聚乙烯吡咯烷酮雜化雙色光敏激光直寫(xiě)光刻膠研究

1、PAGE 15 -聚乙烯吡咯烷酮雜化雙色光敏激光直寫(xiě)光刻膠研究雙色光敏激光直寫(xiě)(TCS-DLW)是一種新型的納米光刻技術(shù)，可突破光學(xué)衍射極限，直接實(shí)現(xiàn)亞百納米分辨率的任意2D/3D微納結(jié)構(gòu)制造1,2.有機(jī)高分子光刻膠是TCS-DLW實(shí)現(xiàn)圖案化的介質(zhì)和載體，直接影響了其光刻結(jié)構(gòu)性能3.在TCS-DLW中，光刻膠可以被近紅外波長(zhǎng)的飛秒激光激發(fā)，產(chǎn)生活性自由基引發(fā)活性單體的聚合反應(yīng)，從而引起光刻膠溶解度的變化，最終實(shí)現(xiàn)圖案化4,5.同時(shí)，在另一波長(zhǎng)連續(xù)激光的輻照下，該光刻膠還會(huì)受到抑制，終止活性單體的光聚合反應(yīng)6.目前，TCS-DLW通常采用一束實(shí)心的飛秒激光激發(fā)光束與另一束空心的連續(xù)激光抑制光束疊

2、加的方式，將光刻膠的光聚合過(guò)程限制在抑制光斑的空心區(qū)域內(nèi)，以實(shí)現(xiàn)高精度微納制造2.主流的TCS-DLW技術(shù)主要包括刺激發(fā)射耗散(STED)、光自由基淬滅及光轉(zhuǎn)換3種方式1,7,8.其中STED源于超分辨成像領(lǐng)域，其基于“光物理”的抑制機(jī)制過(guò)程具有抑制效率高及可多次抑制的優(yōu)勢(shì)，受到了廣泛的關(guān)注912.目前STED型TCS-DLW技術(shù)所使用的有機(jī)高分子光刻膠主要由雙色光敏劑和可聚合的活性單體組成3.雙色光敏劑保證了光刻膠在雙色波長(zhǎng)激光下的激發(fā)和抑制作用，雙色光敏劑的分子能級(jí)需與光刻系統(tǒng)的雙色波長(zhǎng)高度匹配，且具有合適的能級(jí)躍遷量子產(chǎn)率及壽命.其一般為4-異丙基硫雜蒽酮(ITX)或7-二乙基氨基-3-

3、噻吩甲酰基香豆素(DETC)，且DETC表現(xiàn)出了更優(yōu)的激發(fā)-抑制效果13,14.可聚合活性單體是傳統(tǒng)TCS-DLW光刻膠的主要成分，充當(dāng)交聯(lián)劑的作用，以形成聚合物網(wǎng)絡(luò).可聚合活性單體一般為多官能度的(甲基)丙烯酸酯類(lèi)單體，例如季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、雙酚A二丙烯酸酯、己二醇二丙烯酸酯等15.為了保證TCS-DLW的3D制造能力，上述光刻膠均為液態(tài)，一般采用物鏡沉浸于油或光刻膠內(nèi)的光刻方式.基于該(甲基)丙烯酸酯體系的光刻膠已在TCS-DLW中實(shí)現(xiàn)了最高55nm的基底加工精度13，同時(shí)廣泛地應(yīng)用于制造諸多3D微納結(jié)構(gòu)及器件，如光存儲(chǔ)、光波導(dǎo)、微機(jī)械、

4、生物工程等1619.然而，上述(甲基)丙烯酸酯體系光刻膠存在許多不足，嚴(yán)重阻礙了TCS-DLW的進(jìn)一步發(fā)展3.首先，采用的液態(tài)(甲基)丙烯酸酯體系黏度較低20，在光聚合過(guò)程中自由基和氧氣的擴(kuò)散速度快，會(huì)造成光刻膠靈敏度及光刻精度衰減21,22；其次，光刻膠體系的力學(xué)強(qiáng)度不足，光誘導(dǎo)(甲基)丙烯酸酯體系活性單體的聚合度低，且光刻膠體系中無(wú)高分子預(yù)聚物，在制造工藝流程中，微納結(jié)構(gòu)容易在多種應(yīng)力作用下發(fā)生扭曲變形，甚至在后續(xù)顯影工藝中脫落2,23；最后，多官能度活性單體在光聚合的過(guò)程中，由于分子之間距離的縮減，使得交聯(lián)聚合物的體系收縮率很大，將造成微納結(jié)構(gòu)的失真24.為了解決上述問(wèn)題，Jiang等2

