




版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
概述在單級放大器的低頻特性分析中,忽略了器件的負(fù)載電容。記入寄生電容后的分析結(jié)果復(fù)雜、不直觀。可采用一些簡化電路結(jié)構(gòu)的方法。密勒效應(yīng):將二端點(diǎn)X、Y之間的阻抗等效成二端點(diǎn)分別對地的阻抗。流過Z的電流是則,有同樣的電流流過Z1:概述在單級放大器的低頻特性分析中,忽略了器件的負(fù)載電容。流過1概述同樣的,流過Z2的電流為:密勒定理沒有指出怎樣的電路可以等效。因此,并不是所以電路都能用密勒定理等效。例:X和Y間只有一個通路的電路是不能等效的。在阻抗Z和主通路并聯(lián)的通常情況下,密勒定理是有效的。如圖,可以將輸入和輸出間的阻抗等效到輸入和輸出端進(jìn)行處理。概述同樣的,流過Z2的電流為:密勒定理沒有指出怎樣的電路可以2概述密勒效應(yīng):如果用密勒定理來獲得輸入-輸出傳遞函數(shù),則,不能用該定理來計算輸出阻抗。因?yàn)?,求傳遞函數(shù)時,求輸出阻抗時,,外加二種情況下,得到的可能是不同的。Av和頻率有關(guān)。在一般的應(yīng)用中,用低頻時的增益近似。概述密勒效應(yīng):如果用密勒定理來獲得輸入-輸出傳遞函數(shù),則,A3概述極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián):利用密勒定理,可以將每一結(jié)點(diǎn)的阻抗看成結(jié)點(diǎn)到地的總電容和總電阻。A1、A2是理想的,R1、R2是輸出電阻,Cin、CN是輸入電容,Cp是負(fù)載電容。是一種近似方法,沒有考慮零點(diǎn)。概述極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián):利用密勒定理,可以將每一結(jié)點(diǎn)的阻抗看成4概述將放大器和輸出結(jié)點(diǎn)一起考慮:R、C電路跨導(dǎo)放大器和輸出負(fù)載主極點(diǎn)近似帶寬單位增益帶寬概述將放大器和輸出結(jié)點(diǎn)一起考慮:R、C電路跨導(dǎo)放大器和輸出負(fù)5共源級電路結(jié)構(gòu):CGS和CDB是接地電容。飽和時,CGD在柵極的密勒等效項(xiàng):CGD使輸入電容增加,帶寬下降。共源級電路結(jié)構(gòu):CGS和CDB是接地電容。飽和時,CGD使輸6共源級CGD在漏極的密勒等效項(xiàng):近似公式是一個雙極點(diǎn)的函數(shù),希望是只有一個主極點(diǎn)。近似公式中沒有考慮零點(diǎn)。低頻增益近似。共源級CGD在漏極的密勒等效項(xiàng):近似公式是一個雙極點(diǎn)的函數(shù),7共源級等效電路:~對X點(diǎn):對Vout點(diǎn):由上面二方程可得:共源級等效電路:~對X點(diǎn):對Vout點(diǎn):由上面二方程可得:8共源級有二個極點(diǎn),一個零點(diǎn)。是復(fù)雜的公式,其中對分母作適當(dāng)處理:假定:共源級有二個極點(diǎn),一個零點(diǎn)。是復(fù)雜的公式,其中對分母作適當(dāng)9共源級低頻時,跨導(dǎo)還沒有下降,可忽略令:則當(dāng)頻率上升時,可考慮第二個極點(diǎn)。若很大,共源級低頻時,跨導(dǎo)還沒有下降,可忽略令:10共源級結(jié)論:當(dāng)輸入RC很大時,輸入極點(diǎn)是主極點(diǎn),結(jié)果和近似公式相同。零點(diǎn):直觀上,CGD提供了一條從輸入到輸出的前饋通道。高頻時:流過M1和CGD的電流方向相同,大小相反。直觀上,左圖是共源級的頻率相應(yīng)曲線。