半導(dǎo)體行業(yè)科創(chuàng)板系列·四：中微公司

1、內(nèi)容目錄 HYPERLINK l _TOC_250013 公司介紹4 HYPERLINK l _TOC_250012 公司人員情況4 HYPERLINK l _TOC_250011 股權(quán)結(jié)構(gòu)6 HYPERLINK l _TOC_250010 公司業(yè)務(wù)情況6 HYPERLINK l _TOC_250009 模塊化生產(chǎn)提升效率，少數(shù)客戶依賴性降低6 HYPERLINK l _TOC_250008 以銷定產(chǎn)靈活度較高，技術(shù)附加值提高設(shè)備毛利率8 HYPERLINK l _TOC_250007 研發(fā)投入逐年增長，產(chǎn)品獲業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可8 HYPERLINK l _TOC_250006 公司財務(wù)情況9 HY

2、PERLINK l _TOC_250005 營收快速增長，盈利能力持續(xù)增強(qiáng)9 HYPERLINK l _TOC_250004 經(jīng)營性現(xiàn)金流恢復(fù)正值，資產(chǎn)結(jié)構(gòu)改善9 HYPERLINK l _TOC_250003 高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級10 HYPERLINK l _TOC_250002 行業(yè)市場容量及競爭格局12 HYPERLINK l _TOC_250001 半導(dǎo)體市場空間廣闊，國產(chǎn)代替勢在必行12設(shè)備決定芯片制造基礎(chǔ)，MOCVD 設(shè)備反映 LED 產(chǎn)能12 HYPERLINK l _TOC_250000 行業(yè)同水平公司對比15圖表目錄圖 1：中微半導(dǎo)體發(fā)展歷程4圖 2：中微半導(dǎo)體股權(quán)結(jié)構(gòu)6

3、圖 3：刻蝕設(shè)備生產(chǎn)工藝流程6圖 4：MOCVD 設(shè)備生產(chǎn)工藝流程6圖 5：中微半導(dǎo)體營業(yè)收入及增速/億元9圖 6：中微半導(dǎo)體凈利潤及增速/億元9圖 7：中微半導(dǎo)體經(jīng)營性現(xiàn)金流及增速/億元10圖 8：中微半導(dǎo)體流動比率與速動比率10圖 9：中微半導(dǎo)體存貨與應(yīng)收票據(jù)及應(yīng)收賬款/億元11圖 10：中微半導(dǎo)體員工人數(shù)及支付員工薪酬/億元11圖 11：中國半導(dǎo)體集成電路市場規(guī)模12圖 12：半導(dǎo)體設(shè)備支撐芯片制造產(chǎn)業(yè)13圖 13：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額/億美元13圖 14：集成電路設(shè)備銷售額占比13圖 15：晶圓制造設(shè)備銷售額占比13圖 16：國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額/億元14圖 17：中國 LED 行業(yè)產(chǎn)

4、值/億元14表 1：公司人員任職情況5表 2：2018 年員工專業(yè)結(jié)構(gòu)/人5表 3：中微半導(dǎo)體銷售模式（萬元）7表 4：中微半導(dǎo)體主要客戶7表 5：中微半導(dǎo)體設(shè)備收入構(gòu)成/萬元7表 6：中微半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)銷量（腔）8表 7：中微半導(dǎo)體設(shè)備毛利率8表 8：中微半導(dǎo)體研發(fā)投入（萬元）8表 9：中微半導(dǎo)體主要產(chǎn)品9表 10：可比公司毛利率9表 11：募集資金投資方向/萬元10表 12：募集資金時間周期和時間進(jìn)度11表 13：全球五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商14表 14：可比行業(yè)公司 EPS、PE 對比15表 15：公司毛利率與競爭公司對比15公司介紹中微公司是一家高端半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備公司，是我國集成電路設(shè)備

