orCAD仿真使用說明

1、在 OrCAD/PSpice 9.2 平臺上電子電路設計與仿真Pspice 實踐練習一：設計與仿真一個單級共射放大電路（提供的參考電路如圖一所示） 。要求： 放大電路有合適靜態(tài)工作點、電壓放大倍數(shù)30左右、輸入阻抗大于1KQ、輸出阻抗小于5. 1KQ及通 頻帶大于1MHZ。請參照下列方法及步驟，自學完成Pspice實踐練習一。一、啟動Pspice9.2 f Capture f 在主頁下創(chuàng)建一個工程項目exal。選 File/New/ Project建立一個子目錄f Create Dir （鍵入e:zhu）,并雙擊、打開子目錄；3選中 Analog or Mixed- Signal Circui

2、t OK!鍵入工程項目名exa1；在設計項目創(chuàng)建方式選擇對話下，選中Create a blank pro OK!畫一直線，將建立空白的圖形文件（exal.sch）存盤。二、畫電路圖（以單級共射放大電路為例，電路如圖一所示 ）打開庫瀏覽器選擇菜單 Place/Part f Add Library提?。喝龢O管Q2N2222 （bipolar庫）、電阻R、電容C （analog庫）、電源VDC （source庫）、 模擬地O/Source、信號源VSIN。移動元、器件。鼠標選中元、器件并單擊（元、器件符號變?yōu)榧t色，）然后壓住鼠標左鍵拖到合 適位置，放開鼠標左鍵即可。 刪除某一元、器件。 鼠標選中該元

3、、器件并單擊（元、器件符號變?yōu)榧t色），選擇菜單 Edit/delete 。翻轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)某一元、器件符號。 鼠標選中該元、器件并單擊（元、器件符號變?yōu)榧t色），可按鍵 Ctrl +R 即可。畫電路連線選擇菜單中Place/wire，此時將鼠標箭頭變成為一支筆（自己體會）。6為了突出輸出端，需要鍵入標注Vo字符，選擇菜單Place/Net Alias f Vo OK!三、修改元、器件的標號和參數(shù)1 用鼠標箭頭雙擊該元件符號（R或C），此時出現(xiàn)修改框，即可進入標號和參數(shù)的設置。2. VSIN信號源的設置：鼠標選中VSIN信號源的FREQ用鼠標箭頭單擊（符號變?yōu)榧t色），然 后雙擊，鍵入FREQ=1kHz、

4、同樣方法即鍵入VOE=0v、VAMPL=30mv。鼠標選中VSIN信號源 并單擊（符號變?yōu)榧t色）然后，用鼠標箭頭雙擊該元件符號，此時出現(xiàn)修改框，即可進入?yún)?shù)的設 置， AC=5mv ，鼠標選中 Apply 并單擊。退出。三極管參數(shù)設置：鼠標選中三極管并單擊（符號變?yōu)榧t色）然后，選擇菜單中Edit/PSpiceModel 。打開摸型編輯框 Edit/PSpice Model 修改 Bf 為 50，保存，即設置 Q2N2222-X 的 為 50 。4. 說明：輸入信號源和輸出信號的習慣標法Vs、V i 和 Vo （鼠標選中 Place/Net Alias）。圖一 單級共射放大電路四、設置分析功能1

5、 B ias Point Detail（青靜態(tài)）選擇菜單 PSpice /New Simulation Profile,在 New Simulation 對話框下，鍵入Bias ,用鼠標 單擊Create,然后在屏幕上彈出模擬類型和參數(shù)設置框；在模擬類型和參數(shù)設置框下，見Analysis type攔目，用鼠標選中及單擊 Bias Point Detai1 ；并在Output File Optiongs攔目下，單擊選中 “include detailed bias point information for nonlinear controlled sources and semiconduct

6、ors” 。單擊應用（A）及確定返回！Transient （瞬態(tài)，即時域分析）選擇菜單 PSpice /New Simulation Profile，在 New Simulation 對話框下，鍵入 TRAN ，用鼠 標單擊Create，然后在屏幕上彈出模擬類型和參數(shù)設置框；在模擬類型和參數(shù)設置框下，見 Analysis type攔目，用鼠標選中及單擊 Time Domain（Transient） f 再鍵入下列數(shù)據(jù)：Run to4msStart saving data 0msMaximum step20us單擊應用（A）及確定返回！AC Sweep （即頻域分析）選擇菜單PSpice /Ne