共源級結(jié)論:當(dāng)輸入RC很大時,輸入極點(diǎn)是主極點(diǎn),結(jié)果和近似公11共源級另一種近似方法:~忽略輸入結(jié)點(diǎn)引入的極點(diǎn)(Rs=0),只考慮輸出極點(diǎn),則是單級點(diǎn)函數(shù)。輸入電容是前級的負(fù)載電容。共源級另一種近似方法:~忽略輸入結(jié)點(diǎn)引入的極點(diǎn)12共源級若CL是在輸出結(jié)點(diǎn)上看到的總電容。帶寬同樣可得零點(diǎn)單位增益帶寬共源級若13共源級將結(jié)果推廣到MOS負(fù)載:帶寬:結(jié)論:共源級將結(jié)果推廣到MOS負(fù)載:帶寬:結(jié)論:14共源級輸入阻抗:不再是無限大。輸入阻抗:不再是無限大。輸入阻抗是一個電容。高頻時,如圖共源級輸入阻抗:不再是無限大。輸入阻抗:不再是無限大。輸入阻15共源級低頻時,s很小,若CGD很大,則零點(diǎn)不能忽略。前饋通路近似為短路共源級低頻時,s很小,若CGD很大,則零點(diǎn)不能忽略。前饋通路16源跟隨器源跟隨器作為輸出級(緩沖、電平移位)時,負(fù)載一般是電容。輸入可能是高增益級的輸出阻抗,但可以和輸入電容一起看作前級的輸出極點(diǎn)。X和Y之間的CGS使二極點(diǎn)的相互作用很大,二極點(diǎn)難以和結(jié)點(diǎn)對應(yīng)。因?yàn)椋篟s和CGS的值都很大,造成overshoot和ringing。假定Rs=0,則忽略一個極點(diǎn),頻率特性是一個單極點(diǎn)函數(shù)。源跟隨器源跟隨器作為輸出級(緩沖、電平移位)時,負(fù)載一般是電17源跟隨器小信號分析:~一個極點(diǎn):一個零點(diǎn):在左半平面。高頻時,通過CGS的直饋通路和通過M1的信號極性相同源跟隨器小信號分析:~一個極點(diǎn):一個零點(diǎn):18源跟隨器輸入阻抗:CGD是輸入到地的電容,可先忽略。求得的輸入阻抗和CGD并聯(lián)得到總的阻抗。高頻時:CGS和CL串聯(lián),再和一個負(fù)阻串聯(lián)。源跟隨器輸入阻抗:CGD是輸入到地的電容,可先忽略。CGS和19源跟隨器輸出阻抗:在輸出結(jié)點(diǎn)并聯(lián)的元件有:忽略上述并聯(lián)項(xiàng),忽略由小信號等效電路,得到:低頻時,高頻時,一般情況下,電路作為緩沖器,Rs很大,輸出阻抗隨頻率上升而增加。源跟隨器輸出阻抗:在輸出結(jié)點(diǎn)并聯(lián)的元件有:忽略上述并聯(lián)項(xiàng),忽20源跟隨器輸出阻抗的電感等效:輸出阻抗可寫為:若源跟隨器的前級輸出阻抗很大,則源跟隨器的輸出阻抗表現(xiàn)出電感現(xiàn)象。帶大電容負(fù)載時,階躍響應(yīng)為減幅震蕩。源跟隨器輸出阻抗的電感等效:輸出阻抗可寫為:若源跟隨器的前級21共柵級若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),輸入輸出結(jié)點(diǎn)是“孤立”的,易達(dá)到寬帶。交流接地引入二個極點(diǎn),沒有直饋通路,沒有零點(diǎn)共柵級若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),輸入輸出結(jié)點(diǎn)是“孤立”交流接地22共柵級若計入溝道長度調(diào)制效應(yīng),輸入輸出結(jié)點(diǎn)不是“孤立”的。輸入阻抗與輸出結(jié)點(diǎn)有關(guān),很難把極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)對應(yīng)。例6.7給出了傳遞函數(shù)和輸入阻抗的推導(dǎo)結(jié)果。輸入阻抗:當(dāng)CL或s很大時,輸入阻抗約為:輸出阻抗和共源共柵級相似,在下面討論。共柵級若計入溝道長度調(diào)制效應(yīng),輸入輸出結(jié)點(diǎn)不是“孤立”的。