單相全控橋式整流電路的設(shè)計(jì)

1、.目 錄第 1 章 緒論2第 2 章 方案的選擇與整流器主電路設(shè)計(jì)32.1 方案的選擇.32.2 整流器主電路設(shè)計(jì).6第 3 章 電路參數(shù)計(jì)算和元件選取83.1 二次側(cè)相電壓 U27.83.2 二次側(cè)相電流 123.3 變壓器的容量123.4 參數(shù)計(jì)算123.5 晶閘管的選擇15第 4 章 單相橋式整流電路的性能指標(biāo)分析164.1 整流輸出電壓的平均值184.2 紋波系數(shù).19第 5 章 晶閘管觸發(fā)電路設(shè)計(jì)205.1 晶閘管觸發(fā)電路應(yīng)滿足的要求215.2 晶閘管觸發(fā)電路的選擇235.3 觸發(fā)電路及工作原理115.3.1 控制角 115.3.2 同步脈沖形成電路145.4 驅(qū)動電路.145.5

2、軟件設(shè)計(jì)14第 6 章 保護(hù)電路的設(shè)計(jì)14第 7 章 實(shí)驗(yàn)與仿真.147.1 仿真模型147.2 仿真結(jié)果.14第 8 章 設(shè)計(jì)總結(jié)與體會15第 9 章 參考文獻(xiàn)30附錄 A：電路原理圖附錄 ：原器件清單附錄 C：程序清單.第1 章 緒 論1.1 什么是整流電路rectifying circuit勵磁調(diào)節(jié)、電解、電鍍等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。整流電路通常由主電路、濾波器和20 世紀(jì) 70 年代以后，主電路多用硅整流二極管和晶閘管組成。濾配以及交流電網(wǎng)與整流電路之間的電隔離?？梢詮母鞣N角度對整流電路進(jìn)行分類，主要的分類方法有：按組成的期間可分為不可控，半控，全控三種；按電路的結(jié)構(gòu)可分為橋式電路和零式電

3、路；按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路；按變壓器二次側(cè)電流的方向是單向還是雙向，又可分為單拍電路和雙拍電路.1.2 整流電路的發(fā)展與應(yīng)用器還是電力電子技術(shù)的發(fā)展都是以電力電子器件的發(fā)展為綱的，1947 年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶體管，引發(fā)了電子技術(shù)的一次革命；1957 年美國通用公司研制了第一個晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生；70 年代后期，以門極可關(guān)斷BJT）為代表的全控型器件迅速發(fā)展，把電力電子技術(shù)推上一個全新的階段；80 年代后期，以絕緣極雙極型晶體管（）為代表的復(fù)合型器件異軍突起，成為了PWM 脈寬調(diào)制式，后來，又把驅(qū)動，控制，保護(hù)電路和功率器件集成在一起，PIC,隨著全控型電力電子

4、器件的發(fā)展，電力電電路的工作ZVSZCS）把電力電子技術(shù)和整流電路的發(fā)展推向了新的高潮。1.3本設(shè)計(jì)的簡介隨著科學(xué)技術(shù)的日益發(fā)展 ,人們對電路的要求也越來越高 ,由于在生產(chǎn)實(shí)際中需要大小可調(diào)的直流電源,而相控整流電路結(jié)構(gòu)簡單、控制方便、性能穩(wěn)定,利.用它可以方便地得到大中、小各種容量的直流電能,是目前獲得直流電能的主要方法,得到了廣泛應(yīng)用。但是晶雜管相控整流電路中隨著觸發(fā)角的增大，電流中諧波分量相應(yīng)增大，因此功率因素很低。把逆變電路中的 SPWM 控制技術(shù)用于整流電路，就構(gòu)成了PWM 整流電路。通過對PWM 整流電路的適當(dāng)控制，可以使其輸入電流非常接近正弦波，且和輸入電壓同相位，功率因素近似為