5、行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，通過向全球集成電路和 LED 芯片制造商提供極具競爭力的高端設(shè)備和高質(zhì)量服務(wù)。中微公司聚焦用于離子體刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備和 MOCVD 設(shè)備等集成電路制造關(guān)鍵設(shè)備。中微半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品包括刻蝕機(jī)和 MOCVD 設(shè)備。其中刻蝕機(jī)有等離子體刻蝕機(jī)和硅通孔刻蝕機(jī)兩種。等離子體刻蝕設(shè)備主要用于芯片制造環(huán)節(jié)，而硅通孔刻蝕設(shè)備是芯片封裝的重要設(shè)備之一?？涛g機(jī)按照前段光刻機(jī)描繪的線路對晶片進(jìn)行更深入的微觀雕刻。自2004 年成立伊始，中微公司首先開發(fā)甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備 Primo D-RIE，到目前為止已成功開發(fā)了雙反應(yīng)臺Primo D-

6、RIE、雙反應(yīng)臺 Primo AD-RIE 和單反應(yīng)臺Primo SSC AD-RIE 三代刻蝕設(shè)備，涵蓋 65 納米、45 納米、32 納米、28 納米、22 納米、14 納米、7 納米和 5 納米微觀器件的眾多刻蝕應(yīng)用。2012 年中微公司開發(fā)電感性等離子體刻蝕設(shè)備， 到目前為止已成功開發(fā)單反應(yīng)臺 Primo nanova 刻蝕設(shè)備，并同時開發(fā)雙反應(yīng)臺電感性等離子體刻蝕設(shè)備，主要涵蓋 14 納米以下微觀器件的刻蝕應(yīng)用。中微公司還針對集成電路先進(jìn)封裝和 MEMS 傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的市場需求，開發(fā)了廣泛應(yīng)用于這些領(lǐng)域的電感性等離子體深硅刻蝕設(shè)備。中微的 MOCVD 設(shè)備是 LED 芯片制造的關(guān)鍵

7、設(shè)備。它的數(shù)量甚至被認(rèn)為是衡量 LED 行業(yè)產(chǎn)能的指標(biāo)。薄膜沉積設(shè)備方面，2010 年中微公司開始開發(fā)用于 LED 器件加工中最關(guān)鍵的設(shè)備MOCVD 設(shè)備。公司已開發(fā)了三代 MOCVD 設(shè)備，該設(shè)備是一種高端薄膜沉積設(shè)備，主要用于藍(lán)綠光 LED 和功率器件等生產(chǎn)加工，包括第一代設(shè)備 Prismo D-Blue、第二代設(shè)備 Prismo A7 及第三代更大尺寸設(shè)備。圖 1：中微半導(dǎo)體發(fā)展歷程資料來源：招股說明書，公司人員情況公司現(xiàn)有董事 11 名，其中獨(dú)立董事 4 名。公司現(xiàn)有監(jiān)事 3 名。表 1：公司人員任職情況序號姓名類別1董事會（11 人）尹志堯董事長、總經(jīng)理2沈偉國董事3朱民董事4楊征帆

8、董事5張亮董事6陳立武董事7杜志游董事長、副總經(jīng)理8陳大同獨(dú)立董事9陳世敏獨(dú)立董事10孔偉獨(dú)立董事11張衛(wèi)獨(dú)立董事監(jiān)事會（3 人）1余峰監(jiān)事會主席2俞信華監(jiān)事3王志軍先生監(jiān)事高級管理人員（6 人）1尹志堯董事長、總經(jīng)理2杜志游董事長、副總經(jīng)理3朱新萍副總經(jīng)理4倪圖強(qiáng)副總經(jīng)理5陳偉文副總經(jīng)理、財務(wù)負(fù)責(zé)人6劉曉宇董事會秘書核心技術(shù)人員（6 人）1尹志堯董事長、總經(jīng)理2杜志游董事長、副總經(jīng)理3倪圖強(qiáng)副總經(jīng)理4麥?zhǔn)肆x副總裁5楊偉副總裁6李天笑副總裁資料來源：招股說明書，2018 年，公司總?cè)藬?shù)為 653 人，其中主要以研發(fā)人員為主，占比 36.75 ，其次為工程技術(shù)人員，占比 21.59 。表 2：2

