fā)，解決了在

27、更大電鍍液流量下實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)電鍍的難題，并采用獨(dú)創(chuàng)的第二陽(yáng)極電場(chǎng)控制技術(shù)更好地控制晶圓平邊或缺口區(qū)域的膜厚均勻性控制，可以達(dá)到更好的片內(nèi)均勻，實(shí)現(xiàn)高電流密度條件下的電鍍，凸塊產(chǎn)品的各項(xiàng)指標(biāo)均滿足客戶要求。在針對(duì)高密度封裝的電鍍領(lǐng)域可以實(shí)現(xiàn) 2m 超細(xì) RDL 線的電鍍以及包括銅、鎳、錫、銀和金在內(nèi)的各種金屬層電鍍。公司自主開發(fā)的橡膠環(huán)密封專利技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更好的密封效果，避免電鍍液泄露和鍍出問(wèn)題。圖表12： 公司開發(fā)的兩款電鍍?cè)O(shè)備可分別用于前道晶圓制造以及后道先進(jìn)封裝過(guò)程中的電鍍工藝主要產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域前道銅互連電鍍?cè)O(shè)備針對(duì) 55nn、40nm、28nm 及 20-14nm 以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的前道銅

28、互連鍍銅技術(shù) Ultra ECP map，主要作用在晶圓上沉淀一層致密、無(wú)孔洞、無(wú)縫隙和其他缺陷、分布均勻的銅?？捎糜谶壿嬰娐泛痛鎯?chǔ)電路中雙大馬士革電鍍銅工藝。主要產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備針對(duì)先進(jìn)封裝電鍍需求進(jìn)行差異化開發(fā)，適用于大電流高速電鍍應(yīng)用， 并采用模塊化設(shè)計(jì)便于維護(hù)和控制，減少設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)時(shí)間，提高設(shè)備使用率。可用于先進(jìn)封裝 Pillar Bump 、RDL、HD Fan-out 和 TSV 中，銅、鎳、錫、銀、金等電鍍工藝。資料來(lái)源：盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投制程及工藝覆蓋方面，其可用于雙大馬士革銅互連結(jié)構(gòu)銅電化學(xué)沉積工藝 55nm 至 14nm 及以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)；

29、先進(jìn)封裝凸塊、再布線、硅通孔、扇出工藝的電化學(xué)鍍銅、鎳、錫、銀、金等。圖表13： 公司為國(guó)內(nèi)僅有的前道銅互連電鍍?cè)O(shè)備提供商序號(hào)設(shè)備名稱適用技術(shù)節(jié)點(diǎn)中國(guó)同行企業(yè)國(guó)際巨頭1前道銅互連電鍍?cè)O(shè)備資料來(lái)源：盛美股份，中信建投雙大馬士革銅互連結(jié)構(gòu)銅電化學(xué)沉積工藝，55nm 至 14nm 及以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)無(wú)此產(chǎn)品雙大馬士革銅互連結(jié)構(gòu)銅電化學(xué)沉積工藝 55nm 至 7nm 及以上技術(shù)節(jié)點(diǎn);并支持 5nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)在其他材料上電鍍沉積銅封裝設(shè)備：基于前端濕法清洗設(shè)備技術(shù)將產(chǎn)品拓展至先進(jìn)封裝領(lǐng)域半導(dǎo)體封裝是指將晶圓上的電路引腳用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便于與其他器件連接，起到固定、密封、保護(hù)芯片以及增強(qiáng)電熱性

30、能等方面的作用，并且起到內(nèi)部芯片與外部電路的連接作用。先進(jìn)封裝是指當(dāng)時(shí)較前沿的封裝形式和技術(shù)。根據(jù)半導(dǎo)體封裝的流程，半導(dǎo)體封裝設(shè)備主要包括濕法刻蝕設(shè)備、刷片設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、減薄設(shè)備、切割設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備、切割成型設(shè)備等。公司堅(jiān)持差異化競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略，基于先進(jìn)的集成電路前端濕法清洗設(shè)備的技術(shù)，將產(chǎn)品應(yīng)用拓展至先進(jìn)封裝應(yīng)用領(lǐng)域。以先進(jìn)封裝的凸塊（bumping）封裝的典型工藝流程為例，在整個(gè)工藝流程中涉及的單片濕法設(shè)備包括清洗設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、濕法刻蝕設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備等。目前公司在先進(jìn)封裝行業(yè)的產(chǎn)品領(lǐng)域已覆蓋全部單片濕法設(shè)備，產(chǎn)品先后進(jìn)入封裝企業(yè)生產(chǎn)線及科研機(jī)構(gòu)，

