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動(dòng)作電位的形成機(jī)制41、實(shí)際上,我們想要的不是針對(duì)犯罪的法律,而是針對(duì)瘋狂的法律?!R克·吐溫42、法律的力量應(yīng)當(dāng)跟隨著公民,就像影子跟隨著身體一樣?!惪ɡ麃?3、法律和制度必須跟上人類(lèi)思想進(jìn)步?!芨ミd44、人類(lèi)受制于法律,法律受制于情理?!小じ焕?5、法律的制定是為了保證每一個(gè)人自由發(fā)揮自己的才能,而不是為了束縛他的才能?!_伯斯庇爾動(dòng)作電位的形成機(jī)制動(dòng)作電位的形成機(jī)制41、實(shí)際上,我們想要的不是針對(duì)犯罪的法律,而是針對(duì)瘋狂的法律。——馬克·吐溫42、法律的力量應(yīng)當(dāng)跟隨著公民,就像影子跟隨著身體一樣?!惪ɡ麃?3、法律和制度必須跟上人類(lèi)思想進(jìn)步?!芨ミd44、人類(lèi)受制于法律,法律受制于情理?!小じ焕?5、法律的制定是為了保證每一個(gè)人自由發(fā)揮自己的才能,而不是為了束縛他的才能?!_伯斯庇爾動(dòng)作電位的形成機(jī)制組員:沈呂佳徐紅霞王慧穎汪巧英楊世慧張巧巧一、細(xì)胞的動(dòng)作電位1.動(dòng)作電位的概念當(dāng)細(xì)胞受到一個(gè)有效刺激之后,其膜電位會(huì)在靜息電位的基礎(chǔ)上發(fā)生一次可以沿著細(xì)胞膜快速傳導(dǎo)的一過(guò)性的電位波動(dòng),這種發(fā)生在細(xì)胞膜上的電波稱(chēng)為動(dòng)作電位。2.動(dòng)作電位的變化過(guò)程動(dòng)作電位的形成機(jī)制41、實(shí)際上,我們想要的不是針對(duì)犯罪的法律1動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件2動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件3動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件4動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件5二、動(dòng)作電位的形成機(jī)制1.假說(shuō)與發(fā)展Bernsterin的膜學(xué)說(shuō)認(rèn)為,動(dòng)作電位發(fā)生時(shí)是由于膜對(duì)離子的通透性發(fā)生了變化,即膜對(duì)所有離子的選擇通透性均消失。按這種學(xué)說(shuō),當(dāng)動(dòng)作電位達(dá)到峰值時(shí),細(xì)胞膜內(nèi)外的電位差因?yàn)榱恪?939年,Hodgkin和Huxley首次應(yīng)用玻璃微電極成功記錄了槍烏賊巨軸突的動(dòng)作電位,結(jié)果發(fā)現(xiàn),動(dòng)作電位峰值可達(dá)到40~50mV,即出現(xiàn)了動(dòng)作電位的超射現(xiàn)象,這是用Bernsterin學(xué)說(shuō)所不能解釋的,現(xiàn)在已經(jīng)清楚,動(dòng)作電位的產(chǎn)生主要與Na+和K+兩種跨膜移動(dòng)有關(guān)。電壓鉗實(shí)驗(yàn)揭示了動(dòng)作電位發(fā)生期間離子跨膜流動(dòng)的變化規(guī)律。2.動(dòng)作電位形成的離子機(jī)制靜息電位→有效的刺激使部分鈉通道打開(kāi),Na+內(nèi)流,膜內(nèi)電位上升→膜電位到達(dá)閾電位,鈉通道大量開(kāi)放,Na+快速、大量?jī)?nèi)流,膜電二、動(dòng)作電位的形成機(jī)制1.假說(shuō)與發(fā)展6位急劇上升,形成峰電位的上升支,即去極化時(shí)相→大量鈉通道迅速關(guān)閉失活,Na+停止內(nèi)流,峰電位的上升支上升到最高點(diǎn),達(dá)到反極化狀態(tài),→大量鉀通道開(kāi)放,K+快速、大量外流,細(xì)胞內(nèi)電位迅速下降,形成峰電位的下降支,即復(fù)極化時(shí)相→鈉-鉀泵被激活,泵入2K+,泵出3Na+,處于超極化狀態(tài)→靜息電位3.