9、018 年員工專業(yè)結(jié)構(gòu)/人類別人數(shù)占員工總數(shù)的比例研發(fā)人員24036.75%工程技術(shù)人員14121.59%管理人員12118.53%銷售人員497.50%生產(chǎn)人員426.43%其他609.19%合計653100.00%資料來源：招股說明書，股權(quán)結(jié)構(gòu)公司股權(quán)結(jié)構(gòu)中，中微亞洲占比為 5.15%，Primrose 占比為 4.07%。圖 2：中微半導(dǎo)體股權(quán)結(jié)構(gòu)資料來源：招股說明書，公司業(yè)務(wù)情況模塊化生產(chǎn)提升效率，少數(shù)客戶依賴性降低刻蝕設(shè)備生產(chǎn)工藝流程公司刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)工藝流程主要包括小型模組組裝、反應(yīng)腔體組裝、傳送模組組裝、系統(tǒng)集成、終測及工藝調(diào)試、分拆及裝箱等步驟，具體如下：圖 3：刻蝕設(shè)備生產(chǎn)工

10、藝流程資料來源：招股說明書，公司 MOCVD 設(shè)備的生產(chǎn)采用模塊化生產(chǎn)模式。與刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)相比，模塊化生產(chǎn)模式將系統(tǒng)集成、終測及工藝調(diào)試移植到客戶端進(jìn)行，增加了獨(dú)立的反應(yīng)腔體測試和傳送模組測試，從而大大縮短了產(chǎn)品組裝周期。具體情況如下：圖 4：MOCVD 設(shè)備生產(chǎn)工藝流程資料來源：招股說明書，銷售模式：公司采用直銷為主，代理銷售為輔的銷售模式。其中，在 2018 年，直銷的占比高達(dá) 99.97 。表 3：中微半導(dǎo)體銷售模式（萬元）2018 年2017 年2016 年金額占比金額占比金額占比直銷163,878.4699.97%97,075.9399.88%59,574.9297.74%代理商銷

11、售50.370.03%116.130.12%1,377.922.26%合計163,928.83100.00%97,192.06100.00%60,952.84100.00%資料來源：招股說明書，公司逐漸減少依賴少數(shù)客戶的情況。公司每年前五名客戶包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯(lián)華電子、長江存儲、三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚(yáng)光電等。2016 年、2017 年和 2018 年，公司向前五名客戶合計銷售額占當(dāng)期銷售總額的比例分別為85.74%、74.52%和 60.55%，占比逐年降低。公司不存在向單個客戶銷售比例超過公司當(dāng)年銷售總額 50%。表 4：中微半導(dǎo)體主要客戶類別客戶類別重

12、要客戶代表臺積電、中芯國際、聯(lián)華電子、集成電路制造商、半導(dǎo)體封測刻蝕設(shè)備廠商華力微電子、海力士、長江存儲、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導(dǎo)體MOCVD 設(shè)備LED 芯片、功率器件制造商三安光電、璨揚(yáng)光電、華燦光電、乾照光電資料來源：招股說明書，刻蝕和 MOCVD 設(shè)備貢獻(xiàn)主要收入。公司專用設(shè)備主要為刻蝕設(shè)備和 MOCVD 設(shè)備。報告期各期，公司 2016-2018 年刻蝕設(shè)備、MOCVD 設(shè)備的合計銷售收入分別為 48,803.93 萬元、82,580.62 萬元和 139,767.14 萬元，占專用設(shè)備銷售收入的比例分別為 99.57 、99.21 和 100.00 。公司其他設(shè)

