PECVD工藝指導書模版

PECVD工藝操作規(guī)程車間:電池車間編制:審核:審定:批準:時間:202375-1-序言為更好地保證PECVD,穩(wěn)定生產工藝,提高PECVD品質量,進一步保證電池產品性能,特制定本作業(yè)指導書,以使操作人員的工藝操作有章可循,標準統(tǒng)一,同時,為員工的上崗培訓供給教材參考。-2-名目一、工藝目的二、使用范圍三、責任四、設備及工具五、材料與工藝氣體六、工藝描述1、工藝原理2、工藝條件3、工藝方案七、工藝預備1、工藝干凈預備2、設備預備3、原材料預備4、工裝工具預備八、工藝操作1、工藝循環(huán)2、裝載3、卸載九、測試膜厚及折射率十、安全、標準操作十一、記錄及轉交1橢偏儀操作規(guī)程-3-PECVD工藝操作規(guī)程一、工藝目的：在硅片外表沉積一層起減反射和鈍化作用的氮化硅膜二、適用范圍PECVDOTB設備三、責任本工藝操作規(guī)程由工藝工程師負責四、設備及工具OTB設備、石墨舟、高溫隔熱手套、PVC手套、口罩、鑷子、不銹鋼桌架、橢偏儀、機械手五、材料與工藝氣體濕法刻蝕后合格的多晶硅片、硅烷、氨氣\氬氣、氮氣、壓縮空氣。六、工藝描述1、工藝原理6.1〔SiH4)〔NH3〕將其激發(fā)為等離子體狀態(tài)，SiN〔Si3N4〕薄膜，起到減反射和鈍化的作用。反響如下：3SiH4+4NH3====Si3N4+12H2↑實際上生成物并不是完全的氮化硅〔Si34，其中還有確定比例的氫原子SixNyHz2、工藝條件5-74-640psi，-4-40psi400℃。PSI表示磅每平方英寸。七、工藝預備1、工藝干凈治理操作時戴干凈的手套、口罩，并且保證每班清理現場及設備衛(wèi)生，以保證車間的干凈度。2、設備預備確認設備正常運行：工藝溫度、冷卻水壓力、特氣壓力及流量等。3、原材料預備不合格片包括崩邊、缺角、裂紋、鋸痕、斑點、尺寸不合格等。4、工裝工具預備備齊用于工藝生產的石墨舟、隔熱手套、PVC手套、口罩、鑷子等。八、工藝操作1、工藝循環(huán)首先選擇工藝方案，進展工藝循環(huán)，此過程為自動運行。數狀況。2、裝卸載自動轉載、卸載操作及留意事項詳見“OTB3、將合格硅片與隨工單一起轉下工序。常見不合格硅片有崩邊、缺角、裂紋、碎片、變色、斑點、穿孔、顏色不均勻等。色、斑點、穿孔、顏色不均勻等。九、測試膜厚及折射率4絨面硅片經PECVD鍍膜后減反射膜厚度目標平均值為92±2nm；外表折射率平均目標值為2.05±0.032.0-2.15，超出目標范圍應當馬上通知當班技術員進展調整處理。-5-85-97nm1.95-2.16應當對PECVD90120十、安全、標準操作、員工須經相關專業(yè)培訓前方能上崗，且嚴格依據本工序設備安全操作規(guī)程和工藝指導書作業(yè)。、硅片的裝卸應當在標準為三十萬級的干凈環(huán)境下進展，留意保持車間及操作臺干凈PVC3SE必需使用鑷子，鑷子要保持干凈；4、SE后非鍍膜面邊緣有很明顯的刻蝕痕跡，切勿將硅片放反，以免造成不合格電池，無法確認的作為外表挑出。5、PECVD裝載區(qū)操作人員應時刻留意PECVD設備的運行狀況，常常觀看設備電腦界面下傳硅片并通知印刷工序停頓印刷本設備已下傳硅片，同時通知班組長與技術人員處理。6、PECVD卸載區(qū)操作人員留意將鍍膜后外表不合格片及其他各種不合格挑出，當外表，上交二級庫。十一、記錄及轉交工單并準時依據要求下傳。-6-1橢偏儀操作規(guī)程一.目的使用橢偏儀測量經PECVD鍍膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n)。二.適用范圍CENTECHSE400advanced型號的橢偏儀。三.設備主要性能及相關參數設備型號：SE400advanced設備構成：包括632.8nm、橢圓偏振光承受和分析器組成。此局部完成整個光學局部的測試。BPC四.運行前的檢查主要檢查設備光學儀器局部是否損壞和電腦是否可正常使用。五.設備操作啟動軟件器連續(xù)運轉。SE400advancedC:\programfiles\SE400Adv\ApplicationFrame\SiAFrame.exe.使用資源治理器或者直接雙擊桌面的SE400advanced圖標，啟動軟件。-7-Fig.錯誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-1:SE400advanced圖標軟件翻開時會自動進入上次退出時的登陸用戶界面。Fig.錯誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-2:SE400advanced用戶認證“Logon“，能夠添加、更改或刪除用戶和用戶權限。用戶主窗口11342Fig.錯誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-3:SE400advanced主窗口-8-式。綠色。假設顯示不為綠色，請檢查橢偏儀和把握器之間的網絡連接是否正常，并檢查屏幕右下角的任務欄的網絡狀態(tài)。樣品測試08Si3N4onsilicon100nm.2〕將樣品平放于測試臺，并定位3〕通過按來開頭測量，測量完成后，結果被顯示在主結果區(qū)〔3〕和protocol區(qū)〔4。測量選項在“Measurementoptions“頁面中，能夠依據測量的數值計算方法、數值極限和結果報告，對一些設定進展更改。此外，設定入射角度和對多角度測量所使用角度的選擇，也能夠在這里進展。Fig.錯誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-4:(測量)-9-測量任務Psi測量任務Psi，Delta橢偏角度的測量。Substratens，ksfreesurface.模型時，基底的復折射率。Thickness射率時，膜層的厚度；開頭膜厚由用戶給出或由CER測量給出。使用單層膜模型時，膜層的厚度和折射率(基底的Thickness+n復折射率作為固定值)。開頭膜厚由用戶給出或由CER測量給出。Thickness+n+absorption 數，使用“Thickness+n”模型，橢偏儀需要用多角度測量。Twolayers多角度測量狀況下，雙層膜的厚度。模型選項頁面“Model“包含了全部對測量進展分析的參數。軟件所使用的默認模型為在吸取基底上的三層吸取膜。SENTECH材料庫，可通膜層名字右邊的按鈕使用材料庫。-10-Fig.錯誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-5:模式選項(模型)Fig.錯誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-6:SE400advanced材料庫模型參數的描述在下表給出：NsNs基底折射率Ks基底吸取系數Na四周環(huán)境的折射率(空氣:n=1)Ka四周環(huán)境的吸取系數(空氣:k=0)-11-PhiPhi入射角(垂直時入射角=0°)La激光波長(nm)Nu上層膜的折射率Ku上層膜的吸取系數(通常為負)Du上層膜的厚度Nm中間層膜的折射率Km中間層膜的吸取系數Dm中間層膜的厚度Nl底層膜的折射率Kl底層膜的吸取系數Dl底層膜的厚度

Tab.錯誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-1:三層膜模型的參數總結SENTECHSE400advanced程序。六.留意事項被測片放于測試臺，測試時留意片子不要移動，以使測試準確。測試時假設參數有較大偏差〔n2.05-2.1，d84-92nPECVD工藝問題，再考慮橢偏儀本身是否測試準確。Degreeofpola