31、包括長(zhǎng)電科技、通富微電、中芯長(zhǎng)電、Nepes、華進(jìn)半導(dǎo)體和中國(guó)科學(xué)院微電子研究所等知名封裝企業(yè)和科研院所。單片濕法刻蝕設(shè)備：應(yīng)用于 12 英寸及 8 英寸晶圓的濕法硅刻蝕和 UBM 的銅，鈦，鎳，錫，金等金屬濕法刻蝕工藝。單片濕法刻蝕機(jī)將一個(gè)完整工藝流程的所有藥液，純水以及干燥所用氣體管路均集成于一個(gè)腔體中設(shè)備占地小，化學(xué)品與純水消耗量少，工藝調(diào)整彈性高。單片涂膠設(shè)備：可應(yīng)用于 12 英寸及 8 英寸晶圓的正負(fù)膠和薄厚膠的涂膠工藝。公司首創(chuàng)的具有全球知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的腔室自清洗功能，代替?zhèn)鹘y(tǒng)人工手動(dòng)拆卸清洗腔室的方法，避免了人工頻繁拆卸精密涂膠機(jī)臺(tái)對(duì)機(jī)臺(tái)的損害，以及在清理涂膠腔時(shí)對(duì)人體產(chǎn)生的傷害，

32、與此同時(shí)也大大提高了清洗效率，降低了機(jī)臺(tái)維護(hù)成本，提高機(jī)臺(tái)的使用壽命。單片顯影設(shè)備：公司的單片顯影設(shè)備采用 Spray（噴射）與 puddle（積液）相結(jié)合的顯影方式，可兼容 12英寸及 8 英寸晶圓的顯影工藝。單片槽式組合去膠設(shè)備：公司的自主研發(fā)的具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的單片槽式組合去膠設(shè)備應(yīng)用于 12 英寸與 8英寸晶圓的濕法刻蝕工藝。該設(shè)備將槽式去膠與單片去膠相結(jié)合，將浸泡工藝在槽體中完成達(dá)到軟化并去除大部分厚膠的目的，后續(xù)殘膠、污染物及顆粒的去除則通過(guò)單片去膠完成，可彌補(bǔ)單片去膠設(shè)備產(chǎn)能不足的缺點(diǎn)。先進(jìn)封裝清洗設(shè)備：應(yīng)用于 12 英寸及 8 英寸晶圓來(lái)料清洗，電漿預(yù)處理前清洗，凸點(diǎn)下金屬化層

33、鈦濕法刻蝕后清洗、回流后的助焊劑清洗等工藝。除了常規(guī)的旋轉(zhuǎn)噴淋法，公司根據(jù)不同客戶需求，開發(fā)了 SAPS 兆聲波、二流體納米噴射、刷子刷洗、高壓液體噴射等輔助清洗手段。無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備：可用于先進(jìn)封裝 3DTSV、2.5D 硅中介層、RDL、HD Fan-out 等，整合無(wú)應(yīng)力拋光、化學(xué)機(jī)械研磨、和濕法刻蝕工藝：可大幅降低拋光液耗材費(fèi)用，減少化學(xué)排放。產(chǎn)品進(jìn)展方面，公司首臺(tái)無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備設(shè)備于 2019 年第四季度交付給客戶進(jìn)行驗(yàn)證，預(yù)計(jì) 2020H2 完成裝機(jī)與驗(yàn)收工作，并確認(rèn)收入。圖表14： 公司產(chǎn)品應(yīng)用于先進(jìn)封裝工藝中的清洗、涂膠、顯影、去膠、濕法刻蝕及拋光環(huán)節(jié)主要產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域濕法

34、刻蝕設(shè)備采用單片腔體對(duì)晶圓表面進(jìn)行濕法刻蝕，將一個(gè)完整工藝流程的所有藥液，純水以及干燥所用氣體管路均集成于一個(gè)腔體中設(shè)備占地小，化學(xué)品與純水消耗量少，工藝調(diào)整彈性高。可用于先進(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的濕法硅刻蝕和 UBM 的銅，鈦， 鎳，錫，金等金屬濕法刻蝕工藝。涂膠設(shè)備采用單片腔體對(duì)晶圓表面旋涂光刻膠，并在熱板與冷板中，完成后續(xù)的烘烤和冷卻工序；首創(chuàng)腔室自清洗功能，代替了傳統(tǒng)人工手動(dòng)拆卸清洗腔室的方法，避免了人工頻繁拆卸精密涂膠機(jī)臺(tái)對(duì)機(jī)臺(tái)的損害， 同時(shí)也大大提高清洗效率， 降低機(jī)臺(tái)維護(hù)成本，提高機(jī)臺(tái)的使用壽命?？捎糜谙冗M(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的正負(fù)膠和薄厚膠的涂膠工藝

