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1、公開(kāi)中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2015 年度課題指南中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中國(guó)工程物理研究院核物理與化學(xué)研究所2015年 4月中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室目錄一、概述1二、重點(diǎn)課題2三、一般課題5四、概念研究課題15五、說(shuō)明16附件 1:中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題管理辦法(2014 年版)附件 2:中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育課題管理辦法(2014 年版)附件 3:課題申請(qǐng)書(shū)附件 4:課題進(jìn)展表中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2015 年度課題指南一、概述中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“實(shí)驗(yàn)室 ”)于 2012 年 3 月經(jīng)我院批準(zhǔn)、 2012 年 5 月掛
2、牌進(jìn)入試運(yùn)行階段,其掛靠單位為中物院核物理與化學(xué)研究所。實(shí)驗(yàn)室著重面向核武器研發(fā)及戰(zhàn)略科技任務(wù)中中子物理學(xué)方面的科學(xué)問(wèn)題,通過(guò)開(kāi)展前沿性、創(chuàng)新性的基礎(chǔ)及應(yīng)用基礎(chǔ)研究,加強(qiáng)對(duì)外合作交流,與院外科學(xué)技術(shù)基礎(chǔ)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高效聯(lián)接,推動(dòng)中子物理學(xué)學(xué)科方向的發(fā)展。實(shí)驗(yàn)室以中物院核物理與化學(xué)研究所的研究堆、加速器、中子散射譜儀等大型實(shí)驗(yàn)平臺(tái)為基礎(chǔ),研究方向及重點(diǎn)研究?jī)?nèi)容如下:中子學(xué)參數(shù) :將開(kāi)展中子學(xué)宏觀和微觀參數(shù)的實(shí)驗(yàn)、測(cè)試技術(shù)及相關(guān)理論研究。實(shí)現(xiàn)部分重要宏觀參數(shù)的測(cè)試技術(shù)達(dá)到國(guó)際水平,建立宏觀參數(shù)檢驗(yàn)的基本理論方法,掌握中子誘發(fā)裂變參數(shù)、裂變中子的能譜、反應(yīng)截面等微觀參數(shù)測(cè)量技術(shù)的目標(biāo)。中子應(yīng)用技術(shù) :將
3、進(jìn)行多種新型中子散射和成像技術(shù)的理論和實(shí)驗(yàn)研究,掌握原位加載下材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)、應(yīng)力、缺陷等的分析方法和技術(shù),建立特定對(duì)象的檢測(cè)方法及規(guī)范,實(shí)現(xiàn)從技術(shù)到應(yīng)用的轉(zhuǎn)化,發(fā)展中子深度分析、中子誘發(fā)瞬發(fā) 活化分析等先進(jìn)中子分析技術(shù),開(kāi)展中子與物質(zhì)相互作用行為研究,發(fā)展先進(jìn)的輻照控制技術(shù)和性能表征技術(shù),認(rèn)識(shí)并總結(jié)中子輻照環(huán)境下材料的微觀結(jié)構(gòu)演化和力學(xué)性能變化規(guī)律,構(gòu)建特定材料的多尺度輻射損傷模型,提出抗輻照材料設(shè)計(jì)原則。先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù) :將針對(duì)中子學(xué)參數(shù)測(cè)量和應(yīng)用研究需求,探索先進(jìn)中子源技術(shù);基于已有研究堆、脈沖堆中子源和多種中子發(fā)生器,開(kāi)展現(xiàn)有裝置優(yōu)化及先進(jìn)中子源關(guān)鍵部件研發(fā)技術(shù),高品質(zhì)中子
4、束流調(diào)制技術(shù)和中子場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究,為建立寬能譜、高性能的中子科學(xué)研究綜合平臺(tái),進(jìn)一步解決大型復(fù)雜科學(xué)問(wèn)題提供技術(shù)支持;開(kāi)展先進(jìn)的射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究,掌握強(qiáng)脈沖混合輻射場(chǎng)中中子和 測(cè)量技術(shù)、強(qiáng)本底中的弱信號(hào)測(cè)量技術(shù)以及強(qiáng)本底測(cè)量技術(shù),為開(kāi)展精密中子物理實(shí)驗(yàn)、獲1中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室取可靠有效數(shù)據(jù)提供支持;研制新型中子探測(cè)器,為改變國(guó)外探測(cè)器壟斷國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的現(xiàn)狀做出貢獻(xiàn)。為推動(dòng)中子物理學(xué)界的開(kāi)放和交流,根據(jù)相關(guān)管理辦法,實(shí)驗(yàn)室本年度擬支持以下類(lèi)型的研究課題:重點(diǎn)課題: 原則上,研究周期不超過(guò)三年,每個(gè)課題的支持經(jīng)費(fèi)為 100 萬(wàn)200 萬(wàn)元。此類(lèi)課題應(yīng)該具有較高的創(chuàng)新性或重要的應(yīng)用
5、前景,能夠取得重要的原創(chuàng)性成果。一般課題: 原則上,研究周期不超過(guò)兩年,每個(gè)課題的支持經(jīng)費(fèi)為 30 萬(wàn)60 萬(wàn)元。此類(lèi)課題應(yīng)該具有一定的創(chuàng)新性或較好的應(yīng)用前景,能夠取得原創(chuàng)性成果。概念研究課題: 原則上,研究周期一年,每個(gè)課題的支持經(jīng)費(fèi)不超過(guò) 10 萬(wàn)元。此類(lèi)課題為針對(duì)新概念、新方法、新技術(shù)而進(jìn)行的概念性、可行性論證。軟科學(xué)課題: 原則上,實(shí)施周期不超過(guò)一年,所有此類(lèi)課題支持經(jīng)費(fèi)總額不超過(guò) 15 萬(wàn)元。此類(lèi)課題為面向中子物理學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域而進(jìn)行的規(guī)劃研究、發(fā)展對(duì)策研究及情報(bào)調(diào)研等軟科學(xué)研究。培育課題: 此類(lèi)課題面向非我院正式職工。原則上,研究周期不超過(guò)兩年,每個(gè)課題的支持經(jīng)費(fèi)不超過(guò) 10 萬(wàn)元。
6、此類(lèi)課題由申請(qǐng)者根據(jù)中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育課題管理辦法自主選題(支持范圍請(qǐng)參見(jiàn)前述重點(diǎn)研究?jī)?nèi)容) 。二、重點(diǎn)課題課題 1.1:基于單次脈沖源方法的瞬發(fā)中子衰減曲線(xiàn)測(cè)量技術(shù)2015AA01)所屬方向: 中子學(xué)參數(shù)研究目標(biāo): 建立、完善單次脈沖源方法瞬發(fā)中子衰減常數(shù) 測(cè)量技術(shù),采用該技術(shù)獲得實(shí)驗(yàn)室快中子反應(yīng)堆次緩發(fā)臨界、緩發(fā)臨界和超緩發(fā)臨界狀態(tài)的瞬發(fā)中子衰減常數(shù),明確該技術(shù)的適用范圍和 測(cè)量結(jié)果的不確定度。2中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究?jī)?nèi)容: 基于某快中子實(shí)驗(yàn)反應(yīng)堆,開(kāi)展單次脈沖源法測(cè)量瞬發(fā)中子衰減常數(shù) 的模擬研究,通過(guò)計(jì)算分析源強(qiáng)、探測(cè)器響應(yīng)、實(shí)驗(yàn)布局、環(huán)境散射等條件的影響
7、,初步確定單次脈沖源方法測(cè)量的適用范圍,完成實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)工作;在快中子反應(yīng)堆緩發(fā)臨界、次臨界開(kāi)展單次脈沖源法與Rossi-方法、252Cf 隨機(jī)脈沖源方法的 比對(duì)測(cè)試研究, 在超緩發(fā)臨界狀態(tài)開(kāi)展單次脈沖源法 測(cè)試技術(shù)研究;結(jié)合理論與實(shí)驗(yàn)測(cè)量情況,評(píng)價(jià)單次脈沖源法的適用條件和 測(cè)量不確定度,提出可能的改進(jìn)措施。課題 2.1:SiC 材料的中子輻照損傷機(jī)制及其與離子輻照間的等效性研究( 2015AB01)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 對(duì)具有較好核能應(yīng)用前景的 SiC 材料和納米晶金屬開(kāi)展荷能粒子的輻照損傷物理機(jī)制研究, 分析材料的微結(jié)構(gòu)演變和性能老化規(guī)律,獲取不同中子傷劑量 (dpa)時(shí)材料中特
