提高多晶Si薄膜太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的途徑

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2、4-基基于MEEMS技技術(shù)的微微波濾波波器研究究進(jìn)展219-新新型三軸軸MEMMS熱對(duì)對(duì)流加速速度傳感感器的研研究顯微、測(cè)量量、微細(xì)細(xì)加工技技術(shù)與設(shè)設(shè)備222-納納米光刻刻對(duì)準(zhǔn)方方法及其其原理231-變變溫腐蝕蝕法制備備納米光光纖探針針235-一一維納米米結(jié)構(gòu)的的拉伸力力學(xué)測(cè)試試240-SSi 基基GaNN薄膜的的制備方方法及結(jié)結(jié)構(gòu)表征征=專家論壇187-提提高多晶晶Si薄薄膜太陽(yáng)陽(yáng)電池轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換效率率的途徑徑彭英才1，2， 姚國(guó)曉曉3， 馬 蕾1， 王 俠1（1. 河河北大學(xué)學(xué) 電子信信息工程程學(xué)院，河河北保保定00710002；2. 中國(guó)國(guó)科學(xué)院院 半導(dǎo)體體研究所所 半導(dǎo)體體材料科科學(xué)重點(diǎn)點(diǎn)實(shí)

3、驗(yàn)室室，北京京 11000083；3. 中國(guó)國(guó)天威英英利新能能源有限限公司，河河北保保定00710051）摘要：多晶晶Si薄薄膜對(duì)可可見(jiàn)光進(jìn)進(jìn)行有效效地吸收收、光照照穩(wěn)定性性好、制制作成本本低，被被公認(rèn)為為是高效效率和低低成本的的光伏器器件材料料。以提提高多晶晶Si薄薄膜太陽(yáng)陽(yáng)電池轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換效率率為主線線，介紹紹了增大大晶粒尺尺寸以增增加載流流子遷移移率、進(jìn)進(jìn)行表面面和體內(nèi)內(nèi)鈍化以以減少?gòu)?fù)復(fù)合中心心、設(shè)計(jì)計(jì)p-II-n結(jié)結(jié)構(gòu)以增增加光收收集效率率、制作作絨面結(jié)結(jié)構(gòu)以提提高對(duì)入入射光的的吸收效效果、改改進(jìn)電池池結(jié)構(gòu)以以謀求最最大效率率等工藝藝措施；綜述了了近5年年來(lái)多晶晶Si薄薄膜電池池在材料料生長(zhǎng)

4、、結(jié)結(jié)構(gòu)制備備和性能能參數(shù)方方面取得得的最新新進(jìn)展，并并對(duì)其發(fā)發(fā)展前景景做了預(yù)預(yù)測(cè)。關(guān)鍵詞：多多晶Sii薄膜；大晶粒粒；氫鈍鈍化；pp-I-n結(jié)構(gòu)構(gòu)；太陽(yáng)陽(yáng)電池；轉(zhuǎn)換效效率納米器件與與技術(shù)193-小小尺寸超超高頻雙雙極晶體體管工藝藝及特性性模擬趙守磊，李李惠軍，吳吳勝龍，劉劉巖（山東大學(xué)學(xué) 孟堯堯微電子子研發(fā)中中心，濟(jì)濟(jì)南22501100）摘要：基于于通信系系統(tǒng)中射射頻電路路設(shè)計(jì)的的特殊要要求，對(duì)對(duì)小尺寸寸（基區(qū)區(qū)寬度低低于1000 nm）、超超高頻（特特征頻率率高于115 GGHz）雙雙極晶體體管工藝藝制程和和器件的的物理特特性進(jìn)行行了模擬擬，為工工藝線流流片進(jìn)行行可行性性研究。該該器件采采