例23共源共柵級通過共柵器件M2抑制結(jié)點(diǎn)X的密勒效應(yīng),提高帶寬。對M1而言,X點(diǎn)的負(fù)載電阻是,M1的輸入密勒項(xiàng)為:共源共柵級通過共柵器件M2抑制結(jié)點(diǎn)X的密勒效應(yīng),提高帶寬。對24共源共柵級多了一個內(nèi)部結(jié)點(diǎn)X:輸出結(jié)點(diǎn):有三個極點(diǎn),其中一般不考慮。設(shè)計時選擇在高頻處。則:是主極點(diǎn),傳輸函數(shù)是單極點(diǎn)函數(shù)。共源共柵級多了一個內(nèi)部結(jié)點(diǎn)X:輸出結(jié)點(diǎn):有三個極點(diǎn),其中25共源共柵級若RD由M3來代替,考慮和而因?yàn)閄點(diǎn)的負(fù)載電阻共源共柵級若RD由M3來代替,考慮和而因?yàn)?6共源共柵級Afωoutωu若要滿足電路的相位補(bǔ)償條件,必須:調(diào)節(jié)滿足電路的相位補(bǔ)償條件。共源共柵級的輸出阻抗忽略Cy和CGD1,則輸出阻抗相當(dāng)于源極負(fù)反饋的共源級的情況。有一個極點(diǎn),對電流源的應(yīng)用有影響。共源共柵級Afωoutωu若要滿足電路的相位補(bǔ)償條件,必須:27差動對可分別討論差分信號和共模信號的頻率特性。對于雙端輸出的對稱差動對可采用半邊電路等效,則頻率特性和共源級相同。例如:輸入結(jié)點(diǎn)有密勒項(xiàng)可以近似得到:共模頻率特性如果只考慮,則可利用差分對公式差動對可分別討論差分信號和共模信號的頻率特性。對于雙端輸28差動對一般要求M3在飽和區(qū)內(nèi),I很大,VDS很小。即M3的寬長比很大,寄生電容很大。代表輸出(差模)極點(diǎn),代表P點(diǎn)(共模)極點(diǎn)。共模抑制比下降不明顯。差動對一般要求M3在飽和區(qū)內(nèi),I很大,VDS很小。即M3的寬29差動對高阻抗負(fù)載的情況對偏置點(diǎn)G,M3、M4將大小相等,方向相反的電流導(dǎo)入G,則G點(diǎn)可近似交流接地。負(fù)載電容是各管的漏級電容和柵漏交疊電容。上述公式可適用。很大,很大,則輸出極點(diǎn)是主極點(diǎn)。差動對高阻抗負(fù)載的情況對偏置點(diǎn)G,M3、M4將大小相等,上述30差動對CMOS差動對和雙端輸出(全對稱)的電路相比,引入了一個鏡像極點(diǎn)E。輸出極點(diǎn)差動對CMOS差動對和雙端輸出(全對稱)的電路相比,引入了一31差動對零點(diǎn):電路從輸入到輸出有二個通道,引入了零點(diǎn)對通道M1、M3、M4:對通道M2:零點(diǎn)在左半平面。主極點(diǎn)近似差動對零點(diǎn):電路從輸入到輸出有二個通道,引入了零點(diǎn)零點(diǎn)在左半32例1:電流漏共源級的性能已知:W1=2m,L1=1m,W2=1m,L2=1m,VDD=5,VGG1=3v,Cgd1=Cgd2=100fF,Cbd1=200fF,Cbd2=100fF,Cgs2=200fF,CL=1pF。計算輸出擺幅和小信號性能。例1:電流漏共源級的性能已知:W1=2m,L1=33例2:CMOS差動對的性能例2:CMOS差動對的性能34已知:VDD=-VSS=2.5V,SR≥10V/μs(CL=5pF),Pdiss≤1mW.f-3dB≥100kHz(CL=5pF),Av=100V/V,-1.5V≤ICMR≤2V參數(shù):KN’=110μA/V2,KP’=50μA/V2,VTN=0.7V,VTP=-0.7V,λN=0.04V-1,λP=0.05V-1.例2:CMOS差動對的性能由壓擺率SR≥10V/μs(CL=5pF),由功率考慮Rout是否滿足帶寬。取:已知:VDD=-VSS=2.5V,SR≥35例2:CMOS差動對的性能最大輸入共模電壓增益例2:CMOS差動對的性能最大輸入共模電壓增益36例2:CMOS差動對的性能最小輸入共模電壓選擇M5很容易進(jìn)入線性區(qū)。