8、定損傷缺陷的產(chǎn)生速率和形成規(guī)律、樣品的力學(xué)和熱學(xué)特性變化數(shù)據(jù), 建立力學(xué)模型來(lái)預(yù)測(cè)力學(xué)性能變化規(guī)律。同時(shí)認(rèn)識(shí)離子和中子輻照在材料中缺陷產(chǎn)生規(guī)律及材料性能演化過(guò)程中的差異,建立等效評(píng)價(jià)物理模型。研究?jī)?nèi)容: 中子輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù)和物理計(jì)算方法研究:根據(jù)研究堆特性開(kāi)展輻照樣品和輻照裝置設(shè)計(jì),并建立中子輻照注量與損傷劑量dpa、初級(jí)碰撞原子( PKA )能譜間的準(zhǔn)確計(jì)算方法,與離子損傷劑量dpa 和 PKA能譜計(jì)算方法進(jìn)行比較并修正;微納結(jié)構(gòu)對(duì)輻照缺陷演化過(guò)程影響及作用機(jī)制的實(shí)驗(yàn)研究:選取具有特定微納結(jié)構(gòu)的模式材料(納米晶),開(kāi)展中子和離子輻照實(shí)驗(yàn),通過(guò)微納力學(xué)測(cè)量和微結(jié)構(gòu)表征來(lái)研究不同dpa 時(shí)材料的力
9、學(xué)性能和納米顆粒 /界面區(qū)域等微納結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律。微納結(jié)構(gòu)材料中輻照缺陷演化行為的多尺度計(jì)算機(jī)模擬研究:利用計(jì)算機(jī)模擬技術(shù) ab-initio 、QMD 、MD 、KMC 、粘彈性力學(xué)自恰模型等從不同角度和不同尺度來(lái)開(kāi)展輻照缺陷和性能演化行為的模擬研究。離子輻照和中子輻照對(duì)材料性質(zhì)影響的等效性研究:嚴(yán)格控制加速器離子和研究堆中子輻照參數(shù),保證損傷劑量一致,結(jié)合分析表征手段來(lái)研究輻照缺陷種類(lèi)、數(shù)量、大小及分布等與輻照條件的關(guān)系,認(rèn)識(shí)樣品的力學(xué)性能變化規(guī)律及其與輻照缺3中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陷間的關(guān)聯(lián),基于力學(xué)自洽模型來(lái)建立兩種輻照方式的等效物理模型。材料抗輻照能力評(píng)估模型的初步構(gòu)
10、建:分析輻照條件微納結(jié)構(gòu)宏觀性能間的內(nèi)在聯(lián)系,深入認(rèn)識(shí)材料輻照損傷的物理機(jī)制,初步構(gòu)建評(píng)價(jià)模型。課 題 2.2:聚合物粘結(jié)炸藥( PBX)聲子譜學(xué)的實(shí)驗(yàn)研究和內(nèi)損傷動(dòng)力學(xué)多尺度理論模擬( 2015AB02)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): PBX 在制備、加工和貯存過(guò)程中,內(nèi)損傷的形成和演化過(guò)程與熱過(guò)程的各種效應(yīng)密切相關(guān),利用冷中子三軸譜儀技術(shù)研究凝聚態(tài)物質(zhì)的元激發(fā)等能量過(guò)程和動(dòng)力學(xué)性質(zhì),特別是聲子譜和聲子態(tài)密度、軟模相變等,具有實(shí)驗(yàn)上的確定性和唯一性,可望厘清內(nèi)損傷微觀起源。配合中子散射技術(shù)研究體內(nèi)缺陷分布,中子反射技術(shù)研究界面微觀結(jié)構(gòu),獲得 PBX 在不同加工、制備條件下初始損傷種類(lèi)、分
11、布等基礎(chǔ)數(shù)據(jù),并在各種加載條件下,原位或離線(xiàn)追蹤各類(lèi)損傷的幾何和結(jié)構(gòu)的演化過(guò)程,建立候選材料數(shù)據(jù)庫(kù),開(kāi)展 PBX 內(nèi)損傷演化過(guò)程的理論模擬,提出材料失效預(yù)期模型。研究?jī)?nèi)容: 基于冷中子三軸技術(shù),測(cè)量 PBX 及相關(guān)晶體材料的聲子譜和聲子態(tài)密度,研究晶格動(dòng)力學(xué)和軟模相變等性質(zhì);基于中子散射技術(shù),研究炸藥晶體的熱應(yīng)力誘導(dǎo)缺陷分布和大小以及擴(kuò)散(聚集)的微觀機(jī)制,建立與線(xiàn)膨脹行為以及晶型的變化的關(guān)聯(lián);研究聚合物在熱應(yīng)力作用下的缺陷 (/自由體積 )的演化規(guī)律,在分子水平上建立甄別力學(xué)性能變化的判據(jù);基于中子反射技術(shù),研究炸藥 /粘結(jié)劑界面微缺陷的遷移、聚集及互擴(kuò)散的動(dòng)力學(xué)行為,建立與各類(lèi)加載條件相關(guān)
12、的損傷模型;發(fā)展自主的內(nèi)損傷形成和演化(包括上述物理過(guò)程)理論模擬軟件,提出基于界面結(jié)合能和細(xì)觀力學(xué)計(jì)算模擬的 PBX 失效預(yù)期模型。課 題 2.3:利用中子散射研究量子相變(2015AB03)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 利用中子散射研究材料中磁結(jié)構(gòu)隨磁場(chǎng)的變化以及其自旋激發(fā)與其量子相變之間的規(guī)律;研究量子臨界點(diǎn)附近自由能和外參數(shù)的關(guān)4中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室系,確定相變點(diǎn)附近的標(biāo)度行為以及相變的普適類(lèi)。研究?jī)?nèi)容: 采用中子散射技術(shù)來(lái)研究相關(guān)體系的自旋漲落;利用已有中子散射譜儀對(duì)低能和高能的磁激發(fā)譜進(jìn)行綜合研究;結(jié)合實(shí)驗(yàn)與理論手段,針對(duì) 4f 電子強(qiáng)關(guān)聯(lián)重費(fèi)米子體系的電子
13、態(tài)和量子臨界行為開(kāi)展系統(tǒng)研究,為 5f 電子強(qiáng)關(guān)聯(lián)重費(fèi)米子體系的相關(guān)研究奠定基礎(chǔ)。課題 3.1:用于高精度裂變截面測(cè)量的時(shí)間投影室(TPC )研制2015AC01)所屬方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)所屬方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究目標(biāo): 完成裂變 TPC 的物理設(shè)計(jì),研制出具備區(qū)分裂變碎片、alf粒子和輕帶電粒子能力的TPC 原型樣機(jī)。研究?jī)?nèi)容: 物理設(shè)計(jì)。通過(guò)模擬計(jì)算,分析出影響系統(tǒng)性能的主要因素,給出最優(yōu)化設(shè)計(jì),并最終分解出各個(gè)分系統(tǒng)的設(shè)計(jì)指標(biāo)。漂移氣室的設(shè)計(jì)。裂變TPC 所測(cè)量的帶電離子既有裂變碎片,又有alpha 粒子,能量分布范圍很大,同時(shí)為克服放電、打火等技術(shù)難題,需要尋
14、找合適的工作氣體及工作電壓。讀出探測(cè)器的研制。為區(qū)分裂變碎片和其它帶電粒子,需要讀出系統(tǒng)的位置分辨能力在 100m 左右。讀出電子學(xué)的研制。 TPC 單側(cè)讀出需要幾千道電子學(xué),尤其是前端電子學(xué),只能采用高密度、低噪聲的 ASIC。數(shù)據(jù)采集與分析軟件的研制。負(fù)責(zé)系統(tǒng)控制及數(shù)據(jù)的采集與處理、徑跡重建。三、一般課題課 題 1.2: D-T 中子發(fā)生器氚靶中氫同位素動(dòng)態(tài)分布原位測(cè)量方法2015BA01)所屬方向: 中子學(xué)參數(shù)研究目標(biāo): 建立一種高分辨伴隨粒子能譜實(shí)驗(yàn)技術(shù)及基于伴隨粒子法獲取氚 /氘分布的方法。在不干擾中子發(fā)生器正常實(shí)驗(yàn)情況下,通過(guò)反演伴隨粒子能譜獲取靶中氚 /氘的深度分布結(jié)果。研究?jī)?nèi)容
15、: 氫同位素分布測(cè)量實(shí)驗(yàn):研究影響伴隨粒子能譜中粒子分5中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室辨的實(shí)驗(yàn)條件,優(yōu)化設(shè)計(jì)建立伴隨粒子測(cè)量系統(tǒng),獲得高分辨的質(zhì)子能譜、能譜;基于高分辨伴隨粒子能譜, 使用同位素源和加速器對(duì)伴隨粒子能譜測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行 刻度,獲得各種定標(biāo)關(guān)系。 阻止本領(lǐng)計(jì)算與評(píng)估 :結(jié)合理論分析與數(shù)值模擬, 研究質(zhì)子、 粒子在探測(cè)器中的能量沉積過(guò)程, 得到阻止本領(lǐng)與氚、氘密度的關(guān)系;研究目前阻止本領(lǐng)計(jì)算誤差對(duì)伴隨粒子各項(xiàng)參數(shù)的影響;建立 粒子、質(zhì)子在物質(zhì)中阻止本領(lǐng)計(jì)算模型?;诎殡S粒子能譜反演氚 /氘深度分布模型的建立 :研究伴隨粒子阻止本領(lǐng)與氚、 氘濃度的物理聯(lián)系;研究核反應(yīng)動(dòng)力學(xué),基于