5、用BiiCMOOS制程程結(jié)構(gòu)實(shí)實(shí)現(xiàn)，在在對(duì)小尺尺寸、超超高頻雙雙極性器器件物理理模型進(jìn)進(jìn)行詳盡盡分析的的基礎(chǔ)上上，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)了該器器件工藝藝級(jí)（SSenttaurrus Proocesss）及及器件物物理特性性級(jí)（SSenttaurrus Devvicee）的仿仿真，提提出TCCAD工工藝及器器件的一一體化設(shè)設(shè)計(jì)方案案。模擬擬結(jié)果表表明，在高頻頻指標(biāo)參參數(shù) 117GHHz下，所所得值值接近于于80，滿滿足設(shè)計(jì)計(jì)要求。關(guān)鍵詞：小小尺寸；雙極器器件；頻頻率特性性；工藝藝仿真；特性模模擬198-單單電子晶晶體管的的蒙特卡卡羅模擬擬及宏觀觀建模孫海定，江江建軍（華中科技技大學(xué) 電子科科學(xué)與技技術(shù)系，武武漢

6、43300774）摘要：以單單電子晶晶體管為為研究對(duì)對(duì)象，系系統(tǒng)闡述述了庫(kù)侖侖阻塞、庫(kù)庫(kù)侖臺(tái)階階、單電電子隧穿穿等物理理現(xiàn)象的的產(chǎn)生機(jī)機(jī)理。微微觀模擬擬與宏觀觀建模相相結(jié)合,著重介介紹了如如何用蒙蒙特卡羅羅方法和和Mattlabb相結(jié)合合對(duì)上述述各種物物理現(xiàn)象象進(jìn)行數(shù)數(shù)值模擬擬,同時(shí)時(shí)對(duì)單電電子晶體體管進(jìn)行行宏觀電電路等效效,用一一些常用用元器件件進(jìn)行宏宏觀建模模。采用用強(qiáng)大的的模擬集集成電路路軟件HHspiice進(jìn)進(jìn)行分析析模擬,大大減減少了計(jì)計(jì)算及仿仿真時(shí)間間。通過(guò)過(guò)分析比比較,兩兩者曲線線得到了了較好的的吻合,直觀地地反映了了單電子子晶體管管的電學(xué)學(xué)特性,為進(jìn)一一步研究究復(fù)雜系系統(tǒng)提供供

7、了理論論依據(jù)。關(guān)鍵詞：?jiǎn)螁坞娮泳Ьw管；單電子子隧穿；庫(kù)侖阻阻塞；庫(kù)庫(kù)侖臺(tái)階階；蒙特特卡羅；Hsppicee納米材料與與結(jié)構(gòu)205-腐腐蝕法制制備絨面面ZnOO透明導(dǎo)導(dǎo)電薄膜膜劉佳宇，朱朱開(kāi)宇，王王文轅（河北理工工大學(xué) 信息學(xué)學(xué)院，河河北唐唐山00630000）摘要：利用用中頻脈脈沖磁控控濺射系系統(tǒng)制備備高透過(guò)過(guò)率、高高電導(dǎo)率率的平面面ZnOO薄膜。對(duì)對(duì)平面ZZnO薄薄膜進(jìn)行行短時(shí)間間弱酸腐腐蝕，可可以獲得得絨面效效果的ZZnO透透明導(dǎo)電電薄膜。分分析了工工作氣壓壓和襯底底溫度對(duì)對(duì)薄膜絨絨面結(jié)構(gòu)構(gòu)的影響響，獲得得了適合合薄膜太太陽(yáng)能電電池的絨絨面ZnnO透明明導(dǎo)電薄薄膜。當(dāng)當(dāng)壓力控控制在11.

8、922 Paa左右，襯襯底溫度度15001770 范圍內(nèi)內(nèi)沉積的的薄膜具具有最佳佳的絨面面和較低低的電阻阻率，電電阻率可可達(dá)5.5710-4 cmm，載流流子濃度度2.2210020 cm-3，霍霍爾遷移移率400.1 cm22/Vs,在在可見(jiàn)光光范圍平平均透過(guò)過(guò)率超過(guò)過(guò)85。關(guān)鍵詞：中中頻脈沖沖濺射；絨面ZZnO；透明導(dǎo)導(dǎo)電膜；腐蝕；結(jié)構(gòu)209-BBi2O3/TiiO2納米復(fù)復(fù)合物的的微波合合成及光光催化性性質(zhì)廖學(xué)紅，王王小佳（黃岡師范范學(xué)院 化學(xué)系系，湖北北黃岡岡43380000）摘要：以硝硝酸鉍和和硫酸鈦鈦為原料料，通過(guò)過(guò)直接投投料微波波輻射水水解合成成法制備備了摻鉍鉍TiOO2納米復(fù)復(fù)

