模擬電路課件第一章-常用半導體器件-

1、第一章 常用半導體器件1.1 半導體基礎(chǔ)知識1.2 半導體二極管1.3 晶體三極管1.4 場效應(yīng)管第一章 常用半導體器件1.1 半導體基礎(chǔ)知識1.2 半導體二1.1 半導體基礎(chǔ)知識3.半導體：另有一類物質(zhì)的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為半導體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。常用的半導體材料是硅（Si）和鍺（Ge）。 1.1.1 本征半導體一、半導體1. 導體：自然界中很容易導電的物質(zhì)稱為導體，金屬一般都是導體。2. 絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導電，稱為絕緣體，如惰性氣體、橡膠、陶瓷、塑料和石英。1.1 半導體基礎(chǔ)知識3.半導體：1.1.1 本征半導體一、半導體具有下列的重要特性： (

2、1) 熱敏性: 一些半導體對溫度反應(yīng)很靈敏, 其電阻率隨溫度升高而明顯下降, 利用該特性可制成各種熱敏元件, 如熱敏電阻、 溫度傳感器等。 (2) 光敏性: 有些半導體的電阻率隨光照增強而明顯下降, 利用這種特性可做成各種光敏元件, 如光敏電阻和光電管等。 (3) 摻雜性: 在純凈的半導體中摻入其它微量元素（如磷和硼）會使其電阻率下降，利用該性質(zhì)可制成各種晶體管器件。 半導體具有下列的重要特性： (1) 熱敏性: 一些半導體對溫模擬電路課件第一章-常用半導體器件-模擬電路課件第一章-常用半導體器件-共價鍵共用電子對純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體稱為本征半導體二、本征半導體 本征半導體的共價鍵結(jié)構(gòu)在

3、絕對溫度T=0K，且無外界激發(fā)時，價電子完全被共價鍵緊緊束縛，即沒有可以自由移動的帶電粒子（載流子）。因此本征半導體導電能力很弱。共價鍵共純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體稱為本征半導體二、本征半導當溫度升高或受到光照射，一些價電子獲得足夠能量，掙脫共價鍵束縛，成為自由電子。自由電子產(chǎn)生同時，在其原共價鍵中留下一個空位，稱為空穴。原子因失掉一個價電子而帶正電，或者說空穴帶正電。本征半導體中自由電子和空穴是成對出現(xiàn)的，即自由電子和空穴數(shù)目相等。+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子空穴這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。當溫度升高或受到光照射，一些價電子獲得足夠能量，掙脫共價鍵束與本征激發(fā)相反現(xiàn)象復(fù)合（自由電子

4、在運動中與空穴結(jié)合）。在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時進行，達到動態(tài)平衡。電子空穴對的濃度一定。在外電場作用下，一方面，自由電子做定向運動形成電子電流；另一方面，價電子按一定方向填補空穴，即空穴也產(chǎn)生定向移動，形成空穴電流。三、本征載流子濃度 本征半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電。外加能量越高（溫度越高），產(chǎn)生的電子空穴對越多。載流子濃度升高，導電能力增強。本征載流子濃度：與本征激發(fā)相反現(xiàn)象復(fù)合（自由電子在運動中與空穴結(jié)合）。在1.1.2雜質(zhì)半導體 為改善半導體導電性能，在本征半導體中摻入微量元素，摻雜后的半導體稱為雜質(zhì)半導體。按摻雜元素不同，分為P型半導體和N型半導體。一、N型

5、半導體 在純凈的硅（或鍺）晶體中摻入五價元素（如磷），形成N型半導體。此類雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。1.1.2雜質(zhì)半導體 為改善半導體導電性能，在本征N型半導體多余電子磷原子硅原子多數(shù)載流子自由電子少數(shù)載流子空穴N型半導體主要靠自由電子導電，摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性也越強。+4+4+4+4+4+4+4+4+5N型半導體多余電子磷原子硅原子多數(shù)載流子自由電子少數(shù)載流空位硼原子硅原子多數(shù)載流子 空穴少數(shù)載流子自由電子在純凈的硅（或鍺）晶體中摻入三價元素（如硼），形成P型半導體。此類雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。二、P型半導體P型半導體主要靠空穴導電，摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高