5、5將硫醇單體引入到(甲基)丙烯酸酯體系光刻膠中，力學(xué)強(qiáng)度和體積收縮率得到了改善.但硫醇單體會(huì)導(dǎo)致光刻膠體系極不穩(wěn)定，非常容易發(fā)生交聯(lián)固化.此外，Xiong等26嘗試通過(guò)碳納米管的雜化來(lái)改善光刻膠性能，但是碳納米管的尺度較大，無(wú)法獲得高精度，且同時(shí)使得飛秒激光在光刻膠內(nèi)的穿透深度變小，難以進(jìn)行3D制造.聚乙烯吡咯烷酮(PVP)是一種兼顧水及有機(jī)溶劑相容性的高分子，具有良好的成膜性、黏結(jié)性、生物惰性.因此，我們嘗試將PVP引入到(甲基)丙烯酸酯體系光刻膠中，與PETA雜化制備TCS-DLW光刻膠.PVP良好的相容性使其可以很好地與PETA互溶，形成透明均一的體系，同時(shí)大幅提升體系的黏度，以削弱光聚

6、合過(guò)程中自由基和氧氣的擴(kuò)散.PVP作為高分子，在光刻膠體系中扮演著預(yù)聚物的作用，提高光刻膠的力學(xué)強(qiáng)度.此外，PVP中的吡咯烷酮雜環(huán)結(jié)構(gòu)本征體積較大，可以有效降低光刻膠的體積收縮率，且雜環(huán)中的羰基氧原子與PETA中的羥基會(huì)形成氫鍵和弱靜電相互作用，形成物理纏結(jié)交聯(lián)點(diǎn)，保證了顯影時(shí)PVP的穩(wěn)定性.基于以上方法，我們優(yōu)化得到了PVP雜化的新型光刻膠體系，實(shí)現(xiàn)了48nm的高精度及高質(zhì)量的3D微納結(jié)構(gòu).該光刻膠體系在TCS-DLW領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景，對(duì)促進(jìn)高精度微納制造具有重要意義.1實(shí)驗(yàn)部分1.1主要原料季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP，K12，Mw=3500)、異丙醇(IP

7、A，AR)、丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA，AR)購(gòu)于上海泰坦科技股份有限公司.7-二乙基氨基-3-噻吩甲?；愣顾?DETC，97%)購(gòu)于北京百靈威科技有限公司.采購(gòu)的溶劑均可直接使用而無(wú)需再次提純.1.2TCS-DLW系統(tǒng)TCS-DLW系統(tǒng)由光學(xué)系統(tǒng)及控制系統(tǒng)構(gòu)成.光學(xué)系統(tǒng)用于調(diào)控雙色光束的模式、形狀及空間分布，主要由激光光源、空間光調(diào)制器、光束放大器、振鏡、掃描鏡、管鏡、物鏡等組成.控制系統(tǒng)負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)制造執(zhí)行過(guò)程中，雙色光束的能量、運(yùn)動(dòng)方向及速度等.本文采用波長(zhǎng)為780nm的飛秒激光(80MHz，120fs)作為實(shí)心激發(fā)光源，通過(guò)100物鏡(NA=1.4)聚焦在光刻膠內(nèi)(圖1(a).利用波長(zhǎng)

8、為532nm的連續(xù)激光作為抑制光.通過(guò)空間光調(diào)制器將532nm的連續(xù)激光生成空心光斑并與780nm的飛秒激光在三維空間上疊加，疊加光斑的XY截面如圖1(b)所示.Fig.1(a)DiagramofTCS-DLWprocess:780nmfemtosecondlaserisemployedasexcitationbeamand532nmcontinuouslaserisservedasdepletionbeam;(b)thecross-sectionoftwo-colorlaserbeam;(c)molecularstructuresofthephotoresistbeforeandafterp