35、。顯影設(shè)備采用單片腔體對(duì)晶圓表面噴灑顯影液，并對(duì)顯影液后的晶圓進(jìn)行清洗與干燥。該設(shè)備采用 Spray（噴射） 與 puddle（積液）相結(jié)合的顯影技術(shù)。可用于先進(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的顯影工藝。膠，主要產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域去膠設(shè)備該設(shè)備將槽式去膠與單片去膠整合，將浸泡工藝在槽體中完成，軟化并去除大部分厚膠，后續(xù)殘膠的去除，污染物及顆粒的去除則通過(guò)單片去膠完成，可彌補(bǔ)單片設(shè)備產(chǎn)能不足的缺點(diǎn)?？捎糜谙冗M(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的去膠工藝。先進(jìn)封裝刷洗設(shè)備采用單片腔體，對(duì)晶圓正背面噴淋化學(xué)藥液或去離子水實(shí)現(xiàn)清洗，輔助以物理刷子對(duì)晶圓進(jìn)行刷洗。可用于先進(jìn)封裝的 12 英寸及 8

36、 英寸晶圓的刷洗清洗工藝。無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備無(wú)應(yīng)力拋光技術(shù)（Ultra SFP）基于電化學(xué)原理，整合了無(wú)應(yīng)力拋光、化學(xué)機(jī)械研磨、和濕法刻蝕工藝可大幅降低拋光液耗材費(fèi)用，減少化學(xué)排放?？捎糜谙冗M(jìn)封裝的先進(jìn)封裝 3D TSV、2.5D，硅中介層、RDL、HD Fan-out 等。資料來(lái)源：盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力上，在先進(jìn)封裝濕法設(shè)備領(lǐng)域，中國(guó)境內(nèi)的同行業(yè)公司主要為北方華創(chuàng)、芯源微、至純科技等；境外的同行業(yè)公司主要為 Applied Materials、LAM、TEL、DNS 等國(guó)際巨頭。公司先進(jìn)封裝濕法設(shè)備相關(guān)產(chǎn)品與中國(guó)同行企業(yè)整體處在同一水平上。圖表15： 公司先進(jìn)封裝濕法設(shè)備與國(guó)內(nèi)

37、廠商競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)設(shè)備名稱技術(shù)特點(diǎn)與中國(guó)同行業(yè)相比與世界同行業(yè)相比濕法刻蝕設(shè)備可用于先進(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的濕法硅刻蝕和UBM 的銅、鈦 鎳、錫、金等金屬濕法刻蝕藝，采用單片腔體對(duì)晶圓表面進(jìn)行濕法刻蝕，將個(gè)完整工藝流程的所有藥液，純水以及干燥所用氣體管路均集成于一個(gè)腔體中設(shè)備占地小，化學(xué)品與純水消耗量少，工藝調(diào)整彈性高。、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力較弱涂膠設(shè)備可用于先進(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的正負(fù)膠和薄厚膠的涂膠工藝，采用單片腔體對(duì)晶圓表面旋涂光刻膠，并在熱板與冷板中，完成后續(xù)的烘烤和冷卻工序；首創(chuàng)腔室浸泡式自清洗功能，實(shí)現(xiàn)腔體內(nèi)的全方位無(wú)死角清洗，代替了傳統(tǒng)人工手動(dòng)拆卸

38、清洗腔室的方法，避免了人工頻繁拆卸精密涂膠機(jī)臺(tái)對(duì)機(jī)臺(tái)的損害，與此同時(shí)也大大提高了清洗效率降低了機(jī)臺(tái)維護(hù)成本，提高機(jī)臺(tái)的使用壽命。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)顯影設(shè)備可用于先進(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的顯影工藝，采用 Spray（噴射）與 puddle（積液）相結(jié)合的顯影技術(shù)，采用單片腔體對(duì)晶圓表面噴灑顯影液，并對(duì)顯影液后的晶圓進(jìn)行清洗與干燥。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力較弱去膠設(shè)備可用于先進(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的去膠工藝，該設(shè)備將槽式去膠與單片去膠整合，將浸泡工藝在槽體中完成，軟化并去除大部分厚市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力較弱后續(xù)殘膠的去除，污染物及顆粒的去除則通過(guò)單片去膠完成

