電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)教材完整版本課件

電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)部門：品質(zhì)部版本：V0.0.1電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)部門：品質(zhì)部.1★掌握電子元器件的基本性能參數(shù)概況★了解電子元器件基本結(jié)構(gòu)★了解電子元器件的各參數(shù)對電路的影響★了解電子元器件應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng)通過本課程的學(xué)習(xí)，您將能夠：課程學(xué)習(xí)目標(biāo).★掌握電子元器件的基本性能參數(shù)概況通過本課程的學(xué)習(xí)，您將能夠2★概述★電子元器件的質(zhì)量因素★貼片電阻基礎(chǔ)知識(shí)介紹★貼片電容基礎(chǔ)知識(shí)介紹★貼片電感基礎(chǔ)知識(shí)介紹★L(fēng)ED基礎(chǔ)知識(shí)介紹★IC基礎(chǔ)知識(shí)介紹目錄.★概述目錄.3一、概述電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的地位★電子元器件的技術(shù)進(jìn)步會(huì)促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展★電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的重要地位.一、概述.4電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的地位電子元器件的技術(shù)進(jìn)步會(huì)促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)代新技術(shù)的興起,是以新材料、新工藝和新型電子元器件為支柱的，其中新型電子元器件可以說是新技術(shù)的基礎(chǔ)。實(shí)踐證明，一種新型元器件的誕生，不僅可以促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，還可能引發(fā)一場技術(shù)革命。當(dāng)你打一個(gè)手機(jī)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)它是由許多新型電子元器件組成的，這些元器件都是近幾年生產(chǎn)出來的技術(shù)精華，正是它們的技術(shù)進(jìn)步，才會(huì)使去粗大、笨重、功能簡單的移動(dòng)電話變成現(xiàn)在小巧靈便、功能強(qiáng)大的手機(jī)電子計(jì)算機(jī)的發(fā)展又是一個(gè)很好的例子，電子計(jì)算機(jī)從誕生到現(xiàn)在不過50多年，但它的發(fā)展迅速，使其成為20世紀(jì)人類科學(xué)技術(shù)的最卓越的成就之一，電子計(jì)算機(jī)發(fā)展如此神速的主要原因，是基礎(chǔ)電子元器件從電子管到超大集成電路的發(fā)展中，有過多次重大的技術(shù)進(jìn)步。電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的重要地位電子工業(yè)是國民經(jīng)濟(jì)中的戰(zhàn)略性工業(yè)，而其基礎(chǔ)是電子元器件產(chǎn)業(yè)，電子元器件是一個(gè)品種眾多、數(shù)量龐大的電子基礎(chǔ)產(chǎn)品，任何一個(gè)電子裝置、設(shè)備或系統(tǒng)都離不開它，它已廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域，因而可以說，電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中占有極為重要的地位。.5電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的地位電子元器件的技術(shù)進(jìn)步會(huì)促進(jìn)科學(xué)技二、電子元器件的質(zhì)量因素溫度系數(shù)噪聲電動(dòng)勢和噪聲系數(shù)高頻特性機(jī)械強(qiáng)度可焊性可靠性.二、電子元器件的質(zhì)量因素溫度系數(shù).6電子元器件的質(zhì)量參數(shù)電子元器件除有特性參數(shù)及規(guī)格參數(shù)外，往往還有專門規(guī)定的質(zhì)量參數(shù)，用它來描述元器件特性參數(shù)和規(guī)格參數(shù)隨環(huán)境因素變化的規(guī)律。電子元子器件的質(zhì)量參數(shù)包括溫度系數(shù)、噪聲電動(dòng)勢、高頻特性、機(jī)械強(qiáng)度、可焊性及可靠性等。溫度系數(shù)電子元器件的特性及規(guī)格參數(shù)會(huì)隨使用環(huán)境溫度的變化而變化，溫度每變化1℃，溫度系數(shù)描述了元器件的數(shù)值穩(wěn)定性,溫度系數(shù)越小,它的數(shù)值越穩(wěn)定,溫度系還有正負(fù)之分,正溫度系數(shù)表示,當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)元器件的數(shù)值增加,負(fù)溫度系數(shù)表示,當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)元器件的數(shù)值減少.電子元器件的溫度系數(shù)主要取決于元器件的制作材料,例如碳膜電阻器的溫度系數(shù)較大,為1500X10-6/℃,而精密繞線電阻器的溫度系數(shù)卻很小,僅為10X10-6/℃.除了制件材料外,元器件的結(jié)構(gòu)及制件工藝等因素也會(huì)對溫度系數(shù)產(chǎn)生影響.噪聲電動(dòng)勢和噪聲系數(shù)在電子設(shè)備中,放大器的輸出端輸出有用的信號外,還同時(shí)輸出有害的干擾信號.這種干擾信號有的是從電子設(shè)備外部產(chǎn)生的,如雷電、工業(yè)設(shè)備的打火放電都會(huì)通過電磁波輻射，由電子設(shè)備接收、放大后形成干擾信號，有的干擾信號是由電子設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的，電子元器件和電路本身都會(huì)產(chǎn)生干擾信號，由電子設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的這種干擾信號通常中做內(nèi)部噪聲。.7電子元器件的質(zhì)量參數(shù)電子元器件除有特性參數(shù)及規(guī)格參數(shù)外，往內(nèi)部噪聲主要由各種電子元器件產(chǎn)生的。我們知道，導(dǎo)體內(nèi)部的自由電子在一定的溫度范圍總是處于無規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng)狀態(tài)之中，從而在導(dǎo)體內(nèi)部形成了方向及大小都隨時(shí)間不斷變化的“無規(guī)則”的電流，并在導(dǎo)體的等效電阻兩端生產(chǎn)噪聲電動(dòng)勢。噪聲電動(dòng)勢是隨機(jī)變化的，它在很寬的頻率范圍內(nèi)都起作用，由于這種噪聲是自由電子的熱運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的，通常把它叫熱噪聲。除了熱噪聲之外，各種電子元器件由于制造材料、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及生產(chǎn)工藝的不同，還會(huì)產(chǎn)生其他類型的噪聲，例如：碳膜電阻因碳粒之間的放電而產(chǎn)生的噪聲，半導(dǎo)體管內(nèi)部載流子產(chǎn)生的散粒噪聲等。通常用信噪比來描述電阻、電容、電感等無源元件的噪聲程度，即：信噪比=S/N式中：S——元件兩端所加信號電壓；

