2022更新電大【光伏電池材料】形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案

1、最新電大光伏電池材料形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案100%通過(guò)考試說(shuō)明：光伏電池材料形考共有4個(gè)任務(wù)。任務(wù)1至任務(wù)4是客觀題，任務(wù)1至任務(wù)4需在考試中多次抽取試 卷，直到出現(xiàn)01任務(wù)_0001、02任務(wù)_0001、03任務(wù)_0001、04任務(wù)_0001試卷，就可以按照該套試卷答案答題。做考 題時(shí)，利用本文檔中的查找工具，把考題中的關(guān)鍵字輸?shù)讲檎夜ぞ叩牟檎覂?nèi)容框內(nèi)，就可迅速查找到該題答案。本文 庫(kù)還有其他教學(xué)考一體化答案，敬請(qǐng)查看。01任務(wù)01 任務(wù) _0001一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。）1.關(guān)于四氯化硅以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）無(wú)色而有刺鼻氣味的液體熔點(diǎn)-70C,沸點(diǎn) 57. 6

2、C可以經(jīng)吸入、食入、經(jīng)皮吸收，對(duì)眼睛及上呼吸道有強(qiáng)烈刺激作用不溶于苯、氯仿、石油蟋等多數(shù)有機(jī)溶劑2.觀察晶體中位錯(cuò)最簡(jiǎn)單的方法是（）。浸蝕觀察法透射電鏡法手觸感覺(jué)法肉眼觀察法3.室溫一個(gè)大氣壓下，液態(tài)水的自由度為（）。 TOC o 1-5 h z 12304.西門子法作為硅的提純工藝，所用的原料主要是（）99. 9999% （6個(gè)9）的為太陽(yáng)能級(jí)硅99. 999999999% （11個(gè)9）的為電子級(jí)硅95%-99%的冶金級(jí)硅P型硅半導(dǎo)體5.二元相圖通常采用（）的坐標(biāo)系。溫度-壓力（T-p）圖溫度-濃度（T-x）圖三棱柱模型壓強(qiáng)-濃度（p-x）圖6.關(guān)于硅單質(zhì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。原子晶體，是深灰色

3、而帶有金屬光澤的晶體熔點(diǎn)為1420C，沸點(diǎn)為2355C在常壓下具有金剛石型結(jié)構(gòu)具有類似金屬的塑性7.以下（）不是自然界中的硅同位素。 TOC o 1-5 h z 28Si29Si30Si32Si8.關(guān)于二氧化硅以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）制造冶金硅的主要原料之一能與HF反應(yīng)Si02不溶于水，但能于熱的濃堿溶液反應(yīng)生成硅酸鹽,反應(yīng)較快石英是地殼中分布很少的礦物9.雜質(zhì)原子與基體原子尺寸相當(dāng)，容易形成（）空位置換原子間隙原子位錯(cuò)10.關(guān)于位錯(cuò)密度說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。是單位體積晶體中所包含的位錯(cuò)線總長(zhǎng)度也可理解為穿越單位截而積的位錯(cuò)線的數(shù)目位錯(cuò)密度大或小，相應(yīng)材料的力學(xué)性能均較佳通常情況下制得位錯(cuò)密度較小的材

4、料二、判斷題（共10道試題，共20分。）1.在絕對(duì)溫度零度和無(wú)外界激發(fā)的條件下，硅晶體沒(méi)有自由電子存在，完全不導(dǎo)電。錯(cuò)誤正確2.可很方便制備得到位錯(cuò)很少的多晶硅片。錯(cuò)誤正確3.硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價(jià)鍵。錯(cuò)誤正確4.點(diǎn)缺陷的平衡濃度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。錯(cuò)誤正確5.硅在地殼中的豐度為25. 90%,僅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。錯(cuò)誤正確6.柏氏矢量說(shuō)明了畸變發(fā)生在什么晶向，是一個(gè)沒(méi)有大小的量。錯(cuò)誤正確7.內(nèi)能是隨缺陷增加而增加的，所以空位越多越不穩(wěn)定。錯(cuò)誤正確8.硅烷就是甲硅烷。錯(cuò)誤正確9.硅是通過(guò)自由電子導(dǎo)電的，所以載流子就是自由電子。錯(cuò)誤正確10.刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的判斷可以