39、可彌補(bǔ)單片設(shè)備產(chǎn)能不足的缺點(diǎn)先進(jìn)封裝刷洗設(shè)備可用于先進(jìn)封裝的 12 英寸及 8 英寸晶圓的刷洗清洗藝，采用單片腔體，對(duì)晶圓正背面噴淋化學(xué)藥液或去離子水實(shí)現(xiàn)清洗，輔助以物理刷子對(duì)晶圓進(jìn)行刷洗。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力較弱無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備用于先進(jìn)封裝 3DTSV2.5D 硅中介層、RDL、HD Fan-out 等，整合無(wú)應(yīng)力拋光、化學(xué)機(jī)械研磨、和濕法刻蝕工藝，在先進(jìn)封裝應(yīng)用中，可大幅降低拋光液耗材費(fèi)用，減少化學(xué)排放。同行業(yè)公司無(wú)此產(chǎn)品同行業(yè)公司無(wú)此產(chǎn)品資料來(lái)源：盛美股份，中信建投立式爐管設(shè)備：首先從 LPCVD 切入并向 ALD 設(shè)備應(yīng)用拓展立式爐是集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵工藝設(shè)備之一，可批式處理晶

40、圓，按照工藝壓力和應(yīng)用可以分為常壓爐和低壓爐兩類，常壓爐主要完成熱擴(kuò)散摻雜，薄膜氧化，高溫退火；低壓爐主要實(shí)現(xiàn)不同類型的薄膜在晶圓表面的沉積工藝，主要是多晶硅，氮化硅，氧化硅等薄膜。公司研發(fā)的立式爐管設(shè)備主要由晶圓傳輸模塊，工藝腔體模塊，氣體分配模塊，溫度控制模塊，尾氣處理模塊以及軟件控制模塊所構(gòu)成，針對(duì)不同的應(yīng)用和工藝需求進(jìn)行設(shè)計(jì)制造，首先集中在 LPCVD 設(shè)備，再向氧化爐和擴(kuò)散爐發(fā)展，最后逐步進(jìn)入到 ALD 設(shè)備應(yīng)用。公司的立式爐管設(shè)備己成功研發(fā)了首臺(tái)設(shè)備，并于 2020 年 4 月交付客戶進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試，根據(jù)公司預(yù)測(cè)，該設(shè)備預(yù)計(jì)在 2020 年下半年完成設(shè)備驗(yàn)收并確認(rèn)收入。圖表16： 公

41、司立式爐管設(shè)備可用于邏輯、存儲(chǔ)工藝中不同類型薄膜的沉積主要產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域立式爐管設(shè)備可進(jìn)行批次處理晶圓工藝，實(shí)現(xiàn)不同類型的非金屬薄膜在晶圓表面的沉積工藝，主要是多晶硅，氮化硅，氧化硅等薄膜?？捎糜谶壿嬰娐泛痛鎯?chǔ)電路中前道工藝中的多晶硅，氮化硅，氧化硅薄膜沉積。資料來(lái)源：盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投圖表17： 公司立式爐管設(shè)備可用于 28nm 及以上制程邏輯芯片生產(chǎn)序號(hào)設(shè)備名稱適用技術(shù)節(jié)點(diǎn)中國(guó)同行企業(yè)國(guó)際巨頭1立式爐管設(shè)備產(chǎn)品適用邏輯芯片 28nm 及以上無(wú)明顯差異應(yīng)用于 5nm 及以上生產(chǎn)線資料來(lái)源：盛美股份，中信建投產(chǎn)品受國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商認(rèn)可，客戶涵蓋存儲(chǔ)、代工、封裝等各類廠商公司

42、憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際竟?fàn)幜Φ陌雽?dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。公司主要客戶情況如下：圖表18： 公司產(chǎn)品受晶圓制造、先進(jìn)封裝等多領(lǐng)域知名客戶認(rèn)可序號(hào)客戶所屬領(lǐng)域客戶名稱1晶圓制造海力士、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際、合肥長(zhǎng)鑫2先進(jìn)封裝長(zhǎng)電科技、通富微電、中芯長(zhǎng)電、Nepes3半導(dǎo)體硅片制造及回收上海新昇、金瑞泓、臺(tái)灣合晶科技、臺(tái)灣昇陽(yáng)4科研院所中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、上海集成電路、華進(jìn)半導(dǎo)體資料來(lái)源：盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投集成電路制造企業(yè)對(duì)各類設(shè)備的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和可靠性有著嚴(yán)苛的要求，對(duì)設(shè)備供應(yīng)商的