7、w Simulation Profile，在New Simulation對話框下，鍵入AC，用鼠標 單擊Create，然后在屏幕上彈出模擬類型和參數(shù)設置框；在模擬類型和參數(shù)設置框下，見Analysis type攔目，用鼠標選中及單擊 AC Sweep/Noise f 然后，在AC S weep Type攔目下鍵入下列數(shù) 據(jù)：Start 10hzEnd 100MegPoints/ Decade =101對于Logarithmic項選中： Decade （十倍頻，取半對數(shù)坐標） 單擊應用（A）及確定返回！五、仿真前應作的準備工作將建立或修改后的文件（exa1.sch）存盤。2 建立電路連接規(guī)則檢查

8、和建立網(wǎng)表文件單擊 PSpice / Create Netlist若有問題，屏幕會有指示，并由設計者予以解決）六、仿真將圖形文件還原，用鼠標選中及單擊圖形畫面的右上角符號（中間的那個符號）。電路靜態(tài)工作點。首先進入項目管理器窗口，鼠標選中及雙擊PSpice Resources， 再雙擊 Simulation Profiles,然后激活Bias圖標，用鼠標選中及單擊SCHEMATITC-Bias ，點擊鼠標右鍵， 單擊Make Active ；選擇菜單PSpice /RUN （或用鼠標點擊符號RUN）。若無出錯，便可查閱 PSpice/View Output File文件，查閱電路靜態(tài)工作點（V

9、BE、IB、Ic、VCE）。關(guān)閉文件返回。BEBCE仿真輸入/輸出電壓波形。同樣進入項目管理器窗口，激活TRAN圖標，用鼠標選中及單擊 SCHEMATITC-TRAN ，點擊鼠標右鍵，單擊Make Active ；選擇菜單PSpice /RUN （或用鼠標 點擊符號RUN）。若無出錯，便可觀察瞬態(tài)分析（時域分析）。單擊菜單Trace/Add Trace - 彈出 Add Trace 對話框 。單擊V（Vo） 單擊OK!返回（顯示V（Vo）波形）；單擊Plot/add plot to Window添加一個波形顯示框。Trace/Add 彈出 Add Trace 對話框鍵入 V（Vs:+） 單擊

10、OK 返回（顯示V（Vs:+）波形）觀察V（Vs:+）、V（Vo）波形，輸出電壓波形放大和失真情況，若有失真（飽和或截止失真） 則退出仿真，進入電路參數(shù)修改（建議看閱Output File結(jié)果報告，查閱靜態(tài)工作點，判定靜態(tài)工作 點合適否），重復上述過程。仿真通過，關(guān)閉文件返回。作幅頻特性、相頻特性、輸入電阻及輸出電阻特性曲線。鼠標進入項目管理器窗口，激活AC 圖標，用鼠標選中及單擊SCHEMATITC-AC，點擊鼠標右鍵，單擊Make Active ；選擇菜單PSpice /RUN（或用鼠標點擊符號RUN）。若無出錯，便可觀察AC交流瞬態(tài)或頻域分析。單擊菜單Trace/Add Trace f

11、彈出Add Trace對話框。幅頻特性鍵入： dB（V（Vo）/V（Vs:+）單擊 OK 返回（顯示幅頻特性）激活游標：單擊菜單 Trace/ cursor/Display 。確定中頻區(qū)Av（dB），即單擊菜單Plot/ Label/Mark，此時坐標值標注在曲線附近。e.移動游標從中頻區(qū)的值下降約3dB時，橫坐標頻率值就是上限截止頻率（下限截止 頻率）。單擊菜單Plot/Label/Mark，此時坐標值標注在曲線附近。（手工）計算通頻帶f = fH .fL 。相頻特性取消游標：單擊菜單 Trace/ cursor/ Display再添加一個相移特性曲線顯示窗口：單擊菜單Plot/Add pl

12、ot to Window單擊菜單 Trace/Add 彈出 Add Trace 對話框.鍵入:：Vp（Vo）-Vp（Vs:+）單擊 OK 返回（顯示觀察相頻特性）激活游標：單擊菜單 Trace/ cursor/Display確定中頻區(qū)，即單擊菜單Plot/ Label/Mark，此時坐標值標注記在曲線附近。求解輸入阻抗。再添加一個相移特性曲線顯示窗口：單擊菜單Plot/Add plot to Window 鍵入： V（Vs:+）/I（Vs）單擊 OK 返回（顯示觀察輸入阻抗的頻率特性，確定中頻區(qū)輸入電阻）求解輸出阻抗首先打開電路圖形文件！修改電路，令Vs=Ov信號源短路，取掉負載Rl，外加一個 信號源VSIN（400mv）,即Vw，保存文件（存盤），進入仿真，仿真步驟同上。選擇菜單PSpice /RUN （或用鼠標點擊符號RUN）。若無出錯，便