N——元件內(nèi)部所產(chǎn)生的噪聲電動(dòng)勢。對于半導(dǎo)體管或集成電路等有源器件的噪聲，則用系來衡量，即：噪聲系數(shù)（F）=（Si/Ni）/（S0/N0）式中：Si/Ni——輸入端信噪比

S0/N0——輸入端信噪比.8內(nèi)部噪聲主要由各種電子元器件產(chǎn)生的。我們知道，導(dǎo)體內(nèi)部的自由高頻特性在不同的工作頻率條件下,電子元器件會(huì)出現(xiàn)不同的頻率響應(yīng),這種現(xiàn)象主要是同制造元器件時(shí)所使用的材料及元器件結(jié)構(gòu)所造成的.在通常條件下,在分析電路時(shí)往往把電子元器件做為理想元件來考濾,但當(dāng)它處于高頻狀態(tài)時(shí),原來不突出的特性就會(huì)表現(xiàn)出來,例如,線繞電阻在直流或低頻電路中工作時(shí),可以被看成理想電阻,而當(dāng)它工作在高頻時(shí),線繞電阻繞組形成的電感及分布電容便被突出出來,當(dāng)頻率足夠時(shí),其電抗值就會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電阻值,除此之外,元器件的排列布置結(jié)構(gòu)也應(yīng)慎重,否則也會(huì)產(chǎn)生不同的頻率響應(yīng).機(jī)械強(qiáng)度電子元器件的機(jī)械強(qiáng)度是重要的參數(shù)之一.電子元器件被裝入電子設(shè)備,便會(huì)同設(shè)備一起經(jīng)受使用環(huán)境的考驗(yàn),若設(shè)備內(nèi)電子元器件的機(jī)械強(qiáng)度不高,就會(huì)在設(shè)備使用過程中受振動(dòng)或沖擊的作用時(shí)發(fā)生斷裂.使電子設(shè)備無法正常工作,在惡劣條件下使用的電子設(shè)備,應(yīng)選用機(jī)械強(qiáng)度高的元器件.可焊性可焊性也是電子元器件的質(zhì)量參數(shù)之一,電子元器件的“虛焊”是造成電子設(shè)備故障的常見原因之一。造成電子元器件“虛焊”的原因有兩個(gè)方面：一方面是元器件的可焊性差，另一方面就是焊接元器件的工藝水平低下?？煽啃钥煽啃允请娮釉骷囊豁?xiàng)重要的指標(biāo)。電子元器件的高可靠性體現(xiàn)在一些性能指標(biāo)上，如壽命、功率、高頻特性、抗機(jī)械應(yīng)力特性、抗靜電性、抗輻射性能、耐壓性及適應(yīng)環(huán)境的能力等。概括地說，就是在規(guī)定的條件下，在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定的性能作用的能力，這種能力的大小就是可靠性。.9高頻特性.9三、電阻基礎(chǔ)知識(shí)介紹電阻/貼片電阻的基本定義貼片電阻的封裝尺寸貼片電阻的結(jié)構(gòu)構(gòu)成貼片電阻的常見命名方法貼片電阻的主要特性參數(shù).三、電阻基礎(chǔ)知識(shí)介紹.10電阻的定義

電阻（Resistance，通常用“R”表示），是一個(gè)物理量，在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體的電阻越大，表示導(dǎo)體對電流的阻礙作用越大。那么具有一定阻值、幾何形狀和一定技術(shù)性能的能夠?qū)νㄟ^電路的電流產(chǎn)生阻礙作用的電子元件就叫做電阻器。電阻器（Resistor）在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個(gè)限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是固定的，一般是兩個(gè)引腳，它可限制通過它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。用符號R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用Ω、KΩ、MΩ表示。貼片電阻

片式固定電阻器，從Chip

Fixed

Resistor直接翻譯過來的，俗稱貼片電阻(SMD

Resistor),是金屬玻璃鈾電阻器中的一種。是將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上制成的電阻器。

特點(diǎn)：體積小，重量輕適應(yīng)再流焊與波峰焊電性能穩(wěn)定，可靠性高裝配成本低，并與自動(dòng)裝貼設(shè)備匹配機(jī)械強(qiáng)度高、高頻特性優(yōu)越.11電阻的定義.11英制

(inch)公制

(mm)長(L)

(mm)寬(W)

(mm)高(t)