5、通過(guò)晶體發(fā)生局部滑移 的方向是與位錯(cuò)線垂直還是平行來(lái)區(qū)分。錯(cuò)誤正確三、連線題（共10道試題，共30分。）1.將晶體的特性與解釋一一對(duì)應(yīng)。（1）各向異性A.晶體常具有沿某些確定方位的晶而劈裂的性質(zhì)（2）長(zhǎng)程有序B.粒子排列具有三維周期性、對(duì)稱性（3）解理性C.在不同方向上，晶體的物理性質(zhì)不同，如 電阻率、導(dǎo)電性能、導(dǎo)熱性能、介電常數(shù)、光的折射、彈性、硬度等電子級(jí)硅 A. 99. 9999%A兩組元在砂、固態(tài)都無(wú)隊(duì)互君.B ct-盡C. L*m TOC o 1-5 h z CBA2.將晶體結(jié)構(gòu)與晶胞中原子數(shù)一一對(duì)應(yīng)。簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)A. 4體心立方結(jié)構(gòu)B. 2面心立方結(jié)構(gòu)C. 1 TOC o 1-5

6、h z CBA3.將各種硅化合物與描述一一對(duì)應(yīng)。二氧化硅A.沸點(diǎn)31.5C,室溫下無(wú)色透明液體三氯氧硅B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質(zhì)和進(jìn) 行篩分得到四氯化硅C.在潮濕空氣中與水蒸氣發(fā)生水解作用會(huì) 產(chǎn)生煙霧 TOC o 1-5 h z BAC4.將相冒與特點(diǎn)對(duì)應(yīng)(1)海榴-)北晶相囹 TOC o 1-5 h z ABC5.將硅材料與描述一一對(duì)應(yīng)。冶金級(jí)硅 B. 99. 999999999%太陽(yáng)能級(jí)硅C. 95%-99% TOC o 1-5 h z BCA6.將晶體生長(zhǎng)方式與實(shí)例一一對(duì)應(yīng)。固相生長(zhǎng)A.水汽凝結(jié)為冰晶液相生長(zhǎng)B.鹽水溶液結(jié)晶汽相生長(zhǎng)C.石墨在高溫高壓的條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸?TOC

7、o 1-5 h z CBA7.將各種硅化合物與作用一一對(duì)應(yīng)。二氧化硅A.可作為西門子法提純硅材料的中間產(chǎn)物三氯氫硅B.制造冶金硅的主要原料之一甲硅烷C.大量地用于制高純硅，高溫易熱解 TOC o 1-5 h z BAC8.將各類晶體缺陷與實(shí)例一一對(duì)應(yīng)。點(diǎn)缺陷A.位錯(cuò)線缺陷B.空位而缺陷C.相界 TOC o 1-5 h z BAC9.將硅的用途與性質(zhì)一一對(duì)應(yīng)。二極管A.通過(guò)掩蔽、光刻、擴(kuò)散等工藝，可在一個(gè) 或幾個(gè)很小的硅晶片上集結(jié)成一個(gè)或幾個(gè)完整的電路集成電路B.可以把光能轉(zhuǎn)化成電能光電池C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波 TOC o 1-5 h z CAB10.將各種硅化合物與熔沸點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)

8、。四氯化硅A.熔點(diǎn)-185C，沸點(diǎn)-111. 8C三氯氫硅B.熔點(diǎn)-70C,沸點(diǎn)57. 6C甲硅烷C.熔點(diǎn)-128C，沸點(diǎn)31.5C TOC o 1-5 h z BCA四、不定項(xiàng)選擇題(共10道試題，共30分。)1.關(guān)于硅的電阻率說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。在高純硅中摻入極微量的電活性雜質(zhì)，其電阻率會(huì)顯著 下降硅的電導(dǎo)率對(duì)外界因素(如光、熱、磁等)高度敏感N型半導(dǎo)體中也有自由電子，但數(shù)量很少，稱為少數(shù)載 流子N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力都比本征半導(dǎo)體大得多2.關(guān)于石英說(shuō)法錯(cuò)誤的是()O與晶體硅一樣是原子晶體每個(gè)硅原子以SP3雜化形式同四個(gè)氧原子結(jié)合，形成Si04四而體結(jié)構(gòu)單元由一個(gè)個(gè)的簡(jiǎn)單Si02分