16、數(shù)據(jù)庫(kù)獲得伴隨粒子產(chǎn)生的微分截面數(shù)據(jù)和初始能量;基于薄靶近似、核反應(yīng)截面、阻止本領(lǐng)模型,獲得含有未知數(shù) 氚或氘原子濃度深度分布的伴隨粒子模擬能譜;基于伴隨粒子的模擬能譜與實(shí)驗(yàn)?zāi)茏V,通過(guò)最優(yōu)化算法求解模擬能譜中未知數(shù),獲得靶中氚、氘的深度分布數(shù)據(jù)。課 題 1.3: 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面測(cè)量及分析(2015BA02)所屬方向: 中子學(xué)參數(shù)研究目標(biāo): 掌握 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面活化測(cè)量技術(shù),設(shè)計(jì)搭建測(cè)量樣品及裝置,獲取 6-20MeV 主要能段上多中子能量點(diǎn)的 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面實(shí)驗(yàn)結(jié)果,完成實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與主流數(shù)據(jù)庫(kù)相關(guān)數(shù)據(jù)的對(duì)比分析,與理論模型計(jì)算結(jié)果對(duì)比,并進(jìn)行
17、宏觀檢驗(yàn)與分析。研究?jī)?nèi)容: 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面測(cè)量研究。238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面測(cè)量技術(shù),包括技術(shù)路線(xiàn)比選、強(qiáng)本底消除、能量峰識(shí)別及修正技術(shù)等;鈾樣品物理參數(shù)測(cè)定,包括樣品的射線(xiàn)自吸收研究、樣品純度影響消除等;主要能段中子能量(6-20MeV )獲取及通量監(jiān)測(cè)技術(shù)研究,包括單能中子獲取,消除低能中子影響,利用樣品自身反應(yīng)道的輔助中子監(jiān)測(cè)技術(shù)研究; 238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面數(shù)據(jù)宏觀檢驗(yàn)研究。對(duì)國(guó)際上現(xiàn)有相關(guān)宏觀基準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)和已有的宏觀實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析,對(duì)比評(píng)價(jià)各主流核數(shù)據(jù)庫(kù);必要時(shí)進(jìn)行適當(dāng)?shù)暮暧^實(shí)驗(yàn)研究。238U(n,2n)反應(yīng)微觀截面數(shù)據(jù)評(píng)價(jià)分析。分析國(guó)內(nèi)外主流評(píng)
18、價(jià)核數(shù)據(jù)庫(kù)中的相關(guān)數(shù)據(jù),分析其不確定度;將本項(xiàng)目實(shí)驗(yàn)得到的微觀截面數(shù)據(jù)與國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有主要的相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比分析,結(jié)合宏觀檢驗(yàn)結(jié)果,評(píng)判本項(xiàng)目數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性;使用典型6中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室理論模型計(jì)算相關(guān)核反應(yīng)截面,獲取結(jié)果并與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比分析。4探索238U(n,2n)反應(yīng)產(chǎn)物 237U 的反應(yīng)截面測(cè)量技術(shù)。課題 1.4:瞬發(fā)中子引發(fā)裂變釋能統(tǒng)計(jì)漲落與動(dòng)態(tài)響應(yīng)機(jī)理研究2015BA03)所屬方向: 中子學(xué)參數(shù)研究目標(biāo): 建立超瞬發(fā)核系統(tǒng)裂變釋能動(dòng)態(tài)響應(yīng)物理模型與數(shù)值計(jì)算程序。研究?jī)?nèi)容: 超瞬發(fā)核系統(tǒng)裂變釋能統(tǒng)計(jì)漲落與動(dòng)態(tài)響應(yīng)機(jī)理研究;超瞬發(fā)核系統(tǒng)裂變釋能實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證技術(shù)研究;超
19、瞬發(fā)脈沖堆 2kg 裂變釋能過(guò)程反演。課 題 1.5:強(qiáng)中子和 輻射對(duì)土壤生態(tài)系統(tǒng)的影響研究( 2015BA04)所屬方向: 中子學(xué)參數(shù)研究目標(biāo): 建立微生物輻照效應(yīng)的研究方法,獲得高強(qiáng)度的中子和 輻射對(duì)土壤中微生物種群分布和功能的影響,從而獲得高強(qiáng)度輻射對(duì)土壤生態(tài)系統(tǒng)的影響機(jī)制研究?jī)?nèi)容: 強(qiáng)中子和 輻射對(duì)土壤中微生物的輻照效應(yīng)研究,包括不同種屬微生物的滅活率,中子和 射線(xiàn)受土壤環(huán)境的影響等; 輻射作用后微生物種群分布和功能的影響研究;微生物種群分布和功能的變化對(duì)土壤生態(tài)系統(tǒng)的影響評(píng)價(jià)。課題1.6:面向反應(yīng)堆屏蔽問(wèn)題的自適應(yīng)重要抽樣程序研制2015BA05)所屬方向: 中子學(xué)參數(shù)研究目標(biāo): 給
20、出復(fù)雜幾何結(jié)構(gòu)(含重復(fù)結(jié)構(gòu))基于伴隨通量的重要性函數(shù)自動(dòng)產(chǎn)生與優(yōu)化方法,給出基于伴隨通量的源偏倚與輸運(yùn)偏倚耦合方法。在 MCNP 基礎(chǔ)上完成程序研制與考核,對(duì)于任意一個(gè) MC 計(jì)算模型,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)建立伴隨輸運(yùn)模型,獲得伴隨通量,自動(dòng)產(chǎn)生源偏倚和輸運(yùn)偏倚的重要性函數(shù),以及自動(dòng)偏倚抽樣等功能。7中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究?jī)?nèi)容: 伴隨通量用于指導(dǎo)正算粒子輸運(yùn)的理論研究以及伴隨輸運(yùn)自動(dòng)建模研究。研究伴隨通量作為重要性函數(shù)的實(shí)現(xiàn)方法,包括選擇特征量,參數(shù)制作,歸一化方法等,研究從MC 正算模型到伴隨模型的自動(dòng)建模方法;復(fù)雜幾何結(jié)構(gòu)下基于伴隨通量的重要性函數(shù)自動(dòng)產(chǎn)生與優(yōu)化研究,重點(diǎn)解決重要性
21、函數(shù)在反應(yīng)堆堆芯重復(fù)結(jié)構(gòu)中的映射問(wèn)題;面向反應(yīng)堆屏蔽的自動(dòng)源偏倚抽樣方法以及源偏倚與輸運(yùn)偏倚的耦合研究,重點(diǎn)解決粒子權(quán)重大幅度波動(dòng)問(wèn)題;基于 MCNP 平臺(tái)的自適應(yīng)重要抽樣程序研制與考核。通過(guò)典型反應(yīng)堆屏蔽模型和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)完成考核驗(yàn)證。課 題 2.4:點(diǎn)背光式快中子照相技術(shù)研究(2015BB01)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 開(kāi)展基于激光慣性約束聚變( ICF)中子的點(diǎn)背光式照相技術(shù)研究,掌握厚密物質(zhì)的瞬態(tài)過(guò)程照相技術(shù);掌握影響成像質(zhì)量的關(guān)鍵因素,優(yōu)化設(shè)計(jì)與脈沖快中子源強(qiáng)相匹配的高探測(cè)量子效率( DQE)快中子成像系統(tǒng);掌握非期望信號(hào)對(duì)點(diǎn)背光式快中子圖像分辨的影響規(guī)律;嘗試圖像面密度反演及
22、圖像重建技術(shù)。研究?jī)?nèi)容: 高 DQE 照相系統(tǒng)設(shè)計(jì)。根據(jù)聚變?cè)粗凶犹匦裕ㄟ^(guò)蒙特卡洛程序模擬中子與探測(cè)系統(tǒng)相互作用物理過(guò)程,加深脈沖快中子照相物理過(guò)程認(rèn)識(shí),以提高圖像分辨為目標(biāo)設(shè)計(jì)具有高探測(cè)量子效率的成像系統(tǒng)。非期望信號(hào)對(duì)圖像影響的定量化分析。研究在點(diǎn)背光式照相條件下非期望中子特性變化規(guī)律,定量化分析其對(duì)圖像模糊的影響,并進(jìn)行相應(yīng)優(yōu)化。圖像面密度反演及圖像重建技術(shù)?;诤衩芪镔|(zhì)的快中子輻射圖像,嘗試建立其面密度反演方法,探索極少量圖像下的圖像重建技術(shù)。課 題 2.5:電子放大冷中子高分辨成像關(guān)鍵技術(shù)研究(2015BB02)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 掌握電子放大冷中子高分辨率成像技術(shù),