5、1。這種整流電路稱為高功率因素整流器，它具有廣泛的應(yīng)用前景的課程設(shè)計(jì)的課題。第2 章 2.1單相橋式整流電路可分為單相橋式相控整流電路和單相橋式半控整流電路，弱點(diǎn)是：輸出電壓脈動沖大，負(fù)載電流脈沖大（電阻性負(fù)載時），且整流變壓器二次繞組中存在直流分量,使鐵心磁化，變壓器不能充分利用。而單相全控式整波，沒有直流磁化問題，變壓器利用率高的優(yōu)點(diǎn)。單相全控式整流電路其輸出平均電壓是半波整流電路 2 倍，在相同的負(fù)載晶閘管的介紹:晶管又稱為晶體閘流管，可控硅整流（Silicon Controlled Rectifier-SCR開辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時代; 20 世紀(jì) 80 年代以來，

6、開.200Hz-普通晶閘管。廣義上講，晶閘管還包括其許多類型的派生器件晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管是大功率器件，工作時產(chǎn)生大量的熱，因此必須安裝散熱器。外行 :螺栓型和平板型兩種封裝引出陽極 、陰極 K 和門極（或稱柵極）G 三個聯(lián)接型封裝的晶閘管可由兩個散熱器將其夾在中間。內(nèi)部結(jié)構(gòu):四層三個結(jié)如圖 2.1.1 （3）晶閘管的工作原理圖晶閘管由四層半導(dǎo)體（P 、N 、P 、N ）組成，形成三個結(jié) J （P N J11221112（N P J（P N P P N 引入K 1.2(左)1 2322122所示。由于具有擴(kuò)散工藝，具有三結(jié)四層結(jié)構(gòu)的普通晶閘管可以等效成如圖圖晶閘管的驅(qū)動過程更多的是稱為觸發(fā)，產(chǎn)生

7、注入門極的觸發(fā)電流 的電路閘管才被稱為半控型器件。2.1.2 整流電路因此在做設(shè)計(jì)之前我們主要考慮了以下幾種方案：方案一：單相橋式半控整流電路電路簡圖如圖有利于降低損耗！如果不加續(xù)流二極管，當(dāng)突然增大至180或出發(fā)脈沖丟失個晶閘管導(dǎo)通而兩個二極管輪流導(dǎo)通的情況，這使 ud 成為正弦半波，即半周期ud 為正弦，另外半周期為ud 為零，其平均值保持穩(wěn)定，相當(dāng)于單相半波不可控整流電路時的波形，即為失控。所以必須加續(xù)流二極管，以免發(fā)生失控現(xiàn)象。方案二：單相橋式全控整流電路.電路簡圖如圖此電路對每個導(dǎo)電回路進(jìn)行控制，無須用續(xù)流二極管，也不會失控現(xiàn)象，負(fù)載形式多樣，整流效果好，波形平穩(wěn)，應(yīng)用廣泛。變壓器二

8、次繞組中，正負(fù)兩直流磁化問題，變壓器的利用率也高。方案三：單相半波可控整流電路：電路簡圖如圖此 電 路 只范圍為 180 需要一個可控器單，VT 的 a 移相輸出脈動大，變壓器二次側(cè)電流中含直流分量，造成變壓器鐵芯直流磁化。為使變壓器鐵心方案四：單相全波可控整流電路：電路簡圖如圖 2 全波只用 2 個晶閘管，比單相全控橋少2 個，因此少了一個管壓降，相應(yīng)地，門極驅(qū)動電路也少 2 2 直流磁化的問題，適用于輸出低壓的場合作電流脈沖大（電阻性負(fù)載時），且整流變壓器二次繞組中存在直流分量,使鐵心磁化，變壓器不能充分利用。而單晶閘管的平單相全控式整流電路其輸出平均電壓是半波整流電路 2 減小一半；且功