9、子組成石英砂開(kāi)采、加工成本較低3.下列屬于晶體的宏觀特性的有()長(zhǎng)程有序固定熔點(diǎn)解理性各向異性4.金剛石結(jié)構(gòu)的晶胞中原子數(shù)為()，配位數(shù)為()o TOC o 1-5 h z 4、48、48、812、45.兩側(cè)晶粒位向差為1的晶界屬于()。亞晶界小角度晶界大角度晶界刃位錯(cuò)6.不能用于區(qū)分晶體與非晶體的是()原子排練是否有序是否具有確定的熔點(diǎn)密度的大小熔點(diǎn)的高低7.關(guān)于固溶體與中間相說(shuō)法錯(cuò)誤的是()O某一組元作為溶劑，其他組元為溶質(zhì)，所形成的與溶劑 有相同晶體結(jié)構(gòu)、晶格常數(shù)稍有變化的固相，稱為固溶體形成的新相的晶體結(jié)構(gòu)不同于任一組元，新形成的固相 叫中間相固熔體一般具有較高的熔點(diǎn)及硬度Cu-Ni合

10、金屬于中間相8.關(guān)于臨界晶核說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。當(dāng)晶胚的尺寸小于臨界晶核，晶胚不穩(wěn)定，難以長(zhǎng)大， 最終熔化而消失晶胚的尺寸大于臨界晶核，晶胚就成為穩(wěn)定的晶核而后 繼續(xù)長(zhǎng)大均勻形核與非均勻形核的臨界晶核大小不同臨界半徑與過(guò)冷度AT無(wú)關(guān)9.關(guān)于硅的鹵化物說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。都是無(wú)色的都是共價(jià)化合物一般都是無(wú)毒的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都比較低10.解理而通常是晶面間距較大的晶面。在金剛石結(jié)構(gòu)中，下 而晶而的晶而間距最大的是（）。 TOC o 1-5 h z （111）（100（110）（12002任務(wù)02 任務(wù)_0001一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。）關(guān)于采用區(qū)域提純法去除硅中硼雜的區(qū)域提純雜質(zhì)描 述正確

11、的是（）幾乎無(wú)法效果去除效果一般完全去除取決于溫度效果顯著取決于硼的含量占據(jù)晶格間隙位置的雜質(zhì)原子為（）。間隙雜質(zhì)原子替位雜質(zhì)原子本征點(diǎn)缺陷原生長(zhǎng)缺陷3.在工業(yè)硅的生產(chǎn)爐中，溫度在2000C以上的部分，（）o只有熔煉過(guò)程中生成的SiC底下是SiC,其上面是產(chǎn)品工業(yè)硅全部都是產(chǎn)品工業(yè)硅以上皆不是生產(chǎn)直拉單晶硅生產(chǎn)時(shí)，單晶爐內(nèi)需要通入（）作為保護(hù)氣體爐體內(nèi)通常是（）。常壓的空氣氧氣低壓的空氣低壓的氧氣低壓的氮?dú)鈿錃馓?yáng)電池用直拉單晶硅中的主要缺陷是（）?？瘴浑s質(zhì)原子位錯(cuò)二次缺陷金剛石結(jié)構(gòu)的晶體中位錯(cuò)滑移最容易產(chǎn)生的滑移而是（）。110而111而100面101）面Dash I藝主要解決的是（）。加入

12、轉(zhuǎn)晶減少缺陷（位錯(cuò)）放肩熱應(yīng)力CZ法生長(zhǎng)單晶硅工藝依次有加料、熔化以及（）o放肩生長(zhǎng)、縮頸生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)、尾部生長(zhǎng)等徑生長(zhǎng)、縮頸生長(zhǎng)、放肩生長(zhǎng)、尾部生長(zhǎng)縮頸生長(zhǎng)、放肩生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)、尾部生長(zhǎng)縮頸生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)、放肩生長(zhǎng)、尾部生長(zhǎng)吸附時(shí)不發(fā)生任何化學(xué)變化，是（）。化學(xué)吸附不可逆過(guò)程物理吸附以上皆不是區(qū)熔法制備單晶硅時(shí)，需要（）。不需要堪垠需要一個(gè)石英垠垠用于溶化需要一個(gè)石英增垠和一個(gè)石墨增垠需要一個(gè)石墨垢垠二、不定項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。）關(guān)于對(duì)czCZ法和fzFZ法說(shuō)法描述正確的是（）。生長(zhǎng)時(shí)都需借助要采用籽晶熔化時(shí)都需要采用培垠都需要采用真空氣氛保護(hù)都需要使用縮頸工藝磷在硅中很容易