(mm)a

(mm)b

(mm)額定功率@70°C020106030.60±0.050.30±0.050.23±0.050.10±0.050.15±0.051/20W040210051.00±0.100.50±0.100.30±0.100.20±0.100.25±0.101/16W060316081.60±0.150.80±0.150.40±0.100.30±0.200.30±0.201/16W,1/20W080520122.00±0.201.25±0.150.50±0.100.40±0.200.40±0.201/10W,1/8W120632163.20±0.201.60±0.150.55±0.100.50±0.200.50±0.201/8W,1/4W121032253.20±0.202.50±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.201/4W,1/3W181248324.50±0.203.20±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.201/2W201050255.00±0.202.50±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.201/2W,3/4W251264326.40±0.203.20±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.201W貼片電阻封裝尺寸備注：我們俗稱的封裝是指英制，尺寸公差不同的廠家存在一定的差異。.12英制

(inch)公制

(mm)長(L)

(mm)寬(W)

貼片電阻結(jié)構(gòu)構(gòu)成結(jié)構(gòu)層主要成分①陶瓷基片Substrate 三氧化二鋁Al2O3②面電極Face-Electrode 銀-鈀電極Ag-Pd③背電極ReverseElectrode銀電極Ag ④電阻體ResistiveElement氧化釕、玻璃Rutheniumoxide，glass⑤一次保護(hù)層1stprotectivecoating玻璃Glass ⑥二次保護(hù)層2stprotectivecoating玻璃/樹脂Glass/Resin ⑦標(biāo)記Marking 玻璃/樹脂Glass/Resin ⑧端電極Termination 銀電極/鎳鉻合金Ag/Ni-Cr ⑨中間電極BetweenTermination鎳層NiPlating ⑩外部電極OuterTermination錫層SnPlating .13貼片電阻結(jié)構(gòu)構(gòu)成結(jié)構(gòu)層主要成分①陶瓷基片三氧化二鋁②面電極國內(nèi)貼片電阻的命名方法例子：1、RS-05K102JT2、RS-05K1002FT

R－表示電阻S－表示功率：0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。05－表示尺寸(英寸)：

02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示2010、12表示2512K－表示溫度系數(shù)為100PPM

102前兩位表示有效數(shù)字，第三位表示10的N次方，基本單位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002前三位表示有效數(shù)字，第四位表示10的N次方，基本單位是Ω，1002＝10000Ω＝10KΩ。J－表示誤差精度

F表示±l％；G表示±2％；J表示±5％；K表示±10％T－表示編帶包裝.14國內(nèi)貼片電阻的命名方法例子：.14實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中只標(biāo)寫102，1002為了區(qū)分是精度為±5％，±1％的電阻，于是±5％，±1％的電阻分別用3位，4位數(shù)來表示。這樣也就是說102=1K?精度為±5％1002=10K?精度為±1％0.22Ω=0.22R=R22*(只要是R在最前面，即表示阻值小于1Ω。)2.2Ω=2R222Ω=22R22.1Ω=22R1220Ω=220R*(只要是出現(xiàn)R或R在最后面，即表示阻值小于1K。)貼片電阻的主要特性參數(shù)--阻值--精度--尺寸.15實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中只標(biāo)寫102，1002貼片電阻的主要特性參數(shù).貼片電阻生產(chǎn)流程.16貼片電阻生產(chǎn)流程.16四、貼片電容基礎(chǔ)知識(shí)介紹貼片電容的基本定義貼片電容的結(jié)構(gòu)構(gòu)成貼片電容的封裝尺寸貼片電容的分類貼片電容的常見命名方法.四、貼片電容基礎(chǔ)知識(shí)介紹.17貼片電容的定義

多層片式陶瓷電容器（MultilayerCeramicCapacitor，MLCC）,簡稱貼片電容，是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合而成，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成我們常說的貼片電容。

用符號C表示，在國際單位制里，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是F，由于法拉這個(gè)單位太大，所以常用的電容單位有毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）等。換算關(guān)系是：1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）1微法（μF）=1000納法（nF）=1000000皮法（pF）。

特點(diǎn)：隔直流同交流

體積小，容量大

壽命長，可靠性高

適合表面貼裝（SMT）

無極性

擊穿時(shí)不燃燒爆炸，安全性高

.18貼片電容的定義.18貼片電容的結(jié)構(gòu)構(gòu)成

陶瓷介質(zhì)內(nèi)電極外電極.19貼片電容的結(jié)構(gòu)構(gòu)成陶瓷介質(zhì)內(nèi)電極外電極.19貼片電容封裝尺寸英制(inch)公制（mm）長度L（mm）寬度W（mm）010050.40±0.20±02010.60±0.30±040210051.00±0.50±060316081.60±0.80±080520122.00±1.25±120632163.20±1.60±121032253.20±2.50±181245324.50±3.20±備注：我們俗稱的封裝是指英制，尺寸公差不同的廠家存在一定的差異。.20貼片電容封裝尺寸英制(inch)公制（mm）長度L（mm）寬貼片電容的分類溫度穩(wěn)定性分類材質(zhì)溫度范圍溫度系數(shù)超穩(wěn)定級I級COG或NPO-55~125℃0±30ppm/℃COH-55~125℃0±60ppm/℃穩(wěn)定級II級X5R-55~85℃±15%X7R-55~125℃±15%能用級III級Z5U10~85℃﹢22%,-56%Y5V-30~85℃+22%,-82%.21貼片電容的分類溫度穩(wěn)定性分類材質(zhì)溫度范圍溫度系數(shù)超穩(wěn)定級I級NPO電容NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。封裝DC=50VDC=100V08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。.22NPO電容.22X7R電容X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到125℃時(shí)其容量變化為15%，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。封裝DC=50VDC=100V0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF.23X7R電容.23Z5U電容Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達(dá)每10年下降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。封裝DC=25VDC=50V08050.01μF---0.12μF0.01μF---0.1μF12060.01μF---0.33μF0.01μF---0.27μF12100.01μF---0.68μF0.01μF---0.47μF22250.01μF---1μF0.01μF---1μFZ5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍10℃---85℃溫度特性22%-----56%.24Z5U電容.24Y5V電容Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μF電容器。Y5V電容器的取值范圍如下表所示封裝DC=25VDC=50V08050.01μF---0.39μF0.01μF---0.1μF12060.01μF---1μF0.01μF---0.33μF12100.1μF---1.5μF0.01μF---0.47μF22250.68μF---2.2μF0.68μF---1.5μFY5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍-30℃---85℃溫度特性22%-----82%.25Y5V電容.25主要MLCC主要生產(chǎn)廠家：日本京瓷（