例2:CMOS差動對的性能最小輸入共模電壓選擇M5很容易進(jìn)37概述在單級放大器的低頻特性分析中,忽略了器件的負(fù)載電容。記入寄生電容后的分析結(jié)果復(fù)雜、不直觀。可采用一些簡化電路結(jié)構(gòu)的方法。密勒效應(yīng):將二端點(diǎn)X、Y之間的阻抗等效成二端點(diǎn)分別對地的阻抗。流過Z的電流是則,有同樣的電流流過Z1:概述在單級放大器的低頻特性分析中,忽略了器件的負(fù)載電容。流過38概述同樣的,流過Z2的電流為:密勒定理沒有指出怎樣的電路可以等效。因此,并不是所以電路都能用密勒定理等效。例:X和Y間只有一個通路的電路是不能等效的。在阻抗Z和主通路并聯(lián)的通常情況下,密勒定理是有效的。如圖,可以將輸入和輸出間的阻抗等效到輸入和輸出端進(jìn)行處理。概述同樣的,流過Z2的電流為:密勒定理沒有指出怎樣的電路可以39概述密勒效應(yīng):如果用密勒定理來獲得輸入-輸出傳遞函數(shù),則,不能用該定理來計算輸出阻抗。因?yàn)?,求傳遞函數(shù)時,求輸出阻抗時,,外加二種情況下,得到的可能是不同的。Av和頻率有關(guān)。在一般的應(yīng)用中,用低頻時的增益近似。概述密勒效應(yīng):如果用密勒定理來獲得輸入-輸出傳遞函數(shù),則,A40概述極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián):利用密勒定理,可以將每一結(jié)點(diǎn)的阻抗看成結(jié)點(diǎn)到地的總電容和總電阻。A1、A2是理想的,R1、R2是輸出電阻,Cin、CN是輸入電容,Cp是負(fù)載電容。是一種近似方法,沒有考慮零點(diǎn)。概述極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián):利用密勒定理,可以將每一結(jié)點(diǎn)的阻抗看成41概述將放大器和輸出結(jié)點(diǎn)一起考慮:R、C電路跨導(dǎo)放大器和輸出負(fù)載主極點(diǎn)近似帶寬單位增益帶寬概述將放大器和輸出結(jié)點(diǎn)一起考慮:R、C電路跨導(dǎo)放大器和輸出負(fù)42共源級電路結(jié)構(gòu):CGS和CDB是接地電容。飽和時,CGD在柵極的密勒等效項(xiàng):CGD使輸入電容增加,帶寬下降。共源級電路結(jié)構(gòu):CGS和CDB是接地電容。飽和時,CGD使輸43共源級CGD在漏極的密勒等效項(xiàng):近似公式是一個雙極點(diǎn)的函數(shù),希望是只有一個主極點(diǎn)。近似公式中沒有考慮零點(diǎn)。低頻增益近似。共源級CGD在漏極的密勒等效項(xiàng):近似公式是一個雙極點(diǎn)的函數(shù),44共源級等效電路:~對X點(diǎn):對Vout點(diǎn):由上面二方程可得:共源級等效電路:~對X點(diǎn):對Vout點(diǎn):由上面二方程可得:45共源級有二個極點(diǎn),一個零點(diǎn)。是復(fù)雜的公式,其中對分母作適當(dāng)處理:假定:共源級有二個極點(diǎn),一個零點(diǎn)。是復(fù)雜的公式,其中對分母作適當(dāng)46共源級低頻時,跨導(dǎo)還沒有下降,可忽略令:則當(dāng)頻率上升時,可考慮第二個極點(diǎn)。若很大,共源級低頻時,跨導(dǎo)還沒有下降,可忽略令:47共源級結(jié)論:當(dāng)輸入RC很大時,輸入極點(diǎn)是主極點(diǎn),結(jié)果和近似公式相同。零點(diǎn):直觀上,CGD提供了一條從輸入到輸出的前饋通道。高頻時:流過M1和CGD的電流方向相同,大小相反。直觀上,左圖是共源級的頻率相應(yīng)曲線。