43、選擇非常慎重。通常，集成電路制造企業(yè)會(huì)要求設(shè)備供應(yīng)商先提供設(shè)備產(chǎn)品供其測(cè)試，待通過(guò)內(nèi)部驗(yàn)證后（部分尚需取得其下游客戶的驗(yàn)證）,才正式簽訂采購(gòu)合同。而設(shè)備產(chǎn)品一旦驗(yàn)證通過(guò)并實(shí)際進(jìn)入生產(chǎn)線，將成為客戶建設(shè)下一條生產(chǎn)線的首選設(shè)備，不會(huì)被輕易更換。經(jīng)過(guò)多年的努力，公司憑借在清洗設(shè)備及半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)和服務(wù)優(yōu)勢(shì)，公司部分產(chǎn)品目前已經(jīng)通過(guò)驗(yàn)證并成為海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)、中芯國(guó)際等行業(yè)知名半導(dǎo)體企業(yè)的供應(yīng)商，進(jìn)入了該等客戶的多條生產(chǎn)線，取得了良好的市場(chǎng)口碑，與該等客戶建立了良好的信任關(guān)系。公司通過(guò)在上述集成電路制造企業(yè)的產(chǎn)品驗(yàn)證過(guò)程，對(duì)客戶的核心需求、技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)理解更為深刻，有助于在研發(fā)方

44、向的選擇上更加貼近客戶的需求。因此，公司目前已具備一定的客戶驗(yàn)證優(yōu)勢(shì)。由下表 2017-2019 年公司前五大客戶名單及其營(yíng)收占比可以看出，一方面，公司前五大客戶均為國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)，反映出公司產(chǎn)品質(zhì)量得到下游大型客戶認(rèn)可，客戶質(zhì)量較為優(yōu)質(zhì)；另一方面，2017-2019 年內(nèi)，公司向前五名最終客戶合計(jì)銷售額占當(dāng)期銷售總額的比例分別為 94.99%、92.49%和 87.33%。受半導(dǎo)體行業(yè)下游生產(chǎn)企業(yè)頭部效應(yīng)明顯以及公司采取先切入頭部客戶的發(fā)展戰(zhàn)略的影響，公司在 2017-2019 年間客戶集中度較高。不過(guò)在下游整體資本開支上升且公司前五大客戶營(yíng)收占比逐年下降的背景下，我們判斷公司的客戶結(jié)

45、構(gòu)不會(huì)為公司的營(yíng)收帶來(lái)較大的風(fēng)險(xiǎn)。2019 年度圖表19： 公司客戶質(zhì)量整體較高，且前五大客戶占比持續(xù)降低序號(hào)名稱金額占比1長(zhǎng)江存儲(chǔ)21,888.3428.92%2華虹集團(tuán)20,734.5927.40%3海力士15,193.3520.08%4長(zhǎng)電科技5,620.567.43%5中芯國(guó)際2,649.743.50%合計(jì)66,086.5887.33%2018 年度序號(hào)名稱金額占比2019 年度1長(zhǎng)江存儲(chǔ)18,735.8134.05%2華虹集團(tuán)15,314.1927.83%3海力士12,117.3222.02%4長(zhǎng)電科技2,536.224.61%5中芯國(guó)際2,188.163.98%2017 年度合計(jì)5

46、0,891.7092.49%序號(hào)名稱金額占比1海力士6,784.0326.75%2華虹集團(tuán)5,413.5121.35%3中芯國(guó)際5,097.3820.10%4長(zhǎng)江存儲(chǔ)4,389.5217.31%5長(zhǎng)電科技2,403.489.48%合計(jì)24,087.9294.99%資料來(lái)源：盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投股權(quán)結(jié)構(gòu)清晰，公司為美國(guó) ACMR 的核心運(yùn)營(yíng)子公司公司股權(quán)結(jié)構(gòu)清晰，公司實(shí)控人即為公司創(chuàng)始人截止 2020 年 6 月 1 日，美國(guó) ACMR 持有公司 91.67%的股權(quán)，為公司的控股股東。美國(guó) ACMR 通過(guò)公司股東大會(huì)行使股東權(quán)利；美國(guó) ACMR 的董事長(zhǎng)首席執(zhí)行官 HIUI WANG（王