離子通道的門(mén)控機(jī)制(1)電壓門(mén)控Na+通道和K+通道電壓門(mén)控通道由帶電蛋白質(zhì)圍繞形成的通道組成,通道蛋白對(duì)膜電壓的變化具有高度敏感性。位急劇上升,形成峰電位的上升支,即去極化時(shí)相→大量鈉通道迅速7Na+通道有兩種狀態(tài):激活態(tài)門(mén)和失活態(tài)門(mén),使得Na+通道存在三種狀態(tài):門(mén)關(guān)閉但有能力開(kāi)放狀態(tài);開(kāi)放或激活狀態(tài);門(mén)關(guān)閉且無(wú)能力開(kāi)放狀態(tài)。Na+通道有兩種狀態(tài):激活態(tài)門(mén)和失活態(tài)門(mén),使得Na+通道存在8K+通道只有一個(gè)門(mén)控狀態(tài):或開(kāi)放或關(guān)閉。K+通道只有一個(gè)門(mén)控狀態(tài):或開(kāi)放或關(guān)閉。9(2)動(dòng)作電位各時(shí)期的解釋?zhuān)?)動(dòng)作電位各時(shí)期的解釋10靜息電位時(shí),所有電壓門(mén)控Na+通道和K+通道均處于關(guān)閉狀態(tài)。刺激引起膜除極化達(dá)到-50mV閾電位水平,Na+激活態(tài)門(mén)開(kāi)放。Na+的內(nèi)流中和了細(xì)胞內(nèi)的負(fù)電荷,同時(shí)減少了胞外正電位水平。④Na+進(jìn)一步內(nèi)流直至膜電位達(dá)到0mV水平。⑤Na+進(jìn)一步內(nèi)流入胞內(nèi),使膜電位變正,膜外變負(fù),膜極性反轉(zhuǎn);至峰電位時(shí),Na+失活態(tài)門(mén)開(kāi)始關(guān)閉,K+通道開(kāi)放,Na+的內(nèi)流停止,K+的外流開(kāi)始。⑥K+的外流中和了膜外的負(fù)電荷,A-繼續(xù)留在胞內(nèi),使膜內(nèi)和膜外電位分別向正的和負(fù)的方向發(fā)展,直至膜電位達(dá)至0mV。⑦K+的持續(xù)外流使膜電位負(fù)極化,膜內(nèi)電位再次變負(fù),膜外變正,膜恢復(fù)到靜息電位水平;此時(shí)Na+失活態(tài)門(mén)開(kāi)放,激活態(tài)門(mén)關(guān)閉,準(zhǔn)備接受下一次刺激;K+通過(guò)仍然開(kāi)放的通道繼續(xù)外流,使膜出現(xiàn)超極化。⑧K+通道關(guān)閉,膜恢復(fù)到靜息電位水平。靜息電位時(shí),所有電壓門(mén)控Na+通道和K+通道均處于關(guān)閉狀態(tài)11動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件12動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件13動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件14動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件15動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件16動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件17動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件18動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件19動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件20謝謝觀賞謝謝觀賞21謝謝你的閱讀知識(shí)就是財(cái)富豐富你的人生71、既然我已經(jīng)踏上這條道路,那么,任何東西都不應(yīng)妨礙我沿著這條路走下去?!档?/p>
72、家庭成為快樂(lè)的種子在外也不致成為障礙物但在旅行之際卻是夜間的伴侶?!魅_