23、獲取二次電子轉(zhuǎn)換膜優(yōu)化設(shè)計(jì)參數(shù),完成電子聚焦加速段模擬優(yōu)化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)本征分辨率達(dá)到 10m的高分辨率冷中子在線(xiàn)式成像。研究?jī)?nèi)容: 二次電子轉(zhuǎn)換膜材料選擇,厚度優(yōu)化及鍍膜工藝研究:8中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室通過(guò)模擬獲得不同含鋰或硼材料的二次電子發(fā)射率及產(chǎn)額;研究選定膜材料在不同基體溫度和蒸發(fā)率條件下的鍍膜性質(zhì)。電子加速段的加速電極優(yōu)化設(shè)計(jì)研究:使用有限元計(jì)算程序來(lái)計(jì)算不同電極形狀的電場(chǎng),獲得平行度較好的電子運(yùn)動(dòng)軌跡。電子聚焦放大段的磁場(chǎng)優(yōu)化設(shè)計(jì)研究:利用有限元模擬程序計(jì)算不同螺線(xiàn)管設(shè)計(jì)獲得的磁場(chǎng),模擬電子在聚焦磁場(chǎng)中的軌跡。放大畸變與噪聲抑制研究:通過(guò)模擬獲得電子分布圖樣,與放大前
24、電子圖樣比較,分析其畸變及噪聲,對(duì)加速和聚焦場(chǎng)進(jìn)行優(yōu)化。冷中子高分辨率成像實(shí)驗(yàn)研究?;诶渲凶邮@得電子放大高分辨成像結(jié)果,將其與普通成像結(jié)果對(duì)比,驗(yàn)證模擬結(jié)果。課 題 2.6:新型5d 過(guò)渡金屬氮化物的高溫高壓原位中子衍射研究2015BB03)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 利用高溫高壓原位中子衍射平臺(tái)與原位測(cè)量分析方法,開(kāi)展新型 5d 過(guò)渡金屬氮化物高溫高壓原位中子衍射研究,揭示以氮化鉿、氮化鉭、氮化鎢、氮化錸為代表的新型 5d 過(guò)渡金屬氮化物在高溫高壓極端條件下的晶體結(jié)構(gòu)、磁結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律 ,建立一種在極端條件下探索重、輕元素化合物的晶格占位與擴(kuò)散規(guī)律的研究方法。研究?jī)?nèi)容: 1.制備
25、適用于堆源中子衍射研究的新型 5d 過(guò)渡金屬氮化物塊體材料(樣品尺寸 5mm),設(shè)計(jì)和優(yōu)化原位中子衍射高溫高壓樣品腔;開(kāi)展新型 5d 過(guò)渡金屬氮化物的高溫高壓原位中子衍射實(shí)驗(yàn), 利用中子衍射定量描述在極端條件條件下新型 5d 過(guò)渡金屬氮化物的晶體結(jié)構(gòu)、 晶格占位和磁序狀態(tài),掌握新型 5d 過(guò)渡金屬氮化物的晶體結(jié)構(gòu)和磁結(jié)構(gòu)隨溫度、壓力的變化規(guī)律;建立一種在極端條件下重、輕元素化合物的晶格占位與擴(kuò)散規(guī)律的研究方法。課 題 2.7:金屬 U 微觀結(jié)構(gòu)與晶格振動(dòng)的中子散射研究(2015BB04)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 以金屬 U 為研究對(duì)象,采用中子非彈性散射對(duì)金屬U 不同狀態(tài)下(溫度、壓
26、力)的晶格振動(dòng)模式展開(kāi)系統(tǒng)研究。采用中子衍射表征9中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室金屬 U 不同狀態(tài)下的精細(xì)微觀結(jié)構(gòu)演化。闡明金屬U 微觀結(jié)構(gòu)演變、晶格振動(dòng)模式在溫度、壓力場(chǎng)下的演變規(guī)律。探索金屬U 的宏觀功能行為(力學(xué)、熱學(xué))與晶體結(jié)構(gòu)和晶格振動(dòng)模式演變之間的關(guān)聯(lián)機(jī)制。研究發(fā)展金屬 U 多場(chǎng)條件下(溫度、壓力)的中子非彈性散射和中子衍射技術(shù)與表征方法,建立相關(guān)的樣品制備方法、測(cè)試方法和數(shù)據(jù)處理技術(shù)。研究?jī)?nèi)容: 利用中子衍射技術(shù)測(cè)試金屬 U 母相與演化相的精細(xì)晶體結(jié)構(gòu)、相分布等,研究金屬 U 微觀晶體結(jié)構(gòu)隨溫度壓力的演化機(jī)制;利用中子非彈性散射技術(shù),系統(tǒng)研究金屬 U 不同過(guò)程狀態(tài)下晶格振
27、動(dòng)模式及其演化規(guī)律,結(jié)合中子衍射得到的結(jié)構(gòu)信息,揭示其宏觀性能(力學(xué)、熱學(xué)等)與微觀機(jī)制關(guān)聯(lián)的物理本質(zhì);通過(guò)第一性原理計(jì)算進(jìn)行聲子譜和結(jié)構(gòu)計(jì)算,并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比,揭示晶格振動(dòng)模式與結(jié)構(gòu)演變的物理起源。課 題 2.8:鍍層約束條件下 NiTiNb 形狀記憶合金的相變變形機(jī)理研究( 2015BB05)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo):發(fā)展熱力耦合原位加載條件下 NiTiNb 形狀記憶合金相變過(guò)程的中子散射無(wú)損檢測(cè)技術(shù),獲得鍍層約束條件下材料內(nèi)應(yīng)力和微結(jié)構(gòu)演化數(shù)據(jù);建立考慮鍍層約束的形狀記憶合金數(shù)值計(jì)算模型,結(jié)合相關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析相變變形與鍍層約束之間的耦合關(guān)系;為在馬氏體逆相變過(guò)程中由于變形不均勻
28、導(dǎo)致密封穩(wěn)定性較差的細(xì)徑形狀記憶合金管接頭的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供技術(shù)支撐。研究?jī)?nèi)容: 發(fā)展熱力耦合原位加載條件下材料內(nèi)應(yīng)力和微結(jié)構(gòu)的中子散射無(wú)損檢測(cè)技術(shù), 通過(guò)定量檢測(cè) NiTiNb 形狀記憶合金樣品中馬氏體和奧氏體的份額變化及微結(jié)構(gòu)演化情況判斷材料在不同溫度和應(yīng)變條件下的相變過(guò)程;研究在不同厚度的鍍層約束條件下的 NiTiNb 形狀記憶合金的熱力學(xué)性能,包括升溫應(yīng)變回復(fù)特性,應(yīng)變約束條件下溫度相關(guān)的內(nèi)應(yīng)力演化過(guò)程,和不同溫度條件下的應(yīng)力應(yīng)變關(guān)系等;建立在鍍層約束條件下的形狀記憶合金的數(shù)值計(jì)算模型,模擬在溫度引起的相變過(guò)程中由于材料與鍍層之間不同的變形引起的耦合變形和應(yīng)力分布,并結(jié)合相關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,分析
29、鍍層約束條件下的形狀記憶合金的相變變形機(jī)理。10中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室課 題 2.9:用于中子散射的氘代襯度變換技術(shù)研究(2015BB06)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 掌握用于中子散射實(shí)驗(yàn)研究的高分子材料和含能材料實(shí)驗(yàn)樣品的氘代反應(yīng)機(jī)理和氘代實(shí)驗(yàn)技術(shù),建立準(zhǔn)確表征樣品氘代率的通用表征方法,為中子散射復(fù)雜樣品的氘代襯度變換提供技術(shù)手段。研究?jī)?nèi)容: 選取聚氨酯、硅橡膠、聚苯乙烯等功能性高分子材料作為目標(biāo)氘代合成對(duì)象,系統(tǒng)研究目標(biāo)氘代高分子樣品的合成技術(shù)和檢測(cè)方法,通過(guò)調(diào)控合成條件和檢測(cè)中間狀態(tài)探索氘代反應(yīng)的機(jī)理,獲得可用于中子散射實(shí)驗(yàn)研究的氘代樣品,并對(duì)比研究氘代樣品與非氘
30、代樣品的熱力學(xué)性質(zhì)差異,建立一套可準(zhǔn)確表征樣品氘代率的檢測(cè)方法;以含能材料(如 HMX 、RDX 等)作為目標(biāo)氘代對(duì)象,采用全合成法或者氫同位素置換方法研究含能材料的氘代實(shí)驗(yàn)技術(shù),獲得可用于中子散射實(shí)驗(yàn)研究的氘代含能材料樣品;選取高分子材料和氘代良溶劑,研究利用氘代溶劑浸泡的中子散射實(shí)驗(yàn)技術(shù)和氘代襯度變換技術(shù)。課 題 2.10:快中子厚針孔點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) (PSF)測(cè)量技術(shù)研究(2015BB07)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 利用激光慣性約束聚變( ICF)產(chǎn)生的近單能點(diǎn)中子源,實(shí)驗(yàn)上獲得厚針孔 14.1MeV 快中子 PSF,為相應(yīng)的計(jì)算程序提供校驗(yàn)數(shù)據(jù);建立亞毫米級(jí)快中子成像厚針孔參數(shù)檢