9、率因數(shù)提高了一半。載）。綜上所述，針對他們的優(yōu)缺點(diǎn)，我們采用方案二，即單相橋式全控整流電路。2.2 整流器主電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)原理方框圖如.圖整流電路主要由驅(qū)動電路、保護(hù)電路和整流主電路組成。根據(jù)設(shè)計(jì)任務(wù)，在此設(shè)計(jì)中采用單相橋式全控整流電路接電阻性負(fù)載。主電路原理圖如圖主電路工作波形如圖圖 電路如圖，假設(shè)電路已工作于穩(wěn)態(tài)。(1) 工作原理 在電源電壓u 正半周期間，VT1、VT2 承受正向電壓，若在 t 時觸發(fā)，2 導(dǎo)通，電流經(jīng) 和 T 二次側(cè)形成回路，但由于大電感的存在，u 過零變負(fù)時，電感上的感應(yīng)電動勢使 VT1、VT2 繼續(xù)導(dǎo)通，直到 VT3、2VT4 部分。 在電源電壓u t 時2 受反相電

10、壓截止，負(fù)載電流從 中換流至 VT3、VT4 中在 時，電壓u 過零，VT3、VT4 因電感中的感應(yīng)電動勢一t2直導(dǎo)通，直到下個周期 VT1、VT2 導(dǎo)通時，VT3、VT4 因加反向電壓才截止。值得注意的是，只有當(dāng) 時，負(fù)載電流i 才連續(xù)，當(dāng) 時，負(fù)載22d是0。2第3 章 3.1整流電路參數(shù)計(jì)算1）整流輸出電壓的平均值可按下式計(jì)算.12 2 U = 2U sin =td tU U =0.9 （222d當(dāng)=0時，U 取得最大值100V即U =0.9 U =100V從而得出U =111V，dd22=90時，U =0。角的移相范圍為90。ood2）整流輸出電壓的有效值為 1 2U 2t d t U

11、 = =111V（U 223）整流電流的平均值和有效值分別為UR 0.9UI 2（ddRddU UI （2RRdd4)在一個周期內(nèi)每組晶閘管各導(dǎo)通180，兩組輪流導(dǎo)通，變壓器二次電流是正、負(fù)對稱的方波，電流的平均值I 和有效值 相等，其波形系數(shù)為1。Id流過每個晶閘管的電流平均值和有效值分別為：1I dTI I I（T2ddd1I I I IT2Tddd5)晶閘管在導(dǎo)通時管壓降u =0,故其波形為與橫軸重合的直線段；VT 和T1VT 已導(dǎo)通，把整個電壓u 加到VT122或VT2 U ;VT1和VT2反向2截止時漏電流為零，只要另一組晶閘管導(dǎo)通，也就把整 個電壓u 加到 VT12或VT2上，故兩

12、個晶閘管承受的最大反向電壓也為 U 。23.2元器件選取由于單相橋式全控整流帶電感性負(fù)載主電路主要元件是晶閘管，所以選取.元件時主要考慮晶閘管的參數(shù)及其選取原則。1).晶閘管的主要參數(shù)如下：額定電壓UTnUDRMURRM通常取 和 中較小的，再取靠近標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級作為晶閘管型的額定倍，以保證電路的工作安全。晶閘管的額定電壓U U,UUTnU（TMUTM：工作電路中加在管子上的最大瞬時電壓額定電流IT(AV)IT(AV)電流等級即為晶閘管的額定電流。沒超過額定值，但峰值電流將非常大，可能會超過管子所能提供的極限，使管子由于過熱而損壞。ITMI,散熱冷卻符合規(guī)定，則晶閘管的發(fā)熱、溫升就能限制在允許

13、有效值的范圍。：額定電流有效值，根據(jù)管子的ITnITn換算出，T(AV)IT(AV)I I三者之間的關(guān)系：、TMTn2II 1/2 Tn (Imsin ) )td t （2m0II1/ Imsin )td t m2T(AV)0I 與平均值I 之比稱為該波形TdTK的波形系數(shù)，用 表示。f.IK （TIf額定狀態(tài)下， 晶閘管的電流波形系數(shù)2ImI1.11K IIfm2T()12 2 U = 2U sin =td t =0.9 （U U 222d當(dāng)U 即U = U 從而得出U odd22U 。od晶閘管承受最大電壓為U U 2111V V 考慮到 2 2400V.晶閘管的選擇原則：、所選晶閘管電流

