材料科學基礎(chǔ)總復習4

1、填空1、如果立方晶系每個結(jié)點上有一個原子，則三個點陣每個晶胞包含的原子個數(shù)依次為、和 （按結(jié)點從少到多順序）2、理想密排六方結(jié)構(gòu)的單位晶胞原子數(shù)為_個，原子半徑為，配位數(shù)為，致密度為，八面 體間隙數(shù)為，四面體間隙數(shù)為，原子最密排晶面族為。3、位錯線是晶體中區(qū)和區(qū)在滑移面上的交界線，刃型位錯的柏氏矢量與其位錯線，螺型位錯的柏氏矢量與其位錯線，混合型位錯的柏氏矢量與其位錯線既不，也不 。4、小角度晶界是相鄰兩晶粒的位向差的晶界，它可分為 和兩種基本類型，前者是由 TOC o 1-5 h z 位錯構(gòu)成，后者是由位錯構(gòu)成，它們具有的界面能；大角度晶界是相鄰兩晶粒的位向差的晶界，它的界面能比小角度晶界的

2、。5、 液態(tài)金屬的結(jié)構(gòu)為短程，長程，純金屬和合金結(jié)晶的必要條件是，它們都是通過和完成結(jié)晶的，純金屬是在 （恒溫/邊溫）條件下結(jié)晶，形核需要起伏和 起伏。6、 根據(jù)液固相界面的微觀結(jié)構(gòu)，相界面可分為界面和 界面兩類，后者通常以或兩種方式生長。7、 間隙相是由 元素和元素在電負性差時，且原子半徑比0.59時形成的中間相，它的晶體結(jié)構(gòu)比較，并與兩組元的晶體結(jié)構(gòu)，具有很高的 和 。8、 高分子處于玻璃態(tài)時，在運動，外力一經(jīng)去除，變形立刻，此時處于的狀態(tài)。9、 面心立方結(jié)構(gòu)的原子半徑為。10、 位錯有和兩種基本的運動方式，刃型位錯由于有多余的，因此它既能做運動，也能做運動，而螺型位錯只能做運動。在常溫或

3、低溫下，位錯的 運動非常困難，因為這種運動需要原子的才能發(fā)生，顯然，升高溫度可以 這種運動。11、 刃型位錯的滑移方向與柏氏矢量，與使該位錯滑移的外分切應力；螺型位錯的滑移方向與柏氏矢量，與使該位錯滑移的外分切應力 。但是，無論什么位錯在外應力場作用下滑移時，其運動方向總是與位錯線 ，并指向晶體的區(qū)。12、 位錯不能發(fā)生交滑移，但可以在有正應力的作用下發(fā)生運動。13、 金屬在常溫或低溫下的主要塑性變形方式是，其次是。位錯的滑移方向總是指向 方向，位錯的滑移面是與 決定的平面。14、 玻璃態(tài)和高彈態(tài)之間的轉(zhuǎn)變溫度稱為溫度，用表示。而Tf表示和 之間的轉(zhuǎn)變溫度。15、 當溫度提高到Tg以上時，在運

4、動，此時的彈性變形具有現(xiàn)象，高分子進入 ，它是高分子獨有的一種力學行為。選擇題1、面心立方結(jié)構(gòu)的單位晶胞原子數(shù)是 個。 TOC o 1-5 h z a. 2 b 4 c 8d 122、 體心立方結(jié)構(gòu)中原子的最密排晶向族是。a 100 b 110 c111d 1123、 空間點陣只能有種。a 12 b 14 c 15 d 164、純金屬在某一溫度T （Tr *，表面自由能變化可忽略不計；b rr*，體積自由能的增加大于表面自由能的增加；c rr*,表面自由能的增加小于表面自由能的增加；d rr*,體積自由能的減少（絕對值）大于表面自由能的增值。5、非均勻形核的形核功（Gnt ）和接觸角（0）和。