73、堅(jiān)持意志偉大的事業(yè)需要始終不渝的精神?!鼱柼?/p>
74、路漫漫其修道遠(yuǎn),吾將上下而求索?!?/p>
75、內(nèi)外相應(yīng),言行相稱(chēng)?!n非謝謝你的閱讀知識(shí)就是財(cái)富71、既然我已經(jīng)踏上這條道路,那么,22動(dòng)作電位的形成機(jī)制41、實(shí)際上,我們想要的不是針對(duì)犯罪的法律,而是針對(duì)瘋狂的法律?!R克·吐溫42、法律的力量應(yīng)當(dāng)跟隨著公民,就像影子跟隨著身體一樣?!惪ɡ麃?3、法律和制度必須跟上人類(lèi)思想進(jìn)步?!芨ミd44、人類(lèi)受制于法律,法律受制于情理?!小じ焕?5、法律的制定是為了保證每一個(gè)人自由發(fā)揮自己的才能,而不是為了束縛他的才能?!_伯斯庇爾動(dòng)作電位的形成機(jī)制動(dòng)作電位的形成機(jī)制41、實(shí)際上,我們想要的不是針對(duì)犯罪的法律,而是針對(duì)瘋狂的法律?!R克·吐溫42、法律的力量應(yīng)當(dāng)跟隨著公民,就像影子跟隨著身體一樣?!惪ɡ麃?3、法律和制度必須跟上人類(lèi)思想進(jìn)步?!芨ミd44、人類(lèi)受制于法律,法律受制于情理?!小じ焕?5、法律的制定是為了保證每一個(gè)人自由發(fā)揮自己的才能,而不是為了束縛他的才能?!_伯斯庇爾動(dòng)作電位的形成機(jī)制組員:沈呂佳徐紅霞王慧穎汪巧英楊世慧張巧巧一、細(xì)胞的動(dòng)作電位1.動(dòng)作電位的概念當(dāng)細(xì)胞受到一個(gè)有效刺激之后,其膜電位會(huì)在靜息電位的基礎(chǔ)上發(fā)生一次可以沿著細(xì)胞膜快速傳導(dǎo)的一過(guò)性的電位波動(dòng),這種發(fā)生在細(xì)胞膜上的電波稱(chēng)為動(dòng)作電位。2.動(dòng)作電位的變化過(guò)程動(dòng)作電位的形成機(jī)制41、實(shí)際上,我們想要的不是針對(duì)犯罪的法律23動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件24動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件25動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件26動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件27二、動(dòng)作電位的形成機(jī)制1.假說(shuō)與發(fā)展Bernsterin的膜學(xué)說(shuō)認(rèn)為,動(dòng)作電位發(fā)生時(shí)是由于膜對(duì)離子的通透性發(fā)生了變化,即膜對(duì)所有離子的選擇通透性均消失。按這種學(xué)說(shuō),當(dāng)動(dòng)作電位達(dá)到峰值時(shí),細(xì)胞膜內(nèi)外的電位差因?yàn)榱恪?939年,Hodgkin和Huxley首次應(yīng)用玻璃微電極成功記錄了槍烏賊巨軸突的動(dòng)作電位,結(jié)果發(fā)現(xiàn),動(dòng)作電位峰值可達(dá)到40~50mV,即出現(xiàn)了動(dòng)作電位的超射現(xiàn)象,這是用Bernsterin學(xué)說(shuō)所不能解釋的,現(xiàn)在已經(jīng)清楚,動(dòng)作電位的產(chǎn)生主要與Na+和K+兩種跨膜移動(dòng)有關(guān)。電壓鉗實(shí)驗(yàn)揭示了動(dòng)作電位發(fā)生期間離子跨膜流動(dòng)的變化規(guī)律。2.動(dòng)作電位形成的離子機(jī)制靜息電位→有效的刺激使部分鈉通道打開(kāi),Na+內(nèi)流,膜內(nèi)電位上升→膜電位到達(dá)閾電位,鈉通道大量開(kāi)放,Na+快速、大量?jī)?nèi)流,膜電二、動(dòng)作電位的形成機(jī)制1.