13、去除，在于（）。磷在硅熔液中很快得到蒸發(fā)磷的密度小磷在硅中的分配系數(shù)小于1磷的熔點(diǎn)低無(wú)i#垠區(qū)域提純（）o也可用于晶體生長(zhǎng)避免了增垠的污染熔硅不會(huì)流動(dòng)是由于其很大的表面張力硅也能采用水平區(qū)域提純法化學(xué)法提純高純多晶硅的工藝包括（）。中間化合物的合成中間化合物的分離提純中間產(chǎn)物被還原或者是分解成高純硅還原成高純硅區(qū)域提純關(guān)于完全互溶的A、B雙組分的溶液與其混合蒸汽所組 成的相圖，說(shuō)法正確的是（）。被兩條曲線分為三個(gè)區(qū)域降溫到液相線上，正好產(chǎn)生第一個(gè)氣泡，故液相線又稱 為泡點(diǎn)曲線升溫到氣相線上，正好產(chǎn)生第一個(gè)氣泡，故氣相線又稱 為泡點(diǎn)曲線降溫到液相線，產(chǎn)生第一個(gè)液滴，故液相線稱為露點(diǎn)曲 線關(guān)于晶轉(zhuǎn)

14、說(shuō)法正確的是（）。晶體和增垠的旋轉(zhuǎn)方向相同，以改善熱場(chǎng)的對(duì)稱性吊索和晶體出現(xiàn)共振時(shí)效果最好過(guò)高的晶轉(zhuǎn)會(huì)使固液界的形狀太凹在某些晶轉(zhuǎn)下，棱線或者小平而與直徑的讀取同步，引 起直徑的讀值和拉速的大幅度跳動(dòng)具有金剛石結(jié)構(gòu)的的晶體中的解理而包括位錯(cuò)線的優(yōu) 先方向?yàn)椋ǎ?00晶向晶而族211211晶面族晶向（111晶面族111晶向210）晶向110晶面族直拉單晶爐的主室包括（）。石英堪垠石墨塔垠石墨加熱器熱絕緣筒和地盤工業(yè)吸附對(duì)于吸附劑的要求包括（）。具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大選擇性高具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，抗磨損有良好的物理及化學(xué)性能，耐熱沖擊，耐腐蝕以下對(duì)吸附描述正確的是升溫和降壓有助于（）。物理.

15、吸附的進(jìn)行吸附是可逆的脫咐的進(jìn)行物理吸附是不可逆的升溫對(duì)于物理吸附影響很小化學(xué)吸附是可逆的化學(xué)吸附是不可逆的降壓只是讓水蒸氣更容易揮發(fā)三、判斷題(共10道試題，共20分。)FZ硅占領(lǐng)了 85%以上的硅單晶市場(chǎng)。錯(cuò)誤正確冶金法制備高純多晶硅與改良西門子法相比，前者的成 本更低，但是電耗更多。錯(cuò)誤正確只通過(guò)濕法冶金技術(shù)來(lái)提純硅材料，是很難將工業(yè)硅提 純到滿足制作太陽(yáng)能電池所需的要求。錯(cuò)誤正確4 .化學(xué)吸附是放熱過(guò)程，而物理吸附是吸熱過(guò)程。錯(cuò)誤正確改良西門子法是一個(gè)閉路循環(huán)系統(tǒng)，多晶硅生產(chǎn)中的各種無(wú)聊得到充分的利用，排出的廢料極少。錯(cuò)誤正確改良西門子法能對(duì)產(chǎn)生的氫氣、氯化氫、氯硅烷等副產(chǎn) 物進(jìn)行回收