9、合物，并并用XRRD、TTEM進(jìn)進(jìn)行了表表征。結(jié)結(jié)果表明明，直接接投料摩摩爾比為為1110摻鉍鉍TiOO2納米復(fù)復(fù)合物，經(jīng)經(jīng)5000 熱熱處理后后晶型為為銳鈦礦礦型，粒粒徑為66100 nmm。以催催化降解解甲基橙橙來(lái)考察察其光催催化活性性，結(jié)果果表明所所制備的的納米復(fù)復(fù)合物是是一個(gè)好好的催化化劑。研研究了BBi3+的摻雜雜量、熱熱處理溫溫度、催催化劑用用量對(duì)摻摻鉍TiiO2納米復(fù)復(fù)合物光光催化性性能的影影響。當(dāng)當(dāng)催化劑劑用量為為1 gg/L時(shí)時(shí)，2 mg/L的甲甲基橙溶溶液在紫紫外光輻輻射300 miin后，降降解率達(dá)達(dá)到977%。該該復(fù)合物物對(duì)甲基基橙溶液液的光催催化降解解符合一一級(jí)動(dòng)力力

10、學(xué)方程程。關(guān)鍵詞：BBi3+摻雜；二氧化化鈦；納納米復(fù)合合物；微微波合成成；光催催化MEMS器器件與技技術(shù)214-基基于MEEMS技技術(shù)的微微波濾波波器研究究進(jìn)展歐陽(yáng)煒霞，張張永華，王王超，郭郭興龍，賴賴宗聲(華東師范范大學(xué) 微電子子電路與與系統(tǒng)研研究所，上上海22002241)摘要：基于于MEMMS技術(shù)術(shù)的濾波波器是現(xiàn)現(xiàn)行RFF結(jié)構(gòu)中中一個(gè)關(guān)關(guān)鍵的MMEMSS器件。與與傳統(tǒng)的的采用金金屬矩形形或圓柱柱波導(dǎo)以以及半導(dǎo)導(dǎo)體元件件制作的的濾波器器相比，MMEMSS濾波器器具有低低損耗、高高隔離度度、線性性好、體體積小、易易于集成成等優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)。對(duì)利利用MEEMS技技術(shù)制作作的濾波波器做了了分類總總結(jié)，

11、綜綜述了近近幾年MMEMSS濾波器器的研究究進(jìn)展，包包括硅體體微加工工濾波器器、LIIGA傳傳輸線型型濾波器器和基于于MEMMS開(kāi)關(guān)關(guān)/電容容實(shí)現(xiàn)的的可調(diào)濾濾波器。指指出可調(diào)調(diào)濾波器器的開(kāi)發(fā)發(fā)適應(yīng)微微波、毫毫米波波波段的多多頻段、寬寬帶無(wú)線線通信系系統(tǒng)的迫迫切需要要，具有有重要的的現(xiàn)實(shí)意意義。關(guān)鍵詞：MMEMSS技術(shù)；硅體微微加工；LIGGA技術(shù)術(shù)；微波波濾波器器；可調(diào)調(diào)濾波器器219-新新型三軸軸MEMMS熱對(duì)對(duì)流加速速度傳感感器的研研究呂樹海，楊楊擁軍，徐徐淑靜，徐徐愛(ài)東，徐徐永青(中國(guó)電子子科技集集團(tuán)公司司 第十十三研究究所，石石家莊05000511)摘要：介紹紹了一種種基于熱熱流原理理

