氮化硅薄膜制備技術(shù)

關(guān)于氮化硅薄膜制備技術(shù)第1頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五什么叫做光學(xué)薄膜？所謂光學(xué)薄膜，首先它應(yīng)該是薄的然后它應(yīng)該會產(chǎn)生一定光學(xué)效應(yīng)的那么要薄到什么程度呢？定性的講：它的厚度應(yīng)該和入射光波長可以相 比擬的物理意義上講：能引起光的干涉現(xiàn)象的膜層第2頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五與鍍膜技術(shù)密切相關(guān)的產(chǎn)業(yè)眼鏡鍍膜----AR幕墻玻璃----AR濾光片液晶領(lǐng)域----ITO膜車燈、冷光鏡、舞臺燈光濾光片光通信領(lǐng)域：DWDM、光纖薄膜器件紅外膜激光領(lǐng)域----激光反射腔高反射膜CD、DVD驅(qū)動器投影顯示數(shù)碼領(lǐng)域第3頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五氮化硅薄膜是一種重要的精細(xì)陶瓷薄膜材料，具有優(yōu)秀的光電性能、鈍化性能、穩(wěn)定性能和機(jī)械性能，在微電子、光電和材料表面改性等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。近年來，氮化硅薄膜作為太陽能電池的減反射膜越來越引起人們的關(guān)注。利用氮化硅薄膜作為減反射膜、絕緣層以及鈍化層等已取得了較好的效果。作為減反射膜，氮化硅薄膜具有良好的光學(xué)性能(其折射率在2.0左右）比傳統(tǒng)的二氧化硅減反膜具有更好的減反效果。氮化硅應(yīng)用介紹第4頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五氮化硅薄膜制備技術(shù)介紹物理氣相沉積(PVD)法

PVD主要的方法有真空蒸（Vacuumevaporation）、濺射鍍膜（Vacuumsputterng）、離子鍍（Tonplating）化學(xué)氣相沉積(CVD)法

CVD主要的方法有高溫?zé)峄瘜W(xué)氣相沉積(HTCVD)法、等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)法、光化學(xué)氣相沉積(PCVD)法

第5頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五真空蒸鍍真空蒸鍍是利用電阻加熱、高頻感應(yīng)加熱或高能束（電子束、激光束、離子束等）轟擊使鍍膜材料轉(zhuǎn)化為氣相而沉積到基體表面的一種成熟技術(shù)。廣泛應(yīng)用與Au、Ag、Cu、Ni、Cr等半導(dǎo)體材料及電阻材料成膜，除特殊材料外，差不多都能滿足鍍膜要求。第6頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五濺射鍍膜濺射鍍膜是利用濺射現(xiàn)象而成膜的方法。濺射鍍膜是在充有一定氬氣的真空條件下，采用輝光技術(shù)，將氬氣電離產(chǎn)生氬離子，氬離子在電場力的作用下加速轟擊陰極，使陰極材料（鍍膜材料）被濺射下來，沉積到工件表面形成薄膜的方法。濺射鍍膜又分為直流濺射、射頻濺射和磁控濺射。第7頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五高溫?zé)峄瘜W(xué)氣相沉積(HTCVD)法這種方法通過給反應(yīng)氣體加熱，利用熱分解或化合反應(yīng)在基板表面形成固態(tài)膜層。由于以熱量作為氣體活化方式，因而設(shè)備簡單。低壓沉積過程一般不需要運(yùn)載氣體，可同時(shí)在大批基板上沉積，工作效率高，比較經(jīng)濟(jì)，制得的薄膜有較好的重復(fù)性，厚度方向上分散性好。目前，低壓沉積是半導(dǎo)體工業(yè)上的一種標(biāo)準(zhǔn)方法。第8頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)法

PECVD法由于其靈活性、沉積溫度低和重復(fù)性好而擴(kuò)大了CVD法的應(yīng)用范圍，特別是提供了在不同基體上制備各種薄膜的可能性。由于它適應(yīng)了當(dāng)前大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝向低溫工藝方向發(fā)展的趨勢，越來越引起學(xué)術(shù)界的重視，成為制備氮化硅薄膜最常用的方法。第9頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)55分，星期五光化學(xué)氣相沉積(PCVD)法PCVD法是一種低溫制備氮化硅薄膜的新工藝，它利用紫外光或激光對反應(yīng)氣體進(jìn)行光致分解，在低溫(<250℃)下沉積得到固態(tài)薄膜。PCVD法避免了高能粒子對薄膜表面的轟擊損傷，膜層致密光滑，也避免了高溫、電磁輻射和帶電粒子對器件性能的不利影響，是一種很有發(fā)展前途的薄膜制備工藝。第10頁，共12頁，2022年，5月20日，4點(diǎn)5