半導(dǎo)體電子行業(yè)發(fā)展深度報(bào)告

1、 半導(dǎo)體電子行業(yè)發(fā)展深度報(bào)告半導(dǎo)體行業(yè)景氣度復(fù)蘇，順周期行業(yè)迎來反轉(zhuǎn) 一、5G 商用推動(dòng)換機(jī)潮，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度復(fù)蘇1.1 5G 商用縮短換機(jī)周期，運(yùn)營商、基站、基帶芯片和終端進(jìn)展加快1.1.1 三大運(yùn)營商資本支出持續(xù)加碼，5G 建設(shè)保持領(lǐng)先推進(jìn)1.1.2 5G 基帶芯片高通、華為領(lǐng)先，聯(lián)發(fā)科加速追趕，紫光展銳嶄露頭角1.1.3 5G 商用將縮短換機(jī)周期，預(yù)計(jì) 2020-2023 年開啟新一輪換機(jī)潮回顧歷代通信終端升級(jí)歷史，我們發(fā)現(xiàn)在新一代通信終端首次投入使用后的第 2-5 年是其增長最快的時(shí)期。 2008 年 3G 手機(jī)首次商用，手機(jī)終端進(jìn)入互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，文字、圖片和基礎(chǔ)互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)成為消費(fèi)者關(guān)

2、注熱點(diǎn)。在 其后的 2009-2012 年間，3G 手機(jī)滲透率快速提升，2012 年滲透率達(dá)到最高值 73.9%。2010 年 4G 手機(jī)首次商用， 手機(jī)終端進(jìn)入互聯(lián)網(wǎng)+時(shí)代，更高速度和無處不在的網(wǎng)絡(luò)連接使視頻、互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)、O2O 成為消費(fèi)者關(guān)注熱點(diǎn)。 2011-2014 年間，4G 手機(jī)滲透率快速提升，2014 年滲透率達(dá)到 37.9%。我們認(rèn)為，換機(jī)潮的本質(zhì)是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用生 態(tài)的完善和服務(wù)體驗(yàn)的提升，其背后動(dòng)力則來自運(yùn)營商、設(shè)備商、終端商、芯片商和配套廠商的協(xié)力創(chuàng)新后 4G 時(shí)代換機(jī)周期延長，而 5G 將縮短換機(jī)周期。據(jù) IDC 統(tǒng)計(jì)，2014 年以來，換機(jī)周期不斷延長，內(nèi)部 原因在于手機(jī)質(zhì)量

3、提高和壽命延長，外部原因在于 4G 所能承載的應(yīng)用創(chuàng)新和服務(wù)創(chuàng)新逐漸飽和，而非革命性 的局部創(chuàng)新難以刺激用戶換機(jī)需求。隨著 5G 商用加速，高清大視頻、VR/AR、海量物聯(lián)和智能駕駛等創(chuàng)新應(yīng) 用和創(chuàng)新生態(tài)的興起，應(yīng)用和服務(wù)體驗(yàn)創(chuàng)新必將大幅提升用戶體驗(yàn)，對(duì)現(xiàn)有 4G 內(nèi)容有著巨大顛覆。我們認(rèn)為， eMBB、uRLLC 與 mMTC 陸續(xù)落地，縮短 5G 智能手機(jī)換機(jī)周期，2020 年 5G 智能手機(jī)加速放量，預(yù)計(jì)全年滲 透率可達(dá) 20%，2020-2023 年將開啟新一輪換機(jī)潮。結(jié)合 IDC 和高通預(yù)測(cè)，我們認(rèn)為 2020 年全球 5G 智能手機(jī) 將達(dá) 3 億部，滲透率約 20%，2021 年有

4、望達(dá)到 6 億部，2022 年有望達(dá)到 7.5 億部，2023 年有望接近 9 億部 5G 手機(jī)出貨量，滲透率約達(dá) 60%。2020 年 5G 手機(jī)出貨量華為占據(jù)大部分份額，realme 異軍突起，進(jìn)入國內(nèi)前五行列。華為受限于美國多輪 禁令的影響，在 2020 Q3 開始出現(xiàn)了較大幅度的下滑。vivo 更多聚焦在 2000 元人民幣以內(nèi)的主流價(jià)位段，通過Y 系列將更多低價(jià) 5G 產(chǎn)品進(jìn)行滲透。OPPO 專注于 1500-2500 元人民幣價(jià)位段的 5G 市場(chǎng)。小米 Redmi 9 系列 與 K30 系列良好的市場(chǎng)表現(xiàn)幫助小米獲得了 2020 Q3 國內(nèi)前五大廠商中唯一的正增長。2020 年，r

5、ealme 繼續(xù)逆 勢(shì)增長，截至 2020 Q3，realme 累計(jì)智能手機(jī)出貨量超過 5000 萬臺(tái)，是全球最快突破 5000 萬臺(tái)出貨量的品牌， 同時(shí) Q3 realme 5G 智能手機(jī)銷量排名升至第 5。自 2019 年起，國內(nèi) 5G 手機(jī)累計(jì)出貨量超過 1.16 億臺(tái)， 2020 年 Q3，國內(nèi)市場(chǎng) 5G 手機(jī)出貨量約 4970 萬臺(tái)。其中，華為依舊占據(jù)第一的位置，但是 2020Q3 銷量出現(xiàn)下滑 趨勢(shì)；OPPO，vivo 繼續(xù)分列二、三位，依靠主流多款價(jià)位段 5G 機(jī)型的市場(chǎng)表現(xiàn)份額環(huán)比上季度有所提升； 小米位居第四；realme 憑借 9 月多款新品在線上、線下渠道同時(shí)進(jìn)入市場(chǎng)，排

6、名進(jìn)入前五。1.2 半導(dǎo)體行業(yè)景氣度復(fù)蘇，8 英寸晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求1.2.1 需求端：8 英寸晶圓長期需求保持穩(wěn)定，短期需求迎來爆發(fā)長期來看，8 英寸晶圓需求占比保持穩(wěn)定。最早 8 英寸晶圓制程支持度在 90nm 以上，隨著近年來工藝技術(shù) 發(fā)展水平的進(jìn)步，8 英寸晶圓能夠支持的制程，已經(jīng)部分上移到 70nm，甚至 65nm。8 英寸晶圓適用制程向高端 延伸，為 8 英寸晶圓增添了新的需求。在 2019 年，10nm 以下先進(jìn)制程的市占率僅為 4.4%，而到 2024 年，其 比例將增長到 30。在該時(shí)間段內(nèi)，10nm -20nm 制程的市占率將從 38.8%，下降到 26.2%；20nm-40