47、暉）擔(dān)任公司董事長(zhǎng)，美國(guó) ACMR向公司提名董事席位，并通過(guò)董事會(huì)、股東大會(huì)推進(jìn)公司的全球發(fā)展及經(jīng)營(yíng)戰(zhàn)略的實(shí)施。公司實(shí)控人為 HUI WANG，其持有美國(guó) ACMR168,006 股 A 類股股票和 1,146,934 股 B 類股股票，合計(jì)持有美國(guó)ACMR 投票權(quán)不低于 35%，并通過(guò)美國(guó) ACMR 控制公司 91.67%的股權(quán)。HUI WANG 作為公司的董事長(zhǎng)，負(fù)責(zé)公司整體戰(zhàn)略規(guī)劃，并作為核心技術(shù)人員為公司的技術(shù)研發(fā)方向提供指導(dǎo)和支持。此外，上海集成電路產(chǎn)投、浦東產(chǎn)投、張江科創(chuàng)投為國(guó)有股東，分別持有 1.18%、1.18%、0.39%的公司股份；芯時(shí)咨詢和芯港咨詢均為員工持股平臺(tái)，分別持

48、有公司 0.46%和 0.19%的股份。公司下屬控股公司共五個(gè)，分別負(fù)責(zé)不同地區(qū)或不同類型的業(yè)務(wù)：1）香港清芯：負(fù)責(zé)半導(dǎo)體專用設(shè)備的銷售，公司出口業(yè)務(wù)銷售平臺(tái)；2）盛美無(wú)錫：負(fù)責(zé)半導(dǎo)體專用設(shè)備的售后服務(wù)，為公司部分客戶提供產(chǎn)品售后服務(wù)；3）盛帷半導(dǎo)體：擬從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，正在籌建中，未實(shí)際開展業(yè)務(wù)；4）盛美韓國(guó)：從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，為公司進(jìn)行半導(dǎo)體專用設(shè)備和零部件的研發(fā)，同時(shí)為公司采購(gòu)半導(dǎo)體專用設(shè)備的零部件；5）盛美加州：負(fù)責(zé)半導(dǎo)體專用設(shè)備零部件的采購(gòu)與銷售，為公司采購(gòu)半導(dǎo)體專用設(shè)備的零部件。圖表20： 截止上市前，美國(guó) AMCR 持有公司 91.67%的

49、股權(quán)資料來(lái)源: 盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投公司控股股東美國(guó) ACMR 為控股型公司，不從事實(shí)際業(yè)務(wù)。公司控股股東美國(guó) ACMR 于 1998 年 1 月在美國(guó)加利福尼亞州成立，2016 年 11 月，注冊(cè)在美國(guó)特拉華州的 ACM Research, Inc.（美國(guó) ACMR 全資子公司）重組吸收合并美國(guó) ACMR。重組完成后，原美國(guó)加利福尼亞州公司不再存續(xù)，注冊(cè)在美國(guó)特拉華州的 ACMResearch, Inc.繼續(xù)存續(xù)。美國(guó) ACMR 于 2017 年 11 月在美國(guó) NASDAQ 股票市場(chǎng)上市，股票代碼為 ACMR。美國(guó) ACMR 為控股型公司，持有盛美半導(dǎo)體 91.67%6 的股權(quán)和

50、ACM Research (Cayman), Inc.的 100%股權(quán)，美國(guó) ACMR 除持有上述公司股權(quán)外未實(shí)際從事其他業(yè)務(wù)，ACM Research (cayman) Inc.未實(shí)際從事業(yè)務(wù)。此外，公司設(shè)置有 A 類普通股和 B 類普通股兩類普通股，截至 2019 年 12 月 31 日，美國(guó) ACMR 發(fā)行的普通股合計(jì)數(shù)為 18,044,759 股。其中 A 類普通股合計(jì)為 16,182,151 股，B 類普通股合計(jì)為 1,862,608 股。每股 A類普通股擁有票投票權(quán)，每股 B 類普通股擁有 20 票投票權(quán)。A、B 類普通股除投票權(quán)差異外，無(wú)其他差異。圖表21： 公司普通股分為 A

51、類、B 類兩種，其中 B 類普通股享有每股 20 票的投資票類別數(shù)量(股)占比差別A 類普通股16,182,15189.68%每股擁有 1 票投票權(quán)B 類普通股1,862,60810.32%每股擁有 20 票投票權(quán)資料來(lái)源：盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投美國(guó) ACMR 設(shè)置 A、B 類股票的差異化表決安排，主要原因?yàn)椋篐UI WANG 可以通過(guò)持有投票權(quán)比例更高的 B 類普通股，保持其對(duì)美國(guó) ACMR 的控制，從而增強(qiáng)美國(guó) ACMR 作為半導(dǎo)體企業(yè)經(jīng)營(yíng)戰(zhàn)略的穩(wěn)定性和連續(xù)性。根據(jù)公司披露數(shù)據(jù)，截至 2019 年 12 月 31 日，HUI WANG 合計(jì)持有美國(guó) ACMR 42.24%投票權(quán)，通過(guò)