14、有效值 大于元件 在電路中可能流過的最大電流有ITn效值。ITnI、 T(AV)ITMII （1.11T()I因?yàn)镮 ,則晶閘管的額定電流為 I =10A(輸出電流的有效值為最小T T2 2 倍裕量,取 20A.即晶閘管的額定電流至少應(yīng)大于 20A.在本次設(shè)計(jì)中我選用 4 個 KP20-4 的晶閘管.、 若散熱條件不符合規(guī)定要求時，則元件的額定電流應(yīng)降低使用。UT(AV) 通態(tài)平均管壓降。指在規(guī)定的工作溫度條件下，使晶閘管導(dǎo)通的正弦IH 維持電流。指在常溫門極開路時，晶閘管從較大的通態(tài)電流降到剛好能I H.流容量大小而定。 門極觸發(fā)電流 時，使晶閘管能完全導(dǎo)通所需Ig的門極電流，一般為毫安級。

15、 斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。在額定結(jié)溫和門極開路的情況下，不會導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的最大正向電壓上升率。一般為每微秒幾十伏。 通態(tài)電流臨界上升率di/dt。在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的最大通態(tài)電流上升率。若晶閘管導(dǎo)通時電流上升太快，則會在晶閘管剛開通時，有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而損壞晶閘管。變壓器的選取2,容量至少為3.3性能指標(biāo)分析：出電壓的平均值表示；另一個是反映輸出直流電壓平滑程度的，稱為紋波系數(shù)。1)整流輸出電壓平均值12 2 U =d 2U sin =td tUU =0.9 （2222)紋波系數(shù)紋波系數(shù) K 用來表示直流輸出電壓中相對紋波電壓的

16、大小，即rU2U2UUK 2ddUrd第 4 章 對于使用晶閘管的電路，在晶閘管陽極加正向電壓后，還必須在門極與陰閘管變流裝置安全，可靠，經(jīng)濟(jì)運(yùn)行的前提。.4.1 對觸發(fā)電路的要求產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖要求:陽極電流能迅速上升超過掣住電流而維持導(dǎo)通。圖 4.2 晶閘管觸發(fā)電路類型1）特點(diǎn)：由單結(jié)晶體管構(gòu)成的觸發(fā)電路具有簡單、可靠、抗干擾能力強(qiáng)、溫度補(bǔ)償性能好，脈沖前沿陡等優(yōu)點(diǎn)，在小容量的晶閘管裝置中得到了廣泛應(yīng)用。利用單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性與RC電路的充放電可組成自激振蕩電路，產(chǎn)生頻率可變的脈沖。2)組成：由自激振蕩、同步電源、移相、脈沖形成等部分組成如圖4.2.1 a所示：圖3)工作原理：經(jīng)D D 整

17、流后的直流電源U ，一路經(jīng)R 、R 加在單結(jié)晶體14W21管兩個基極b 、b 之間；另一路通過R 對電容C 充電、通過單結(jié)晶體管放電。12e控制BT的導(dǎo)通、截止；在電容上形成鋸齒波振蕩電壓，在R 上得到一系列前沿1很陡的觸發(fā)尖脈沖u ；如圖，其振蕩頻率為：g11f (4.1)1TR C )1e上式中 是單結(jié)晶體管的分壓比，即調(diào)節(jié)R ，可調(diào)節(jié)振蕩頻率。e4)同步電源：.同步電壓由變壓器 TB 獲得，而同步變壓器與主電路接至同一電源，故同步電壓與主電壓同相位、同頻率。同步電壓經(jīng)橋式整流、穩(wěn)壓管D 削波為梯形w波u ，而削波后的最大值U 既是同步信號，又是觸發(fā)電路電源。當(dāng)u 過零DWWDW時，電容C

18、 經(jīng) e-b 、R 迅速放電到零電壓。這就是說，每半周開始，電容C 都11制角）一致，實(shí)現(xiàn)了同步。5)移相控制：當(dāng)R 增大時，單結(jié)晶體管發(fā)射極充電到峰點(diǎn)電壓U 的時間增大，第一個epT T 、l2T 和C 等元件組成，其中T 、D 、R 和R 為一恒流源電路。T 截止時，恒32lWW2321I流源電流I 對電容C C 兩端電壓u 為：u I 1ct1c22cCCc圖當(dāng)T R C u 電位迅速降壓。242b3當(dāng)T 周期性地導(dǎo)通和關(guān)斷時，u 便形成一鋸齒波，同樣u 也是一個鋸齒波2b3e3電壓，射極跟隨器T 的作用是減小控制回路的電流對鋸齒波電壓的影響。調(diào)3節(jié)電位器R ，即改變C 的恒定充電電流I