16、利用。錯(cuò)誤正確硅是自然界分布最廣泛的元素之一，是介于金屬和非金 屬之間的半金屬。錯(cuò)誤正確分子篩具有極性，對(duì)非極性分子具有較強(qiáng)的親和力。錯(cuò)誤正確MCZ法磁致粘滯性控制了流體的運(yùn)動(dòng)，也減少了熔體的 溫度波動(dòng)。錯(cuò)誤正確改良西門子法的原料主要是硅石。錯(cuò)誤正確四、連線題(共10道試題，共30分。)1.將化學(xué)反應(yīng)與作用一一對(duì)應(yīng)。SiHC13+H2Si+3HC1A.中間產(chǎn)物的合成Si+3HC1 一SiHC13+H2B.工業(yè)硅的合成3SiO2+2SiC=Si+4SiO t +2C0 t C.中間產(chǎn)物的還原 TOC o 1-5 h z CAB2.將元素及其在硅熔體中的分凝系數(shù)一一對(duì)應(yīng)。0A. 1.25CB. 0

17、. 07BC. 0. 8 TOC o 1-5 h z ABC3.將Cz法中的設(shè)備與描述一一對(duì)應(yīng)。石英增堪A.底部比較厚，以起到較好的絕熱效果石墨增垠B.電阻會(huì)隨著使用次數(shù)的增加而升高石墨加熱器C.純度和耐熱性能要求很搞7. TOC o 1-5 h z CAB4.將工業(yè)硅生產(chǎn)過(guò)程中的注意事項(xiàng)與作用一一對(duì)應(yīng)。保持適宜的Si02與碳的分子比A.避免爐內(nèi)過(guò)熱造 成硅的揮發(fā)或再氧化生成SiO保證反應(yīng)區(qū)有足夠高的溫度B.分解生成的SiC使反 應(yīng)向有利于生成硅的方向進(jìn)行及時(shí)搗爐，幫助沉料C.防止過(guò)多的SiC生成 TOC o 1-5 h z CBA5.將氧的存在方式及其描述一一對(duì)應(yīng)。熱施主A.熱處理溫度處于5

18、50850C新施主B.處理溫度處于300500C氧沉淀C.適當(dāng)?shù)臏囟认逻M(jìn)行熱處理時(shí)會(huì)脫溶 TOC o 1-5 h z BAC6.將FZ單晶硅中的雜質(zhì)與描述一一對(duì)應(yīng)。0A.危害大CB.濃度低，影響小NC.增強(qiáng)機(jī)械性能 TOC o 1-5 h z ABC將工藝與提純方法對(duì)應(yīng)。硅烷法A.精儒改良西門子法B.吸附冶金C.物理提純 TOC o 1-5 h z BAC8.將Cz法中的工藝與描述一一對(duì)應(yīng)。縮頸生長(zhǎng)A.減少位錯(cuò)放肩生長(zhǎng)B.硅片取材的部位等徑生長(zhǎng)C.肩部夾角接近180 ,這樣可以提高多 晶硅的利用率 TOC o 1-5 h z ACB9.將工業(yè)硅的應(yīng)用與用量一一對(duì)應(yīng)。生產(chǎn)合金A. 5%有機(jī)硅B.

19、 40%半導(dǎo)體器件和太陽(yáng)能電池C. 55% TOC o 1-5 h z CBA10.將吸附的設(shè)備與工藝一一對(duì)應(yīng)。流體和固體吸附劑置于同一容器內(nèi)A.半連續(xù)操固定吸附床B.連續(xù)操作移動(dòng)吸附器C.間歇操作 TOC o 1-5 h z cAB03任務(wù)03 任務(wù)_0001一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。）1.硅片中磷擴(kuò)散進(jìn)行摻雜的原料是（）OPH3PH5 TOC o 1-5 h z P0C13B2032.生產(chǎn)1kg鑄造多晶硅所需的能耗是（）kWho3018 408 15以上都不對(duì)3.最常用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率的方法是（）。擴(kuò)展電阻法四探針?lè)▋商结樂(lè)ǚ兜卤し?.一般制造一個(gè)重量為250300kg