52、控制美國(guó) ACMR 實(shí)現(xiàn)了對(duì)盛美股份的控制。序號(hào)股東名稱/姓名A 類普通股股份數(shù)(股)B類普通股股份數(shù)(股)投票權(quán)比例1HUI WANG168,0061,146,93443.24%2SOPHIA WANG15,279117,3344.42%3BRIAN WANG117,3344.39%4HAIPING DUN285,030100,0004.28%5Shanghai Science and TechnologyVenture Capital Co., Ltd (上海科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司)1,666,1703.12%合計(jì)2,134,4851,481,60259.45%料來(lái)源：盛美股份，中信建投圖表

53、22： 截至 2019 年 12 月 31 日公司創(chuàng)始人 HUI WANG 合計(jì)持有美國(guó) ACMR43.24%投票權(quán)，為公司實(shí)控人資公司核心技術(shù)人員均具備行業(yè)相關(guān)學(xué)歷背景及多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)公司當(dāng)前核心技術(shù)人員共計(jì) 6 人，均具備相關(guān)專業(yè)學(xué)歷背景，并均具備半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域相關(guān)從業(yè)經(jīng)歷，能夠?yàn)樾庐a(chǎn)品的研發(fā)提供雄厚的人才支撐。此外，多位研發(fā)人員在盛美股份任職十余年以上，從而保證研發(fā)團(tuán)隊(duì)的長(zhǎng)期穩(wěn)定。姓名職務(wù)學(xué)歷背景工作背景研發(fā)方向HUI WANG董事長(zhǎng)精密工學(xué)專業(yè)博士1994 年 2 月至 1997 年 11 月，擔(dān)任美國(guó) Quester Technology Inc.研發(fā)部經(jīng)理。1998年 5 月至今任美

54、國(guó) ACMR 董事長(zhǎng)、首席執(zhí)行官、盛美半導(dǎo)體董事長(zhǎng)。王堅(jiān)總經(jīng)理機(jī)械專業(yè)碩士、計(jì)算機(jī)科學(xué)專業(yè)碩士1986 年 7 月至 1987 年 4 月任杭州西湖電視機(jī)廠技術(shù)員，1996 年 4 月至 1999 年 12 月任日本富士精版印刷株式會(huì)社技術(shù)員，2001年 12 月至 2019 年 4 月歷任盛美半導(dǎo)體工藝工程師、副總經(jīng)理，2019 年 5 月至今任盛美半導(dǎo)體總經(jīng)理成功研發(fā)無(wú)應(yīng)力銅拋光和電化學(xué)鍍銅技術(shù)，參與申請(qǐng)發(fā)明專利 100 余項(xiàng)，負(fù)責(zé)多項(xiàng)重大科研項(xiàng)目。陳福平副總經(jīng)理材料學(xué)專業(yè)碩士2006 年 4 月至 2010 年 1 月歷任海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司工程師、副經(jīng)理，2010年 1 月至

55、2017 年 12 月歷任盛美半導(dǎo)體項(xiàng)目經(jīng)理、技術(shù)經(jīng)理、技術(shù)總監(jiān)、資深總監(jiān)。2018年 1 月至今任盛美半導(dǎo)體副總經(jīng)理，參與并成功研發(fā)了先進(jìn)封裝濕法設(shè)備、 SAPS 單片清洗設(shè)備、TEBO 單片清洗設(shè)備 Tahoe 單片槽式組合清洗設(shè)備、全自動(dòng)槽式清洗設(shè)備，期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文 5 篇，參與申請(qǐng)發(fā)明專利 100 余項(xiàng)。SOTHEARA CHEAV副總經(jīng)理電子技術(shù)專業(yè)學(xué)士2007 年 3 月至 2014 年 12 月歷任盛美半導(dǎo)體制造部經(jīng)理、制造部總監(jiān)。2015 年 1 月至今任盛美半導(dǎo)體副總經(jīng)理。王俊電氣工程副總裁電子與通信工程專業(yè)碩士2007 年 5 月至 2020 年 4 月歷任盛美半導(dǎo)體電氣