9、olymerization.1.3TCS-DLW微納制造流程TCS-DLW的典型制造流程如下：(1)取厚度為0.17mm高精度蓋玻片，放置于等離子清洗機(jī)中，在200W功率下處理1min；(2)將等離子體處理后的蓋玻片放置于含有0.5wt%硅烷偶聯(lián)劑(-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷)的丙酮溶液中浸泡2h，并用氮?dú)獯蹈桑?3)取12滴光刻膠樣品滴在上述蓋玻片中心處，并將其固定于載物臺(tái)上；(4)之后緩慢調(diào)節(jié)物鏡逐步接近蓋玻片，并將物鏡沉浸于光刻膠內(nèi)，同時(shí)利用成像系統(tǒng)觀察物鏡的焦點(diǎn)，將焦點(diǎn)鎖定于光刻膠與蓋玻片的界面處；(5)設(shè)置激發(fā)光和抑制光功率及掃描速度，將待制造圖形通過(guò)軟件轉(zhuǎn)化為T(mén)CS-DLW制造

10、路徑，并完成結(jié)構(gòu)制備.1.4光刻膠的制備光刻膠各組分的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如圖1所示.典型制備步驟如下：將4.0gPETA和1.0gPVP加入到10mL棕色血清瓶中，在50下持續(xù)攪拌12h，待PVP完全與PETA互溶后獲得透明均一的樹(shù)脂溶液.之后取12.5mgDETC加入到樹(shù)脂溶液中，在黃光及室溫條件下攪拌2h并超聲震蕩30min，就可獲得PVP含量為20wt%光刻膠配方.利用同樣的方法，分別配置PVP含量為0wt%、5wt%、10wt%、15wt%、25wt%的光刻膠配方，且保持DETC的濃度均為0.25wt%.光刻膠在制備完畢后，利用0.22m濾膜過(guò)濾，并避光儲(chǔ)存于8的冷藏柜內(nèi).1.5物化表征與測(cè)試

11、采用掃描電子顯微鏡(SEM,Sigma300,Zeiss)觀察制造微納結(jié)構(gòu)的形貌，樣品事先用磁控離子濺射儀鍍金處理，厚度為2nm.光刻膠樣品的紫外吸收光譜和熒光光譜通過(guò)紫外可見(jiàn)近紅外光譜儀(UV-Vis,UH5700,Hitachi)和熒光光譜儀(FL,FL6500,PerkinElmers)測(cè)試，測(cè)試時(shí)用異丙醇將光刻膠稀釋200倍，熒光光譜測(cè)試時(shí)激發(fā)波長(zhǎng)為390nm.通過(guò)全反射傅里葉紅外吸收光譜儀(ATR-FTIR,SpectrumTWO,PerkinElmer)表征光刻膠樣品的紅外光譜，以分析其官能團(tuán)結(jié)構(gòu)變化，掃描范圍5004000cm-1.光刻膠的黏度利用黏度計(jì)測(cè)試(IKAROTAVIS

12、C)，黏度樣品測(cè)試前在25下恒溫1h.2結(jié)果與討論2.1PVP對(duì)光刻膠閾值及聚合轉(zhuǎn)化率的影響閾值是光刻膠在顯影后能夠獲得穩(wěn)定微納結(jié)構(gòu)的最低激發(fā)光功率值.光刻膠閾值的高低直接反應(yīng)了光刻膠的靈敏度，影響著光刻膠的光-自由基聚合效率和轉(zhuǎn)化率，同時(shí)對(duì)TCS-DLW的制造精度也具有決定性作用.一般來(lái)說(shuō)，光刻膠閾值越低，光-自由基聚合的單體轉(zhuǎn)化率越高，制造精度也更高27,28.因此本工作首先探究了PVP的引入對(duì)光刻膠閾值的影響，以此優(yōu)化PVP的組分含量.如圖2(a)所示，設(shè)計(jì)了測(cè)試光刻膠閾值的線條陣列，橫坐標(biāo)激發(fā)光(780nm飛秒激光)功率逐漸增大(020mW，步進(jìn)0.5mW)，縱坐標(biāo)中TCS-DLW的加

13、工速度逐漸增高(5150ms-1).結(jié)果表明，當(dāng)固定加工速度時(shí)，隨著激發(fā)光功率的降低，線條的寬度逐漸減小，在閾值附近時(shí)可獲得最優(yōu)的加工精度.如圖2(b)所示，在100ms-1時(shí)，隨著光刻膠內(nèi)PVP含量的增加，光刻膠的閾值逐步降低，當(dāng)PVP含量為20wt%時(shí)閾值從10mW降低到6.5mW，而繼續(xù)增加PVP含量則閾值變化不大.Fig.2(a)Thresholdpowertestofphotoresistcontaining20wt%PVPbyvaryingbothlaserpowerandfabricationspeed;(b)effectofPVPconcentrationonthreshold