5、nw（晶核和雜質(zhì)之間的界面能）之間的關(guān)系為:a Gnw越小，0越大，Gd越大；b Gnw越大，0越大，Gd越小；c Gnw越小，0越小，G.越大；d Gnw越小，0越小，G.越小。6、A和A-B合金焊接后發(fā)生柯肯達爾效應，測得界面向A試樣方向移動，貝：a A組元的擴散速率大于B組元b A組元的擴散速率小于B組元c A、B組元的擴散速率相同7、位錯運動方向處處垂直于位錯線，在運動過程中是可變的，晶體作相對滑動的方 :a隨位錯線運動方向而改變b 始終是柏氏矢量方向c始終是外力的方向8、 單晶體的臨界分切應力與有關(guān)。a外力相對于滑移系的取向；b拉伸時的屈服應力；c金屬的類型與純度；d拉伸時的應變大小

6、9、在金相試樣表面上幾組交叉滑移系的產(chǎn)生是由于：a交滑移 b多系滑移 c單滑移10、引入空間點陣概念是為了：a描述原子在晶胞中的位置b描述晶體的對稱性c描述晶體結(jié)構(gòu)的周期性d同時描述晶體結(jié)構(gòu)的周期性和對稱性11、A、B兩晶體，如果：a 所屬的空間點陣相同，則此兩晶體的結(jié)構(gòu)相同；b 晶體結(jié)構(gòu)相同，它們所屬的空間點陣可能不同；c 晶體結(jié)構(gòu)相同，它們所屬的空間點陣必然相同；d 所屬的空間點陣不同，兩晶體的結(jié)構(gòu)可能相同。12、BCC晶體中間隙半徑比FCC中的小，但BCC的致密度卻比FCC低，這是因為： a BCC中原子半徑小b BCC中密排方向111上的原子排列比FCC密排方向上的原子排列松散c BC

7、C中的原子密排面110的數(shù)量太少d BCC中原子的配位數(shù)比FCC中原子配位數(shù)低13、組成固溶體的兩組元完全互溶的條件是：a 兩組元的電子濃度相同b兩組元的晶體結(jié)構(gòu)相同c 兩組元的原子半徑相同d兩組元電負性相同14、某FCC單晶體塑變時出現(xiàn)兩組平行的交叉的滑移線，則塑變處于：a易滑移階段b線性硬化階段c動態(tài)回復階段 d拋物線硬化階段15、鐵可在某一相同的溫度下滲碳或滲鉻，一般來說：a滲碳速度比滲鉻快b滲鉻速度比滲碳快c滲碳速度與滲鉻差不多d不好說16、下列有關(guān)固體中擴散的說法中，正確的是：a原子擴散的驅(qū)動力是存在著濃度梯度b空位擴散是指間隙固溶體中溶質(zhì)原子從一個空位間隙跳到另一個空位間隙c 晶界

8、上點陣畸變較大，因而原子遷移阻力較大，所以比晶內(nèi)的擴散系數(shù)小 d 成分均勻的材料中也存在著擴散。問答題1、對于非均勻形核而言，過冷度的大小對形核功的影響是否與均勻形核時相同？為什么？2、試比較單晶銅和多晶銅的塑性變形特點。3、Cu和黃銅組成的互擴散偶發(fā)生擴散時，標志面會向哪個方向移動？為什么？4、試用位錯理論解釋細晶強化機理。5、若在固態(tài)金屬中的擴散表現(xiàn)出宏觀的物質(zhì)輸送效果，所必需的四個條件是什么？6、原子間的鍵合有哪幾種？金屬為什么具有良好的延展性，而離子晶體一般熔點和硬度均較高?7、高分子鏈結(jié)構(gòu)分為近程結(jié)構(gòu)和遠程結(jié)構(gòu)，它們各自包括哪些內(nèi)容？計算題1在立方晶系中寫出110 晶面族的所有等價面，并寫出 111 晶向族中的全部等價晶向密勒指數(shù)。2、在面心立方晶體中有下述位錯反應：?1。1+ ?M1t ?111。判斷該反應能否進行。2633、已知單晶銅的111101滑移系的臨界分切應力%為1MPa，問：(1)要使(11)面上產(chǎn)生101 方向的滑移，則在001 方向上施加多大的應力？ (2)假設(shè)在單晶