56、工程經(jīng)理、高級(jí)經(jīng)理、電氣工程總監(jiān)，2020 年 5 月至今任盛美半導(dǎo)體電氣工程副參與TEBO 單片清洗設(shè)備和Tahoe 單片槽式組合清洗設(shè)備相關(guān)專利申請(qǐng)，負(fù)責(zé)中國(guó) 02科技重大專項(xiàng)研發(fā)項(xiàng)目“65-45nm 銅互連無(wú)圖表23： 核心技術(shù)人員均具備相關(guān)專業(yè)學(xué)歷以及多年從業(yè)經(jīng)歷、姓名職務(wù)學(xué)歷背景工作背景研發(fā)方向總裁，負(fù)責(zé)所有設(shè)備電氣控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與團(tuán)隊(duì)建設(shè)。應(yīng)力拋光設(shè)備研發(fā)”、“20-14nm 銅互連鍍銅設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”及上海市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重大項(xiàng)目“單片槽式組合清洗機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目電氣控制系統(tǒng)的開發(fā)。李學(xué)軍售后服務(wù)副總裁電氣自動(dòng)化專業(yè)學(xué)士2009 年 5 月至 2020 年 4 月歷任盛美半導(dǎo)

57、體售后服務(wù)經(jīng)理、高級(jí)經(jīng)理、售后服務(wù)總監(jiān)， 2020 年 5 月至今任盛美半導(dǎo)體售后服務(wù)副總裁，負(fù)責(zé)為客戶提供技術(shù)服務(wù)及售后服務(wù)團(tuán)隊(duì)建設(shè)。參與半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)技術(shù)研發(fā)及專利申請(qǐng)，為公司主要客戶提供產(chǎn)品技術(shù)支持和解決方案，專注提升客戶生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。資料來(lái)源：盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投二、主營(yíng)業(yè)務(wù)突出，持續(xù)高研發(fā)投入等構(gòu)筑公司全球競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)2.1 公司收入保持高速增長(zhǎng)，其中清洗設(shè)備營(yíng)收占比持續(xù)保持在 80%以上2.1.1 公司 2017-2019 年收入/歸母凈利 CAGR 分別為 72.25%/250.32%近年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)總體保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)、下游新興需求不斷涌現(xiàn)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移

58、、客戶資本性支出增加，半導(dǎo)體專用設(shè)備的需求持續(xù)增長(zhǎng)。同時(shí)，中國(guó)半導(dǎo)體專用設(shè)備進(jìn)口替代趨勢(shì)日益明顯。公司憑借技術(shù)與工藝積累、新產(chǎn)品開發(fā)能力、豐富的產(chǎn)品線、產(chǎn)品品質(zhì)、客戶資源等方面的優(yōu)勢(shì)，2017-2019 年?duì)I業(yè)收入保持快速增長(zhǎng)。2017-2019 年，公司營(yíng)業(yè)收入分別為 2.53/5.50/7.56 億元，呈逐年增長(zhǎng)的趨勢(shì)，三年復(fù)合增長(zhǎng)率為 72.75%；歸母凈利潤(rùn)分別為 0.11/0.93/1.35 億元，同樣保持高速增長(zhǎng)趨勢(shì)，三年復(fù)合增長(zhǎng)率為 250.32%圖表24： 公司營(yíng)收保持 CAGR72.75%高增速圖表25： 公司歸母凈利潤(rùn)保持 CAGR250.32%高增速營(yíng)業(yè)收入(億元)同比增

59、速凈利潤(rùn)(億元)同比增速8 7.56160%1.5745.45%1.35800%642.53205.50117.39%120%80%37.45% 40%0%1.00.50.00.110.93600%400%200%45.16% 0%201720182019201720182019資料來(lái)源: 盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投資料來(lái)源: 盛美股份招股說(shuō)明書，中信建投主營(yíng)業(yè)務(wù)突出，半導(dǎo)體清洗設(shè)備/單片清洗設(shè)備營(yíng)收占比保持在 80%/70%以上2017-2019 年，公司清洗設(shè)備收入占比較高且增長(zhǎng)較快，為公司的主要收入來(lái)源。其占比分別為 86.27%、92.91%、84.10%，三年間持續(xù)保持在 80%以

60、上。公司清洗設(shè)備收入又主要來(lái)自于單片清洗設(shè)備，2017-2019 年間，單片清洗設(shè)備在公司營(yíng)收中占比 86.27%、92.91%、84.10%，均高于 70%，為公司主力單品。此外，公司前道刷洗設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備和立式爐管設(shè)備均己成功研發(fā)了首臺(tái)設(shè)備，并順利進(jìn)入客戶端驗(yàn)證，2017-2019 年期間尚未實(shí)現(xiàn)銷售收入。圖表26： 清洗設(shè)備占比始終在 80%以上項(xiàng)目2017 年度2018 年度2019 年度金額(萬(wàn)元)占比金額(萬(wàn)元)占比金額(萬(wàn)元)占比半導(dǎo)體清洗設(shè)備21,492.4886.27%50,135.9692.91%62,522.3084.10%其中：?jiǎn)纹逑丛O(shè)備21,492.4886.