7、nm 制程的 市占率將從 13.4%，下降到 6.7%；而 40nm 以上成熟制程的比例在這些年當(dāng)中沒有出現(xiàn)明顯變化，占比維持在 40%左右，進(jìn)而表明 8 英寸晶圓需求在長期內(nèi)并無明顯下滑趨勢(shì)。短期來看，模擬芯片和功率器件需求爆發(fā)導(dǎo)致 8 英寸晶圓需求大幅上升。2020 年 5G 手機(jī)、智能電動(dòng)汽車、 物聯(lián)網(wǎng)等滲透率快速提升，疊加“疫情”驅(qū)動(dòng)在家辦公、在線教育等需求增加，使得筆記本、平板等電子產(chǎn)品 需求增長，另外下游廠商因?qū)?2021 年有較好預(yù)期而加大備貨，從而拉動(dòng)下游電源管理芯片（2021/2022 年增速 分別為 10.2%、9.2%，下同）、CMOS 圖像傳感芯片（10.9%、5.6%

8、）、指紋識(shí)別芯片（17.6%、15.8%）、顯示驅(qū) 動(dòng) IC（7. 2%、7.1%）、射頻芯片（10.5%、9.1%）以及功率器件（8.1%、6.1%）等模擬芯片和功率器件的需求 量持續(xù)增加，而模擬芯片和功率器件的制造主要來自于 8 英寸晶圓，進(jìn)而從需求端導(dǎo)致 8 英寸晶圓產(chǎn)能緊張。1.2.2 供給端：8 英寸晶圓產(chǎn)能未見明顯擴(kuò)張，產(chǎn)能利用率達(dá)到歷史高位全球 8 英寸晶圓廠運(yùn)行時(shí)間較長，8 英寸設(shè)備逐漸停產(chǎn)，抑制產(chǎn)能釋放。 8 英寸晶圓廠始建于 1990 年，全 球多數(shù) 8 英寸晶圓廠建廠時(shí)間較早，運(yùn)行時(shí)間長達(dá)十年以上，大部分代工廠的 8 英寸已折舊完畢。隨著 12 英寸 廠逐漸成熟，部分應(yīng)用

9、如存儲(chǔ)，邏輯代工等紛紛遷移至 12 英寸晶圓，部分代工廠逐步關(guān)閉或收縮 8 英寸產(chǎn)能， 設(shè)備廠商也停止生產(chǎn) 8 英寸設(shè)備。目前 8 英寸產(chǎn)線設(shè)備主要來自于二手市場(chǎng)，設(shè)備停產(chǎn)抑制了產(chǎn)能的釋放。根 據(jù) SEMI 報(bào)告的數(shù)據(jù)，全球 8 英寸晶圓產(chǎn)線的數(shù)量在 2007 年達(dá)到 199 條登頂，隨后就已經(jīng)開始逐漸下降，到 2015 年時(shí)只有 178 條。近期 8 英寸產(chǎn)能開始逐步恢復(fù)性增長，預(yù)計(jì) 2021 年底恢復(fù)到 202 條。近期 8 英寸擴(kuò)產(chǎn)情況開始逐漸改善， 根據(jù) SEMI 報(bào)告的數(shù)據(jù)，8 英寸產(chǎn)線（IDM+代工廠）在 2016 年已經(jīng)恢復(fù)到 188 條。2019 年底，全球 15 個(gè)總投 資金

10、額達(dá) 380 億美元的 Fab 廠中，約有一半用于 8 英寸廠，200mm 晶圓尺寸生產(chǎn)線再次迎來小幅度增長。到 2020 年年底，8 英寸產(chǎn)線數(shù)量將恢復(fù)性增長到 191 條相當(dāng)于 2008 年時(shí)的業(yè)界水平。而到 2021 年年底，將繼續(xù) 增長到 202 條這將超過 2007 年 199 條的歷史記錄。8 英寸設(shè)備通過翻新和改善，延長產(chǎn)線壽命。在設(shè)備方面，隨著市場(chǎng)供不應(yīng)求加劇，包括 ASML、KLA-Tencor、 Lam Research、TEL 都已經(jīng)開始制造新的 200 mm 晶圓設(shè)備，同時(shí)翻新二手設(shè)備。比如 Lam Research 開發(fā)和翻 新蝕刻、沉積和清潔相關(guān)的 8 英寸設(shè)備；A

11、pplied Materials 公司在制造新的 200 mm 設(shè)備同時(shí)，也在各個(gè)細(xì)分市 場(chǎng)進(jìn)行翻新。而東京電子在提供 8 英寸機(jī)臺(tái)之外，還推出 OEE（整體設(shè)備效率）硬件和軟件升級(jí)，翻新和改善 老舊 8 英寸設(shè)備的性能，延長產(chǎn)線的壽命，提高效率并擴(kuò)大產(chǎn)能。近年來國內(nèi) 8 英寸廠的投產(chǎn)數(shù)量小于 12 英寸，主要為現(xiàn)有存量基礎(chǔ)上升級(jí)擴(kuò)建。近年來，多個(gè) 12 英寸晶 圓廠在中國大陸落地。根據(jù) SEMI，2017-2020 年間全球投產(chǎn)的晶圓廠為 62 座，其中有 42%（26 座）設(shè)在中國 大陸。這些 12 英寸晶圓廠主要用于生產(chǎn)存儲(chǔ)、邏輯等需求較大、制程先進(jìn)的產(chǎn)品，產(chǎn)品涉及多個(gè)領(lǐng)域與制程， 多個(gè)

12、項(xiàng)目已經(jīng)在運(yùn)行當(dāng)中，其余項(xiàng)目將在未來 2-3 年內(nèi)陸續(xù)投產(chǎn)。未來幾年 8 英寸晶圓廠數(shù)量相較于 12 英寸較 小，相關(guān)的企業(yè)有華虹宏力、臺(tái)積電、和艦科技、上海先進(jìn)等專業(yè)代工廠，也有士蘭微、華潤微電子、燕東微 電子等國內(nèi) IDM 企業(yè)，產(chǎn)品主要涉及 MEMS、IGBT、電源管理 IC 等產(chǎn)品，主要為在現(xiàn)有存量基礎(chǔ)上繼續(xù)升級(jí) 和擴(kuò)建。全球代工廠產(chǎn)能持續(xù)滿載，明年上半年仍供不應(yīng)求。全球代工廠目前產(chǎn)能持續(xù)滿載，臺(tái)積電、聯(lián)電、三星、 世界先進(jìn)、中芯國際、華虹半導(dǎo)體等代工廠的產(chǎn)能利用率持續(xù)保持高水位，展望明年上半年仍然供不應(yīng)求。中芯國際產(chǎn)能利用率在 98%，預(yù)期明年上半年成熟制程產(chǎn)能維持緊張。中芯國際 2