31、驗(yàn)方法。研究?jī)?nèi)容: 厚針孔 PSF 測(cè)量的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)量方法優(yōu)化研究,重點(diǎn)為厚針孔高精度對(duì)中準(zhǔn)直的方法研究; 厚針孔 14.1MeV 快中子 PSF 處理方法研究。課 題 2.11:新型功能化納米微晶復(fù)合材料結(jié)構(gòu)與性能的原位中子衍射研究( 2015BB08)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 利用原位化學(xué)中子衍射表征技術(shù),獲取功能化納米微晶復(fù)合材料微結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)以及與其性能關(guān)系的規(guī)律性認(rèn)識(shí),并發(fā)展原位復(fù)合氣氛、11中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室溫度加載技術(shù),為新的化學(xué)原位中子衍射實(shí)驗(yàn)提供技術(shù)基礎(chǔ)。研究?jī)?nèi)容: 制備鐵酸錳納米微晶與氧化石墨烯復(fù)合功能材料,用中子衍射研究復(fù)合材料中鐵酸錳亞晶粒的
32、微結(jié)構(gòu)及其與性能的關(guān)系;開(kāi)展氬氣氣氛、 700-1000K 溫度條件的原位復(fù)合化學(xué)加載技術(shù)研究,建立相關(guān)原位加載系統(tǒng);采用分子自組裝技術(shù)制備低維碳 /金屬(如納米鎳)復(fù)合材料,在化學(xué)氣氛及高溫條件下,原位研究金屬的晶化過(guò)程和納米鎳的微結(jié)構(gòu),并探討實(shí)驗(yàn)條件對(duì)低維碳形貌和性能的影響。課 題 3.2:用于中子成像的 THGEM 高分辨率快中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)研究( 2015BC01)所屬方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究目標(biāo): 完成具有位置分辨能力的THGEM 快中子轉(zhuǎn)換體的物理設(shè)計(jì),探測(cè)效率高于 1%,完成多陽(yáng)極讀出電子學(xué)的優(yōu)化設(shè)計(jì),獲得分辨率達(dá)到亞毫米的 THGEM 快中子成像圖像。研究?jī)?nèi)容:
33、位置靈敏中子轉(zhuǎn)換體的物理設(shè)計(jì):研究快中子在轉(zhuǎn)換體中的輸運(yùn)過(guò)程,優(yōu)化轉(zhuǎn)化體的厚度等參數(shù)。開(kāi)展中子轉(zhuǎn)換體與THGEM 的結(jié)構(gòu)配合研究,提高空間分辨率;帶電粒子獲取的影響因素研究:研究反沖質(zhì)子輸運(yùn)過(guò)程, 以及原初電離電子在THGEM 的小孔的雪崩放大過(guò)程,調(diào)制合適的電場(chǎng)分布;多陽(yáng)極讀出電子學(xué)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn):采用多陽(yáng)極單元結(jié)構(gòu)作為主要的電子學(xué)實(shí)現(xiàn)方式,將研究多陽(yáng)極單元尺寸大小與讀出方式對(duì)空間分辨的影響, 并優(yōu)化設(shè)計(jì)多陽(yáng)極讀出結(jié)構(gòu), 實(shí)現(xiàn) ASIC 集成電路讀出電子學(xué)和數(shù)據(jù)獲??; 快中子成像驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)與理論的比對(duì)研究。 利用 D-T 反應(yīng) 14MeV 中子源和 THGEM 快中子探測(cè)器進(jìn)行成像實(shí)驗(yàn), 搭建實(shí)
34、驗(yàn)平臺(tái),設(shè)計(jì)模擬樣品,獲得在線(xiàn)快中子圖像,實(shí)驗(yàn)與理論比對(duì),優(yōu)化探測(cè)器的設(shè)計(jì)。課 題 3.3:用于裂變截面測(cè)量的多層快裂變室技術(shù)研究(2015BC02)所屬方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究目標(biāo): 針對(duì)多種元素裂變截面測(cè)量的研究需求,對(duì)多層快裂變室結(jié)構(gòu)進(jìn)行物理設(shè)計(jì),研制用于裂變截面測(cè)量的快裂變室系統(tǒng),掌握裂變同12中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室位素膜制備技術(shù), 為多層快裂變室研制及裂變截面測(cè)量研究提供技術(shù)支持。研究?jī)?nèi)容: 多層快裂變室物理設(shè)計(jì)?;诎坠庵凶釉瓷狭炎兘孛鏈y(cè)量的技術(shù)指標(biāo),參照國(guó)際上多層快裂變室的設(shè)計(jì)思想,利用各種模擬工具,對(duì)快裂變電離室的幾何結(jié)構(gòu)、材料、裂變核素鍍膜厚度、極
35、間距等優(yōu)化設(shè)計(jì),并提供物理設(shè)計(jì)方案;快裂變室研制技術(shù)研究。針對(duì)快裂變室主要參數(shù)性能指標(biāo)(響應(yīng)時(shí)間 30ns、探測(cè)器效率、測(cè)量精度等),開(kāi)展快裂變室制作技術(shù)及工藝流程研究,研制多層快裂變室,并進(jìn)行其性能參數(shù)的精確標(biāo)定;薄底襯裂變同位素膜制備技術(shù)研究。開(kāi)展大面積( 50mm)、薄底襯( 100m)裂變同位素膜制備技術(shù)研究,以及裂變同位素精確定量研究(定量不確定度 2%);開(kāi)展裂變截面測(cè)量技術(shù)研究。圍繞如何降低裂變截面數(shù)據(jù)不確定度,利用制作的快裂變室,基于加速器中子源,研究影響裂變截面測(cè)量的中子能散等實(shí)驗(yàn)因素,開(kāi)展裂變截面測(cè)量技術(shù)研究。課 題 3.4:差分式無(wú)窗氣體靶技術(shù)研究(2015BC03)所屬
36、方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究目標(biāo): 通過(guò)對(duì)差分管道流導(dǎo)和各級(jí)真空室壓強(qiáng)的理論計(jì)算及軟件模擬,提出一套應(yīng)用于低能中子發(fā)生器的多級(jí)差分真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。研究?jī)?nèi)容: 差分系統(tǒng)的理論計(jì)算與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì):在不影響束流包絡(luò)及真空順利過(guò)渡的前提下,確定差分孔徑及差分級(jí)數(shù)。根據(jù)差分孔徑,對(duì)差分管道的流導(dǎo)、各級(jí)真空室的壓強(qiáng)進(jìn)行理論計(jì)算,并對(duì)充氣氣流效應(yīng)對(duì)差分系統(tǒng)性能的影響做定性分析及定量的理論計(jì)算,為差分系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供理論依據(jù); 離子束流在差分系統(tǒng)傳輸過(guò)程中損失及中子空間分布研究:在束流傳輸過(guò)程中,差分管道中氣體質(zhì)量厚度不同對(duì)束流的品質(zhì)及能量都會(huì)造成一定影響及損失,利用計(jì)算機(jī)程序模擬及相應(yīng)的理論計(jì)算,針對(duì)
37、束流品質(zhì)的改善提出解決方案;研究在差分系統(tǒng)及氣體靶室中中子的空間分布;實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證研究:根據(jù)多級(jí)差分真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案,加工一套適用現(xiàn)有中子發(fā)生器的多級(jí)差分真空系統(tǒng),進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證研究,并通過(guò)驗(yàn)證結(jié)果對(duì)設(shè)計(jì)方案加以改進(jìn)。課 題 3.5:熱電晶體驅(qū)動(dòng)緊湊型脈沖中子源關(guān)鍵技術(shù)研究(2015BC04)13中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室所屬方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究目標(biāo) :獲得束流加載狀態(tài)下降低熱電晶體電荷損失的有效途徑,提出熱電晶體驅(qū)動(dòng)緊湊型脈沖中子源設(shè)計(jì)方案。研究?jī)?nèi)容 :提高束流加載下熱電晶體熱釋電性能的技術(shù)研究:通過(guò)理論計(jì)算、數(shù)值模擬以及實(shí)驗(yàn)研究分析束流轟擊過(guò)程中LiTaO3 晶體的溫