12、的新型型三軸MMEMSS熱對(duì)流流加速度度傳感器器，它沒(méi)沒(méi)有活動(dòng)動(dòng)質(zhì)量，無(wú)無(wú)需多個(gè)個(gè)器件組組合就可可以進(jìn)行行任意方方向的加加速度信信號(hào)測(cè)量量。分析析了該器器件的工工作原理理，設(shè)計(jì)計(jì)了器件件結(jié)構(gòu)，進(jìn)進(jìn)行了工工藝開(kāi)發(fā)發(fā)，加工工出了原原理樣機(jī)機(jī)。測(cè)試試表明：該器件件實(shí)現(xiàn)了了三個(gè)軸軸向的加加速度信信號(hào)的檢檢測(cè)性能能，驗(yàn)證證了新原原理的可可行性；測(cè)量量量程達(dá)到到2 g，分分辨率達(dá)達(dá)到1 mg，抗抗沖擊能能力達(dá)到到10 0000 g，具具備了良良好的性性能。關(guān)鍵詞：微微電子機(jī)機(jī)械系統(tǒng)統(tǒng)；三軸軸；對(duì)流流場(chǎng)；加加速度；傳感器器顯微、測(cè)量量、微細(xì)細(xì)加工技技術(shù)與設(shè)設(shè)備222-納納米光刻刻對(duì)準(zhǔn)方方法及其其原理周紹林1

13、，22，唐小小萍1，胡松1，馬平1，陳旺旺富1，22 ，楊楊勇11，2，嚴(yán)嚴(yán)偉11(1. 中中國(guó)科學(xué)學(xué)院 光光電技術(shù)術(shù)研究所所，成都都61102009 ；2. 中國(guó)國(guó)科學(xué)院院 研究究生院，北北京11000039)摘要：對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)技術(shù)對(duì)對(duì)光刻分分辨力的的提高有有著重要要作用。445 nnm節(jié)點(diǎn)點(diǎn)以下的的光刻技技術(shù)如納納米壓印印等，對(duì)對(duì)相應(yīng)的的對(duì)準(zhǔn)技技術(shù)提出出了更高高的要求求。對(duì)光光刻技術(shù)術(shù)發(fā)展以以來(lái)主要要用于接接近接觸觸式和納納米壓印印光刻的的對(duì)準(zhǔn)技技術(shù)做總總結(jié)分類類，為高高精度的的納米級(jí)級(jí)光刻對(duì)對(duì)準(zhǔn)技術(shù)術(shù)提供理理論研究究基礎(chǔ)和和方向。經(jīng)經(jīng)過(guò)分析析，從原原理上將將對(duì)準(zhǔn)技技術(shù)分為為幾何成成像對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)、波

14、帶帶片對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)、干涉涉光強(qiáng)度度對(duì)準(zhǔn)、外外差干涉涉對(duì)準(zhǔn)及及莫爾條條紋等五五種對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)方法。最最后結(jié)論論得出基基于條紋紋空間相相位的對(duì)對(duì)準(zhǔn)方法法具有最最好的抗抗干擾能能力且理理論上能能達(dá)到最最高的對(duì)對(duì)準(zhǔn)精度度，而其其他基于于光強(qiáng)的的對(duì)準(zhǔn)方方法的精精度更易易受到工工藝涂層層的影響響。因此此，基于于干涉條條紋空間間相位對(duì)對(duì)準(zhǔn)的方方法在納納米級(jí)光光刻對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)中具有有很好的的理論前前景。關(guān)鍵詞：納納米光刻刻；對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)技術(shù)；掩模與與硅片；標(biāo)記；對(duì)準(zhǔn)精精度231-變變溫腐蝕蝕法制備備納米光光纖探針針楊修文1，祝祝生祥22，胡毅1（1. 鄖鄖陽(yáng)師范范高等專?？茖W(xué)校校 物理理系，湖湖北丹丹江口44227000；2. 同濟(jì)