13、備收入為 VOC 設(shè)備的銷售收入。表 5：中微半導(dǎo)體設(shè)備收入構(gòu)成/萬元金額占比金額占比金額占比刻蝕設(shè)備56,560.8540.47%28,896.2634.99%47,036.1096.38%MOCVD設(shè)備83,206.2959.53%53,031.5664.22%1,557.583.19%其他設(shè)備-652.810.79%210.260.43%2018 年2017 年2016 年合計139,767.14100.00%82,580.62100.00%48,803.93100.00%資料來源：招股說明書，以銷定產(chǎn)靈活度較高，技術(shù)附加值提高設(shè)備毛利率公司主要采用以銷定產(chǎn)的模式。所以產(chǎn)品的產(chǎn)量與銷量基

14、本匹配。公司產(chǎn)能具有一定彈性， 能根據(jù)訂單情況靈活地安排人工、原材料采購等生產(chǎn)安排。產(chǎn)量總體高于銷量主要源于大部分機(jī)臺發(fā)出后需在客戶生產(chǎn)線上進(jìn)行安裝、調(diào)試，獲得客戶驗(yàn)收后方可確認(rèn)收入。表 6：中微半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)銷量（腔）產(chǎn)品項(xiàng)目2018 年2017 年2016 年合計產(chǎn)量（腔）955075220刻蝕設(shè)備銷量（腔）713356160產(chǎn)量（腔）1361066248MOCVD 設(shè)備銷量（腔）106106106106資料來源：招股說明書，技術(shù)附加值使得刻蝕設(shè)備的毛利率更高。公司的刻蝕設(shè)備下游客戶主要是集成電路制造商、半導(dǎo)體封測廠商，定制化程度高，綜合毛利率較高。公司的 MOCVD 設(shè)備的下游客戶主要是

15、LED 芯片制造商，標(biāo)準(zhǔn)化程度相對較高，綜合毛利率相對較低。2017 年公司主營業(yè)務(wù)毛利率同比下降 3.93 個百分點(diǎn)，主要系 2017 年刻蝕設(shè)備毛利率降低所致。2018 年公司主營業(yè)務(wù)毛利率同比下降 3.09 個百分點(diǎn)，主要系 MOCVD 設(shè)備毛利率下降所致。表 7：中微半導(dǎo)體設(shè)備毛利率2018 年2017 年2016 年毛利率收入占比毛利率收入占比毛利率收入占比專用設(shè)備34.91%85.29%38.23%84.99%42.92%80.07%其中：刻蝕設(shè)備47.52%34.51%38.37%29.74%43.13%77.17%MOCVD26.33%50.77%38.13%54.58%33.

16、82%2.56%備品備件37.28%13.83%39.15%13.87%40.06%19.02%設(shè)備維護(hù)65.16%65.16%65.16%65.16%65.16%65.16%主營業(yè)務(wù)35.50%35.50%35.50%35.50%35.50%35.50%資料來源：招股說明書，研發(fā)投入逐年增長，產(chǎn)品獲業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可公司保持大額的研發(fā)投入并逐年增長。報告期各期研發(fā)投入分別為 30,242.66 萬元、33,043.57 萬元和40,408.78 萬元，占各年度營業(yè)收入的比例分別為49.62 、34.00 和24.65 。表 8：中微半導(dǎo)體研發(fā)投入（萬元）項(xiàng)目2018 年度2017 年度2016 年

17、度研發(fā)投入合計40,408.7833,043.5730,242.66營業(yè)收入163,928.8397,192.0660,952.84研發(fā)投入占比24.65%34.00%49.62%資料來源：招股說明書，中微深耕半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已廣泛應(yīng)用于國際先進(jìn)的 14 納米、7 納米和 5 納米生產(chǎn)線；公司開發(fā)的大型 MOCVD 設(shè)備逐步替代進(jìn)口設(shè)備。截至 2018 年末，中微公司累計已有 1,100 多個反應(yīng)臺服務(wù)于國內(nèi)外 40 余條先進(jìn)芯片生產(chǎn)線。公司自主研發(fā)的 MOCVD 設(shè)備已被多家領(lǐng)先 LED 生產(chǎn)廠家使用和認(rèn)可。經(jīng)過多年的發(fā)展，公司取得了豐富的科技成果。自公司設(shè)立至 2