13、020Q3 的季度收入為 10.8 億美金，環(huán)比增長 15.3%，同比增長 32.6%。公司客戶需求強(qiáng)勁，訂單飽滿，產(chǎn)品組合向好，晶圓平均價(jià)格環(huán)比 增長，同時(shí)公司將全年收入增長目標(biāo)上修至 24%-26%。公司的季度產(chǎn)能利用率一直保持在高位，2020 年前三季 度公司的產(chǎn)能利用率在 98%左右。1.2.3 本土三大封測(cè)廠商均有產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃，同時(shí)向高端封裝領(lǐng)域進(jìn)軍1.2.4 半導(dǎo)體全線景氣，成熟制程緊缺或延續(xù)到 2022 年從需求端口看，一方面是總量需求的增長，2019 年下半年全球半導(dǎo)體從衰退逐步開始復(fù)蘇，雖然受到疫情 的沖擊，2020 年上半年全球半導(dǎo)體仍然保持 5%左右的增長，從 2020

14、年下半年往 2021 年展望，包括手機(jī)、基 站、服務(wù)器、汽車、工業(yè)等在內(nèi)的各種終端需求全面向上，另一方面是結(jié)構(gòu)性升級(jí)，5G 拉動(dòng)元器件升級(jí)，5G 手機(jī)的 PMIC 面積是 4G 手機(jī)的 2-3 倍，快充快速滲透，從 5w 升級(jí)到 18/20w 甚至 65w，所需晶圓面積變大， 電動(dòng)車和電動(dòng)兩輪車加速滲透，拉動(dòng) IGBT 和 mos 管的需求量，同時(shí) AIoT 發(fā)展帶來新的增量終端，如正在爆發(fā) 增長的 TWS 等。從供給端口，半導(dǎo)體晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)周期長，從基建、潔凈室、上設(shè)備、調(diào)試到量產(chǎn)爬坡需超過 2 年時(shí)間，成熟制程供應(yīng)緊張的局面短期難以緩解。2020 年二季度，華潤微、華虹半導(dǎo)體、中芯國際等 8

15、 寸線均實(shí)現(xiàn)滿載，到三季度產(chǎn)能利用率甚至超過 100%， 全球主要 8 寸晶圓廠均已滿載，聯(lián)電、力晶等臺(tái)廠率先提價(jià)，國內(nèi)主要 8 寸晶圓廠也已跟進(jìn)提價(jià)或計(jì)劃提價(jià)， 各類半導(dǎo)體周期品包括 LCD Driver、MOS、MCU、Nor Flash 等均出現(xiàn)不同幅度的漲價(jià)，海外大廠包括 NXP、 瑞薩也以發(fā)出漲價(jià)函。當(dāng)前，8 寸晶圓廠排單甚至已經(jīng)到了 2020 年年中，下游經(jīng)銷商及終端客戶庫存處于低水 平，我們認(rèn)為本輪半導(dǎo)體景氣周期將貫穿明年全年，成熟制程緊缺甚至可能延續(xù)到 2022 年，本輪板塊景氣在持 續(xù)時(shí)長和漲價(jià)幅度上有望超過上一輪，當(dāng)前處于第一輪漲價(jià)的發(fā)酵期，后續(xù)不排除出現(xiàn)二三輪漲價(jià)的可能，

16、半 導(dǎo)體板塊投資熱點(diǎn)將從國產(chǎn)化轉(zhuǎn)向景氣周期。推薦標(biāo)的：晶圓制造和封測(cè)是產(chǎn)能瓶頸所在，F(xiàn)ab/IDM 最為受益，其次是封測(cè)（凈利潤率低，漲價(jià)利潤彈性大， 但擴(kuò)產(chǎn)更容易），再者可以關(guān)注各類半導(dǎo)體周期品，如 LCD Driver、MCU、Nor Flash、MOS、Dram/Nand、CIS、 PMIC 等，優(yōu)選兼具產(chǎn)能彈性和價(jià)格彈性的標(biāo)的。Fab/IDM：推薦華虹半導(dǎo)體、華潤微，關(guān)注士蘭微、中芯國際、華微電子、揚(yáng)杰科技、捷捷微電。封測(cè)：關(guān)注長電科技、通富微電、華天科技。Fabless：推薦韋爾股份，關(guān)注新潔能、兆易創(chuàng)新、中穎電子、北京君正等。二、蘋果開啟 5G 超級(jí)周期，新型終端加速興起，陸廠崛起

17、大勢(shì)所趨（略）2021 年全球手機(jī)市場(chǎng)回暖，iPhone 12 新機(jī)有望開啟超強(qiáng)周期。新型終端加速興起，TWS 需求旺盛，VR 迎來拐點(diǎn)，PC 持續(xù)景氣。臺(tái)廠份額加速向陸廠轉(zhuǎn)移，助力國內(nèi)平臺(tái)型公司發(fā)展壯大三、半導(dǎo)體板塊受益于下游穩(wěn)健需求及供應(yīng)鏈向大陸轉(zhuǎn)移3.1 射頻：5G 帶動(dòng)射頻前端價(jià)量齊升，模組化趨勢(shì)明顯，本土公司潛力巨大射頻前端是高技術(shù)、高壁壘、高價(jià)值的核心芯片，市場(chǎng)空間大、行業(yè)增速高，但也是目前國產(chǎn)薄弱環(huán)節(jié)。 射頻前端是通信設(shè)備核心，具有收發(fā)射頻信號(hào)的作用。射頻前端通常包括濾波器/多工器、PA、射頻開關(guān)、LNA、 天線調(diào)諧、包絡(luò)芯片等一系列分立芯片，以及以射頻封裝為存在形式的射頻模組。

18、隨著手機(jī)頻段數(shù)量和射頻前 端復(fù)雜度的不斷增加，手機(jī)射頻前端的模組化率不斷提高，射頻前端模組化是大勢(shì)所趨。5G 通信技術(shù)升級(jí)以及終端設(shè)計(jì)創(chuàng)新等因素對(duì)射頻前端器件性能提出了更高的要求，正推動(dòng)射頻前端價(jià)量 齊升，有望迎來 6 年 14%年均復(fù)合增長。根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，2017 年手機(jī)射頻前端市場(chǎng)為 160 億美元，預(yù)計(jì)到 2023 年增長到 352 億美元，未來 6 年復(fù)合增長率達(dá) 14%，是半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的子市場(chǎng)。濾波器是射頻前端增長最快的細(xì)分市場(chǎng)， 5G 加速高端濾波器占比提升。聲學(xué)濾波器可分為 SAW、BAW 兩大類，SAW、TC-SAW、SMR-BAW、FBAR 四小類。SAW 濾波

19、器主要應(yīng)用于 2/3/4G 頻段，BAW 濾波器性能 較高端，主要應(yīng)用于 3/4G 和 5G Sub-6GHz 頻段。雖然 BAW 濾波器在裙帶抑制和高頻率方面優(yōu)于 SAW 濾波器， 但 5G 時(shí)代大部分的移動(dòng)智能終端需要支持全模式全頻段，基于不同的性能成本及應(yīng)用要求，SAW 產(chǎn)品會(huì)長期 存在。同時(shí) 5G N41/77/78/79 及未來更多高頻段的開放將進(jìn)一步提升濾波器用量，憑借高頻下更高的性能表現(xiàn)， BAW 濾波器市場(chǎng)滲透率也將大幅提升。根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，2025 年移動(dòng)終端濾波器全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 225 億美 元，BAW 濾波器滲透率將超過 50%。我們認(rèn)為，隨著通信技術(shù)的發(fā)展，手