共源級結(jié)論:當(dāng)輸入RC很大時,輸入極點(diǎn)是主極點(diǎn),結(jié)果和近似公48共源級另一種近似方法:~忽略輸入結(jié)點(diǎn)引入的極點(diǎn)(Rs=0),只考慮輸出極點(diǎn),則是單級點(diǎn)函數(shù)。輸入電容是前級的負(fù)載電容。共源級另一種近似方法:~忽略輸入結(jié)點(diǎn)引入的極點(diǎn)49共源級若CL是在輸出結(jié)點(diǎn)上看到的總電容。帶寬同樣可得零點(diǎn)單位增益帶寬共源級若50共源級將結(jié)果推廣到MOS負(fù)載:帶寬:結(jié)論:共源級將結(jié)果推廣到MOS負(fù)載:帶寬:結(jié)論:51共源級輸入阻抗:不再是無限大。輸入阻抗:不再是無限大。輸入阻抗是一個電容。高頻時,如圖共源級輸入阻抗:不再是無限大。輸入阻抗:不再是無限大。輸入阻52共源級低頻時,s很小,若CGD很大,則零點(diǎn)不能忽略。前饋通路近似為短路共源級低頻時,s很小,若CGD很大,則零點(diǎn)不能忽略。前饋通路53源跟隨器源跟隨器作為輸出級(緩沖、電平移位)時,負(fù)載一般是電容。輸入可能是高增益級的輸出阻抗,但可以和輸入電容一起看作前級的輸出極點(diǎn)。X和Y之間的CGS使二極點(diǎn)的相互作用很大,二極點(diǎn)難以和結(jié)點(diǎn)對應(yīng)。因?yàn)椋篟s和CGS的值都很大,造成overshoot和ringing。假定Rs=0,則忽略一個極點(diǎn),頻率特性是一個單極點(diǎn)函數(shù)。源跟隨器源跟隨器作為輸出級(緩沖、電平移位)時,負(fù)載一般是電54源跟隨器小信號分析:~一個極點(diǎn):一個零點(diǎn):在左半平面。高頻時,通過CGS的直饋通路和通過M1的信號極性相同源跟隨器小信號分析:~一個極點(diǎn):一個零點(diǎn):55源跟隨器輸入阻抗:CGD是輸入到地的電容,可先忽略。求得的輸入阻抗和CGD并聯(lián)得到總的阻抗。高頻時:CGS和CL串聯(lián),再和一個負(fù)阻串聯(lián)。源跟隨器輸入阻抗:CGD是輸入到地的電容,可先忽略。CGS和56源跟隨器輸出阻抗:在輸出結(jié)點(diǎn)并聯(lián)的元件有:忽略上述并聯(lián)項(xiàng),忽略由小信號等效電路,得到:低頻時,高頻時,一般情況下,電路作為緩沖器,Rs很大,輸出阻抗隨頻率上升而增加。源跟隨器輸出阻抗:在輸出結(jié)點(diǎn)并聯(lián)的元件有:忽略上述并聯(lián)項(xiàng),忽57源跟隨器輸出阻抗的電感等效:輸出阻抗可寫為:若源跟隨器的前級輸出阻抗很大,則源跟隨器的輸出阻抗表現(xiàn)出電感現(xiàn)象。帶大電容負(fù)載時,階躍響應(yīng)為減幅震蕩。源跟隨器輸出阻抗的電感等效:輸出阻抗可寫為:若源跟隨器的前級58共柵級若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),輸入輸出結(jié)點(diǎn)是“孤立”的,易達(dá)到寬帶。交流接地引入二個極點(diǎn),沒有直饋通路,沒有零點(diǎn)共柵級若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),輸入輸出結(jié)點(diǎn)是“孤立”交流接地59共柵級若計入溝道長度調(diào)制效應(yīng),輸入輸出結(jié)點(diǎn)不是“孤立”的。輸入阻抗與輸出結(jié)點(diǎn)有關(guān),很難把極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)對應(yīng)。例6.7給出了傳遞函數(shù)和輸入阻抗的推導(dǎo)結(jié)果。輸入阻抗:當(dāng)CL或s很大時,輸入阻抗約為:輸出阻抗和共源共柵級相似,在下面討論。共柵級若計入溝道長度調(diào)制效應(yīng),輸入輸出結(jié)點(diǎn)不是“孤立”的。