KYOCERA）、村田（Murata）、TDK；韓國三星（SAMSUNG）；國巨（YAGEO）、華新科（WALSIN）；大陸有名的則是宇陽（EYANG）、風(fēng)華高科、三環(huán)。容選形時(shí)需要考慮的因素很多，以下探討了MLCC的電容選形要素。選型要素-參數(shù)：電容值、容差、耐壓、使用溫度、尺寸-材質(zhì)介質(zhì)的性能-C0G電容器具有高溫度補(bǔ)償特性，適合作旁路電容和耦合電容-X7R電容器是溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業(yè)應(yīng)用-Z5U電容器特點(diǎn)是小尺寸和低成本，尤其適合應(yīng)用于去耦電路-Y5V電容器溫度特性最差，但容量大，可取代低容鋁電解電容貼片電容的選型.26主要MLCC主要生產(chǎn)廠家：日本京瓷（KYOCERA）、村貼片電容的常用命名方法

貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、材質(zhì)、精度、耐電壓、容量、端頭的要求以及包裝的要求。一般訂購貼片電容需提供的參數(shù)要有尺寸的大小、要求的精度、電壓的要求、容量值、以及要求的品牌即可。例1：Murata貼片電容命名方法例2：Samsung貼片電容命名方法1.序列代碼2.尺寸代碼3.材質(zhì)代碼4.電容值（pF）5.公差精度6.額定電壓7.厚度8.內(nèi)電極、端電極電鍍方式9.產(chǎn)品代碼10.控制代碼（預(yù)留用）11.包裝方式代碼①型號②序列③電容尺寸④高度尺寸⑤溫度特性⑥額定電壓⑦電容量（pF）⑧電容量公差⑨個(gè)別規(guī)格代號⑩包裝方法.27貼片電容的常用命名方法貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片例3：WALSIN貼片電容命名方法比如：1005N0R5A500CG：04020.5PF±0.05pF50V.28例3：WALSIN貼片電容命名方法比如：1005N0R5A貼片電容生產(chǎn)流程.29貼片電容生產(chǎn)流程.29五、電感基礎(chǔ)知識(shí)介紹電感的定義及作用電感的主要特性參數(shù)貼片電感的分類.30五、電感基礎(chǔ)知識(shí)介紹.30電感的定義及作用

電感是導(dǎo)線內(nèi)通過交流電流時(shí)，在導(dǎo)線的內(nèi)部及其周圍產(chǎn)生交變磁通，導(dǎo)線的磁通量與生產(chǎn)此磁通的電流之比。通俗的說就是利用電磁感應(yīng)的原理工作。其主要作用是阻交流通直流，阻高頻通低頻，也就是說高頻信號通過電感線圈時(shí)會(huì)遇到很大的阻力，很難通過，而對低頻信號通過它時(shí)所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號可以較容易的通過，電感線圈對直流電的電阻幾乎為零，其在電路中主要起到濾波、振蕩、延遲等作用；電感的符號與單位

電感符號：L

電感單位：亨(H)、毫亨(mH)、微亨(uH)，1H=103mH=106uH。

.31電感的定義及作用.31電感量L電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。感抗XL電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL。品質(zhì)因素Q品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。采用磁芯線圈，多股粗線圈均可提高線圈的Q值。分布電容

線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。采用分段繞法可減少分布電容。允許誤差：電感量實(shí)際值與標(biāo)稱之差除以標(biāo)稱值所得的百分?jǐn)?shù)。標(biāo)稱電流：指線圈允許通過的電流大小，通常用字母A、B、C、D、E分別表示，標(biāo)稱電流值為50mA、150mA、300mA、700mA、1600mA。電感的主要特性參數(shù).32電感量L電感的主要特性參數(shù).32A.小功率貼片電感器

小功率貼片電感器有三種結(jié)構(gòu)：繞線貼片電感器、多層貼片電感器、高頻貼片電感器。1）繞線貼片電感器

繞線貼片電感器是用漆包線繞在骨架上做成的，根據(jù)不同的骨架材料、不同的匝數(shù)而有不同的電感量等。

2）多層貼片電感器

多層貼片電感器是用磁性材料采用多層生產(chǎn)技術(shù)制成的無繞線電感器，采用鐵氧體膏漿及導(dǎo)電膏漿交替層疊并采用燒結(jié)工藝形成整體單片結(jié)構(gòu)，有密封的磁回路，有磁屏蔽作用。

