綜合維修技術(shù)內(nèi)存的識別

1、內(nèi)存的識SAMSUNG：KMLG-TOSHIBA：TD內(nèi)存的識SAMSUNG：KMLG-TOSHIBA：TD一產(chǎn)系列HITACHIHITACHIHM X 5 X X TT-1、2XTTTSOIIA60：10nsPC-100 CL2 或B60：10nsPC-100 1、2XTTTSOIIA60：10nsPC-100 CL2 或B60：10nsPC-100 例如：HM5264805F-B60，64Mbit，8，100MHZCL32.NECNEC 的X XG5-1、2X3 或4 個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，4、8、16、32分別代4位、816位、 第4或5個(gè)X代表。3或4代表4個(gè)2 個(gè)；2代表2個(gè)5X有雙重含

2、義，如12LVTTLLVTTL，34G5TSOPII10：10nsPC100 CL -7，XXJF、JH、NF等。估計(jì)與封裝外型有關(guān)G5TSOPII10：10nsPC100 CL -7，XXJF、JH、NF等。估計(jì)與封裝外型有關(guān)SOP-IITOSHIBAXX 1、2X6464Mbit，M7128MbitFTTSOPII10：10ns100MHz 二.韓國產(chǎn)系列FTTSOPII10：10ns100MHz 二.韓國產(chǎn)系列KM4 XX S XX T-為 DDR SDRAM。22。erface，1SSTL，0LVTTLH：10nsPC100 CL2 或L：10nsPC100 例如：KM416S4031

3、BT-GH，64Mbit16*4，16，4CL=2：Unbuffered：KMM3sx BT/BTS/ATS-Registered：KMM390 x BTI/ATI-現(xiàn)在國內(nèi)常見的有100H：10nsPC100 CL2 或L：10nsPC100 例如：KM416S4031BT-GH，64Mbit16*4，16，4CL=2：Unbuffered：KMM3sx BT/BTS/ATS-Registered：KMM390 x BTI/ATI-現(xiàn)在國內(nèi)常見的有100SDRAM133MHz66841XT755X - RefRefRef128：128Mbits，8K Ref129：128Mbits，4K R

4、ef256：256Mbits，16K RefRef6、7X位、1632 位。8XRefRefRef128：128Mbits，8K Ref129：128Mbits，4K Ref256：256Mbits，16K RefRef6、7X位、1632 位。8X個(gè)和8個(gè)9X0，LVTTLLowVoltageTTL。JC：400mil TC：400mil TSOP-TD：13mm TSOP-TG：16mm TSOP-10p：10nsPC-100 CL2 或10s：10nsPC-100 65 是64Mhbit 和4Kcycles/64ms，88，102BC10p：10nsPC-100 CL2 或10s：10n

5、sPC-100 65 是64Mhbit 和4Kcycles/64ms，88，102BC3.LGSLG LGs 早已被 HY 現(xiàn)代納入麾下，但還是有必要單獨(dú)介紹下它。LG 現(xiàn)有的內(nèi)存后綴為 7J、7K、10K、8。其中 10K 是非 PC100 規(guī)格的，速度極慢。7J 條在LGS 的XX 1 X X T 1、2X，1616Mbits，6664Mbits5X，22，447K：10nsPC-100 CL2 或的要求（CL=3）SDRAM三.歐美生產(chǎn)系7K：10nsPC-100 CL2 或的要求（CL=3）SDRAM三.歐美生產(chǎn)系列及1.MicronMicron 的X M AX TGTSOPIILGTGFP10：10ns100MHz TGTSOPIILGTGFP10：10ns100MHz 2.IBMXCT3B260IBM 的T3X -1、2X則為 TSOJ 封裝。6XP，C68： 75A: 260 或222：10nsPC100CL2時(shí)的標(biāo)定速度為：135MHZ中