18、019 年 2 月末，公司申請了 1,201 項(xiàng)專利，其中發(fā)明專利 1,038 項(xiàng)，海外發(fā)明專利 465 項(xiàng)；已獲授權(quán)專利 951 項(xiàng)，其中發(fā)明專利 800 項(xiàng)。表 9：中微半導(dǎo)體主要產(chǎn)品產(chǎn)品類別應(yīng)用領(lǐng)域主要應(yīng)用于集成電路制造中氧化硅、氮化硅電容性等離子體刻蝕設(shè)備及低介電系數(shù)膜層等電介質(zhì)材料的刻蝕電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于在集成電路制造中單晶硅、多晶硅等材料的刻蝕MOCVD 設(shè)備LED外延片及功率器件生產(chǎn)VOC 設(shè)備平板顯示生產(chǎn)線等工業(yè)用的空氣凈化資料來源：招股說明書，公司財務(wù)情況營收快速增長，盈利能力持續(xù)增強(qiáng)根據(jù)公司招股書，2018 年中微營業(yè)收入達(dá) 16.39 億元，同比增長 68.

19、62 ，凈利潤 0.91 億元，同比增長 203.61 。得益于半導(dǎo)體行業(yè)的增長、全球產(chǎn)能向中國大陸轉(zhuǎn)移，以及公司技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品品質(zhì)、品牌信譽(yù)度、客戶資源等方面的優(yōu)勢，報告期內(nèi)公司主營業(yè)務(wù)收入保持快速增長。16-18 年中微的毛利率分別為 42.52 、38.59 、35.50 。圖 5：中微半導(dǎo)體營業(yè)收入及增速/億元圖 6：中微半導(dǎo)體凈利潤及增速/億元20.0015.009.7216.3970.0068.62% 65.00150.00100.0050.000.0029.9290.84250.00203.61%200.00150.0010.005.000.006.109.34%52016201

20、7營業(yè)收入（億元）2018YoY(%)60.0055.0050.00-50.00-100.00-150.00-200.00-250.00-300.00201720182016112.53% -238.79凈利潤（百萬元）YoY(%)100.0050.000.00資料來源：招股說明書，資料來源：招股說明書，表 10：可比公司毛利率2016 年2017 年2018 年應(yīng)用材料41.67%44.93%45.31%泛林半導(dǎo)體44.97%46.63%-東京電子40.30%42.01%-維易科40.13%37.05%35.74%愛思強(qiáng)28.64%32.12%43.76%北方華創(chuàng)39.73%36.59%-中

21、微42.52%38.59%35.50%資料來源：招股說明書，經(jīng)營性現(xiàn)金流恢復(fù)正值，資產(chǎn)結(jié)構(gòu)改善經(jīng)營性現(xiàn)金流良好為公司研發(fā)投入提供保證。2018 年公司經(jīng)營活動凈現(xiàn)金流量為 2.61 億元。目前，公司資產(chǎn)質(zhì)量、流動性良好償債能力較強(qiáng)，盈利能力增強(qiáng)，公司擁有較為充足的生產(chǎn)經(jīng)營、研發(fā)投入的資源為公司可持續(xù)發(fā)展提供了保障。公司建立清晰的戰(zhàn)略、科學(xué)激勵機(jī)制，為公司吸引人才打下了堅實(shí)的基礎(chǔ)。圖 7：中微半導(dǎo)體經(jīng)營性現(xiàn)金流及增速/億元3.002.001.000.00-1.00 2.61274.00%201720162018300.00250.00200.00150.00100.0050.00-47.00.0

22、0-1.026%-50.00-2.00 -1.50營性現(xiàn)金流凈額(億元）YoY（%）-100.00資料來源：招股說明書，公司資產(chǎn)和負(fù)債結(jié)構(gòu)改善，流動、速動比率逐年提高。2018 年公司的流動比率為 2.12， 速動比率為 1.19。2016 年末，公司流動比率和速動比率低于 1，主要系 2016 年末公司應(yīng)付收購中微國際的股權(quán)收購款金額較大，導(dǎo)致 2016 年末流動資產(chǎn)低于流動負(fù)債所致；2017年末，公司速動比率低于 1，主要系 2017 年末公司經(jīng)營規(guī)模擴(kuò)大，期末在手訂單較多， 存貨大幅增加及 2017 年末應(yīng)付收購中微國際的股權(quán)收購款金額較大，導(dǎo)致剔除存貨后的流動資產(chǎn)低于流動負(fù)債所致。圖