6、，導電性也越強。+4+4+4+4+4+4+4+4+3空位硼原子硅原子多數(shù)載流子 空穴少數(shù)載流子自由電雜質(zhì)半導體的示意圖+N型半導體多子電子少子空穴P型半導體多子空穴少子電子少子濃度與溫度有關(guān)多子濃度與摻雜有關(guān)雜質(zhì)半導體的示意圖+N型半導體多子電1.1.3 PN結(jié) 一、 PN結(jié)的形成 物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。氣體、液體、固體均有之。擴散運動P區(qū)空穴濃度遠高于N區(qū)。N區(qū)自由電子濃度遠高于P區(qū)。擴散運動使靠近接觸面P區(qū)空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)自由電子濃度降低，產(chǎn)生由N區(qū)指向P區(qū)內(nèi)電場，阻止擴散運動進行。1.1.3 PN結(jié) 一、 PN結(jié)的形成 物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的因電場作用所產(chǎn)生的運

7、動稱為漂移運動。參與擴散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同，達到動態(tài)平衡，就形成了PN結(jié)。漂移運動由于擴散運動使P區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場，從而阻止擴散運動的進行。內(nèi)電場使空穴從N區(qū)向P區(qū)、自由電子從P區(qū)向N 區(qū)運動。有利于少子的運動因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為漂移運動。參與擴散運動和漂移運動的 二、 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?(1) 加正向電壓（正偏）電源正極接P區(qū)，負極接N區(qū) 耗盡層變窄 擴散運動漂移運動多子擴散形成正向電流I外電場削弱內(nèi)電場 二、 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?(1) 加正向電壓（正偏）電(2) 加反向電壓電源正極接N區(qū)，負極接P區(qū) 耗盡層變寬 漂移運動擴散運動少子漂移形成反

8、向電流IS 外電場加強內(nèi)電場 在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故IS基本上與外加反壓的大小無關(guān)，所以稱為反向飽和電流。但IS與溫度有關(guān)。 (2) 加反向電壓電源正極接N區(qū)，負極接P區(qū) 耗盡 PN結(jié)加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN結(jié)導通； PN結(jié)加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN結(jié)截止。 由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?PN結(jié)加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流，呈現(xiàn)低電阻根據(jù)理論分析：u ：PN結(jié)兩端的電壓降i ：流過PN結(jié)的電流IS ：反向飽和電流UT =kT/q ：溫度電壓當量其中k為玻耳茲曼常數(shù) 1.381023q

9、 為電子電荷量1.6109T 為熱力學溫度對于室溫（相當T=300 K）則有UT=26 mV。當 u0 uUT時當 u|U T |時三、 PN結(jié)方程及伏安特性曲線根據(jù)理論分析：u ：PN結(jié)兩端的電壓降i ：流過PN結(jié)的電流PN結(jié)的伏安特性曲線如圖正偏I（多子擴散）IS（少子漂移）反偏反向飽和電流反向擊穿電壓反向擊穿利用反向擊穿特性可以制成穩(wěn)壓管。PN結(jié)的伏安特性曲線如圖正偏I（多子擴散）IS（少子漂移）反四、PN結(jié)的電容效應(yīng)PN結(jié)外加電壓變化時，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容Cb。2. 擴散電容3. 結(jié)電容： Cj=Cb+Cd。

10、正向電壓時Cd起作用CjCd；反向電壓時Cb起作用CjCbCj隨外加電壓而非線性變化非線性電容，且數(shù)值很小，只有在頻率較高時才考慮。PN結(jié)外加的正向電壓變化時，在擴散過程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴散電容Cd。1. 勢壘電容四、PN結(jié)的電容效應(yīng)PN結(jié)外加電壓變化時，空間電荷區(qū)的寬度將1.2 半導體二極管 1.2.1 半導體二極管的結(jié)構(gòu) 1.2.2 二極管的伏安特性 1.2.3 二極管的參數(shù) 1.2.4 二極管的等效電路 1.2.5 穩(wěn)壓二極管1.2 半導體二極管 1.2.1 半導體二極管的結(jié)構(gòu) 1.2將PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。