20、的鑄造多晶硅錠需要（） 時(shí)間。3545h2535h5565h15 25h5.用于測(cè)試硅片中少數(shù)載流子類型的測(cè)試是（）。四探針?lè)╔射線法整流法顯微鏡觀察法6.鑄造多晶硅制備目前最常用的方法是（）o布里奇曼法電磁鑄錠法澆鑄法熱交換法7.電磁鑄錠法說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。熔體與增垠不直接接觸電磁力對(duì)硅熔體的作用，可能使硅熔體中摻雜劑的分布更為均勻硅錠中晶粒較細(xì)小較少晶體缺陷8.硅的熔點(diǎn)約為（）。1200C800C2200C1420C9.鑄造多晶硅的晶粒的大小一般為（）。10cm左右1mm左右100p m 左右lOinni 左右10.單晶硅片的電阻率一般控制在（）。24 cm左右0. 52 cm左右0. 1

21、 0. 3 cm 左右13 cm左右二、不定項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。）硅片清洗的作用是（）。提高絕緣性能去除邊緣腐蝕時(shí)的油污、水氣、灰塵降低雜質(zhì)離子對(duì)P-N結(jié)性能的影響降低雜質(zhì)的存在帶來(lái)的硅片的電阻率不穩(wěn)定2.以下哪些工藝是熱交換法制備多晶硅必須的（）O化料晶體生長(zhǎng)退火堪鍋噴涂3.鑄造多晶硅相對(duì)于直拉單晶硅的優(yōu)點(diǎn)有（）。材料利用率高能耗小成本低轉(zhuǎn)換效率高4.金屬雜質(zhì)的吸雜工藝一般包括（）。升溫熔化金屬雜質(zhì)原金屬沉淀的溶解金屬原子的擴(kuò)散金屬雜質(zhì)在吸雜點(diǎn)處的重新沉淀5.澆鑄法的缺點(diǎn)在于（）O熔融和結(jié)晶使用不同的增垠，會(huì)導(dǎo)致二次污染有增垠翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)及引錠機(jī)構(gòu)，使得其結(jié)構(gòu)相對(duì)較復(fù)雜生產(chǎn)效率低能

22、耗高6.多晶硅錠的低質(zhì)量區(qū)雜質(zhì)較多是由于（）O與增垠接觸部分引入了雜質(zhì)晶粒尺寸較小晶體凝固的分凝作用熱應(yīng)力7.太陽(yáng)電池用單晶硅的切片通常采用（）。外圓切割機(jī)內(nèi)圓切割機(jī)線切割帶式切割機(jī)8.按照硅的存在形式，可將硅基太陽(yáng)電池分為（）。多晶硅太陽(yáng)電池單晶硅太陽(yáng)電池非晶硅太陽(yáng)電池化合物太陽(yáng)電池9.影響鑄造多晶硅晶體生長(zhǎng)的主要因素包括（）。固液界面熱應(yīng)力來(lái)自增垠的污染等保護(hù)氣氛10.鑄造多晶硅的制備方法有（）。布里奇曼法熱交換法電磁鑄錠法澆鑄法三、判斷題(共10道試題，共20分。)目前的技術(shù)，大規(guī)模生產(chǎn)制造P型摻硼鑄造多晶硅、摻 鐐的P型鑄造多晶硅都是沒(méi)有問(wèn)題的。錯(cuò)誤正確2.與高純石英增垠相比，高純石墨

23、垠垠的成本更低，但更可 能引入碳污染和金屬雜質(zhì)污染。錯(cuò)誤正確硅錠與增垠壁接觸的底部與四周都是晶粒較大的區(qū)域。錯(cuò)誤正確通常晶體的生長(zhǎng)速率越快，生產(chǎn)效率越高，但其溫度梯 度也越大，最終導(dǎo)致熱應(yīng)力越大，而高的熱應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致高 密度的位錯(cuò)，嚴(yán)重影響材料的質(zhì)量。錯(cuò)誤正確直流光電導(dǎo)衰退法可用于測(cè)量少子壽命，不需要接觸硅 片。錯(cuò)誤正確影響鑄造多晶硅晶體生長(zhǎng)的主要因素是晶粒尺寸、固液 界而、熱應(yīng)力、來(lái)自增垠的污染等。錯(cuò)誤正確多晶硅錠中晶粒越細(xì)小，晶界越少。錯(cuò)誤正確澆鑄法是很有應(yīng)用前景的鑄造多晶硅生產(chǎn)的新技術(shù)。錯(cuò)誤正確熱交換法的鑄錠爐底部不需要水冷。錯(cuò)誤正確純凈的晶界也具有電活性，會(huì)影響多晶硅的電學(xué)性能。錯(cuò)誤正確

