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低待機(jī)功耗離線式開關(guān)電源概特滿足85~265V寬AC輸入工作單集成730V功率10~39V寬電壓工作范固定55KHzVCC過壓保
封裝/訂購 AP8012A-NEC-AP8012A-SEC-1.管腳定功率MOS以及控制電路的參3反饋輸入腳,用以確定功率MOS的峰值電4控制電路的供電電源,啟動時由高壓啟動管對VCC電容進(jìn)行電,當(dāng)達(dá)到UVLO啟動電壓時,啟動過功率MOS的漏2.典型功85~265230VAC備注:最大連續(xù)功率在50度開放環(huán)境且有足夠散熱條件下VCC工作電壓范 SW腳最高電 上電時啟動管最高電 反饋腳最大電 高壓功率管電 Internally機(jī)械模式ESD能 結(jié)工作溫 Internally工作溫度范 …-溫度范 …-管腳焊接溫度(10秒 (環(huán)境溫度T=25°C,V=18V 3.功率部符參測試條最典最單V?4.控制部分(環(huán)境溫度TJ=25°C,VCC18V符參測試條最典最單V欠壓保護(hù)關(guān)斷電 89VV0≤Tj≤-25°C≤Tj≤%反饋部COMP關(guān)斷電COMP腳輸入限流部Tj=A-V啟動管充電電流(SWTj>VCOMP=4VCOMP=5框
STARTUPSTARTUPUVLOQSOVP
啟AP8012A集成高壓啟動電路,啟動時SW腳對VCC電源提供充電電流。當(dāng)VCC電壓達(dá)到VSTART動管開啟并為VCC電容充電,直至VCC電壓達(dá)到VSTART。1反饋回反饋腳通過控制MOSFET的開通和關(guān)斷實(shí)現(xiàn)輸出的穩(wěn)定。不同于傳統(tǒng)的電壓模式控制電路,的電流通過R2進(jìn)行采樣,采樣電壓(VR2))跟基準(zhǔn)VR2比較;當(dāng)VR2的電壓超過基準(zhǔn)電壓時,則關(guān)斷MOSFET實(shí)現(xiàn)環(huán)路的控制。2前沿消由于SW腳的寄生電容,當(dāng)MOS開通瞬間存在較大的峰值電流,如果采樣MOSFET采樣到該信號,欠壓鎖由于異常情況導(dǎo)致功率管被關(guān)閉后,C腳電壓由于沒有提供能量將會一直下降,當(dāng)C電壓下降到欠壓鎖定保護(hù)點(diǎn)(典型值V)時,欠壓鎖定電路被復(fù)位,高壓電流源重新開始給C提供能量。直電壓上升到欠壓鎖定解除點(diǎn)(典型值V)時,開始正常工作,功率管正常開啟和關(guān)閉。通這,過溫保MOSFET和控制電路在同一個硅片上,能保證溫度采樣電路更準(zhǔn)確的采樣功率管的溫度信號,從,到140℃(典型值)時,重新開始工作。溫度保護(hù)存在滯回,保證不會出現(xiàn)熱振蕩現(xiàn)象。過壓保當(dāng)反饋回路由于焊接虛而出現(xiàn)的開路等問題,會導(dǎo)致進(jìn)入COMP腳的電流幾乎為零,同時增大功腳的電壓;當(dāng)VCC電壓大于43V(典型值,進(jìn)入過壓保護(hù)狀態(tài),功率管關(guān)閉。表 DIP8封裝尺尺符最小最大尺符最小最大ADBC3.外形示表 SOP-8封裝尺尺符
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