38、升速率和晶體尺寸對(duì)熱釋電性能的影響;獲得電壓與晶體的溫升速率和晶體尺寸的關(guān)系;設(shè)計(jì)合適的溫升速率和晶體尺寸,提高熱電晶體的熱釋電性能。 .熱電晶體二次電子的抑制技術(shù)研究;利用數(shù)值模擬的方法獲得產(chǎn)生的二次電子的傳輸路徑,對(duì)靶端結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)、優(yōu)化,獲得二次電子抑制的有效途徑,減小熱電晶體電荷損失。課 題 3.6:陣列式 RF 離子源的引出特性研究(2015BC05)所屬方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究目標(biāo): 掌握陣列式平面線(xiàn)圈的氣體放電技術(shù),研究陣列式線(xiàn)圈的功率分布對(duì)離子源的線(xiàn)引出分布影響。研究?jī)?nèi)容: 多天線(xiàn)的耦合匹配技術(shù)研究:研究多天線(xiàn)的射頻解耦技術(shù);研究平面陣列式天線(xiàn)的設(shè)計(jì)方法;研究多天線(xiàn)
39、的網(wǎng)絡(luò)阻抗匹配技術(shù);33 陣列的 RF 離子源技術(shù)研究:研究不同頻率對(duì)陣列式RF 離子源的影響;設(shè)計(jì) 33 陣列 RF 離子源;建立 33 陣列 RF 離子源實(shí)驗(yàn)裝置;測(cè)試 33 陣列 RF 離子源的相關(guān)參數(shù);陣列式放電對(duì)離子源引出分布的影響研究:測(cè)試陣列式 RF 離子源等功率分布時(shí),離子源的引出分布;研究陣列式 RF 離子源功率分布對(duì)離子源引出密度分布的影響; 研究陣列式 RF 離子源的定向引出技術(shù)。課 題 3.7:正、仲氫比例對(duì)冷中子束流參數(shù)影響的研究(2015BC06)所屬方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究目標(biāo): 獲取不同正、仲氫比例對(duì)冷源冷中子注量率和中子能譜的影響規(guī)律,確定在綿陽(yáng)研
40、究堆冷源現(xiàn)有尺寸和結(jié)構(gòu)下的最佳正仲氫比例;測(cè)量得到冷源運(yùn)行不同時(shí)間輸出的冷中子注量率和中子能譜,驗(yàn)證正仲氫比例變化與冷源運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)的關(guān)系,調(diào)整冷源運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)對(duì)冷中子束流參數(shù)進(jìn)14中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室行優(yōu)化。研究?jī)?nèi)容: 模擬計(jì)算不同正、仲氫比例對(duì)冷源冷中子注量率和中子能譜的影響;研究綿陽(yáng)研究堆冷源結(jié)構(gòu)、尺寸和正、仲氫比例對(duì)冷中子束流參數(shù)的影響并進(jìn)行優(yōu)化;測(cè)量綿陽(yáng)研究堆冷源運(yùn)行不同時(shí)間輸出的冷中子注量率和中子能譜;研究冷源運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)對(duì)冷中子束流參數(shù)的影響規(guī)律。四、概念研究課題課 題 2.12:聚苯硫醚分子鏈支化結(jié)構(gòu) -流變性能關(guān)系的小角中子散射研究( 2015CB01)所屬方向: 中子
41、應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 合成出具有不同長(zhǎng)鏈支化結(jié)構(gòu)的聚苯硫醚剛性鏈模型聚合物,并實(shí)現(xiàn)氘代標(biāo)記;建立小角中子散射技術(shù)研究分子鏈結(jié)構(gòu)在剪切流動(dòng)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)過(guò)程的方法學(xué)和相關(guān)數(shù)據(jù)分析技術(shù);結(jié)合宏觀流變性能,獲得剛性鏈體系中長(zhǎng)鏈支化結(jié)構(gòu)與流變行為之間的構(gòu)效關(guān)系。研究?jī)?nèi)容: 基于改進(jìn)的 Phillips 法,合成結(jié)構(gòu)可調(diào)控的系列長(zhǎng)鏈支化結(jié)構(gòu)聚苯硫醚,并對(duì)其分子鏈進(jìn)行氘代標(biāo)記;采用剪切流變 -淬冷定型技術(shù),制備保留流動(dòng)場(chǎng)中分子鏈運(yùn)動(dòng)形態(tài)的樣品,開(kāi)展小角中子散射實(shí)驗(yàn)及數(shù)據(jù)分析技術(shù)研究;在此基礎(chǔ)上對(duì)剛性鏈體系在剪切流動(dòng)場(chǎng)中分子鏈支化結(jié)構(gòu)及其動(dòng)力學(xué)過(guò)程進(jìn)行描述,結(jié)合宏觀流變性行為,研究上述結(jié)構(gòu)在流動(dòng)場(chǎng)的微觀響應(yīng)行為與宏
42、觀流變性能的關(guān)系,揭示相關(guān)機(jī)理并開(kāi)展動(dòng)力學(xué)模型研究。課題 2.13:聚變環(huán)境下鐵中輻照與氦的協(xié)同相互作用機(jī)制研究2015CB02)所屬方向: 中子應(yīng)用技術(shù)研究目標(biāo): 建立鐵中輻照與氦協(xié)同相互作用機(jī)制的計(jì)算方法;獲得聚變環(huán)境下鐵中輻照與氦的協(xié)同相互作用機(jī)制;獲得聚變環(huán)境下鐵中輻照與氦相互作用之后的微觀結(jié)構(gòu)。研究?jī)?nèi)容: 研究氦團(tuán)簇, 氦-空位團(tuán)簇,氦 -間隙原子團(tuán)簇, 空位團(tuán)簇,15中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室間隙原子團(tuán)簇的弛豫能,形成能,結(jié)合能和遷移能;研究氦濃度和鐵 -氦位形對(duì)輻照缺陷形成的影響;研究中子能量,材料溫度對(duì)含有氦雜質(zhì)的鐵的輻照損傷的影響;研究輻照和氦對(duì)鐵中輻照缺陷的長(zhǎng)時(shí)
43、間演化行為的影響。課 題 3.8:中子聚焦光學(xué)技術(shù)的蒙特卡羅方法研究(2015CC01)所屬方向: 先進(jìn)中子源及射線(xiàn)探測(cè)技術(shù)研究目標(biāo):明確現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)外中子光學(xué)技術(shù)的研究現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢(shì);掌握各類(lèi)型鏡面參數(shù)對(duì)中子傳輸?shù)挠绊懠安煌Y(jié)構(gòu)反射鏡的適宜應(yīng)用場(chǎng)景;歸納出對(duì)引進(jìn)平面型反射鏡導(dǎo)管設(shè)施進(jìn)一步消化吸收需要解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。研究?jī)?nèi)容: 調(diào)研國(guó)際上知名的研究堆及散裂源等大型中子源中子導(dǎo)管設(shè)施上中子光學(xué)技術(shù)近年的研究進(jìn)展及下一步的發(fā)展方向;研究不同曲面結(jié)構(gòu)超反射鏡與直型超反射鏡相比對(duì)中子傳輸過(guò)程的差異,得出不同幾何結(jié)構(gòu)反射鏡對(duì)中子傳輸?shù)挠绊?;?jì)算一定曲率的曲面反射鏡在樣品位置對(duì)中子的增益;總結(jié)影響中子
44、聚焦鏡性能的關(guān)鍵因素并初步規(guī)劃下一步的研究方向。五、說(shuō)明申請(qǐng)截止日期為2015 年 6 月 1 日。聯(lián) 系 人:余泳聯(lián)系電話(huà):13881177923電子郵件: 中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2015年5月4日16附件 1:中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題管理辦法2014 年版)第一章總則第1條為規(guī)范實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題(以下簡(jiǎn)稱(chēng)課題)的申報(bào)、管理、考核、評(píng)議等工作,根據(jù)實(shí)驗(yàn)室管理辦法的規(guī)定,特制訂本辦法。第2條實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題包括實(shí)驗(yàn)室自主提出的課題以及以實(shí)驗(yàn)室名義對(duì)外申請(qǐng)的課題(如自然科學(xué)基金、院所基金等)。第二章課題的發(fā)布第3條圍繞實(shí)驗(yàn)室中長(zhǎng)期規(guī)劃,結(jié)合上年度課題的實(shí)施情