1.繞線貼片電感2.多層（疊層）貼片電感3）高頻(微波)貼片電感器

高頻(微波)貼片電感器是在陶瓷基片上采用細(xì)密薄膜多層工藝技術(shù)制成，具有高精度(+/-2%~+/-5%)，且寄生電容極小。B.大功率貼片電感器

大功率貼片電感器都是繞線型的，主要用于電源、逆變器中，用作儲(chǔ)能器件或大電流LC濾波器件(降低噪聲電壓輸出)。它由方形或圓形工字形鐵氧體為骨架，采用不同直徑的漆包線繞制成。貼片電感的分類.33A.小功率貼片電感器

貼片電感的分類.33六、貼片LED基礎(chǔ)知識(shí)介紹貼片LED的定義貼片LED的分類貼片LED的正負(fù)極識(shí)別方法貼片LED的內(nèi)部結(jié)構(gòu)光譜貼片LED的關(guān)鍵參數(shù).六、貼片LED基礎(chǔ)知識(shí)介紹.34貼片LED的定義

貼片LED也叫做SMD

LED(貼片發(fā)光二極管），它的發(fā)光原理就是將電流通過化合物半導(dǎo)體，通過電子與空穴的結(jié)合，過剩的能量將以光的形式釋出，達(dá)到發(fā)光的效果。特點(diǎn)：

①發(fā)光原理是屬於冷性發(fā)光,而非藉由加熱或放電發(fā)光，所以元件壽命比鎢絲燈泡長約50~100倍，約十萬小時(shí)。②無需暖燈時(shí)間，點(diǎn)亮響應(yīng)速度比一般電燈快(約3~400ns)。③電光轉(zhuǎn)換效率高，耗電量小，比燈泡省約1/3~1/20的能源消耗。⑤耐震性佳、可靠度高、系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)成本低。⑥易小型、薄型、輕量化，無形狀限制，容易制成各式應(yīng)用。反光二極管的元件符號及正負(fù)極使用過程中一定要注意區(qū)分LED的正負(fù)極

﹢﹣.35貼片LED的定義﹢﹣.35貼片LED的分類

常規(guī)SMDLED封裝一般有如下幾種：金屬支架片式LED(1)金屬支架型：0402、0603、0805、1206、3mm、5mm、6mm等；(2)金屬支架（俗稱小蝴蝶）型：2mm、3mm等；(3)TOPLED(白殼）型：1208（30*20）、1311（35*28）等(4)側(cè)光LED:0905(22*12)、1605（40*14）等

.36貼片LED的分類.36PCB片LED

PCB板型：0402、0603、0805、1206等PCB片LED式我司常用的LED類型，在使用過程中一定要特別注意LED的正負(fù)極，避免出錯(cuò)，導(dǎo)致功能失效或損壞LED。.37PCB片LED.37如何有效區(qū)分LED的正負(fù)極？1.從外觀上直觀區(qū)分當(dāng)拋料手貼或漏件需補(bǔ)焊及不良品LED燈維修時(shí)，應(yīng)特別注意燈的極性。（1）可從燈的引腳端直接識(shí)別的綠色為燈的負(fù)極指向的一端為負(fù)極+正極-負(fù)極+-正極負(fù)極正極負(fù)極正極負(fù)極從正面外觀識(shí)別從背面外觀識(shí)別正極負(fù)極長腳短腳.38如何有效區(qū)分LED的正負(fù)極？指向的一端為負(fù)極+正極-負(fù)極+-（2）可以從燈的外形上直接識(shí)別出缺口的方向?yàn)樨?fù)極.39（2）可以從燈的外形上直接識(shí)別出缺口的方向?yàn)樨?fù)極.392.用萬用表檢測①將黑表筆（負(fù)極）插入萬用表二極管功能COM口，紅表筆插入VΩ一端；②

將萬用表指針打到二極管功能處；③

紅黑表筆互相解碰三次，有較響的

滴-滴聲時(shí)，說明電量充足；④將紅黑表分別放到LED燈的兩焊盤端，觀查是否發(fā)光，能發(fā)光時(shí)，紅表筆對應(yīng)的焊端是燈的正極，黑表筆對應(yīng)的焊端是燈的負(fù)極；⑤第一次不發(fā)光時(shí)，保持LED燈的位置不變，交換紅黑表筆位置，若發(fā)光則紅表筆對應(yīng)的焊端是燈的正極，黑表筆對應(yīng)的焊端是燈的負(fù)極。注意事項(xiàng)：1）由于LED燈是靜電敏感元件，在測試的過程中要戴好防靜電手套,并在有靜電皮的臺(tái)面上操作；2）用表的紅黑表筆一定不要插錯(cuò)位置；3）當(dāng)燈在交換表筆仍不能發(fā)光時(shí)，請檢查兩個(gè)表筆要接觸良好；換兩到三個(gè)燈再測一次；更換15V直流電源，將電壓從2.3V每隔0.5V向上加直到燈亮。.402.用萬用表檢測.40貼片LED的內(nèi)部結(jié)構(gòu)芯片：LED的核心組成部分，是一個(gè)PN結(jié)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，起發(fā)光作用；銀膠：固定芯片，導(dǎo)電和散熱的作用；環(huán)氧樹脂：固定芯片，絕緣和散熱的作用；金線：連接芯片和電極，導(dǎo)電作用；.41貼片LED的內(nèi)部結(jié)構(gòu)芯片：LED的核心組成部分，是一個(gè)PN結(jié)光譜

