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1、離子晶體第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第四節(jié) 離子晶體離子晶體第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第四節(jié) 離子晶體晶體氯化鈉干冰金剛石熔 點(diǎn)()801-56.23550材料:思考: 為什么氯化鈉的性質(zhì)與干冰、金剛石的不同?晶體氯化鈉干冰金剛石熔 點(diǎn)801-56.23550材料:思考2Na + Cl2 = 2NaCl +11+17+17+11Na+ Cl-NaClCl-Na+2Na + Cl2 = 2NaCl +11+17+17強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、大部分的鹽類。1、定義:由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。2、成鍵粒子:陰、陽離子3、相互作用力:離子鍵4、常見的離子晶體:一、離子晶體強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、大部

2、分的鹽類。1、定義:由陽離子和陰離(2) 硬度 。1. 離子晶體物理性質(zhì)的特點(diǎn):(1) 熔沸點(diǎn) , 難揮發(fā)難壓縮。較高較大(3) 水溶性(4) 導(dǎo)電性 閱讀課本P79最后一段(即科學(xué)視野之前的一段),結(jié)合氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu),你認(rèn)為離子晶體物理性質(zhì)有何特點(diǎn)?離子電荷越多,核間距離越小,熔沸點(diǎn)升高。一般易溶于水,而難溶于非極性溶劑。固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液或者熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電。(2) 硬度 。1. 離子晶體二、晶胞類型:NaClCsClCaF2二、晶胞類型:NaClCsClCaF2(1)氯化鈉型晶胞1.鈉離子和氯離子的位置:鈉離子和氯離子位于立方體的頂角上,并交錯排列。鈉離子:體心和棱中點(diǎn); 氯離子:面心

3、和頂點(diǎn),或反之。2.每個晶胞含鈉離子、氯離子的個數(shù):3.與Na+等距離且最近的Na+ 有:12個(1)氯化鈉型晶胞1.鈉離子和氯離子的位置:鈉離子和氯離子Na+Cl-315624154236每個Cl- 周圍與之最接近且距離相等的Na+共有 個。 6這幾個Na+在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為 。正八面體NaCl晶體中離子的配位數(shù)Na+Cl-315624154236每個Cl- 周圍與之最接(2)氯化銫型晶胞1.銫離子和氯離子的位置:銫離子:體心氯離子:頂點(diǎn);或者反之。2.每個晶胞含銫離子、氯離子的個數(shù):3.與銫離子等距離且最近的銫離子、氯離子各有幾個?銫離子:6個;氯離子:8個 (配位數(shù))1個(2)氯化銫

4、型晶胞1.銫離子和氯離子的位置:銫離子:體心2.-Cs+-Cl-CsCl晶體及晶胞結(jié)構(gòu)示意圖-Cs+-Cl-CsCl晶體及晶胞結(jié)構(gòu)示意圖 CsCl晶體中離子的配位數(shù)(1)在氯化銫晶體中,每個Cs+周圍與之最接近且距離相等的Cl-共有 ;這幾個Cl-在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為 。(2)在每個Cl-周圍距離相等且最近的Cs+共有 ;這幾個Cs 在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型 。 8正六面體8正六面體 CsCl晶體中離子的配位數(shù)(1)在氯化銫晶體中,每個Cs+(3)CaF2型晶胞2.Ca2+的配位數(shù):F-的配位數(shù):1.一個CaF2晶胞中含:4個Ca2+和8個F84Ca2+F-(3)CaF2型晶胞2.Ca2+的配位

5、數(shù):F-的配位數(shù):1.(4)ZnS型晶胞1個ZnS晶胞4個陽離子4個陰離子陽離子配位數(shù):4 陰離子配位數(shù):4(4)ZnS型晶胞1個ZnS晶胞4個陽離子陽離子配位數(shù):找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù),它們是否相等?離子晶體陰離子的配位數(shù)陽離子的配位數(shù)NaClCsCl6688找出NaCl、CsCl兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù),你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)?根據(jù)表35、表36分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素。配位數(shù)468半徑比0.20.40.40.70.71.0空間構(gòu)型ZnSNaClCsCl你認(rèn)為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)?根據(jù)表35、

6、決定離子晶體結(jié)構(gòu)因素離子鍵的純粹因素 4、離子晶體的特點(diǎn):幾何因素正負(fù)離子的半徑比電荷因素正負(fù)離子的電荷比鍵性因素?zé)o單個分子;無分子式。熔沸點(diǎn)較高,硬度較大,難揮發(fā)難壓縮。一般易溶于水,難溶有機(jī)溶劑。固態(tài)不導(dǎo)電,水溶液或熔融狀態(tài)下導(dǎo)電。決定離子晶體結(jié)構(gòu)因素離子鍵的純粹因素 4、離子晶體的特點(diǎn):離子晶體的結(jié)構(gòu)模型晶體結(jié)構(gòu)模型配位數(shù)Cl、Na都 6Cl和Cs都 8F 4Ca2 8晶胞中微粒數(shù)Na、Cl都 4Cs、Cl都 1Ca2 4F 8陰陽離子個數(shù)比111121化學(xué)式NaClCsClCaF2離子晶體的結(jié)構(gòu)模型晶體結(jié)配位數(shù)Cl、NaCl和CsF晶 格 能第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第四節(jié) 離子晶體晶 格

7、 能第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第四節(jié) 離子晶體離子化合物NaBrNaClMgO離子電荷數(shù)112核間距/pm298282210晶格能/kJmol17477863 791熔點(diǎn)/7478012 852摩氏硬度2.52.56.51、定義:氣態(tài)離子形成1摩離子晶體時釋放的能量晶格能2、晶格能的大小的影響因素 離子半徑所帶電荷所帶電荷越多,離子半徑越小,離子間的距離越小,晶格能越大離子化合物NaBrNaClMgO離子電荷數(shù)112核間距/pm巖漿出晶規(guī)則與晶格能礦物晶格能KJ/mol晶出次序ZnS771.41先PbS670.0后橄欖石4400最先晶體析出次序與晶格能3、晶格能的作用:形成的離子晶體越穩(wěn)定熔點(diǎn)越高硬度越大離子鍵越強(qiáng)巖漿出晶規(guī)則與晶格能礦物晶格能KJ/mol晶出次序ZnS77構(gòu)成微粒陰(陽)離子 幾何因素 電荷因素 鍵性因素2.決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素正負(fù)離子半徑比離子鍵的純粹程度 3

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