15、濟(jì)大學(xué) Pohhl 固固體物理理研究所所，上海海20000992）摘要：通過(guò)過(guò)改變溫溫度，用用腐蝕的的方法制制備出用用于近場(chǎng)場(chǎng)光學(xué)顯顯微鏡的的光纖探探針。通通過(guò)控制制光纖在在不同溫溫度的腐腐蝕液中中腐蝕的的時(shí)間，制制備出多多種形貌貌的光纖纖探針，所所制作探探針的錐錐形過(guò)渡渡區(qū)短而而錐角大大。該法法具有重重復(fù)性高高、探針針形貌可可控、操操作方便便、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)費(fèi)用低低廉、制制備的探探針表面面光滑等等優(yōu)點(diǎn)，利利用該方方法成功功地制備備出針尖尖尺寸5503300 nm、針針尖錐角角在400774可可調(diào)的光光纖探針針。將制制備的探探針用于于掃描全全息光柵柵（5000線/mm），結(jié)結(jié)果在440 mmm范圍圍內(nèi)

16、掃描描有200個(gè)周期期，與全全息光柵柵的標(biāo)定定結(jié)果相相符。關(guān)鍵詞：納納米光纖纖探針；近場(chǎng)光光學(xué)；顯顯微鏡；腐蝕法法；溫度度235-一一維納米米結(jié)構(gòu)的的拉伸力力學(xué)測(cè)試試金欽華1，22，王躍躍林1，22，李鐵鐵2（1.上海海交通大大學(xué) 微微納科學(xué)學(xué)技術(shù)研研究院，上上海22000030；2.中國(guó)科科學(xué)院 微系統(tǒng)統(tǒng)與信息息技術(shù)研研究所，上上海22000050）摘要：對(duì)一一維納米米結(jié)構(gòu)開(kāi)開(kāi)展軸向向拉伸測(cè)測(cè)試時(shí)，面面臨著樣樣品制備備、裝載載、拉伸伸、樣品品的軸向向應(yīng)力與與應(yīng)變的的高精度度測(cè)量等等難點(diǎn)，解解決途徑徑包括改改造現(xiàn)代代顯微儀儀器、研研制MEEMS力力學(xué)測(cè)試試芯片及及發(fā)展一一維納米米樣品的的制備與

17、與裝載技技術(shù)。從從實(shí)驗(yàn)使使用的測(cè)測(cè)試儀器器及拉伸伸方式出出發(fā)，將將目前發(fā)發(fā)表的一一維納米米拉伸實(shí)實(shí)驗(yàn)分為為基于探探針、MMEMSS和電子子束輻照照開(kāi)展的的拉伸實(shí)實(shí)驗(yàn)，并并對(duì)各種種實(shí)驗(yàn)方方法進(jìn)行行了比較較。發(fā)現(xiàn)現(xiàn)基于MMEMSS的拉伸伸實(shí)驗(yàn)由由于其對(duì)對(duì)測(cè)試儀儀器的改改造小、花花費(fèi)少、且且通過(guò)設(shè)設(shè)計(jì)制作作不同測(cè)測(cè)試功能能的芯片片可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)多樣測(cè)測(cè)試，是是更有發(fā)發(fā)展前景景的測(cè)試試技術(shù)。關(guān)鍵詞：一一維納米米結(jié)構(gòu)；軸向拉拉伸實(shí)驗(yàn)驗(yàn)；納米米力學(xué)；微機(jī)電電系統(tǒng)力力學(xué)測(cè)試試芯片；原位測(cè)測(cè)試240-SSi 基基GaNN薄膜的的制備方方法及結(jié)結(jié)構(gòu)表征征張敬堯，李李玉國(guó)，崔崔傳文，張張?jiān)赂Γ孔坎┦?山東師范范大學(xué) 物理與與電子科科學(xué)學(xué)院院，濟(jì)南南25500114)摘要：分別別采用射射頻磁控控濺射、熱熱壁化學(xué)學(xué)氣相沉沉積（CCVD）、電電泳沉積積法制備備GaNN薄膜。利利用掃描描電鏡（SSEM）、熒熒光光譜譜儀對(duì)樣樣品進(jìn)行行結(jié)構(gòu)、形形貌和發(fā)發(fā)光特性性的分析析比較。射射頻磁控控濺射方方法中, 把SSiC中中間層沉沉淀到SS