光是一種電磁波,速度為：30×10000km/s?？梢姽獠ㄩL為780～380nm（納米），紅、橙、黃、綠、藍(lán)、靛、紫。

波長比380nm再短的電磁波是看不見的因?yàn)樗鼈兪窃谧瞎獾摹巴膺叀?，因此叫紫外線。

波長比780nm更長的電磁波也是看不見的因?yàn)樗鼈兪窃诩t光的外邊”，叫紅外線。

原則上看得見的叫“光”，看不見的叫“線”。

紫外線：傷皮膚；

紅外線：傷眼

.42光譜

光是一種電磁波,速度為：30×10000kLED的關(guān)鍵參數(shù)

--波長--正向工作電壓：前向?qū)üぷ麟妷?-正向工作電流：前向?qū)üぷ麟娏?-發(fā)光強(qiáng)度：光源在某一方向立體角內(nèi)之光通量的大小，單位：坎德拉(cd）--色溫：是照明光學(xué)中用于定義光源顏色的一個(gè)物理量。即把某個(gè)黑體加熱到一個(gè)溫度，其發(fā)射的光的顏色與某個(gè)光源所發(fā)射的光的顏色相同時(shí)，這個(gè)黑體加熱的溫度稱之為該光源的顏色溫度，簡稱色溫。其單位用“K”（開爾文溫度單位）表示。

.43LED的關(guān)鍵參數(shù).43七、IC基礎(chǔ)知識(shí)介紹IC的定義IC封裝類型IC方向識(shí)別IC絲印說明.44七、IC基礎(chǔ)知識(shí)介紹.44IC的定義集成電路（IntegratedCircuit，簡稱IC）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母IC表示。.45IC的定義.45IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖.46IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖.46常見IC封裝分類1.QFN—QuadFlatNo-leadPackage四方無引腳扁平封裝（又名LCC）2.SOP—SmallOutlinePackage小外形IC封裝3.TSSOP—ThinSmallShrinkOutlinePackage薄小外形封裝Pin1Pin1Pin1Pin腳數(shù)方向Pin腳數(shù)方向Pin腳數(shù)方向.47常見IC封裝分類1.QFN—QuadFlatNo-le4.QFP—QuadFlatPackage四方引腳扁平式封裝5.TQFP—thinquadflatpackage薄(1.0mm)四方引腳扁平式封裝6.LQFP—Low-profilequadflatpackage薄(1.4mm)四方引腳扁平式封裝7.BGA—BallGridArrayPackage球柵陣列式封裝8.CSP—ChipScalePackage芯片尺寸級封裝Pin1Pin腳數(shù)方向Pin腳數(shù)方向Pin腳數(shù)方向Pin1Pin1.484.QFP—QuadFlatPackage四方引腳扁Thanks

