

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文檔簡介
1、編輯本段 TTL 電路介紹TTL 電路是晶體管-晶體輯電路的英文縮寫(Transister-Transister-Logic ),是數(shù)字集成電路的一大門類。它采極型工藝制造,具有高速度和品種多等特點(diǎn)。 從六十年發(fā)成功第一代產(chǎn)品以來現(xiàn)有以下幾代產(chǎn)品。第一代 TTL 包括 SN54/74 系列,(其中 54 系列工作溫度為-55+125,74 系列工作溫度為 0+75) ,低功耗系列簡稱 lttl,高速系列簡稱 HTTL。第二代 TTL 包括箝位系列(STTL)和低功耗系列(LSTTL)。第三代為采用等平面工藝制造的先進(jìn)的 STTL(ASTTL)和先進(jìn)的低功耗STTL(ALSTTL)。由于 LST
2、TL 和 ALSTTL 的電路延時功耗積較小,STTL 和 ASTTL 速度很快,因此獲得了廣泛的應(yīng)用。各類 TTL 門電路的基本性能:編輯本段 TTL 電路分類電路類型 TTL 數(shù)字集成電路約有 400 多個品種,大致可以分為以下幾類:門電路譯/驅(qū)動器觸發(fā)器TTL 電路介紹 TTL 電路分類特性曲線電壓傳輸特性TTL 電路目錄計(jì)數(shù)器移位寄存器單穩(wěn)、雙穩(wěn)電路和多諧振蕩器加法器、乘法器奇偶校驗(yàn)器碼制轉(zhuǎn)換器線驅(qū)動器/線多路開關(guān)器編輯本段特性曲線電壓傳輸特性TTL 與非門電壓傳輸特性 LSTTL 與非門電壓傳輸特性瞬態(tài)特性 由于寄生電容和晶體管載流子的出波形如 右。存在四個時間常數(shù) td,tf,ts
3、 和 tr。延遲時間 td下降時間 tf時間 ts上升時間 tr基本單元“與非門”常用電路形式四管單元 五管單元 六管單元主要封裝形式雙列直插扁平封裝效應(yīng)的存在,輸入和輸TTL 反相器工作原理,請參照數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版 高等教育,電子教研室 主編的 P53 頁電路圖1、當(dāng) Vi=Ve1=0.2v 時 T1 導(dǎo)通,這時 Vb1 被鉗制到 0.2+0.7=0.9v,由于 T1 導(dǎo)通,故 Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于 Vb20.7v,所以 T2 導(dǎo)通,側(cè) Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb40.7v,所以 T4 導(dǎo)通,由于 T2 的導(dǎo)通導(dǎo)致 T3 的基極 Vb3 被鉗制到
4、 0V,所以 T3 截止;所以 Vo 輸出為低電平。另外由于 T4 的導(dǎo)通,并且發(fā)射極接地,反過來有影響到 T4 的基極被鉗制到 Vb4=0v+0.7v=0.7v,同樣 T2 導(dǎo)通所以 T2 的基極 Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同樣 T1 導(dǎo)通 Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。S 電路和區(qū)別和TTL 電路是晶體管-晶體輯電路的英文縮寫(Transister-Transister-Logic),是數(shù)字集成電路的一大門類。它采極型工藝制造,具有高速度低功耗和品種多等特點(diǎn)。CMOS 是:金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)
5、結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱 MOS 晶體管,有 P型 MOS 管和 N 型 MOS 管之分。由MOS 管的集成電路稱為 MOS 集成電路,而由 PMOS 管和 NMOS 管共同的互補(bǔ)型 MOS集成電路即為 CMOS-IC(Complementary MOSegrated Circuit)。CMOS 集成電路的性能特點(diǎn):微功耗CMOS 電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級。高噪聲容限CMOS 電路的噪聲容限一般在 40%電源電壓以上。寬工作電壓范圍CMOS 電路的電源電壓一般為 1.518 伏。高邏輯擺幅CMOS 電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為 VDD,邏輯“0”為 VSS。高輸入阻抗-CMOS
6、電路的輸入阻抗大于 108,一般可達(dá) 1010。出能力-CMOS 電路的扇出能力大于 50。低輸入電容-CMOS 電路的輸入電容一般不大于 5PF。寬工作溫度范圍陶瓷封裝的 CMOS 電路工作溫度范圍為- 55 0C 125 0C;塑封的 CMOS 電路為 40 0C 85 0C。1、TTL 電平:2.4V,輸出低電平=2.0V,輸入低電平=0.8V,噪聲容限是 0.4V。2、CMOS 電平:1 邏輯電平電壓接近于電源電壓,0 邏輯電平接近于 0V。而且具有很寬的噪聲容限。TTL 和 COMS 電路比較:1)TTL 電路是電流控制器件,而 coms 電路是電壓控制器件。2)TTL 電路的速度快,傳輸延遲時間短(5-10ns),但是功耗大。COMS 電路的速度慢,傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。COMS 電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關(guān),頻率越高,集越熱,這是正?,F(xiàn)象。3)COMS 電路的鎖定效應(yīng):COMS 電路由于輸入太大的電流,的電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時,COMS 的電流能達(dá)到 40mA 以上,很容易燒毀。防御措施:在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓。的電源輸入端加去耦電路,防止 VDD 端出現(xiàn)瞬間的高壓。在 VDD
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