假說(shuō)與發(fā)展28位急劇上升,形成峰電位的上升支,即去極化時(shí)相→大量鈉通道迅速關(guān)閉失活,Na+停止內(nèi)流,峰電位的上升支上升到最高點(diǎn),達(dá)到反極化狀態(tài),→大量鉀通道開(kāi)放,K+快速、大量外流,細(xì)胞內(nèi)電位迅速下降,形成峰電位的下降支,即復(fù)極化時(shí)相→鈉-鉀泵被激活,泵入2K+,泵出3Na+,處于超極化狀態(tài)→靜息電位3.離子通道的門(mén)控機(jī)制(1)電壓門(mén)控Na+通道和K+通道電壓門(mén)控通道由帶電蛋白質(zhì)圍繞形成的通道組成,通道蛋白對(duì)膜電壓的變化具有高度敏感性。位急劇上升,形成峰電位的上升支,即去極化時(shí)相→大量鈉通道迅速29Na+通道有兩種狀態(tài):激活態(tài)門(mén)和失活態(tài)門(mén),使得Na+通道存在三種狀態(tài):門(mén)關(guān)閉但有能力開(kāi)放狀態(tài);開(kāi)放或激活狀態(tài);門(mén)關(guān)閉且無(wú)能力開(kāi)放狀態(tài)。Na+通道有兩種狀態(tài):激活態(tài)門(mén)和失活態(tài)門(mén),使得Na+通道存在30K+通道只有一個(gè)門(mén)控狀態(tài):或開(kāi)放或關(guān)閉。K+通道只有一個(gè)門(mén)控狀態(tài):或開(kāi)放或關(guān)閉。31(2)動(dòng)作電位各時(shí)期的解釋?zhuān)?)動(dòng)作電位各時(shí)期的解釋32靜息電位時(shí),所有電壓門(mén)控Na+通道和K+通道均處于關(guān)閉狀態(tài)。刺激引起膜除極化達(dá)到-50mV閾電位水平,Na+激活態(tài)門(mén)開(kāi)放。Na+的內(nèi)流中和了細(xì)胞內(nèi)的負(fù)電荷,同時(shí)減少了胞外正電位水平。④Na+進(jìn)一步內(nèi)流直至膜電位達(dá)到0mV水平。⑤Na+進(jìn)一步內(nèi)流入胞內(nèi),使膜電位變正,膜外變負(fù),膜極性反轉(zhuǎn);至峰電位時(shí),Na+失活態(tài)門(mén)開(kāi)始關(guān)閉,K+通道開(kāi)放,Na+的內(nèi)流停止,K+的外流開(kāi)始。⑥K+的外流中和了膜外的負(fù)電荷,A-繼續(xù)留在胞內(nèi),使膜內(nèi)和膜外電位分別向正的和負(fù)的方向發(fā)展,直至膜電位達(dá)至0mV。⑦K+的持續(xù)外流使膜電位負(fù)極化,膜內(nèi)電位再次變負(fù),膜外變正,膜恢復(fù)到靜息電位水平;此時(shí)Na+失活態(tài)門(mén)開(kāi)放,激活態(tài)門(mén)關(guān)閉,準(zhǔn)備接受下一次刺激;K+通過(guò)仍然開(kāi)放的通道繼續(xù)外流,使膜出現(xiàn)超極化。⑧K+通道關(guān)閉,膜恢復(fù)到靜息電位水平。靜息電位時(shí),所有電壓門(mén)控Na+通道和K+通道均處于關(guān)閉狀態(tài)33動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件34動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件35動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件36動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件37動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件38動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件39動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件40動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件41動(dòng)作電位的形成機(jī)制課件42謝謝觀賞謝謝觀賞43謝謝你的閱讀知識(shí)就是財(cái)富豐富
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