20、機(jī)射頻前端復(fù)雜度將逐漸提升，對(duì) 濾波器性能提出更高的要求，這將同時(shí)拉動(dòng) TC-SAW 和 BAW 濾波器需求，同時(shí)由于頻段的提升以及頻帶間距 的縮小，在裙帶抑制和高頻率方面性能更優(yōu)的 BAW 濾波器滲透率將逐步提升。美日廠商在濾波器行業(yè)寡頭壟斷，SAW 濾波器市場(chǎng)相對(duì)成熟，BAW 濾波器市場(chǎng)玩家較少。在射頻濾波器 領(lǐng)域，日美企業(yè)在經(jīng)歷數(shù)次并購整合后，呈現(xiàn)寡頭壟斷競爭格局。其中，主打性價(jià)比的 SAW 濾波器仍然是市場(chǎng) 需求的主力，目前 SAW 濾波器被日本 Murata、TDK、Taiyo Yuden 等壟斷，市場(chǎng)份額超過 80%；而高端 BAW 濾波器市場(chǎng)，Broadcom 一騎絕塵，占據(jù)全球

21、 85%市場(chǎng)份額，Qorvo、TDK、RF 360 等占據(jù)剩下 15%市場(chǎng)份額。 國外廠商已充分享受智能手機(jī)紅利期，在經(jīng)過長期迭代和經(jīng)驗(yàn)積累后，已在諸多技術(shù)環(huán)節(jié)取得明顯優(yōu)勢(shì)。國產(chǎn)濾波器廠商整體實(shí)力較弱，低端濾波器 SAW 只占全球 1%-3%份額，高端 BAW 濾波器全球占比基本 為零。國產(chǎn)濾波器廠商主要分為三類：一類是中國電科集團(tuán)下屬科研院所，包括中電科 26 所、55 所，以軍工 國防市場(chǎng)為主，民營市場(chǎng)為輔；第二類是本土濾波器上市公司，包括卓勝微、信維通信、天通股份、麥捷科技、三安光電等；第三類是非上市公司，包括好達(dá)電子、諾思微系統(tǒng)、中科漢天下等。SAW 濾波器領(lǐng)域，除卓勝微 可量產(chǎn) SA

22、W 濾波器以外，好達(dá)電子、麥捷科技及德清華瑩（信維通信持股 19.5%子公司）同樣具有 SAW 的量 產(chǎn)能力，但全球占比僅為 1%-3%。高端 BAW 濾波器領(lǐng)域全球占比基本為零，國內(nèi)廠商天津諾思微在 FBAR 濾 波器方面有一定技術(shù)積累。26 所、55 所產(chǎn)品相對(duì)高端，進(jìn)入華為供應(yīng)體系。濾波器國產(chǎn)替代迫在眉睫，卓勝微、 信維通信等廠商重點(diǎn)布局該領(lǐng)域，未來有望率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)突破。上市公司建議關(guān)注卓勝微、信維通信、天通股 份，卓勝微將通過濾波器切入接收端模組市場(chǎng)，信維通信、天通股份的濾波器業(yè)務(wù)具有 IDM 優(yōu)勢(shì)。PA 市場(chǎng)穩(wěn)定增長，美日廠商暫時(shí)主導(dǎo) PA 市場(chǎng)。PA 為射頻前端第二大市場(chǎng)，2023

23、 年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá) 71 億 美元，2017-2023年均增長率達(dá)7%；其中5G 頻段增加是PA價(jià)值提升核心因素。市場(chǎng)格局方面，美日廠商 Skyworks、 Broadcom、Qorvo、Murata 等占據(jù) PA 市場(chǎng)主要份額，其余廠商市占率較小。其中，4G/5G PA 市場(chǎng)規(guī)模較大， 被射頻巨頭瓜分。低階制式領(lǐng)域如 2G、3G PA 雖然國產(chǎn)廠家占較大份額，但市場(chǎng)空間狹小，競爭激烈，利潤空 間低。國內(nèi) PA 產(chǎn)業(yè)已形成產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)，初具規(guī)模，但高端 PA 尚顯不足。目前國內(nèi) PA 設(shè)計(jì)公司數(shù)量較多，覆蓋 2/3/4/5G PA 領(lǐng)域，但真正能量產(chǎn)出貨的 PA 公司主要集中在紅海競爭的中低端

24、2/3G PA 領(lǐng)域。PA 設(shè)計(jì)方面，中 端 PA 以唯捷創(chuàng)芯、飛驤科技為主，低端 PA 以中科漢天下為主，4/5G PA 有唯捷創(chuàng)芯、慧智微等，唯捷創(chuàng)芯 5G PA 已供貨 realme V5。晶圓代工方面，臺(tái)灣穩(wěn)懋公司以卓越的 GaAs 代工工藝，憑借給 Broadcom、Qualcomm 代工 PA 占據(jù)行業(yè)主要地位，廈門三安集成也正逐步引領(lǐng)大陸第三代半導(dǎo)體代工，另外立昂微也具備 GaAs PA 代工能力。我們認(rèn)為，隨著 5G 商用不斷推進(jìn)，傳統(tǒng) 4G 中高端市場(chǎng)將逐漸降級(jí)為中低端市場(chǎng)，為國產(chǎn)廠商搶占 份額創(chuàng)造了良好機(jī)遇；設(shè)計(jì)領(lǐng)域關(guān)注唯捷創(chuàng)芯、漢天下，代工領(lǐng)域關(guān)注三安集成、立昂微。5G

25、時(shí)代手機(jī)射頻 PA 將以 GaAs 工藝為主。手機(jī)射頻芯片中 PA、LNA 和 Switch 等均可采用 GaAs 材料制 造，其中 PA 主要采用 GaAs，中高頻 PA 則幾乎全部使用 GaAs 制造。傳統(tǒng) Si 基 CMOS 由于電子遷移率和飽和 電子速率較低、禁帶寬度較小，在工作頻率、耐壓能力等方面性能上有一定局限性，將越來越難以適應(yīng) 5G 時(shí) 代射頻 PA 的高頻、高功率趨勢(shì)。同時(shí)，性能更優(yōu)的 GaN 射頻 PA 因技術(shù)和成本等問題尚難在手機(jī)射頻領(lǐng)域?qū)?現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，5G 時(shí)代手機(jī)端射頻 PA 仍將是 GaAs 材料的主場(chǎng)。我們認(rèn)為，5G 的高頻段和高傳輸速率將對(duì)射 頻 PA 的工作

