CMOS集成電路工藝流程(-54張)課件

1、章CMOS集成電路工藝流程1章1多晶硅柵CMOS工藝流程可用器件工藝擴(kuò)展提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程3多晶硅柵CMOS工藝流程3初始材料重?fù)诫sP型(100)襯底硅，P+減小襯底電阻，提高抗CMOS閂鎖效應(yīng)能力外延生長(zhǎng)在襯底上生長(zhǎng)一層輕摻雜P型外延層，P-厚度510um可以比CZ硅更精確的控制外延層的電學(xué)特性，從而更好的控制器件參數(shù)襯底材料4初始材料襯底材料4N阱擴(kuò)散熱氧化N阱掩模板光刻氧化層磷離子注入高溫推進(jìn)，同時(shí)形成緩沖氧化層N阱工藝能夠提供性能稍好的NMOS晶體管，并允許襯底接地N阱擴(kuò)散5N阱擴(kuò)散N阱擴(kuò)散5反型槽工藝淀積氮化硅反型槽掩模板光刻氮化硅刻蝕場(chǎng)區(qū)氮

2、化硅反型槽6反型槽工藝反型槽6溝道終止注入7溝道終止注入7LOCOS氧化刻蝕去除氮化硅去除緩沖氧化層生長(zhǎng)虛擬氧化層LOCOS工藝和虛擬柵氧化8LOCOS氧化LOCOS工藝和虛擬柵氧化8閾值調(diào)整硼注入調(diào)整閾值電壓剝除虛擬柵氧化層?xùn)叛趸瘜痈裳醴ㄑ趸^程很短，柵氧化層很薄閾值調(diào)整和柵氧化層生長(zhǎng)9閾值調(diào)整閾值調(diào)整和柵氧化層生長(zhǎng)9本征多晶硅淀積多晶硅掩模光刻、多晶硅層刻蝕多晶硅重?fù)诫s磷（淀積、注入）多晶硅淀積和光刻10本征多晶硅淀積多晶硅淀積和光刻10NSD/PSD掩模板光刻通過暴露的柵氧化注入雜質(zhì)多晶硅柵作為源/漏自對(duì)準(zhǔn)注入的掩模板去除光刻膠短暫退火，激活注入雜質(zhì)源/漏注入11NSD/PSD掩模板光刻

3、源/漏注入11接觸淀積多層氧化物 (MLO)接觸掩模光刻、刻蝕接觸孔區(qū)域重?fù)诫s區(qū)域可以形成歐姆接觸金屬化接觸孔硅化難熔金屬薄膜淀積、摻銅鋁層淀積金屬掩模光刻、金屬刻蝕，形成互連結(jié)構(gòu)淀積夾層氧化物 (ILO)刻蝕ILO通孔，第二層金屬互連. .保護(hù)層最后一層金屬上淀積保護(hù)層，厚的磷硅玻璃、壓縮氮化層等接觸、金屬化和保護(hù)層12接觸接觸、金屬化和保護(hù)層12多晶硅柵CMOS晶圓剖面13多晶硅柵CMOS晶圓剖面13典型CMOS工藝流程圖14典型CMOS工藝流程圖14典型CMOS工藝流程圖15典型CMOS工藝流程圖15典型CMOS工藝流程圖16典型CMOS工藝流程圖16典型CMOS工藝流程圖17典型CMO

4、S工藝流程圖17典型CMOS工藝流程圖18典型CMOS工藝流程圖18典型CMOS工藝流程圖19典型CMOS工藝流程圖19典型CMOS工藝流程圖20典型CMOS工藝流程圖20典型CMOS工藝流程圖21典型CMOS工藝流程圖21典型CMOS工藝流程圖22典型CMOS工藝流程圖22典型CMOS工藝流程圖23典型CMOS工藝流程圖23典型CMOS工藝流程圖24典型CMOS工藝流程圖24典型CMOS工藝流程圖25典型CMOS工藝流程圖25典型CMOS工藝流程圖26典型CMOS工藝流程圖26典型CMOS工藝流程圖27典型CMOS工藝流程圖27典型CMOS工藝流程圖28典型CMOS工藝流程圖28典型CMOS

5、工藝流程圖29典型CMOS工藝流程圖29典型CMOS工藝流程圖30典型CMOS工藝流程圖30典型CMOS工藝流程圖31典型CMOS工藝流程圖31典型CMOS工藝流程圖32典型CMOS工藝流程圖32典型CMOS工藝流程圖33典型CMOS工藝流程圖33典型CMOS工藝流程圖34典型CMOS工藝流程圖34典型CMOS工藝流程圖35典型CMOS工藝流程圖35典型CMOS工藝流程圖36典型CMOS工藝流程圖36典型CMOS工藝流程圖37典型CMOS工藝流程圖37典型CMOS工藝流程圖38典型CMOS工藝流程圖38典型CMOS工藝流程圖39典型CMOS工藝流程圖39典型CMOS工藝流程圖40典型CMOS工藝流程圖40典型CMOS工藝流程圖41典型CMOS工藝流程圖41典型CMOS工藝流程圖42典型CMOS工藝流程圖42可用器件43可用器件43NMOS晶體管44NMOS晶體管44PMOS晶體管45PMOS晶體管45襯底PNP管46襯底PNP管46電阻多晶硅電阻NSD/PSD電阻N阱電阻金屬電阻多晶硅電阻必須使用硅化物阻擋掩模板多晶硅電阻47電阻多晶硅電阻47NSD/PSD電阻48NSD/PSD電阻48電容MOS電容金屬電容（MOM、MiM）多晶硅電容（PiP）MOS電容49電容MOS電容4