利用正向壓降測量結(jié)點溫度

1、利用正向壓降測量結(jié)點溫度半導體結(jié)點(從IC中數(shù)以百萬計的晶體管到實現(xiàn)高亮度LED的大面積復合結(jié)點)可能由于不斷產(chǎn)生的熱而在 早期發(fā)生故障。當特征尺寸縮小且電流要求提高時，這將成為一個非常嚴重的問題，甚至正常操作也可能 聚積熱量，使結(jié)點溫度升高。溫度上升可能增加結(jié)點內(nèi)的缺陷數(shù)量，從而導致器件的性能下降、生命周期 縮短。因此，需要一種準確的溫度測量方法來測量半導體器件的溫度，以避免產(chǎn)生可能導致故障的高溫。有一種 方法很簡單，即測量結(jié)點溫度。它可以使用常用測試和測量儀器，測量結(jié)果可被用來監(jiān)視特定器件的工作 狀況。測量結(jié)點溫度的理想方法是在盡可能離熱源近的地方監(jiān)視器件溫度。流過半導體結(jié)點的電流產(chǎn)生熱，

2、 這些熱量經(jīng)過結(jié)點材料流向外部世界。另一種方法是將溫度傳感器放在非?？拷雽w結(jié)點的位置，并且測量傳感器的輸出信號。隨著熱量流向 外部區(qū)域，外部區(qū)域和傳感器的溫度升高。盡管這是一個很直接的過程，但由于傳感器尺寸有限，所以該 方法具有許多物理上的限制。在很多情況下，傳感器本身比要測量的結(jié)點的尺寸大，這就會給系統(tǒng)增加大 量的熱，同時帶來額外的測量誤差，從而降低測量準確度。因此，這種方法幾乎對大多數(shù)應(yīng)用都沒有用。圖1：在測試設(shè)置中，SMU被用來描述半導體的正向壓降與結(jié)點溫度的關(guān)系。一種更好的解決方法是利用結(jié)點本身作為溫度傳感器。對大多數(shù)材料來說，結(jié)點正向壓降和結(jié)點溫度之間 都存在密切的相關(guān)性。什么時

3、候結(jié)點正向壓降與結(jié)點溫度呈非線性關(guān)系取決于結(jié)點的材料和設(shè)計。在溫度 高達80C至100C的正常工作環(huán)境中，假設(shè)大多數(shù)材料的結(jié)點正向壓降與結(jié)點溫度為線性是安全的。非線 性特性可以通過實驗方法來確定，即在更高的環(huán)境溫度下測量電壓，直到結(jié)點正向壓降與結(jié)點溫度為非線 性。對于大多數(shù)器件而言，這種關(guān)系接近線性關(guān)系，可以用數(shù)學公式表達如下：Tj=(mxVF)+To (1)其中，片=結(jié)點溫度(單位：C)； m=斜率(與器件相關(guān)的參數(shù)，單位：C/V)； VF=正向壓降；T0=截距(與器 件相關(guān)的參數(shù)，單位：C)。因此，在給定溫度下(Tt)下，半導體結(jié)點的正向壓降(VF)是一定的。如果我們在兩種不同的溫度下測量

4、VF，JFF則可以計算出某個結(jié)點的斜率(m)以及截距(T。)。由于這是一種線性關(guān)系，所以我們只需測量VF，就可以利 用式(1)計算不同狀態(tài)下的結(jié)點溫度。感應(yīng)LO1 irleadO待測電阻如果知道不同工作狀態(tài)和封裝的器件的Tj,我們就能夠計算出不同封裝類型和設(shè)計的熱參數(shù)，比如熱阻。 這在設(shè)計特定工作條件以確保器件使用壽命最長時顯得尤為重要，因為熱效應(yīng)是早期器件故障的主要原因。待測電阻尸測量電壓 *二電粗尺上的匸 因為感應(yīng)電流可 略*所以 測屋電阻=7/1=圖2：四線測量方法能減少引腳電阻導致的誤差。測試方法在這個測試方法中，待測器件(DUT)被放置在溫度試驗箱內(nèi)并與驅(qū)動設(shè)備和測量設(shè)備相連。驅(qū)動設(shè)