26、頻率、耐壓值和線性度提出更高的要求，GaAs 工藝將更適合 5G 射頻 PA。5G 加速射頻開關(guān)需求增長，SOI 工藝仍是主流，MEMS 工藝后勢(shì)可期。5G 頻段和射頻前端模組的增加帶 來天線調(diào)諧及通用開關(guān)用量增加，預(yù)計(jì) 5G 手機(jī)天線調(diào)諧數(shù)量將增加 8-10 個(gè)，通用開關(guān)數(shù)量將增加 3-4 個(gè)。根 據(jù) 統(tǒng)計(jì)，2011 年以來全球射頻開關(guān)市場(chǎng)持續(xù)增長，2018 年全球市場(chǎng)規(guī)模 16.54 億美元，預(yù)計(jì) 2023 年市場(chǎng)將達(dá) 35.6 億美元，2018-2023 年復(fù)合增長率達(dá) 16.55%。SOI 工藝基于硅基 COMS 工 藝，兼容性和成本優(yōu)勢(shì)明顯，MEMS 工藝能有效降低插入損耗，但技術(shù)成

27、熟度較低，SOI 工藝預(yù)計(jì)長期維持在 90%左右出貨份額。美日廠商合占射頻開關(guān)市場(chǎng)近 80%份額，卓勝微率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)突破。射頻開關(guān)龍頭公司包括美國的 Skyworks、Qorvo、Broadcom和日本的Murata和中國的卓勝微，5家公司合計(jì)占據(jù)全球射頻開關(guān)市場(chǎng)份額的84%， 其射頻開關(guān)產(chǎn)品覆蓋高端機(jī)型，比如蘋果 iPhone 12/Pro Max、三星 Galaxy 系列、華為 Mate 系列等。卓勝微作 為全球第五大、國內(nèi)第一大射頻開關(guān)公司，目前已取得全球 10%市場(chǎng)份額，其中天線調(diào)諧開關(guān) 2020H1 銷量突 破 15 億顆，市場(chǎng)份額占比預(yù)計(jì)超過 15%，率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)突破；并且隨著與客

28、戶合作的加深，其份額有望繼續(xù)擴(kuò) 大。射頻開關(guān)領(lǐng)域，看好卓勝微憑借 5G 產(chǎn)品卓越的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)在下游終端客戶滲透率進(jìn)一步提升。射頻前端模組化是趨勢(shì)，預(yù)計(jì) 2025 年 75%價(jià)值量射頻芯片將以模組形態(tài)存在。通信制式升級(jí)帶來射頻前 端器件數(shù)量不斷增加，加之全面屏、大電池的發(fā)展趨勢(shì)，射頻前端的空間趨于緊迫，因此射頻前端模組化是必 然趨勢(shì)。目前整個(gè)手機(jī)行業(yè)中 60%價(jià)值量的射頻器件以模組形式存在，模組環(huán)節(jié)給整個(gè)射頻前端的附加值約為 30%。據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，2025 年射頻模組市場(chǎng)將達(dá)到 177 億美元，年均復(fù)合增長率為 8%，分立器件仍將保留 81 億 美元的市場(chǎng)規(guī)模。其中預(yù)計(jì) PA 模組市場(chǎng)空間

29、將從 2018 年的 60 億美元增長到 2025 年的 104 億美元，CAGR 為 8.0%。接收端模組市場(chǎng)空間將從 2018 年的 25 億美元增長到 2025 年的 32 億美元，CAGR 為 3.6%。射頻模組的研發(fā)需要系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)，市場(chǎng)由國際射頻巨頭壟斷，卓勝微有望破局。由于模組需要將多個(gè)射頻 器件進(jìn)行集成，需要進(jìn)行重復(fù)和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)，對(duì)每個(gè)器件的工藝技術(shù)都要有較強(qiáng)的把控。國內(nèi)廠商往往在某種 射頻產(chǎn)品領(lǐng)域具備較強(qiáng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，但產(chǎn)品線的匱乏，特別是濾波器資源的稀缺是阻礙國內(nèi)廠商向高端模組突 破的最大門檻。高端模組市場(chǎng)幾乎由海外廠商壟斷，PA 模組領(lǐng)域由具有較強(qiáng) PA 設(shè)計(jì)能力的三大廠商

30、Skyworks、 Broadcom、Qorvo 壟斷，分別占據(jù) 32%、25%、16%的市場(chǎng)份額。接收端分集模塊領(lǐng)域，Murata 和 Skyworks 占 據(jù)大部分市場(chǎng)份額，分別占據(jù) 39%、31%。中國廠商方面，卓勝微在 DiFEM/LFEM 等接收端模組目前已實(shí)現(xiàn)量 產(chǎn)。我們認(rèn)為卓勝微進(jìn)入模組市場(chǎng)將為公司現(xiàn)有業(yè)務(wù)帶來協(xié)同效應(yīng)和附加值，同時(shí)也將進(jìn)一步提高公司的核心 壁壘和天花板，未來可與國際廠商有一戰(zhàn)之力。射頻賽道具備持續(xù)成長性，產(chǎn)業(yè)鏈公司彈性較高。每一次通信制式升級(jí)將帶來射頻前端器件價(jià)量齊升，5G 手機(jī)也需要兼顧 2/3/4G，同時(shí) 5G 新頻段將帶來新的射頻芯片增量。據(jù) Skywor

31、ks 數(shù)據(jù)，2G 手機(jī)射頻前端芯片 價(jià)值量為 3 美元，3G 手機(jī)為 8 美元，全網(wǎng)通 LTE 手機(jī)為 18 美元，而 5G 手機(jī)射頻芯片價(jià)值量達(dá)到 30 美元。根 據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，2017 年手機(jī)射頻前端市場(chǎng)為 160 億美元，預(yù)計(jì)到 2023 年增長到 352 億美元，未來 6 年復(fù)合增長 率達(dá) 14%。我們認(rèn)為，隨著 5G 加速滲透，射頻前端廠商將充分受益于產(chǎn)業(yè)升級(jí)紅利，帶來較高利潤彈性。5G 產(chǎn)業(yè)升級(jí)之際將促使市場(chǎng)格局洗牌，部分國產(chǎn)廠商有望突破。射頻前端高端市場(chǎng)目前被國際廠商壟斷， 5G 到來之后，4G 時(shí)代的中高端市場(chǎng)將降級(jí)為中低端市場(chǎng)，國內(nèi)廠商有望在 5G 手機(jī)廣泛普及前的窗口