11、1.2.1 半導體二極管的結(jié)構(gòu)點接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電容小故結(jié)允許的電流小最高工作頻率高用于檢波和變頻等高頻電路面接觸型：結(jié)面積大，結(jié)電容大故結(jié)允許的電流大最高工作頻率低用于低頻大電流整流電路平面型：結(jié)面積可小、可大小的工作頻率高大的結(jié)允許的電流大用于高頻整流和開關(guān)電路中將PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。 1.2.1 半材料開啟電壓導通電壓反向飽和電流硅Si0.5V0.60.8V0.1A以下鍺Ge0.1V0.10.3V幾十A開啟電壓反向飽和電流擊穿電壓溫度的電壓當量 1.2.2 二極管伏安特性二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性材料開啟電壓導通電壓反向飽和電流硅Si0.5V0.6

12、0.82. 伏安特性受溫度影響T（）在電流不變情況下管壓降u 反向飽和電流IST（）正向特性左移，反向特性下移正向特性為指數(shù)曲線反向特性為橫軸的平行線 1. 單向?qū)щ娦詮亩O管的伏安特性可以反映出：2. 伏安特性受溫度影響T（）在電流不變情況下管壓降u1. 最大整流電流IF 二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2. 最高反向工作電壓UR二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。通常UR為擊穿電壓UBR的一半。3. 反向電流 IR二極管未擊穿時的反向電流。IR愈小，二極管的單向?qū)щ娦杂茫?IR對溫度敏感。4. 最高工作頻率fM 1.2.3

13、二極管主要參數(shù)二極管工作的上限頻率。超過此值時，由于結(jié)電容的作用，二極管的單向?qū)щ娦宰儔摹?. 最大整流電流IF 二極管長期使用時，允許流過二極管的最 1.2.4 二極管等效電路 在一定的條件下，可用線性模型來代替二極管，稱為二極管的等效模型（或等效電路）。根據(jù)二極管的伏安特性，對應(yīng)于不同的應(yīng)用場合， 可建立不同的等效模型。1 理想模型（a）由圖可見，理想二極管正向?qū)〞r，其端電壓等于零，相當于短路；反向截止時，電流等于零，相當于開路。所以理想二極管相當于一個理想開關(guān)。理想二極管導通時 UD0截止時IS0 1.2.4 二極管等效電路 在一定的條件下，2 恒壓降模型（b）在電路分析中，可認為二極

14、管正向?qū)〞r壓降恒定為Uon，截止時，反向電流為零。 二極管電路等效模型為一理想二極管和一恒壓源Uon相串聯(lián)。近似分析中最常用導通時UDUon截止時IS02 恒壓降模型（b）近似分析中最常用導通時UDUon3 折線模型（c）為了進一步改善電路模型的準確度，在恒壓降模型基礎(chǔ)上，作一定修正，圖中二極管正向壓降大于Uon后，用一斜線來描述電壓和電流的關(guān)系，斜線的斜率為實際二極管特性曲線的斜率1/rD，rD =U/I。等效模型為一理想二極管和恒壓源Uon及正向電阻rD相串聯(lián)。 導通時i與u成一次函數(shù)關(guān)系3 折線模型（c）導通時i與u成一次函數(shù)關(guān)系例1.2.1：二極管導通壓降為0.7V。估算開關(guān)斷開和閉

15、合時輸出電壓的數(shù)值。例1.2.1：二極管導通壓降為0.7V。估算開關(guān)斷開和閉合時Q越高，rd越小。 當二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動態(tài)信號作用時，則可將二極管等效為一個電阻，稱為動態(tài)電阻，也就是微變等效電路。ui=0時直流電源作用小信號作用靜態(tài)電流二、二極管的微變等效電路Q越高，rd越小。 當二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動態(tài)信號作應(yīng)用舉例：直流電壓源和交流電壓源同時作用于二極管電路應(yīng)用舉例：直流電壓源和交流電壓源同時作用于二極管電路作業(yè)：閱讀1233. 判斷電路中二極管的工作狀態(tài)，求解輸出電壓。1. P67 第三題2. P66 1.3， 1.4，1.2作業(yè)：閱讀1233. 判斷電路中二極管的工作狀態(tài)，求解

16、輸出一、 伏安特性進入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流不至于損壞的最大電流由一個PN結(jié)組成，反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變，為穩(wěn)定電壓。二、主要參數(shù)穩(wěn)定電壓UZ、穩(wěn)定電流IZ最大功耗PZM IZM UZ動態(tài)電阻rzUZ /IZ1.2.5 穩(wěn)壓二極管一、 伏安特性進入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流不至于損壞的最大電流由一個例題1.2.2已知UZ、IZmin、IZmax、RL，求限流電阻RIZmin IZ IZmax例題1.2.2已知UZ、IZmin、IZmax、RL，求限流1.3 雙極型晶體管1.3.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡介1.3.2 BJT的電流分配與放大原理1.3.3 BJT的特性曲線1.3.4 BJT的主要參數(shù)