.49Thanks.49電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)部門：品質(zhì)部版本：V0.0.50電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)部門：品質(zhì)部.1★掌握電子元器件的基本性能參數(shù)概況★了解電子元器件基本結(jié)構(gòu)★了解電子元器件的各參數(shù)對電路的影響★了解電子元器件應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng)通過本課程的學(xué)習(xí)，您將能夠：課程學(xué)習(xí)目標(biāo).★掌握電子元器件的基本性能參數(shù)概況通過本課程的學(xué)習(xí)，您將能夠51★概述★電子元器件的質(zhì)量因素★貼片電阻基礎(chǔ)知識(shí)介紹★貼片電容基礎(chǔ)知識(shí)介紹★貼片電感基礎(chǔ)知識(shí)介紹★L(fēng)ED基礎(chǔ)知識(shí)介紹★IC基礎(chǔ)知識(shí)介紹目錄.★概述目錄.52一、概述電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的地位★電子元器件的技術(shù)進(jìn)步會(huì)促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展★電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的重要地位.一、概述.53電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的地位電子元器件的技術(shù)進(jìn)步會(huì)促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)代新技術(shù)的興起,是以新材料、新工藝和新型電子元器件為支柱的，其中新型電子元器件可以說是新技術(shù)的基礎(chǔ)。實(shí)踐證明，一種新型元器件的誕生，不僅可以促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，還可能引發(fā)一場技術(shù)革命。當(dāng)你打一個(gè)手機(jī)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)它是由許多新型電子元器件組成的，這些元器件都是近幾年生產(chǎn)出來的技術(shù)精華，正是它們的技術(shù)進(jìn)步，才會(huì)使去粗大、笨重、功能簡單的移動(dòng)電話變成現(xiàn)在小巧靈便、功能強(qiáng)大的手機(jī)電子計(jì)算機(jī)的發(fā)展又是一個(gè)很好的例子，電子計(jì)算機(jī)從誕生到現(xiàn)在不過50多年，但它的發(fā)展迅速，使其成為20世紀(jì)人類科學(xué)技術(shù)的最卓越的成就之一，電子計(jì)算機(jī)發(fā)展如此神速的主要原因，是基礎(chǔ)電子元器件從電子管到超大集成電路的發(fā)展中，有過多次重大的技術(shù)進(jìn)步。電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的重要地位電子工業(yè)是國民經(jīng)濟(jì)中的戰(zhàn)略性工業(yè)，而其基礎(chǔ)是電子元器件產(chǎn)業(yè)，電子元器件是一個(gè)品種眾多、數(shù)量龐大的電子基礎(chǔ)產(chǎn)品，任何一個(gè)電子裝置、設(shè)備或系統(tǒng)都離不開它，它已廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域，因而可以說，電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中占有極為重要的地位。.54電子元器件在國民經(jīng)濟(jì)中的地位電子元器件的技術(shù)進(jìn)步會(huì)促進(jìn)科學(xué)技二、電子元器件的質(zhì)量因素溫度系數(shù)噪聲電動(dòng)勢和噪聲系數(shù)高頻特性機(jī)械強(qiáng)度可焊性可靠性.二、電子元器件的質(zhì)量因素溫度系數(shù).55電子元器件的質(zhì)量參數(shù)電子元器件除有特性參數(shù)及規(guī)格參數(shù)外，往往還有專門規(guī)定的質(zhì)量參數(shù)，用它來描述元器件特性參數(shù)和規(guī)格參數(shù)隨環(huán)境因素變化的規(guī)律。電子元子器件的質(zhì)量參數(shù)包括溫度系數(shù)、噪聲電動(dòng)勢、高頻特性、機(jī)械強(qiáng)度、可焊性及可靠性等。溫度系數(shù)電子元器件的特性及規(guī)格參數(shù)會(huì)隨使用環(huán)境溫度的變化而變化，溫度每變化1℃，溫度系數(shù)描述了元器件的數(shù)值穩(wěn)定性,溫度系數(shù)越小,它的數(shù)值越穩(wěn)定,溫度系還有正負(fù)之分,正溫度系數(shù)表示,當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)元器件的數(shù)值增加,負(fù)溫度系數(shù)表示,當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)元器件的數(shù)值減少.電子元器件的溫度系數(shù)主要取決于元器件的制作材料,例如碳膜電阻器的溫度系數(shù)較大,為1500X10-6/℃,而精密繞線電阻器的溫度系數(shù)卻很小,僅為10X10-6/℃.除了制件材料外,元器件的結(jié)構(gòu)及制件工藝等因素也會(huì)對溫度系數(shù)產(chǎn)生影響.噪聲電動(dòng)勢和噪聲系數(shù)在電子設(shè)備中,放大器的輸出端輸出有用的信號外,還同時(shí)輸出有害的干擾信號.這種干擾信號有的是從電子設(shè)備外部產(chǎn)生的,如雷電、工業(yè)設(shè)備的打火放電都會(huì)通過電磁波輻射，由電子設(shè)備接收、放大后形成干擾信號，有的干擾信號是由電子設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的，電子元器件和電路本身都會(huì)產(chǎn)生干擾信號，由電子設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的這種干擾信號通常中做內(nèi)部噪聲。.56電子元器件的質(zhì)量參數(shù)電子元器件除有特性參數(shù)及規(guī)格參數(shù)外，往內(nèi)部噪聲主要由各種電子元器件產(chǎn)生的。我們知道，導(dǎo)體內(nèi)部的自由電子在一定的溫度范圍總是處于無規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng)狀態(tài)之中，從而在導(dǎo)體內(nèi)部形成了方向及大小都隨時(shí)間不斷變化的“無規(guī)則”的電流，并在導(dǎo)體的等效電阻兩端生產(chǎn)噪聲電動(dòng)勢。噪聲電動(dòng)勢是隨機(jī)變化的，它在很寬的頻率范圍內(nèi)都起作用，由于這種噪聲是自由電子的熱運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的，通常把它叫熱噪聲。除了熱噪聲之外，各種電子元器件由于制造材料、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及生產(chǎn)工藝的不同，還會(huì)產(chǎn)生其他類型的噪聲，例如：碳膜電阻因碳粒之間的放電而產(chǎn)生的噪聲，半導(dǎo)體管內(nèi)部載流子產(chǎn)生的散粒噪聲等。通常用信噪比來描述電阻、電容、電感等無源元件的噪聲程度，即：信噪比=S/N式中：S——元件兩端所加信號電壓；

N——元件內(nèi)部所產(chǎn)生的噪聲電動(dòng)勢。對于半導(dǎo)體管或集成電路等有源器件的噪聲，則用系來衡量，即：噪聲系數(shù)（F）=（Si/Ni）/（S0/N0）式中：Si/Ni——輸入端信噪比