32、期，逐步 實(shí)現(xiàn)中低端機(jī)型射頻前端進(jìn)口替代，并在 Sub-6GHz 領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。國外廠商方面，看好占高端芯片的 Broadcom、基帶到射頻前端一體化戰(zhàn)略以及較早布局毫米波的 Qualcomm、受益中國市場(chǎng)的 MTK。國內(nèi)也涌現(xiàn) 出一批具有競爭力的射頻前端廠商，包括基帶廠商華為海思、紫光展銳等，也包括濾波器、PA、射頻開關(guān)等領(lǐng) 域的射頻器件廠商。我們認(rèn)為，國內(nèi)廠商有望依靠成本優(yōu)勢(shì)切入中低端市場(chǎng)，并逐步向中高端產(chǎn)品線以及模組 市場(chǎng)擴(kuò)展。我們看好國產(chǎn)射頻開關(guān)龍頭卓勝微、GaAs 代工廠商三安光電和立昂微、射頻方案平臺(tái)廠商信維通 信，射頻器件廠商韋爾股份、天通股份、麥捷科技，非上市公司建議關(guān)注紫

33、光展銳、昂瑞微、唯捷創(chuàng)芯等。3.2 功率：功率半導(dǎo)體國產(chǎn)替代機(jī)會(huì)確定，板塊屬性下相關(guān)公司表現(xiàn)穩(wěn)健國內(nèi)功率器件市場(chǎng)廣闊，本土廠商在全球市場(chǎng)取得份額突破。大陸功率半導(dǎo)體需求占全球約 40%，包括安 世在內(nèi)的國產(chǎn)廠商在大陸功率半導(dǎo)體市占率較低，細(xì)分 MOS 領(lǐng)域，安世半導(dǎo)體與士蘭微市占率位于第 8/10， 分別為 3.2%/2.5%，斯達(dá)半導(dǎo)在 IGBT 模塊全球市占率約 2%，排名第 9，功率半導(dǎo)體各細(xì)分領(lǐng)域替代空間巨大。功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體板塊里，突破機(jī)會(huì)較為確定的領(lǐng)域。國內(nèi)廠商已經(jīng)具備一定競爭力，二極管雖然比較 成熟，但國產(chǎn)化率仍然不足 10%，至于 MOSFET 和 IGBT 等國產(chǎn)率更低。國

34、內(nèi)有望從二極管向上突破到 MOSFET等中低壓產(chǎn)品領(lǐng)域，看好聞泰科技（安世）、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、斯達(dá)半導(dǎo)、華潤微、士蘭微等企業(yè)。其中 IGBT 作為功率器件中高技術(shù)壁壘領(lǐng)域備受關(guān)注。下游看，電機(jī)、光伏、電源、電動(dòng)汽車為前幾大規(guī) 模應(yīng)用領(lǐng)域，其中電動(dòng)汽車未來增速較高，成為 IGBT 市場(chǎng)重要驅(qū)動(dòng)力。2018 年，對(duì)應(yīng)的全球電機(jī)、光伏、電 源、電動(dòng)汽車的市場(chǎng)規(guī)模分別為 230 億、83 億、86 億、35 億美金，預(yù)計(jì)到 2024 年復(fù)合增速分別為 3.9%、3.8%、 5.6%、20.5%、車規(guī)級(jí)市場(chǎng)增速明顯。從應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，工業(yè)/車輛/家電仍是 IGBT 的重點(diǎn)需求領(lǐng)域。2018 年全球 I

35、GBT 市場(chǎng)，工業(yè)領(lǐng)域占據(jù)最 高為 37%，其次為車輛領(lǐng)域（電車+鐵路），占比 31%，消費(fèi)電子領(lǐng)域則占比 8%；而國內(nèi) IGBT 應(yīng)用，則是車輛 領(lǐng)域（電車+鐵路）占比最高為 36%，其次是家電占比 27%，工業(yè)占比第三為 20%。三者合計(jì)占據(jù)國內(nèi) 83%份 額。未來工業(yè)、車輛和消費(fèi)電子仍將繼續(xù)帶動(dòng) IGBT 需求量增加，國內(nèi)有望從工控/消費(fèi)突破，向車輛領(lǐng)域延伸。國內(nèi) IGBT 產(chǎn)業(yè)起步雖然晚，但目前已形成較完整的產(chǎn)業(yè)鏈。其中，株洲中車是國內(nèi) IGBT 芯片和模塊的 IDM 領(lǐng)先企業(yè)，產(chǎn)品已應(yīng)用于高鐵地鐵等軌道交通領(lǐng)域，近三年裝車約 600 余列，銷售 IGBT 超 6 萬只。其余 如華虹、

36、華潤微、上海先進(jìn)等晶圓代工廠，嘉興斯達(dá)/南京銀茂微電子等設(shè)計(jì)/模塊廠商，比亞迪/士蘭微/華微電 子/揚(yáng)杰科技/中環(huán)股份等 IDM 廠商，其 IGBT 產(chǎn)品大多還是針對(duì)電焊機(jī)、逆變器、家電類、消費(fèi)電子等中低壓 市場(chǎng)。國內(nèi) IGBT 在軌道交通有一定自供比例，消費(fèi)類中低壓應(yīng)用有望成為未來國產(chǎn) IGBT 的業(yè)績?cè)鲩L點(diǎn)?？斐渑d起帶動(dòng) MOSFET 需求提升，帶來 MOS 、二極管、ESD 保護(hù)等增量，也帶動(dòng)了 GaN 功率器件滲 透?；谑謾C(jī)快充的激烈競爭，OPPO、vivo、小米等中國手機(jī)廠商加速旗下機(jī)型往高功率充電滲透。高功率充 電帶動(dòng)對(duì)功率器件數(shù)量和要求提升，價(jià)值占比看，充電頭中 IC 材料價(jià)值

37、占比約 12%，其中以功率、PMIC 等為 主。快充市場(chǎng)未來有望 30%以上年復(fù)合增長，未來有望接近千億市場(chǎng)規(guī)模，涉及到相關(guān)功率器件需求在百億元。功率器件在汽車電子、工控、快充、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器等領(lǐng)域廣泛使用，單設(shè)備使用數(shù)量較大，帶動(dòng)功率器 件整體需求保持增長。汽車電動(dòng)化程度提升，帶動(dòng)功率器件單車價(jià)值量數(shù)倍提升。純電動(dòng)汽車（EV），單車功 率器件價(jià)值量高達(dá) 387 美元，是普通燃油車的 23 倍，是中度混動(dòng)的 8 倍，占整車半導(dǎo)體成本超 50%。主要增量 來自引入電動(dòng)力系統(tǒng)，輔助（混動(dòng)）或者完全替代（純電動(dòng)）燃油動(dòng)力系統(tǒng)，使得 AC/DC 整流器、DC/AC 逆 變器、DC/DC 變換器、BMS