17、1.3 雙極型晶體管1.3.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡介1.3.2多子濃度高很薄，且雜質(zhì)濃度低面積大晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個PN結(jié)。小功率管中功率管大功率管1.3.1 晶體管的結(jié)構(gòu)和符號多子濃度高很薄，且雜質(zhì)濃度低面積大晶體管有三個極、三個區(qū)、兩擴散運動形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運動形成基極電流IB，漂移運動形成集電極電流IC。少數(shù)載流子的運動因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)基區(qū)空穴的擴散1.3.2 晶體管電流放大作用 BJT內(nèi)部載流子的運動（以NPN為例）擴散運動形

18、成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運動形成基極電流IB，漂移運共射直流電流放大系數(shù)共射交流電流放大系數(shù) 電流分配： IEIBIC IE擴散運動形成的電流 IB復(fù)合運動形成的電流 IC漂移運動形成的電流共基直流電流放大系數(shù)共基交流電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù)共射交流電流放大系數(shù) 電流分配： 為什么UCE增大曲線右移？對于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。為什么像PN結(jié)的伏安特性？為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了？1.3.3 晶體管共射特性曲線一、 輸入特性曲線為什么UCE增大曲線右移？對于小功率晶體管，UCE大于1V的對應(yīng)于一個IB就有一條

19、iC隨uCE變化的曲線。為什么uCE較小時iC隨uCE變化很大？為什么進入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)二、 輸出特性曲線對應(yīng)于一個IB就有一條iC隨uCE變化的曲線。為什么uCE較晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源iC 。狀態(tài)uBEiCuCE截止 Uon0VCC放大 UoniB uBE飽和 UoniBUBUE； 對于PNP管三個電極的電位關(guān)系是：UCUBUE。 三極管的特性可用輸入和輸出特性曲線來表示，也可用特性參數(shù)來表示。主要的特性參數(shù)有：電流放大系數(shù)、小結(jié) 晶體三極管是電流控制元

20、件，通過控制基極電流可以控制集電極練習P67 1.15，P68 1.17，P69 1.192. P64 第六題練習P67 1.15，P68 1.17，P69 1.191. 分別分析uI=0V、5V時T是工作在截止狀態(tài)還是導通狀態(tài)；2. 已知T導通時的UBE0.7V，若uI=5V，則在什么范圍內(nèi)T處于放大狀態(tài)?在什么范圍內(nèi)T處于飽和狀態(tài)？通過uBE是否大于Uon判斷管子是否導通。臨界飽和時的練習21. 分別分析uI=0V、5V時T是工作在截止狀態(tài)還是導通1.4 場效應(yīng)管1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管1.4.2 絕緣柵場效應(yīng)管1.4.3 場效應(yīng)管的參數(shù)及特點1.4.4 場效應(yīng)管與晶體管比較1.4 場效應(yīng)

21、管1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管1.4.2 絕緣柵 它是一種電壓控制器件。工作時，管子的輸入電流幾乎為 0， 因此具有極高的輸入電阻(約數(shù)百兆歐以上)。 僅靠半導體多數(shù)載流子導電，故稱單極型器件。它的抗溫度和抗輻射能力強，工作較穩(wěn)定。 制造工藝比較簡單，便于大規(guī)模集成，且噪聲較小 類型較多，使電路設(shè)計靈活性增大。場效應(yīng)管(FET)是利用輸入回路產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制電流的一種半導體器件。 它與普通晶體管相比有以下重要特點： 它是一種電壓控制器件。工作時，管子的輸入電流幾乎為 0，N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)分類：場效應(yīng)管

22、(FET：field effect transistor)耗盡型：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，就有導電溝道存在增強型：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，沒有導電溝道N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道FET場效應(yīng)場效應(yīng)管有三個極：源極（s）、柵極（g）、漏極（d），對應(yīng)于晶體管的e、b、c；有三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應(yīng)于晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。1. 結(jié)型場效應(yīng)管導電溝道源極柵極漏極符號結(jié)構(gòu)示意圖1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管（以N溝道為例）N溝道管場效應(yīng)管有三個極：源極（s）、柵極（g）、漏極（d），對應(yīng)于溝道很寬溝道變窄溝道消失稱為夾斷 uGS可以控制導電溝道的寬度。