14、powerofphotoresists.閾值的降低主要由以下幾個(gè)原因：(1)PVP的引入會(huì)逐漸提高光刻膠體系的黏度，當(dāng)PVP含量為20wt%，體系的黏度從520mPas(PETA)提高到16585mPas，黏度的增大可以有效地減慢氧氣在光刻膠內(nèi)的擴(kuò)散速率，從而抑制氧阻聚，提高靈敏度20；(2)PVP作為一種高分子，在光刻膠內(nèi)充當(dāng)預(yù)聚物的角色，使活性單體PETA即使在更低的交聯(lián)度下也可以達(dá)到固化的作用；(3)PVP高分子鏈中羰基CO可與PETA中OH形成氫鍵，充當(dāng)額外的交聯(lián)點(diǎn)，以此降低光固化所需的能量.如圖3所示，利用ATR-FTTR表征了PVP與PETA的氫鍵相互作用.其中，1650和1718

15、cm-1分別歸屬為純PVP和PETA中CO的伸縮振動(dòng)峰，1635cm-1對(duì)應(yīng)PETA中CC的伸縮振動(dòng).當(dāng)PVP與PETA雜化后，PVP的CO特征峰從1650cm-1藍(lán)移到1672cm-1，且隨著PVP含量的增加，特征峰的強(qiáng)度依次增強(qiáng).同時(shí)，光刻膠體系在3440cm-1處具有明顯的氫鍵特征峰(電子支持信息圖S1所示)，且隨著PVP含量的增加，氫鍵特征峰的強(qiáng)度顯著提升，說(shuō)明PVP的雜化使光刻膠內(nèi)氫鍵的數(shù)量大幅度增加.由此可以證明PVP的CO基團(tuán)與PETA的OH之間存在氫鍵相互作用.綜上所述，PVP的引入可以提升光刻膠的靈敏度，降低閾值，有助于光刻膠獲得更高的加工精度.Fig.3ATR-FTIRsp

16、ectraofneatPETA,neatPVPandphotoresistswith0wt%-25wt%PVP.聚合的單體轉(zhuǎn)化率對(duì)固化光刻膠的力學(xué)強(qiáng)度和穩(wěn)定性至關(guān)重要.本文進(jìn)一步利用ATR-FTTR研究了PVP含量對(duì)光刻膠聚合過(guò)程中單體轉(zhuǎn)化率的影響.如圖4(a)所示，含有0wt%和20wt%PVP的光刻膠(實(shí)線)及其在光聚合后(虛線)的紅外譜圖.1635和1718cm-1分別為PETA中CC和CO的特征峰，以CO特征峰為參考進(jìn)行歸一化處理，以此對(duì)比不同光刻膠在光聚合前后CC特征峰的吸光度變化，并通過(guò)公式(1)計(jì)算PETA的單體聚合轉(zhuǎn)化率(DC)：DC=1AbsafterAbsbefore100

17、%(1)式中，Absbefore和Absafter為光刻膠聚合前、后CC基團(tuán)的吸收強(qiáng)度.Fig.4(a)ATR-FTIRspectraofphotoresistswith0wt%and20wt%PVP,inwhichsolidlinesanddottedlinesrepresentbeforeandafterlaserinducedpolymerization,respectively;(b)degreeofconversion(DC)ofcuredphotoresistsasafunctionofPVPconcentration.結(jié)果表明，當(dāng)不含PVP時(shí)，PETA光刻膠在光聚合后的DC值僅為