45、況,實(shí)驗(yàn)室按年度發(fā)布課題指南。年度課題指南由實(shí)驗(yàn)室綜合管理辦公室組織編制, 經(jīng)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)審定,由實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)導(dǎo)批準(zhǔn),報(bào)院和所主管部門(mén)備案后對(duì)外公布。第4條 實(shí)驗(yàn)室的課題分為軟科學(xué)課題和科研課題。實(shí)驗(yàn)室根據(jù)自身需要確定年度軟科學(xué)課題的范圍,并在年度課題指南中明確??蒲蓄?lèi)課題包括以下四類(lèi):1重點(diǎn)課題:根據(jù) “有限目標(biāo)、有限規(guī)模、重點(diǎn)突出”的原則,結(jié)合已有中子物理學(xué)研究條件,針對(duì)已有較好基礎(chǔ)的研究方向開(kāi)展深入、 系統(tǒng)的創(chuàng)新性研究,以便在重要領(lǐng)域或科學(xué)前沿上取得突破。原則上,研究周期為三年,總支持經(jīng)費(fèi)為 100 萬(wàn) 200 萬(wàn)元。2一般課題:支持創(chuàng)新性中子物理學(xué)基礎(chǔ)及應(yīng)用研究,促進(jìn)實(shí)驗(yàn)室的可持續(xù)發(fā)展
46、。原則上,研究周期為兩年,總支持經(jīng)費(fèi)為30 萬(wàn)60 萬(wàn)元。3概念研究課題: 對(duì)具有重要應(yīng)用前景的創(chuàng)新性中子物理學(xué)基礎(chǔ)及應(yīng)用研究技術(shù)或方法進(jìn)行先期的可行性研究,為實(shí)驗(yàn)室未來(lái)的研究課題奠定基礎(chǔ)。原則上,研究周期一年,總支持經(jīng)費(fèi)為5 萬(wàn)10 萬(wàn)元。4培育課題: 為了促進(jìn)實(shí)驗(yàn)室在中子物理及相關(guān)研究領(lǐng)域的擴(kuò)展及未來(lái)的可持續(xù)發(fā)展,支持青年學(xué)者和青年科研人員在資助范圍內(nèi)自主選題,開(kāi)展創(chuàng)新性的科學(xué)研究。原則上,研究周期不超過(guò)兩年,總支持經(jīng)費(fèi)不超過(guò)10 萬(wàn)元。第5條課題指南采取定向發(fā)布和公開(kāi)發(fā)布兩種方式。對(duì)于定向發(fā)布的課題,實(shí)驗(yàn)室綜合管理辦公室將會(huì)同相關(guān)部門(mén)審核課題承擔(dān)單位的資質(zhì)及能力,并報(bào)實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)導(dǎo)審批。1中
47、國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第6條各承研方可向?qū)嶒?yàn)室提出課題建議書(shū)。課題建議書(shū)由實(shí)驗(yàn)室綜合管理辦公室匯總,經(jīng)學(xué)術(shù)委員會(huì)審定和實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)導(dǎo)審批通過(guò)后納入到后續(xù)課題指南安排中。第7條經(jīng)審定及審批的課題指南如需調(diào)整,必須經(jīng)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)審定,由實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)導(dǎo)批準(zhǔn)報(bào)院和所主管部門(mén)。第三章課題的申請(qǐng)和開(kāi)題第8條 課題指南在實(shí)施過(guò)程中將引入競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制,以定向組織和自主申報(bào)相結(jié)合的方式確定課題承擔(dān)者。實(shí)驗(yàn)室隨時(shí)接受概念研究課題及培育課題的申請(qǐng),可不受年度課題指南的題目限定。第9條 課題承擔(dān)方須提交由實(shí)驗(yàn)室統(tǒng)一制訂格式的課題申請(qǐng)書(shū), 給出明確的技術(shù)路線(xiàn)、合理的經(jīng)費(fèi)預(yù)算,以及確定的時(shí)間節(jié)點(diǎn)和成果提交方式。課題
48、承擔(dān)方需簽署保密承諾書(shū),課題負(fù)責(zé)人為保密責(zé)任人,課題牽頭單位為保密責(zé)任單位。第10條每個(gè)課題可以由單個(gè)單位承擔(dān),也可以由多家單位聯(lián)合承擔(dān)。由多家單位聯(lián)合承擔(dān)的課題需在申請(qǐng)書(shū)中明確各單位承擔(dān)的研究?jī)?nèi)容和經(jīng)費(fèi)安排, 并確定唯一的課題牽頭單位及唯一的課題負(fù)責(zé)人。實(shí)驗(yàn)室鼓勵(lì)與院內(nèi)外研究單位聯(lián)合承擔(dān)課題。第11條重點(diǎn)課題負(fù)責(zé)人原則上須具有高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職稱(chēng)或具有博士學(xué)位。第12條 同一人員只能擔(dān)任一項(xiàng)重點(diǎn)課題的負(fù)責(zé)人。課題主研人員參加課題(包括在研課題及申請(qǐng)課題)數(shù)不得超過(guò) 3 項(xiàng)。作為課題負(fù)責(zé)人所承擔(dān)課題被終止或撤銷(xiāo),未滿(mǎn) 2 年的,不能再擔(dān)任課題負(fù)責(zé)人。第13條 實(shí)驗(yàn)室綜合管理辦公室負(fù)責(zé)受理課題的申請(qǐng)
49、、申請(qǐng)書(shū)及開(kāi)題論證報(bào)告的審查,并組織評(píng)審小組對(duì)課題申請(qǐng)書(shū)或開(kāi)題論證報(bào)告進(jìn)行評(píng)審。評(píng)審小組由實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)成員及課題相關(guān)領(lǐng)域?qū)<医M成。第14條 多個(gè)單位申請(qǐng)同一個(gè)課題時(shí), 課題評(píng)審小組將基于申請(qǐng)團(tuán)隊(duì)的總體情況提出擬承研方建議,提請(qǐng)實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)導(dǎo)批準(zhǔn)確定。第15條 評(píng)審?fù)ㄟ^(guò)的課題將由實(shí)驗(yàn)室綜合管理辦公室下達(dá)課題任務(wù)書(shū)或協(xié)議書(shū), 明確課題研究?jī)?nèi)容、成果及經(jīng)費(fèi)。第四章課題的實(shí)施第16條承研方應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行課題任務(wù)書(shū)或協(xié)議書(shū)的相關(guān)條款,建立保證課題目標(biāo)實(shí)現(xiàn)的組織管理體系, 提供和協(xié)調(diào)落實(shí)課題實(shí)施配套保障條件, 督促、檢查課題實(shí)施進(jìn)度,協(xié)調(diào)解決課題執(zhí)行過(guò)程中的有關(guān)問(wèn)題。第17條 承研方應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行國(guó)家保密法律法規(guī)
50、及院所有關(guān)保密規(guī)定,明確保密工作責(zé)任制,確保國(guó)家秘密安全。第18條承研方應(yīng)嚴(yán)格遵守國(guó)家和院所有關(guān)質(zhì)量、安全、標(biāo)準(zhǔn)化、計(jì)量、環(huán)保等方2中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室面的管理要求,做到責(zé)任落實(shí)、管理規(guī)范。第19條 課題實(shí)施前,承研方應(yīng)編制實(shí)施方案,并組織評(píng)審。課題實(shí)施過(guò)程中,承研方應(yīng)就重要實(shí)驗(yàn)及大型實(shí)驗(yàn)活動(dòng)預(yù)先編制方案,并進(jìn)行評(píng)審,評(píng)審?fù)ㄟ^(guò)后方能實(shí)施。第20條 承研方應(yīng)按要求及時(shí)向?qū)嶒?yàn)室綜合管理辦公室報(bào)送課題相關(guān)信息,包括課題實(shí)施過(guò)程中取得的重要進(jìn)展、階段性成果、重要的學(xué)術(shù)活動(dòng)和國(guó)際合作等。第21條 有明確階段要求的課題,在轉(zhuǎn)階段時(shí)承研方應(yīng)組織評(píng)審,評(píng)審?fù)ㄟ^(guò)后方可轉(zhuǎn)入下一階段。第22條 實(shí)
51、驗(yàn)室將組織專(zhuān)家對(duì)課題進(jìn)行中期評(píng)估,并根據(jù)任務(wù)書(shū)或協(xié)議書(shū)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)進(jìn)行定期或不定期對(duì)課題實(shí)施情況進(jìn)行監(jiān)督、檢查和評(píng)估。評(píng)估和檢查結(jié)果作為協(xié)議繼續(xù)執(zhí)行或調(diào)整的依據(jù)。第23條 實(shí)施過(guò)程中,承研方如需對(duì)技術(shù)指標(biāo)、主要技術(shù)路線(xiàn)、重要節(jié)點(diǎn)及其技術(shù)狀態(tài)、合作單位、經(jīng)費(fèi)、課題負(fù)責(zé)人等進(jìn)行調(diào)整,應(yīng)及時(shí)書(shū)面報(bào)告實(shí)驗(yàn)室綜合管理中辦公室,經(jīng)實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)導(dǎo)審核批準(zhǔn)后實(shí)施。批準(zhǔn)后根據(jù)實(shí)際情況確定是否重新簽署課題任務(wù)書(shū)或協(xié)議書(shū)。未經(jīng)批準(zhǔn)不得擅自變更。第24條 出現(xiàn)下列情形之一的,實(shí)驗(yàn)室可單方面終止課題的執(zhí)行,并報(bào)請(qǐng)實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)導(dǎo)采取懲罰措施:承研方在任務(wù)簽訂和執(zhí)行過(guò)程中弄虛作假;承研方組織管理不力,出現(xiàn)重大質(zhì)量安全事故或嚴(yán)重失泄密