例60共源共柵級通過共柵器件M2抑制結(jié)點(diǎn)X的密勒效應(yīng),提高帶寬。對M1而言,X點(diǎn)的負(fù)載電阻是,M1的輸入密勒項(xiàng)為:共源共柵級通過共柵器件M2抑制結(jié)點(diǎn)X的密勒效應(yīng),提高帶寬。對61共源共柵級多了一個內(nèi)部結(jié)點(diǎn)X:輸出結(jié)點(diǎn):有三個極點(diǎn),其中一般不考慮。設(shè)計時選擇在高頻處。則:是主極點(diǎn),傳輸函數(shù)是單極點(diǎn)函數(shù)。共源共柵級多了一個內(nèi)部結(jié)點(diǎn)X:輸出結(jié)點(diǎn):有三個極點(diǎn),其中62共源共柵級若RD由M3來代替,考慮和而因?yàn)閄點(diǎn)的負(fù)載電阻共源共柵級若RD由M3來代替,考慮和而因?yàn)?3共源共柵級Afωoutωu若要滿足電路的相位補(bǔ)償條件,必須:調(diào)節(jié)滿足電路的相位補(bǔ)償條件。共源共柵級的輸出阻抗忽略Cy和CGD1,則輸出阻抗相當(dāng)于源極負(fù)反饋的共源級的情況。有一個極點(diǎn),對電流源的應(yīng)用有影響。共源共柵級Afωoutωu若要滿足電路的相位補(bǔ)償條件,必須:64差動對可分別討論差分信號和共模信號的頻率特性。對于雙端輸出的對稱差動對可采用半邊電路等效,則頻率特性和共源級相同。例如:輸入結(jié)點(diǎn)有密勒項(xiàng)可以近似得到:共模頻率特性如果只考慮,則可利用差分對公式差動對可分別討論差分信號和共模信號的頻率特性。對于雙端輸65差動對一般要求M3在飽和區(qū)內(nèi),I很大,VDS很小。即M3的寬長比很大,寄生電容很大。代表輸出(差模)極點(diǎn),代表P點(diǎn)(共模)極點(diǎn)。共模抑制比下降不明顯。差動對一般要求M3在飽和區(qū)內(nèi),I很大,VDS很小。即M3的寬66差動對高阻抗負(fù)載的情況對偏置點(diǎn)G,M3、M4將大小相等,方向相反的電流導(dǎo)入G,則G點(diǎn)可近似交流接地。負(fù)載電容是各管的漏級電容和柵漏交疊電容。上述公式可適用。很大,很大,則輸出極點(diǎn)是主極點(diǎn)。差動對高阻抗負(fù)載的情況對偏置點(diǎn)G,M3、M4
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 木材加工中的刀具磨損與維護(hù)考核試卷
- 動物膠在紡織工業(yè)中的應(yīng)用考核試卷
- 床上用品企業(yè)產(chǎn)品生命周期管理考核試卷
- 塑料制品在汽車燃油系統(tǒng)的應(yīng)用考核試卷
- 婚慶布置道具考核試卷
- 放射性金屬礦選礦新技術(shù)與發(fā)展趨勢分析考核試卷
- 成人學(xué)生心理健康教育考核試卷
- 阿姐房屋租賃合同范本
- 沙石購銷合同范本
- 蘇州房屋裝修合同范本
- 中級消防設(shè)施操作員證培訓(xùn)項(xiàng)目服務(wù)方案
- 自考15040習(xí)新時代思想概論高頻備考復(fù)習(xí)重點(diǎn)
- 精神障礙診療規(guī)范(2020-年版)-人格-現(xiàn)實(shí)解體障礙
- DB32T-工業(yè)有機(jī)廢氣治理用活性炭技術(shù)要求
- 污水處理及中水回用工程可行性研究報告書
- 醫(yī)學(xué)課件小兒腹瀉5
- 小學(xué)六年級語文下冊《北京的春天》課件
- 發(fā)展?jié)h語 初級讀寫一 第二課 謝謝你
- 景觀照明設(shè)施運(yùn)行維護(hù)經(jīng)費(fèi)估算
- GB/T 12279.1-2024心血管植入器械人工心臟瓣膜第1部分:通用要求
- 人工智能在維修行業(yè)的應(yīng)用
評論
0/150
提交評論