23、UGS（off）1. 當uDS0時， uGS對導電溝道的控制作用一、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理 為使N溝道結(jié)型場效應(yīng)管正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負向電壓（即uGSUGS（off）uGDUGS（off）2. uDS對漏極電流iD的影響（UGS(off)uGS0）iD隨uDS增大而線性增大，d-s呈現(xiàn)電阻特性預(yù)夾斷uGD3. uGDUGS(off)時，uGS對iD的控制作用uGD增大時，iD幾乎不變，即iD幾乎僅取決于uGS，通過改變uGS來控制iD大小。漏極電流受柵源電壓控制，控制能力由gm（低頻跨導）描述。小結(jié)： JFET柵極、溝道之間PN結(jié)反向偏置，iG0，輸入電阻很高； 預(yù)夾斷前，iD與uGS

24、呈近似線性關(guān)系，預(yù)夾斷后，iD趨于飽和； P溝道JFET工作時，其電源極性與N溝道JFET相反； JFET是電壓控制電流器件，iD受uGS控制，控制能力由gm描述。3. uGDUGS(off)時，uGS對iD的控制作用uG夾斷電壓漏極飽和電流場效應(yīng)管工作在恒流區(qū):（UGS（off） uGS 0）二、結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線1. 轉(zhuǎn)移特性曲線夾斷電壓漏極飽和電流場效應(yīng)管工作在恒流區(qū):（UGS（off）g-s電壓控制d-s等效電阻預(yù)夾斷軌跡，uGDUGS（off）可變電阻區(qū)恒流區(qū)iD幾乎僅決定于uGS擊穿區(qū)夾斷區(qū)（截止區(qū)）夾斷電壓IDSSiD不同型號的管子UGS（off）、IDSS將不同。低頻跨導：

25、2. 輸出特性曲線g-s電壓控制d-s等效電阻預(yù)夾斷軌跡，uGDUGS（ofuGS增大到一定值時（開啟電壓UGS(th)），反型層（導電溝道）將變厚變長，將兩個N區(qū)相接，形成導電溝道。一、N溝道增強型MOS管SiO2絕緣層襯底耗盡層空穴高摻雜反型層大到一定值才開啟1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管uGS增大到一定值時（開啟電壓UGS(th)），反型層（導電用場效應(yīng)管組成放大電路時應(yīng)使之工作在恒流區(qū)。iD隨uDS的增大而增大，可變電阻區(qū)uGDUGS（th）,預(yù)夾斷iD幾乎僅僅受控于uGS，恒流區(qū)剛出現(xiàn)夾斷uDS的增大幾乎全部用于克服夾斷區(qū)對漏極電流的阻力。增強型MOS管uDS對iD的影響用場效應(yīng)管組成

26、放大電路時應(yīng)使之工作在恒流區(qū)。iD隨uDS的增耗盡型MOS管在 uGS0、 uGS 0、 uGS 0時均可導通，且與結(jié)型場效應(yīng)管不同，由于SiO2絕緣層的存在，在uGS0時仍保持g-s間電阻非常大的特點。加正離子小到一定值才夾斷uGS=0時就存在導電溝道二、N溝道耗盡型MOS管耗盡型MOS管在 uGS0、 uGS 0、 uGS 01) 增強型MOS管2) 耗盡型MOS管開啟電壓夾斷電壓MOS管的特性曲線1) 增強型MOS管2) 耗盡型MOS管開啟電壓夾斷電壓MO 與N溝道MOSFET相對應(yīng)，P溝道增強型MOSFET的漏-源之間應(yīng)加負電壓（開啟電壓UGS（th）0 ），當uGS0，改變uGS可實現(xiàn)對漏極電流iD的控制。 與N溝道MOSFET相對應(yīng)，P溝道增強型MOSFET的1.4.3 場效應(yīng)管主要參數(shù)一、 直流參數(shù)（1）開啟電壓UGS(th)：uDS為某一固定值，使iD大于零所需的最小|uGS|。一般場效應(yīng)管手冊給出的是在iD為規(guī)定的微小電流（如5）時的