23、8：中微半導(dǎo)體流動比率與速動比率2.5 2.121.041.190.460.260.5121.510.50201620172018流動比率（倍）速動比率（倍）資料來源：招股說明書，高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級本次發(fā)行所募資金將投資于高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級項(xiàng)目、技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級項(xiàng)目和補(bǔ)充流動資金，擬使用募集資金總額 100,156.18 萬元，具體如下：表 11：募集資金投資方向/萬元序號募集資金運(yùn)用方向金額項(xiàng)目2技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級項(xiàng)目40,097.223補(bǔ)充流動資金20,000.001高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級40,058.96資料來源：招股說明書，合計100,156.18表 12：募集資金時間周

24、期和時間進(jìn)度序號項(xiàng)目名稱時間周期和時間進(jìn)度本項(xiàng)目建設(shè)期為2 年零6 個月，分如下五個階段工作實(shí)施：第一階段為研究與設(shè)計階段，歷時 3 個月，主要是完成項(xiàng)目可行性研究及規(guī)劃、初步設(shè)計、施工圖設(shè)計； 第二階段為廠房改建和裝修階段，歷時 6 個月，主要工作為生產(chǎn)車間生產(chǎn)設(shè)施及配套生產(chǎn)設(shè)施的改建、裝高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)升級項(xiàng)目技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級項(xiàng)目資料來源：招股說明書，修；第三階段為設(shè)備采購階段， 歷時 9 個月，主要是設(shè)備采購、施工安裝，以及軟件采購及安裝、調(diào)試等；第四階段為人員招聘及培訓(xùn)階段，主要是生產(chǎn)人員及相關(guān)崗位人員招聘，可與第三階段同時進(jìn)行；第五階段為設(shè)備調(diào)試、試產(chǎn)階段，歷時 12 個月，主

25、要是工程投產(chǎn)準(zhǔn)備、工程試運(yùn)營投產(chǎn)等。本項(xiàng)目建設(shè)期2年，計劃分三個階段實(shí)施完成，計劃進(jìn)度安排如下：第一階段為工程施工階段， 本階段主要任務(wù)是研發(fā)中 心裝修及實(shí)驗(yàn)室等配套工 程施工，歷時6個月。第二階段為設(shè)備采購及施 工安裝階段，本階段的主要工作是進(jìn)行公用系統(tǒng)安裝， 空調(diào)凈化裝修，各輸配系統(tǒng)工藝管道的安裝；此外本階段將完成項(xiàng)目設(shè)備的采購、招投標(biāo)等相關(guān)工作，歷時1 年。第三階段為設(shè)備調(diào)試、試運(yùn)行階段，本階段是在施工全部完畢后，進(jìn)行設(shè)備調(diào)試、單機(jī)設(shè)備驗(yàn)證、系統(tǒng)調(diào)試及系統(tǒng)驗(yàn)證，歷時6個月。補(bǔ)充流動資金提高資金利用率。為進(jìn)一步優(yōu)化財務(wù)結(jié)構(gòu)，滿足現(xiàn)有研發(fā)投入和生產(chǎn)銷售的資金需求，擬將部分募集資金用于補(bǔ)充其他