52、事件,造成嚴(yán)重影響;承研方性質(zhì)和有關(guān)資質(zhì)發(fā)生變化,不符合課題管理要求;連續(xù)兩次未能通過(guò)實(shí)驗(yàn)室組織的檢查或評(píng)估。第五章課題的考評(píng)第25條 根據(jù)課題任務(wù)書(shū)或協(xié)議書(shū)的約定,到達(dá)課題的時(shí)間周期終點(diǎn)時(shí),實(shí)驗(yàn)室將對(duì)課題進(jìn)行考評(píng)。第26條 承研方需向?qū)嶒?yàn)室綜合管理辦公室提交課題考評(píng)申請(qǐng),實(shí)驗(yàn)室綜合管理辦公室根據(jù)工作進(jìn)展情況確定考評(píng)日期。第27條課題的考評(píng)由綜合管理辦公室組織的評(píng)議小組進(jìn)行。評(píng)議小組成員包括:實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、相關(guān)領(lǐng)域?qū)<壹霸核鶎?shí)驗(yàn)室主管部門(mén)的人員。第28條課題承擔(dān)方需提交完整的課題驗(yàn)收資料,包括:已發(fā)表論文、已獲授權(quán)的專(zhuān)利、完整的科學(xué)技術(shù)檔案等。 研究成果報(bào)告必須經(jīng)過(guò)一定程序 (會(huì)議或書(shū)
53、信 )進(jìn)行鑒定,交由學(xué)術(shù)委員會(huì)評(píng)議。第29條 實(shí)驗(yàn)室組織有關(guān)專(zhuān)家進(jìn)行結(jié)題驗(yàn)收。驗(yàn)收結(jié)果分為同意結(jié)題(等級(jí)分為優(yōu)秀、良好、一般)和不同意結(jié)題(延期或終止)兩類(lèi)。3中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第30條根據(jù)課題考核結(jié)果,實(shí)驗(yàn)室將采取以下獎(jiǎng)懲措施:評(píng)價(jià)等級(jí)為優(yōu)秀的重點(diǎn)課題, 實(shí)驗(yàn)室將在后續(xù)科研活動(dòng)中優(yōu)先支持該研究團(tuán)隊(duì)的其它課題;2.被評(píng)為不同意結(jié)題或終止的課題,其負(fù)責(zé)人在2 年內(nèi)不得申請(qǐng)實(shí)驗(yàn)室課題;被評(píng)為延期結(jié)題的課題不得參與評(píng)獎(jiǎng)。第六章成果管理第31條課題成果的評(píng)定、申報(bào)、登記由實(shí)驗(yàn)室綜合管理辦公室統(tǒng)一組織進(jìn)行。第32條 實(shí)驗(yàn)室資助課題取得的成果, 如論文、專(zhuān)著、專(zhuān)利、成果評(píng)議鑒定資料等,
54、均須標(biāo)注 “中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室資助課題 ”,并注明課題批準(zhǔn)號(hào)。英文標(biāo)注為 “Project XXXXXX supported by NPL, CAEP ”(XXXXXX為課題批準(zhǔn)號(hào) )。第33條成果轉(zhuǎn)讓和專(zhuān)利申請(qǐng),按國(guó)家和我院我所有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。第七章附則第34條 對(duì)于以實(shí)驗(yàn)室名義對(duì)外申請(qǐng)的課題, 如果經(jīng)費(fèi)提供方的管理辦法與本方法相沖突,依照經(jīng)費(fèi)提供方的管理辦法執(zhí)行相沖突的部分。第35條本辦法自發(fā)布之日起執(zhí)行,解釋權(quán)歸中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。4附件 2:中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育課題管理辦法2014 年版)第 1條 為規(guī)范實(shí)驗(yàn)室培育課題的申報(bào)、管理、考核、評(píng)議等工作,
55、根據(jù) “中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室管理辦法(試行) ”及“中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育課題管理辦法 ”的規(guī)定,特制訂本辦法。第 2條 培育課題指在實(shí)驗(yàn)室中長(zhǎng)期規(guī)劃確定的研究范圍內(nèi),由青年學(xué)者和青年科研人員自主選題的創(chuàng)新性科學(xué)研究,實(shí)驗(yàn)室支持這類(lèi)課題的目的是促進(jìn)實(shí)驗(yàn)室在中子物理及相關(guān)研究領(lǐng)域的擴(kuò)展及未來(lái)的可持續(xù)發(fā)展。第 3條 原則上,培育課題的研究周期不超過(guò)兩年,總支持經(jīng)費(fèi)不超過(guò) 10 萬(wàn)元。第 4條 實(shí)驗(yàn)室隨時(shí)接受培育課題的申請(qǐng),課題申請(qǐng)由實(shí)驗(yàn)室綜合管理辦公室負(fù)責(zé)受理。第 5條 申請(qǐng)者可自主選題,不受年度課題指南的限制,但必須符合實(shí)驗(yàn)室科技規(guī)劃中的研究?jī)?nèi)容。第 6條 培育課題的申請(qǐng)者原則上需
56、具有碩士及以上學(xué)位;或具有中級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職稱(chēng);或兩名具有高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職稱(chēng)的同行專(zhuān)家推薦。課題負(fù)責(zé)人原則上不得超過(guò) 35 歲。中物院正式職工不得申請(qǐng)培育課題。第 7條 實(shí)驗(yàn)室組織學(xué)術(shù)專(zhuān)家對(duì)申請(qǐng)材料進(jìn)行初步評(píng)議并給出評(píng)議結(jié)果,評(píng)議結(jié)果通知課題申請(qǐng)者本人。第 8條 對(duì)于初步評(píng)議通過(guò)的培育課題,申請(qǐng)人需提交整合了初步評(píng)議意見(jiàn)的任務(wù)書(shū),經(jīng)實(shí)驗(yàn)室確認(rèn)后予以正式批準(zhǔn)。課題正式批準(zhǔn)后,中物院核物理與化學(xué)研究所將與申請(qǐng)人根據(jù)任務(wù)書(shū)的內(nèi)容簽訂研究合同。課題的研究周期以任務(wù)書(shū)為準(zhǔn)。第 9條 課題承擔(dān)方需事先向?qū)嶒?yàn)室提交本課題的實(shí)驗(yàn)方案及計(jì)劃,經(jīng)實(shí)驗(yàn)室確認(rèn)后方可實(shí)施。課題的實(shí)驗(yàn)活動(dòng)需優(yōu)先在中物院核物理與化學(xué)研究所的研究
57、設(shè)施上進(jìn)行。第 10條 培育課題的申請(qǐng)、評(píng)估、考評(píng)、成果管理、獎(jiǎng)懲等均按實(shí)驗(yàn)室課題管理辦法執(zhí)行。第 11條 本辦法自發(fā)布之日起執(zhí)行,解釋權(quán)歸中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室附件 3:課題編號(hào)受理日期中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室課題申請(qǐng)書(shū)課題名稱(chēng):申請(qǐng)者:工作單位:聯(lián)系電話(huà):電子郵箱:中物院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中物院核物理與化學(xué)研究所中國(guó)工程物理研究院中子物理學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室填寫(xiě)說(shuō)明一、課題申請(qǐng)單位必須為法人單位,可獨(dú)立申請(qǐng),也可多家單位聯(lián)合申請(qǐng),但必須確定牽頭單位。每個(gè)課題須確定負(fù)責(zé)人一名。二、申請(qǐng)書(shū)所填寫(xiě)內(nèi)容均為公開(kāi),申請(qǐng)單位須提供保證內(nèi)容不涉密的保密審查資料。三、申請(qǐng)書(shū)應(yīng)當(dāng)
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