24、四、連線題(共10道試題，共30分。)1.將化學(xué)反應(yīng)與作用一一對(duì)應(yīng)。3Si+4HNO3=3SiO2 I +2H20+4N0 t A.去除硅表面的致 密保護(hù)膜Si02+6HF=H2SiF6+2H20B.堿腐蝕Si +H20+2Na0H=Na2Si03+2H2 t C.酸腐蝕 TOC o 1-5 h z ACB2.將制備方法與描述一一對(duì)應(yīng)。布里曼法A.增垠需升降熱交換法B.固液界而比較平穩(wěn)澆鑄法C.焰化和結(jié)晶在兩個(gè)不同的增垠中進(jìn)行 TOC o 1-5 h z ABC3.將測(cè)試方法與作用一一對(duì)應(yīng)。整流法A.少子壽命四探針?lè)˙.電阻率光電導(dǎo)衰退法C.導(dǎo)電型號(hào) TOC o 1-5 h z CBA4.將清

25、洗時(shí)試劑與作用一一對(duì)應(yīng)。無(wú)機(jī)酸A.去除鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質(zhì)有機(jī)溶劑B.對(duì)一些難溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)過(guò)氧化氫C.相似相溶 TOC o 1-5 h z ACB5.將各工藝與能耗一一對(duì)應(yīng)。區(qū)熔單晶硅A.815kWh/Kg直拉單晶硅B. 1840kWh/Kg鑄造多晶硅C. 30kWh/Kg TOC o 1-5 h z CBA6.將吸雜工藝與描述一一對(duì)應(yīng)。磷吸雜A.去除磷硅玻璃，將其中的金屬雜質(zhì)一并去 除鋁吸雜B.利用濺射、蒸發(fā)等技術(shù)制備一薄層，熱處 理合金化磷-鋁共吸雜C.除雜效果最佳 TOC o 1-5 h z ACB7.將硅片參數(shù)與作用一一對(duì)應(yīng)。BOWA.彎曲度TTV

26、B.平整度的一種量度TIRC.總厚度偏差A(yù)CB8.將各種硅生產(chǎn)工藝與特點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。mc-SiA.生產(chǎn)成本最高cz-SiB.對(duì)硅料的要求一般fz-SiC.轉(zhuǎn)換效率一般最低 TOC o 1-5 h z CBA9.將硅中的各種元素與影響一一對(duì)應(yīng)。BA.危害較大0B.有鈍化效果HC.特意加入，形成摻雜 TOC o 1-5 h z CAB10.將拋光工藝與描述一一對(duì)應(yīng)。機(jī)械拋光法A.現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中普遍應(yīng)用化學(xué)拋光法B.采用細(xì)磨料顆料化學(xué)一機(jī)械拋光法C.硝酸與氫氟酸混合腐蝕液 TOC o 1-5 h z BCA04任務(wù)04 任務(wù)_0001一、單項(xiàng)選擇題(共10道試題，共20分。)1.銅錮保硒薄膜太陽(yáng)電池

27、最高轉(zhuǎn)換效率的記錄()O25%10. 1%19. 4%16. 7%2.二氧化鈦的幾種晶體結(jié)構(gòu)中最適合用于太陽(yáng)電池的是（）。金紅石銳鈦礦板鈦礦都差不多3.非晶硅的PIN結(jié)構(gòu)的P部分是采用（）形成的。PH3 加 BH3SiH4 加 PH3SiH4 加 B2H6SiH4 加 BH34.非晶硅的禁帶寬度為（）。1. 5eV,并且在一定程度上可調(diào)1. 12eV1. 6eV2. 12eV5.關(guān)于染料敏化太陽(yáng)電池中的納米晶要求錯(cuò)誤的是（）。高的比表面積和大量的孔隙盡可能多的吸附染料晶粒越大越好最大限度的與電解質(zhì)緊密接觸6.非晶硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率約為（）。5%20%15%10%7.非晶硅薄膜的厚度約為（）。