38、 等使用需求提升，帶動(dòng) MOSFET、IGBT 等功率器件價(jià)值量大增。而電動(dòng)汽車領(lǐng)域功率器件，對(duì)于國內(nèi)企業(yè)來說，屬于高端增量市場(chǎng)，具備本土產(chǎn)業(yè)配套機(jī)會(huì)。目前中國是 全球電動(dòng)汽車最大消費(fèi)地區(qū)，占比全球銷量超 50%，比亞迪、特斯拉、北汽等均在國內(nèi)布局電動(dòng)汽車，在政府 支持下本土新能源車產(chǎn)業(yè)有望加速發(fā)展，作為電機(jī)核心的 IGBT 模塊自主供應(yīng)需求強(qiáng)烈，市場(chǎng)空間巨大，斯達(dá)/ 比亞迪等均具備車規(guī)級(jí) IGBT 晶圓和模塊的量產(chǎn)能力，正在逐步突破?；衔锇雽?dǎo)體碳化硅、氮化鎵能夠大大提高功率器件的性能，具備耐高溫、高壓，器件小型化和輕量化， 低損耗、高頻率等優(yōu)點(diǎn)，使其在新能源汽車、風(fēng)電、光伏、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及直

39、流充電等領(lǐng)域前景廣闊。預(yù)計(jì)隨著 成本降低，性能優(yōu)勢(shì)將促使碳化硅、氮化鎵器件的下游需求快速增長。國內(nèi)傳統(tǒng)功率器件廠商如聞泰科技、斯 達(dá)半導(dǎo)、揚(yáng)杰科技、新潔能，及化合物半導(dǎo)體企業(yè)三安光電、華燦光電、泰科天潤、基本半導(dǎo)體等均在 SiC、 GaN 功率器件方向前瞻布局。SiC 功率半導(dǎo)體有望在 2020-2022 年迎來爆發(fā)。2020 年全球 SiC 功率市場(chǎng)規(guī)模將增至 5.57 億美元，隨著工 藝進(jìn)一步成熟，良率和滲透率持續(xù)提升，SiC 功率半導(dǎo)體將在 2020-2022 年迎來爆發(fā)，對(duì)應(yīng) CAGR 約 40%，2022 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 10.84 億美元。新能源汽車（含車載充電器）與汽車充電樁是

40、驅(qū)動(dòng) SiC 規(guī)模高速增長的領(lǐng)域， 份額占比有望從 2017 年的 2.0%和 0.4%，增至 2022 年的 13.5%和 10.8%，合計(jì)占比約 24.3%，僅次于光伏的 28.4%。GaN 功率器件預(yù)計(jì)將以 83.1%的 CAGR 增長至 2022 年 4.5 億美元，主要驅(qū)動(dòng)包括：1）GaN 快充在 2020 年將會(huì)快速普及和起量；2）新能源汽車汽車內(nèi)部電壓、電流大幅提高，需要頻繁進(jìn)行電壓變換，逆變器、變壓 器、換流器用量大幅增加；3）工業(yè)自動(dòng)化中電力逐步取代傳統(tǒng)動(dòng)力，催生大量電源管理及功率轉(zhuǎn)換需求。目前功率器件行業(yè)正處于加速替代窗口期，相關(guān)公司上市步伐加快。目前已上市或者擬上市的功率

41、器件廠 商超過 10 家，建議關(guān)注包括新上市的斯達(dá)半導(dǎo)體（IGBT 模塊國內(nèi)領(lǐng)先）、華潤微（IDM，MOSFET/IGBT 等）， 以及上市過會(huì)的無錫新潔能（MOSFET），科創(chuàng)板申報(bào)的瑞能半導(dǎo)體（晶閘管全球 22%國內(nèi) 36%，二極管，碳化 硅等），一級(jí)市場(chǎng)募資結(jié)束的比亞迪半導(dǎo)體（IGBT）、中車時(shí)代(IGBT)等。3.3 封測(cè)：下游需求及備貨帶動(dòng)高景氣度，封測(cè)環(huán)節(jié)業(yè)績彈性較好在線經(jīng)濟(jì)、5G、新能源、工控帶動(dòng)半導(dǎo)體需求強(qiáng)烈，疊加備貨需求，供應(yīng)鏈轉(zhuǎn)單等因素，晶圓代工產(chǎn)能供 不應(yīng)求，傳導(dǎo)后后續(xù)的封測(cè)環(huán)節(jié)，產(chǎn)能利用率持續(xù)維持高位，相關(guān)企業(yè) Q3 業(yè)績表現(xiàn)向好，2020Q4-2021H1 仍 有望維

42、持。從上游晶圓代工景氣度來看：海外代工巨頭臺(tái)積電 10 月營收同比增長 12.5%，環(huán)比減少 6.5%。Q4 在 5G、HPC 需求持續(xù)帶動(dòng)下，5nm 需求強(qiáng)勁，雖然客戶庫存高于季節(jié)性水位，但為確保供應(yīng)鏈順暢，公司預(yù)計(jì)客戶高庫存水位將繼續(xù)維持，Q4 營 收環(huán)比增長 2.1%-4.6%，全年?duì)I收將增長 30%。本土的華虹和中芯國際同樣表現(xiàn)出高景氣。華虹半導(dǎo)體 Q3 營收創(chuàng)新高，同比增長 5.9%，環(huán)比增長 12.3%， 連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比雙位數(shù)增長，MCU、IGBT 及邏輯芯片等產(chǎn)品需求強(qiáng)烈，8 寸廠滿載，12 寸產(chǎn)能利用率大幅 提升，無錫新廠加快產(chǎn)能建設(shè)。中芯國際 Q3 營收也創(chuàng)新高，環(huán)比增長

43、15.3%，同比增長 32.6%。Q3 產(chǎn)能依然 接近滿載，中國區(qū)收入占比提升到 69.7%，28nm 及以下工藝營收占比提升至 14.6%，較 Q2 小幅提升，來自于 PMIC、RF IC、指紋識(shí)別，CIS 等業(yè)務(wù)增長顯著。從 20Q3 開始，PMIC、MOFET、IGBT、屏下指紋、CIS、Driver IC、MCU 等細(xì)分品類有供需偏緊趨勢(shì)， 預(yù)計(jì) Q4 晶圓代工報(bào)價(jià)有望漲價(jià) 10%-15%，21 年報(bào)價(jià)有望繼續(xù)上漲，預(yù)計(jì)供不應(yīng)求的情況將持續(xù)到 21H1。具 備產(chǎn)能的 IDM/代工企業(yè)或者鎖定代工產(chǎn)能的芯片企業(yè)，在 20Q4-21H1 仍然具備較高能見度。封測(cè)作為晶圓代 工配套環(huán)節(jié)，本土