19、 ，可調(diào)節(jié)鋸齒波斜率。同步移相W22環(huán)節(jié)初始位，T 基極電位由鋸齒波電壓u u u 三4hcop者共同決定。如果u =0，u 為負(fù)值時，u 點(diǎn)的波形由u +u 確定。copb4hp當(dāng)u 為正值時，u 點(diǎn)的波形由u + u +u 確定。u 電壓等于 0.7V 后，Tcob4hpcob44導(dǎo)通，T 經(jīng)過 M 點(diǎn)時使電路輸出脈沖。之后一直被鉗位在 0.7V。M 點(diǎn)是T 由截44止到導(dǎo)通的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，也就是脈沖的前沿。因此當(dāng)u u 便可改變 M pcou 的目的是為了確定控制電壓u =0 時pco脈沖的初始相位。.4.2.2 KC04 集成移相觸發(fā)器 KC04 集成移相觸發(fā)器可分為同步、鋸齒波形成、移相、

20、脈沖形成，脈沖輸出等幾部分電路。圖同步電路由晶體管T T 等元件組成。正弦波同步電壓u 經(jīng)限流電阻加到l4TT 、T 基極。在u 正半周，T 截止，T 導(dǎo)通，D 導(dǎo)通，T 得不到足夠的基極電l2T2l14壓而截止。在u 的負(fù)半周，T 截止，T 、T 導(dǎo)通，D 導(dǎo)通，T 同樣得不到足Tl2324u u |0.7V時，T 、T 、TTsl23均截止，D 、D 也截止，于是T 從電源+15V 經(jīng)R 、R 獲得足夠的基極電流12434而飽和導(dǎo)通，形成上圖所示的與正弦波同步電壓u 同步的脈沖u 。Tc4圖（1） 主電路主電路為圖，且移相范圍要求180.因?yàn)殇忼X波底寬為 240，考慮到兩端的非線性，故取3

21、0210作為 0180的移相區(qū)間。以A相晶閘管Tl為例時，觸發(fā)電路產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖應(yīng)對準(zhǔn)相電壓自然換流點(diǎn)，即對準(zhǔn)相電壓為路的同步電壓應(yīng)與晶閘管陽極電壓相位上相差180。3.3觸發(fā)電路工作原理觸發(fā)脈沖頻率與主電路晶閘管頻率始終是一致的。u 的相位，才能保證各晶閘管有相同的控制角，相同的輸出電壓波形。正確TS選擇同步電壓相位，叫做晶閘管電路的同步或定相，它是變流裝置設(shè)計(jì)、安裝、調(diào)整、維護(hù)中的重要問題。鋸齒波同步觸發(fā)電路的同步電壓u 和晶閘管的供電TS圍0180，即要求觸發(fā)電路在正半波范圍內(nèi)發(fā)出脈沖。因此，正半波范圍內(nèi)應(yīng)00.存在鋸齒波的上升段，鋸齒波的寬度為 240 ，見圖0圖第 5 章 相對于電機(jī)

22、和繼電器，接觸器等控制器而言，電力電子器件承受過電流和可少的重要環(huán)節(jié)。5.1 主電路的過電壓保護(hù)所謂過壓保護(hù)，即指流過晶閘管兩端的電壓值超過晶閘管在正常工作時所能承受的最大峰值電壓Um都稱為過電壓，其電路圖見圖5.1.1圖產(chǎn)生過電壓的原因一般由靜電感應(yīng)、雷擊或突然切斷電感回路電流時電磁感應(yīng)所引起。其中，對雷擊產(chǎn)生的過電壓，需在變壓器的初級側(cè)接上避雷器，以保護(hù)變壓器本身的安全；而對突然切斷電感回路電流時電磁感應(yīng)所引起的過電壓，一般發(fā)生在交流側(cè)、直流側(cè)和器件上，因而，下面介紹單相橋式全控整流主電路的電壓保護(hù)方法。過電壓產(chǎn)生過程：電源變壓器初級側(cè)突然拉閘，使變壓器的勵磁電流突然時電壓。保護(hù)方法：阻容