5、備可能 是可編程電流源和伏特計，但其它儀器可以同時提供電流和測量電壓，這些儀器通常被稱為源測量單元(S MU)，它們可大大簡化測量儀器(圖1)。接下來，采用四線測量方法或者Kelvin測量方法將SMU與器件相連接。通過感應(yīng)DUT周圍而不是SMU 輸入端的電壓，四線電壓測量能降低電壓測量中由引線電阻導致的誤差。圖 2 是四線測量的詳細連接圖。將 DUT 放置在環(huán)境試驗箱內(nèi)，并將該試驗箱設(shè)定到初始溫度。初始點通常在 25 C 下測量，然后讓 DUT 達到熱平衡。可通過實驗來確定達到熱平衡所需的停靠時間(dwell time),但對于大多數(shù)封裝來說，10分鐘 應(yīng)該足夠。一旦結(jié)點達到熱平衡，就提供DU

6、T 一個持續(xù)時間短的電流，并測量壓降。電流脈沖的持續(xù)時間和振幅非常 重要，功率較大(電流過大或者脈沖過長)可能會使結(jié)點發(fā)熱，從而使結(jié)果產(chǎn)生偏差。許多情況下，待測結(jié)點的為硅或者復合二極管。對于這些類型的器件，以幾毫安的驅(qū)動電流和1 ms的源 電流為試驗起點比較好。如果還不太確定，則利用具有極短脈沖(小于1ms)的源，用試驗的方法確定結(jié)點的 自發(fā)熱。然后改變脈沖寬度并比較每個脈沖持續(xù)時間的電壓進行試驗。lmV至2mV的電壓差通常表示結(jié) 點溫度有1 C的變化，這個測量電壓是Tji (25 C )溫度下的Vpio然后溫度升高到一個更高的值(例如50C),讓DUT達到熱平衡，并再次給予電流脈沖。這個溫度

7、下的電壓 被標為Tj2溫度(此例中為50C )下的Vf2。采用多個不同的值重復這些步驟，然后繪制電壓與結(jié)點溫度的關(guān)系圖(圖 3)。在分析中，至少使用三個溫度 對近似值的任何差異進行檢查?，F(xiàn)在可以使用式(1)計算出這條直線的斜率(m)和截距：T=(m x V )+TjF OTj2-Tj1= m(VF2-VF1)(式 1 的點斜式)m=(Tj2-Tj1)/( VF2-VF1) (2)然后通過外推法計算出 TO：Tj2-Tj1=m(VF2-VF1)(式 1 的點斜式)將VF2設(shè)為0,則式2則變?yōu)椋篢j2=Tj1-m VF1這里的Tj2等于截距，或T。TO=Tj2=Tj1-mVF1應(yīng)用實例：高亮度 L

8、ED這個例將開發(fā)一種新的高亮度 LED 裸片。該器件被設(shè)計成能比以前單元承載更多電流，還需確保較高的熱 流量以使結(jié)點溫度最低。這將保證在一些要求更高的應(yīng)用中，該器件具有足夠長的使用壽命。當連接LED裸片正極或負極的接合線斷掉時，通常會發(fā)生LED故障。斷線的常見原因是接合線的溫度循 環(huán)，這是由散熱不足導致結(jié)點溫度升高而引起的。將 LED 裸片放置在恒溫箱中并按照如前所述的測試計劃進行測試，可得如下結(jié)果：溫度為 Tj1 (25 C )時， VF1=1.01V溫度為 Tj2 (50 C )時， VF2=0.78 Vm=(50-25 )C /(0.78-1.01)V=-108.70 C/VTO=Tj1

9、-mVF1=25 C-(-108.70C/V)x(1.01V)=134.79 C因此，描述該器件的結(jié)點溫度與前向電壓關(guān)系的一階等式為：Tj=(-108.70C/V)xVF)+134.79C現(xiàn)在，我們改變其它參數(shù)，如工作電流、環(huán)境溫度和封裝，并只測量VF就可確定實際的結(jié)點溫度。F代表統(tǒng)性關(guān)系V1V2出仁環(huán)境溫度結(jié)點溫眞代表統(tǒng)性關(guān)系V1V2出仁環(huán)境溫度結(jié)點溫眞圖3：結(jié)點溫度與正向壓降的線性關(guān)系。誤差根源 測量誤差的最大根源在于環(huán)境試驗箱中測量溫度的不確定性。這種測量通常采用熱電偶，而熱電偶的誤差 為2 C甚至更高。將熱敏電阻或者電阻溫度檢測器(RTD)等更準確的熱測量傳感器放置在DUT附近，并 且使用單獨的數(shù)字萬用表來測量溫度，可提高測量的準確度。當計算結(jié)點溫度時，電壓測量的不確定性也會增加誤差。選擇具有高準確性和分辨率的儀器進行電壓測量 是盡量減小這種誤差的關(guān)鍵。結(jié)點溫度測量中的誤差還將影響其它的熱計算，如熱阻抗和熱電阻。因此，最小化這些誤差的關(guān)鍵是獲取