28、數(shù)百微米數(shù)百納米數(shù)十毫米數(shù)十微米8.銳鈦礦相二氧化鈦晶體的禁帶寬度為（）O2. 2eV2. 8eV3. OeV3. 2eV9.以下太陽(yáng)電池成本（單位：美元）最低的是（）非晶硅薄膜多晶硅銅錮鐐硒微晶硅薄膜10.錮儲(chǔ)量最多的國(guó)家是（）。中國(guó)日本美國(guó)俄羅斯二、不定項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。）1.旋涂成膜存在的問(wèn)題有（）。溶解性揮發(fā)性溶劑殘留薄膜的均勻性難以保證2.化學(xué)氣相沉積直接制備多晶硅薄膜的方法有（）。等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積低壓化學(xué)氣相沉積制備多晶硅熱稅化學(xué)氣相沉積制備多晶硅非晶硅晶化制備多晶硅薄膜3.輝光放電系統(tǒng)中的I-V特性曲線可分為（）階段。湯森放電正常放電異常放電電孤放電4.可用

29、于多孔納米晶薄膜的材料有（）。 TOC o 1-5 h z TiO2ZnOSnO2A12035.常用的多晶硅薄膜的制備方法有（）。利用化學(xué)氣相沉積直接制備多晶硅薄膜非晶硅晶化制備將多晶硅片切薄對(duì)多晶硅片進(jìn)行熱處理6.關(guān)于D/A界而說(shuō)法正確的是（）。電離電勢(shì)（IP）較小的材料被稱為電子施主，相當(dāng)于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體中的N型材料具有大電子親和能（EA）的材料被稱為作電子受主，相 當(dāng)于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體中的P型材料類似于無(wú)機(jī)太陽(yáng)電池中的PN結(jié)D/A界面處D型材料和A型材料存在能級(jí)差7.有機(jī)太陽(yáng)電池產(chǎn)生電流的流程（）。A.吸收光子產(chǎn)生激子電子空穴分離運(yùn)輸?shù)紻/A界面處8.關(guān)于光致衰減效應(yīng)說(shuō)法正確的是（）。簡(jiǎn)稱S-W效

30、應(yīng)在長(zhǎng)期輻照下，其光電導(dǎo)和暗電導(dǎo)同時(shí)下降，導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率降低在150200笆熱處理又可以恢復(fù)原來(lái)的狀態(tài)鑄造多晶硅沒(méi)有光致衰減9.染料敏化太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)包括（）o多孔納米晶薄膜染料敏化劑電解質(zhì)對(duì)電極10.有機(jī)太陽(yáng)電池基本的結(jié)構(gòu)模型有（）。PIN結(jié)構(gòu)單層同異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)雙層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)單層混合膜異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)三、判斷題（共10道試題，共20分。）1.有機(jī)太陽(yáng)電池中電離電勢(shì)（IP）較小的材料被稱為電子施 主（Donor,簡(jiǎn)稱D型材料），相當(dāng)于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體中的P 型材料。錯(cuò)誤正確2.非晶硅太陽(yáng)電池中也存在晶體硅太陽(yáng)電池中一樣的pn節(jié) 結(jié)構(gòu)。錯(cuò)誤正確3.非晶硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)出來(lái)以后，轉(zhuǎn)換效率不會(huì)隨時(shí)間發(fā)生 改變

31、。錯(cuò)誤正確4.高純硅原料價(jià)格增加，對(duì)薄膜太陽(yáng)電池的成木影響不大。錯(cuò)誤正確5.花衍生物是一種應(yīng)用較多的光敏劑和A型材料，在450到600nni波段內(nèi)具有較強(qiáng)的吸收，在光照條件下穩(wěn)定性好， 成本低。錯(cuò)誤正確6.單晶硅與多晶硅的物理特性是各向異性，而非晶硅的物理特性是各向異性錯(cuò)誤正確7.隨著非晶硅中氫含量的增加，其能隙寬度從1. 5eV可以增加到1. 8eVo錯(cuò)誤正確8.在150200C熱處理，可以使得因?yàn)镾-W效應(yīng)而效率降 低的非晶硅太陽(yáng)電池恢復(fù)原來(lái)的狀態(tài)。錯(cuò)誤正確9.PECVD技術(shù)即可用于非晶硅薄膜太陽(yáng)電池的制備，也可用 于多晶硅薄膜太陽(yáng)電池的制備。錯(cuò)誤正確10.猷菁類化合物是典型的D型有機(jī)半導(dǎo)體。錯(cuò)誤正確四、連線題(共10道試題，共