26、與主營業(yè)務(wù)相關(guān)的營運(yùn)資金。補(bǔ)充流動資金可以降低公司的財務(wù)風(fēng)險，提高公司的市場競爭力。圖 9：中微半導(dǎo)體存貨與應(yīng)收票據(jù)及應(yīng)收賬款/億元圖 10：中微半導(dǎo)體員工人數(shù)及支付員工薪酬/億元12 10.987.973.764.572.193.6110億元8642020162017201870060050040030020010002016201720180.8 6535744978450.30.40.50.60.40.20存貨應(yīng)收票據(jù)及賬款員工人數(shù)（人）支付員工薪酬（億元）資料來源：招股說明書，資料來源：招股說明書，行業(yè)市場容量及競爭格局半導(dǎo)體市場空間廣闊，國產(chǎn)代替勢在必行云計算、5G 迅速發(fā)展，中國半

27、導(dǎo)體市場空間巨大。半導(dǎo)體行業(yè)是是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐。根據(jù)國際貨幣基金組織測算，每 1 美元半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)值可帶動相關(guān)電子信息產(chǎn)業(yè)10 美元產(chǎn)值，并帶來 100 美元的 GDP。中國已成為了全球最大的電子產(chǎn)品消費(fèi)市場。根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計，從 2013 年到 2018 年僅中國半導(dǎo)體集成電路市場規(guī)模就從 820 億美元擴(kuò)大至 1,550 億美元，年均復(fù)合增長率約為 13.58 。未來隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G 等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，中國將成為全球半導(dǎo)體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域。從供給端分析，對比巨大的國內(nèi)市場需求，國產(chǎn)半導(dǎo)體集成

28、電路市場規(guī)模較小，2018 年自給率約為 15。不斷擴(kuò)大的中國半導(dǎo)體市場規(guī)模嚴(yán)重依賴于進(jìn)口，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率過低，進(jìn)口替代的空間巨大。圖 11：中國半導(dǎo)體集成電路市場規(guī)模資料來源：招股說明書，設(shè)備決定芯片制造基礎(chǔ)，MOCVD 設(shè)備反映 LED 產(chǎn)能半導(dǎo)體設(shè)備價值含量高。半導(dǎo)體設(shè)備價值普遍較高，一條制造先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)線投 資中設(shè)備價值約占總投資規(guī)模的 75%以上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出巨大的設(shè)備需求市場。根據(jù) SEMI 統(tǒng)計，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從 2013 年的約 318 億美元增長至 2018 年的預(yù)估 621 億美元，年均復(fù)合增長率約為 14.33%，高于同期全球半導(dǎo)體器件市場規(guī)

29、模的增速。圖 12：半導(dǎo)體設(shè)備支撐芯片制造產(chǎn)業(yè)資料來源：招股說明書，國際半導(dǎo)體設(shè)備市場已形成壟斷格局。根據(jù) VLSI Research 統(tǒng)計，2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備系統(tǒng)及服務(wù)銷售額為 621 億美元，其中前五大半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商，由于起步較早，憑借資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢，占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場 65%的市場份額。其中，阿斯麥在光刻機(jī)設(shè)備方面形成寡頭壟斷。應(yīng)用材料、東京電子和泛林半導(dǎo)體是提供等離子體刻蝕和薄膜沉積等工藝設(shè)備的三強(qiáng)。目前刻蝕設(shè)備、光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價值量約 24%、23%和 18%。圖 13：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額/億美元資料來源：招股說明書，圖 14：集成電路設(shè)備銷售額占比圖 15：晶圓制造設(shè)備銷售額占比6%8%81%5%24%9%13%23%18%13%晶圓制造設(shè)備封裝設(shè)備測試設(shè)備其他設(shè)備光刻機(jī)薄膜沉積設(shè)備CMP/表面處理/清潔 檢測設(shè)備其他沉積設(shè)備刻蝕設(shè)備明13資料來源：招股說明書，資料來源：招股說明書，表 13：全球五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商排名公司市占率1應(yīng)用材料17.27%2阿斯麥15.74%3東京電子13.45%4泛林半導(dǎo)體13.40%5科天半導(dǎo)體5.19%合計65.05%資料來源：招股說明書，超高的研發(fā)成本和技術(shù)難度限制了中國在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的發(fā)展。歐美等國為了阻止中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，一直對該領(lǐng)域?qū)嵤?/p>