18、14.2%，與文獻(xiàn)報(bào)道值接近25.而隨著PVP含量的增加，光刻膠內(nèi)單體的DC逐步提升(圖4(b).在PVP含量為20wt%時(shí)，DC達(dá)到30.1%，且在進(jìn)一步增加PVP含量，單體轉(zhuǎn)化度不再明顯提升.說(shuō)明PVP的加入可以顯著提高雙光子聚合過(guò)程單體的轉(zhuǎn)化度，從而提高微結(jié)構(gòu)的力學(xué)強(qiáng)度.PVP對(duì)單體聚合轉(zhuǎn)化率的促進(jìn)作用，可能歸因于PVP吡咯雜環(huán)中叔胺對(duì)光聚合反應(yīng)增感作用292.2PVP對(duì)光刻膠體積收縮率的影響光刻膠在交聯(lián)聚合的過(guò)程中，由于活性單體間分子間距的減小，往往會(huì)造成固化后光刻膠體積的大幅收縮，收縮的程度一般用體積收縮率來(lái)表示.TCS-DLW普遍使用PETA作為光刻膠樹(shù)脂，其在聚合后體積收縮率一般

19、較大，造成微納結(jié)構(gòu)在固化過(guò)程中存在不穩(wěn)定的內(nèi)應(yīng)力，非常容易導(dǎo)致微納結(jié)構(gòu)的收縮、扭曲、變形及倒塌，嚴(yán)重影響TCS-DLW的加工質(zhì)量.為了降低光刻膠的體積收縮率，通常的手段包括無(wú)機(jī)納米填料雜化、引入螺環(huán)等體積膨脹單體及添加兼容性有機(jī)高分子3032.其中利用高分子與光刻膠雜化的手段最為簡(jiǎn)單、有效.PVP與PETA光刻膠具有良好的兼容性，雜化添加量可達(dá)20wt%以上，同時(shí)PVP的分子惰性較好，不影響TCS-DLW的雙色光敏性，因此可以作為良好的高分子添加劑以降低光刻膠的體積收縮率.本文探究了不同PVP含量對(duì)光刻膠在光-自由基聚合后體積收縮率的影響.如圖5中插圖所示，將不同PVP含量的光刻膠，利用TCS

20、-DLW分別制造一個(gè)三維尺寸為100m100m50m的長(zhǎng)方體.通過(guò)計(jì)算三維結(jié)構(gòu)的變形程度來(lái)計(jì)算光刻膠的體積收縮率，計(jì)算公式如公式(2)所示：Shrinkage=bab100%(2)式中，b為長(zhǎng)方體靠近基底的邊長(zhǎng)，a為長(zhǎng)方體的頂部的邊長(zhǎng).光刻膠與基底的附著力限制了光刻膠底部的收縮過(guò)程，而頂部不受基底的影響，收縮過(guò)程可以完全體現(xiàn)出來(lái).Fig.5Shrinkageofa3Dstructurefabricatedby780nmfemtosecondlaserinducedpolymerizationusingphotoresistswithdifferentPVPconcentrations.Inse

21、tgraph:SEMimageofthetypical3Dstructureforshrinkagetests.從圖5可以明顯地看出，在沒(méi)有加入PVP時(shí)，PETA光刻膠的體積收縮率高達(dá)18%，意味著TCS-DLW加工的微納結(jié)構(gòu)很難與最初設(shè)計(jì)尺寸一致，制造精度很差.在PVP引入到光刻膠后，隨著PVP含量的增加，光刻膠體積收縮率逐步降低，最低可達(dá)3%，是未添加PVP的PETA光刻膠的1/6，且當(dāng)PVP含量超過(guò)20wt%時(shí)體積收縮率不再明顯降低.光刻膠聚合后收縮率的降低，可減小制造結(jié)構(gòu)的內(nèi)應(yīng)力，有助于提高加工結(jié)構(gòu)的精度和質(zhì)量.2.3PVP對(duì)光刻膠力學(xué)強(qiáng)度的影響除了光刻膠閾值和體積收縮率外，光刻膠在聚

22、合后微納結(jié)構(gòu)的力學(xué)強(qiáng)度也極其重要.由于TCS-DLW加工的維納結(jié)構(gòu)很小，無(wú)法用萬(wàn)能拉伸機(jī)來(lái)表征其力學(xué)強(qiáng)度，我們?cè)O(shè)計(jì)了一種懸浮線的結(jié)構(gòu)模型，以定性研究PVP雜化光刻膠的力學(xué)強(qiáng)度.如圖6所示，在2個(gè)基底之間加工光刻膠懸浮線，懸浮線條下半段僅開(kāi)啟780nm激發(fā)光束，上半段同時(shí)開(kāi)啟780nm激發(fā)光束和532nm抑制光束.對(duì)于未添加PVP的光刻膠，其在532nm連續(xù)激光開(kāi)啟后，由于懸浮線條精度的提高，其力學(xué)強(qiáng)度不足，無(wú)法支撐自身的重量，而發(fā)生塌陷并與基板黏連，如圖6(a).相比之下，使用含有20wt%PVP的光刻膠，在圖6(b)中獲得了高達(dá)48nm精度的懸浮線，且并未發(fā)生塌陷或彎曲.由此可以說(shuō)明PVP的