44、封測(cè)企業(yè)也隨之受益，景氣度有望延續(xù)。國內(nèi)封測(cè)市場(chǎng)，長電科技、華天科技、通富微電三巨頭，從 2019Q2 隨著行業(yè)景氣度修復(fù)，產(chǎn)能利用率逐 季提升，營收增速止跌回升，毛利率和凈利率表現(xiàn)向好，帶動(dòng)凈利潤扭虧。上游晶圓代工產(chǎn)能塞滿，下游配套 的重資產(chǎn)屬性封測(cè)板塊有望隨之受益。國內(nèi)先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模較低，但增長迅速，占全球先進(jìn)封裝產(chǎn)值比重不斷擴(kuò)大。根據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì)，2018 年 國內(nèi)先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模約 240 億元，占全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)比重約 12.8%，遠(yuǎn)低于封裝產(chǎn)業(yè)整體占比。但下游應(yīng) 用對(duì)芯片體積、性能要求不斷提高，推動(dòng)國內(nèi)先進(jìn)封裝快速發(fā)展，國內(nèi)產(chǎn)值占全球先進(jìn)封裝比重 2020 年有望提 升至 1

45、7%，年復(fù)合增速 16%。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，大陸企業(yè)與海外廠商相差無幾，長電科技是國內(nèi)的領(lǐng)頭羊。從市場(chǎng)份額來看，長電科技 在先進(jìn)封裝市場(chǎng)份額約 8%，于 OSAT 企業(yè)中位列第二，在包含 IDM 的所有企業(yè)中，位列第三，僅次于 Intel 的 12.4%和硅品的 11.6%。其產(chǎn)出已經(jīng)與國際大廠相差無幾。國內(nèi) OSAT 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝工藝的全面覆蓋，技術(shù) 水準(zhǔn)步入國際一流。FC、Bumping、WLCSP 等初代先進(jìn)封裝國內(nèi)三大廠均已掌握相關(guān)技術(shù)，TSV、SIP 等封裝 起步較晚，但長電科技和華天科技也相繼實(shí)現(xiàn)突破?？傮w來看，國產(chǎn)廠商與海外大廠封裝技術(shù)已經(jīng)處于同一水 準(zhǔn)。此外，本土新建晶圓產(chǎn)能

46、將在未來擴(kuò)產(chǎn) 2-3 倍，帶來本土封測(cè)市場(chǎng)配套的增量。其中，合計(jì)存儲(chǔ)投資占比 67%，而本土存儲(chǔ)投資占比為 53%，本土特色/成熟/代工占比合計(jì) 22%。存儲(chǔ)封測(cè)、特色/成熟工藝封測(cè)均具備 機(jī)會(huì)，深科技、通富微電、太極實(shí)業(yè)在存儲(chǔ)封測(cè)有所布局。此外，通富微電在 CPU、GPU 等 7nm 節(jié)點(diǎn)具備成 熟封測(cè)經(jīng)驗(yàn)，目前加強(qiáng)在本土邏輯芯片客戶導(dǎo)入，長電在 5G AiP/SiP 封裝等領(lǐng)域布局，值得關(guān)注。3.4 設(shè)備：半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代順利，優(yōu)勢(shì)環(huán)節(jié)份額提升劣勢(shì)環(huán)節(jié)逐漸突破3.4.1 半導(dǎo)體設(shè)備亟需國產(chǎn)化率提升，晶圓產(chǎn)線建設(shè)驅(qū)動(dòng)本土配套機(jī)遇2019 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)約 576 億美金，大陸 130

47、 億美金，占比 22.4%，僅次于臺(tái)灣 27%，高于韓國 18%。 2019 年泛半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)率約 16%，IC 設(shè)備國產(chǎn)化率約 5%。半導(dǎo)體設(shè)備投資占產(chǎn)線總投資 75%-80%。而設(shè)備 投資中，晶圓制造占比約 80%，封裝占比約 6%，測(cè)試占比約 9%。晶圓制造相關(guān)設(shè)備中，光刻/鍍膜/刻蝕等環(huán) 節(jié)占比較高，分別為 24%、20%、16%，而離子注入、工藝檢測(cè)、晶圓加工其他占比為 4%、8%、8%?？紤]市 場(chǎng)空間及技術(shù)成熟度，刻蝕/鍍膜環(huán)節(jié)國內(nèi)廠商替代潛力較大，國內(nèi)刻蝕設(shè)備龍頭中微公司有望份額提升。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)技術(shù)逐漸成熟，加上近年來本土晶圓產(chǎn)線建設(shè)力度加大，各環(huán)節(jié)設(shè)備企業(yè)迎來高速成

48、長。北方華創(chuàng)、中微公司、至純科技、長川科技、精測(cè)電子、晶盛機(jī)電、華興源創(chuàng)、盛美半導(dǎo)體、屹唐等半導(dǎo) 體設(shè)備公司，2016-2019 年?duì)I收復(fù)合增速基本超 30%。未來三年是大陸多條晶圓線新建時(shí)期，年均設(shè)備需求在千 億元。中長期看，到 2021 年，大陸半導(dǎo)體設(shè)備需求全球占比有望達(dá) 25%，超過韓國和臺(tái)灣的 22%，成為全球最 大需求地區(qū)，國內(nèi)設(shè)備廠商有望在部分環(huán)節(jié)迎來本土替代機(jī)會(huì)。2019H2 全球半導(dǎo)體景氣度逐漸修復(fù)，帶動(dòng)設(shè)備開支提升，20H2 仍維持相對(duì)高位，21 年有望創(chuàng)新高。北美 半導(dǎo)體設(shè)備商出貨金額 2019 年逐季向好，2020 年維持高位，10 月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨同比增長

49、26.9%， 環(huán)比略降 3.7%，已保持連續(xù) 13 個(gè)月同比正成長，預(yù)計(jì)全年 12 寸晶圓廠設(shè)備投資將年增 13%，2021 年有望再創(chuàng) 新高。與先進(jìn)的邏輯制程與晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)、大陸晶圓產(chǎn)線建設(shè)等有關(guān)，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備需求旺盛。我們統(tǒng)計(jì)了 2017-2021 年大陸規(guī)劃建設(shè)的晶圓線，測(cè)算本土產(chǎn)線新建半導(dǎo)體設(shè)備需求。晶圓制造環(huán)節(jié)一： 光刻環(huán)節(jié)的光刻機(jī)、電子束曝光、涂膠顯影、去膠設(shè)備的空間增量為 1276 億/63 億/314 億/49 億元；刻蝕設(shè)備中 介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕、化合物半導(dǎo)體刻蝕、電子束刻蝕對(duì)應(yīng)增量為 535 億/513 億/45 億/11 億/11 億；鍍 膜設(shè)備中的 PVD、ALD、CVD/LPCVD、PECVD、VPE 對(duì)應(yīng)的空間為 287 億/85 億/287 億/278 億/123 億。晶圓制造環(huán)節(jié)二：離子注入設(shè)備中高電流注入、中等強(qiáng)度離子注入、高能量離子注入的空間為 156 億/89 億/34 億元；晶圓檢測(cè)設(shè)備中的光學(xué)圖形化晶圓檢測(cè)、光罩檢測(cè)、缺陷檢測(cè)與分類、關(guān)鍵尺寸檢測(cè)的對(duì)應(yīng)增量為 167 億/78 億/39 億/50 億元；清洗設(shè)備中噴淋式清洗臺(tái)