23、保護(hù)過電壓產(chǎn)生過程：當(dāng)某一橋臂的晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)突然因果載使快速熔斷壓。保護(hù)方法：阻容保護(hù)圖5.2晶閘管的保護(hù)電路變工作狀態(tài)，從而抑制過電壓或過電流的數(shù)值。. 快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。我們這次的課程設(shè)計(jì)采用的是第二種保護(hù)電路。（1） 晶閘管變流裝置的過電流保護(hù)熔斷器和過電流繼電器等。在此我們采用快速熔斷器措施來進(jìn)行過電流保護(hù)。圖在選擇快熔時應(yīng)考慮：1）電壓等級應(yīng)根據(jù)熔斷后快熔實(shí)際承受的電壓來確定。2）電流容量應(yīng)按其在主電路中的接入方式和主電路聯(lián)結(jié)形式確定?？烊垡话闩c電力半導(dǎo)體器件串聯(lián)連接，在小容量裝置中也可串接于閥側(cè)交流母線或直流母線中。3）快熔的I t 值應(yīng)小于被保護(hù)器件的允許I t

24、值、224）為保證熔體在正常過載情況下不熔化，應(yīng)考慮其時間電流特性。因?yàn)榫чl管的額定電流為 10A,快速熔斷器的熔斷電流大于 1.5 倍的晶閘管額定電流，所以快速熔斷器的熔斷電流為 15A。（2）晶閘管變流裝置的過電壓保護(hù)電力電子裝置中可能發(fā)生的過電壓分為外因過電壓和內(nèi)因過電壓兩類。外保護(hù)。在此我們采用儲能元件保護(hù)即阻容保護(hù)。圖單相阻容保護(hù)的計(jì)算公式如下：.C i %S（5.1）U202U %Ki %R 2.3U2（5.2）2S0S:變壓器每相平均計(jì)算容量（VA）U ：變壓器副邊相電壓有效值 （V）2i %:變壓器激磁電流百分值0U %：變壓器的短路電壓百分值。k當(dāng)變壓器的容量 在（10-10

25、00）KVA 里面取值時 i %=（4-10）在里0面取值，U %=（5-10）里面取值。k電容 C 的單位為F，電阻的單位為歐姆電容 C 的交流耐壓1.5UeU ：正常工作時阻容兩端交流電壓有效值。e根據(jù)公式算得電容值為 4.8F,交流耐壓為 165V，電阻值為 12.86，在設(shè)計(jì)中我們?nèi)‰娙轂?5F，電阻值為 13。晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密 0.1mm/s 電流上升率 di/dt 過大，會導(dǎo)致 PN 結(jié)擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感。如圖加在晶閘管上的正向電壓上升率 du/dt 也應(yīng)有所限

26、制,如果 du/dt 過大由于作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。為抑制 du/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián) R-C 阻容吸收回路。如圖圖 .第 6 章 6.1 系統(tǒng)原理電路圖圖62系統(tǒng)的調(diào)試（1）將 DJK01 電源控制屏的電源選擇開關(guān)打到“直流調(diào)速”側(cè)使輸出線電壓為 200V,用兩根導(dǎo)線將 200V 交流電壓接到 DJK03-1 的“外接 220V”端，按下“啟動”按鈕，打開 DJK03-1 的電源開關(guān)，用雙蹤示波器觀察“Tca785 鋸齒波移相觸發(fā)電路”各觀察孔的波形。（2）鋸齒波移相觸發(fā)電路的調(diào)試：鋸齒波斜率由電位器RP1 電位器調(diào)節(jié)晶閘管的觸發(fā)角，將 DJK04 上的“給定”輸出 U 直接與 DJK02-1 上的移g相控制電壓 U 相接，將給定開關(guān)S 撥到接地位置（即U =0）