經(jīng)驗(yàn)技術(shù)圖騰柱保護(hù)

MOSMOSMOSMOSMOSMOS管開關(guān)性能的是源邊感抗。寄生的源邊感抗主要有兩種來源，第一個(gè)就是晶圓DIE和封裝之間的BondingPCB走線的感抗（地是作為驅(qū)動(dòng)電路的旁路們在G端看到震蕩尖峰的原因蕩（震蕩的Q值非常高需要加入的優(yōu)化電阻的值可以通過上述的公式選取，如果電阻過大則會(huì)引起G端電壓的過沖（優(yōu)點(diǎn)是園感抗另外一個(gè)影響是阻礙Id的變化，當(dāng)開啟的時(shí)候，初始di/dt偏大，因此在原感抗上產(chǎn)生了較大壓降Vg電壓大部分加在電感上面，因此使得G點(diǎn)的電壓變化減小，進(jìn)而形實(shí)際上驅(qū)動(dòng)器和MOS仍舊需要一段很粗的PCB另外仍舊需要一段很粗的PCB另外一個(gè)問題是大部分的集時(shí)內(nèi)部功耗很高也導(dǎo)致了IC的成本較高，因此有兩個(gè)電流如果驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)為晶體管如果驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)為晶體管采NPN的輸出級(jí)電路。NPN管子只能承受單向電流，高邊的管子輸出電流，低邊的管子吸收電流。在開啟一條方向通路，低電壓的肖特基二極管可以用來保護(hù)驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)，這里注意這兩個(gè)管子并不能這是最便宜和有效地驅(qū)動(dòng)方式，此電路需要盡量考慮MOS管，這樣可以使得開啟時(shí)大電流環(huán)路盡可能小的PN結(jié)有效的實(shí)現(xiàn)了反壓時(shí)候的相互保護(hù)，并能有效的把電壓嵌位在VCC+Vbe，GND-Vbe之間。件因此MOS管關(guān)斷的時(shí)間需要1.電路。Rgate調(diào)整著MOS電路。Rgate調(diào)整著MOS管的開啟速度，當(dāng)關(guān)斷的時(shí)候，由二極管短路電阻，此時(shí)極電流最小為：Imin=VfRgate2.PNP的電流通路（并且有保護(hù)PNP管子eb免受反向電壓的影響），Rgate限制了開啟的速度。電路的最大的好處是放電電流的尖峰被限制在最小的環(huán)路中，電流并不返回至驅(qū)動(dòng)器，因此也不會(huì)造成3.NPN關(guān)斷電到0VEC優(yōu)點(diǎn)和上面的PNP管子相同，缺點(diǎn)是加入了一個(gè)反向器，加入反向器勢必會(huì)造成延遲優(yōu)點(diǎn)和上面的PNP管子相同，缺點(diǎn)是加入了一個(gè)反向器，加入反向器勢必會(huì)造成延遲4.NMOS這個(gè)電路可以使得MOS至零電壓。不過小NMOS管子需要一個(gè)向電壓來驅(qū)動(dòng)