23、加入可以提高光刻膠聚合后的力學(xué)強(qiáng)度，有利于高精度微納結(jié)構(gòu)的加工.Fig.6SEMimagesofsuspendedlinesfabricatedbythedifferentphotoresists:containing0wt%PVP(a)and20wt%PVP(b).2.4PVP的雜化對(duì)TCS-DLW加工精度的影響綜上所述，PVP雜化光刻膠可以提升靈敏度、單體聚合轉(zhuǎn)化率、力學(xué)強(qiáng)度及降低聚合體積收縮率，且在含量為20wt%時(shí)，效果最優(yōu).因此，接下來(lái)進(jìn)一步研究對(duì)比了含有20wt%PVP光刻膠(PVP-20)與未添加PVP光刻膠(PVP-0)的雙色光敏加工性能.PVP-0樣品的紫外吸收和熒光發(fā)射光譜

24、如圖7(a)所示，最大吸收波長(zhǎng)為421nm，而在780nm處并無(wú)吸收峰，不過(guò)由于780nm飛秒激光的瞬態(tài)能量很高，DETC會(huì)發(fā)生非線性雙光子吸收而被激發(fā)產(chǎn)生活性自由基，此時(shí)780nm雙光子能量等同于單個(gè)390nm光子能量，而DETC在390nm具有很強(qiáng)的躍遷諧振能級(jí).光刻膠的熒光光譜覆蓋532nm，因此532nm連續(xù)激光可以通過(guò)STED的方式，將被激發(fā)的DETC分子“拉回”基態(tài)，達(dá)到抑制聚合的效果.這即是上述的雙色光敏性.Fig.7(a)UV-VisandfluorescencespectraofthePVP-20photoresist;(b)SEMimageoflinearrayforlas

25、erpoweroptimization;(c)LinewidthofPVP-20()andPVP-0()atdifferent532nmlaserpowers,fabricationspeedis100ms-1,thepowerof780nmfemtosecondlaserarefixedat9.9mWand11.8mWforPVP-20andPVP-0,respectively;(d)SEMimageoftypicallinesfabricatedbyPVP-0,the532nmdepletionlaserisswitchedonforthelatterpartofthelines;(e)a

26、nd(f)SEMimagesoftypicallinesfabricatedbyPVP-20.由于懸浮線中存在拉伸效應(yīng)，不能實(shí)際地反應(yīng)光刻膠的加工精度和質(zhì)量，因此接下來(lái)加工結(jié)構(gòu)均附著在玻璃基板上.在固定加工速度為100ms-1時(shí)，光刻膠的加工精度與激發(fā)光和抑制光功率均有關(guān)14，因此本文進(jìn)行了線條陣列測(cè)試，以確定最佳加工精度時(shí)的激發(fā)光和抑制光功率.如圖7(b)所示，線條陣列中從左到右532nm連續(xù)激光的功率逐漸增強(qiáng)，從下到上780nm飛秒激光的功率逐漸增大，為了保證結(jié)果的可靠性，每個(gè)交叉參量下均平行加工3個(gè)相同的線條.同時(shí)，每組線條上半段僅開(kāi)啟激發(fā)光，下半段同時(shí)開(kāi)啟激發(fā)光和抑制光，如圖7(d).結(jié)果表明，當(dāng)PVP-20和PVP-0樣品在激光功率分別保持在9.9和11.8mW時(shí)，線條的穩(wěn)定較好.統(tǒng)計(jì)該激發(fā)光功率下，加工線條精度與抑制光功率的關(guān)系.如圖7(c)所示，對(duì)于PVP-0，隨著抑制光功率的增加，線條精度由145nm(抑制光0mW)降低到85nm(抑制光36.0mW)，進(jìn)一步提高抑制光后，線條將被顯影洗掉，無(wú)法保留.不過(guò)，由PVP-0獲得的線條呈現(xiàn)明顯的彎曲現(xiàn)象(圖7(d)，同時(shí)線條均