S0/N0——輸入端信噪比.57內(nèi)部噪聲主要由各種電子元器件產(chǎn)生的。我們知道，導(dǎo)體內(nèi)部的自由高頻特性在不同的工作頻率條件下,電子元器件會(huì)出現(xiàn)不同的頻率響應(yīng),這種現(xiàn)象主要是同制造元器件時(shí)所使用的材料及元器件結(jié)構(gòu)所造成的.在通常條件下,在分析電路時(shí)往往把電子元器件做為理想元件來考濾,但當(dāng)它處于高頻狀態(tài)時(shí),原來不突出的特性就會(huì)表現(xiàn)出來,例如,線繞電阻在直流或低頻電路中工作時(shí),可以被看成理想電阻,而當(dāng)它工作在高頻時(shí),線繞電阻繞組形成的電感及分布電容便被突出出來,當(dāng)頻率足夠時(shí),其電抗值就會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電阻值,除此之外,元器件的排列布置結(jié)構(gòu)也應(yīng)慎重,否則也會(huì)產(chǎn)生不同的頻率響應(yīng).機(jī)械強(qiáng)度電子元器件的機(jī)械強(qiáng)度是重要的參數(shù)之一.電子元器件被裝入電子設(shè)備,便會(huì)同設(shè)備一起經(jīng)受使用環(huán)境的考驗(yàn),若設(shè)備內(nèi)電子元器件的機(jī)械強(qiáng)度不高,就會(huì)在設(shè)備使用過程中受振動(dòng)或沖擊的作用時(shí)發(fā)生斷裂.使電子設(shè)備無法正常工作,在惡劣條件下使用的電子設(shè)備,應(yīng)選用機(jī)械強(qiáng)度高的元器件.可焊性可焊性也是電子元器件的質(zhì)量參數(shù)之一,電子元器件的“虛焊”是造成電子設(shè)備故障的常見原因之一。造成電子元器件“虛焊”的原因有兩個(gè)方面：一方面是元器件的可焊性差，另一方面就是焊接元器件的工藝水平低下?？煽啃钥煽啃允请娮釉骷囊豁?xiàng)重要的指標(biāo)。電子元器件的高可靠性體現(xiàn)在一些性能指標(biāo)上，如壽命、功率、高頻特性、抗機(jī)械應(yīng)力特性、抗靜電性、抗輻射性能、耐壓性及適應(yīng)環(huán)境的能力等。概括地說，就是在規(guī)定的條件下，在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定的性能作用的能力，這種能力的大小就是可靠性。.58高頻特性.9三、電阻基礎(chǔ)知識(shí)介紹電阻/貼片電阻的基本定義貼片電阻的封裝尺寸貼片電阻的結(jié)構(gòu)構(gòu)成貼片電阻的常見命名方法貼片電阻的主要特性參數(shù).三、電阻基礎(chǔ)知識(shí)介紹.59電阻的定義

電阻（Resistance，通常用“R”表示），是一個(gè)物理量，在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體的電阻越大，表示導(dǎo)體對電流的阻礙作用越大。那么具有一定阻值、幾何形狀和一定技術(shù)性能的能夠?qū)νㄟ^電路的電流產(chǎn)生阻礙作用的電子元件就叫做電阻器。電阻器（Resistor）在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個(gè)限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是固定的，一般是兩個(gè)引腳，它可限制通過它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。用符號R表示，單位為歐姆、千歐、兆歐，分別用Ω、KΩ、MΩ表示。貼片電阻

片式固定電阻器，從Chip

Fixed

Resistor直接翻譯過來的，俗稱貼片電阻(SMD

Resistor),是金屬玻璃鈾電阻器中的一種。是將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上制成的電阻器。

特點(diǎn)：體積小，重量輕適應(yīng)再流焊與波峰焊電性能穩(wěn)定，可靠性高裝配成本低，并與自動(dòng)裝貼設(shè)備匹配機(jī)械強(qiáng)度高、高頻特性優(yōu)越.60電阻的定義.11英制

(inch)公制

(mm)長(L)

(mm)寬(W)

(mm)高(t)

(mm)a

(mm)b

(mm)額定功率@70°C020106030.60±0.050.30±0.050.23±0.050.10±0.050.15±0.051/20W040210051.00±0.100.50±0.100.30±0.100.20±0.100.25±0.101/16W060316081.60±0.150.80±0.150.40±0.100.30±0.200.30±0.201/16W,1/20W080520122.00±0.201.25±0.150.50±0.100.40±0.200.40±0.201/10W,1/8W120632163.20±0.201.60±0.150.55±0.100.50±0.200.50±0.201/8W,1/4W121032253.20±0.202.50±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.201/4W,1/3W181248324.50±0.203.20±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.201/2W201050255.00±0.202.50±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.201/2W,3/4W251264326.40±0.203.20±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.201W貼片電阻封裝尺寸備注：我們俗稱的封裝是指英制，尺寸公差不同的廠家存在一定的差異。.61英制

(inch)公制

(mm)長(L)

(mm)寬(W)

貼片電阻結(jié)構(gòu)構(gòu)成結(jié)構(gòu)層主要成分①陶瓷基片Substrate 三氧化二鋁Al2O3②面電極Face-Electrode 銀-鈀電極Ag-Pd③背電極ReverseElectrode銀電極Ag ④電阻體ResistiveElement氧化釕、玻璃Rutheniumoxide，glass⑤一次保護(hù)層1stprotectivecoating玻璃Glass ⑥二次保護(hù)層2stprotectivecoating玻璃/樹脂Glass/Resin ⑦標(biāo)記Marking 玻璃/樹脂Glass/Resin ⑧端電極Termination 銀電極/鎳鉻合金Ag/Ni-Cr ⑨中間電極BetweenTermination鎳層NiPlating ⑩外部電極OuterTermination錫層SnPlating .62貼片電阻結(jié)構(gòu)構(gòu)成結(jié)構(gòu)層主要成分①陶瓷基片三氧化二鋁②面電極國內(nèi)貼片電阻的命名方法例子：1、RS-05K102JT2、RS-05K1002FT

R－表示電阻S－表示功率：0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。05－表示尺寸(英寸)：

02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示2010、12表示2512K－表示溫度系數(shù)為100PPM

102前兩位表示有效數(shù)字，第三位表示10的N次方，基本單位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002前三位表示有效數(shù)字，第四位表示10的N次方，基本單位是Ω，1002＝10000Ω＝10KΩ。J－表示誤差精度

F表示±l％；G表示±2％；J表示±5％；K表示±10％T－表示編帶包裝.63國內(nèi)貼片電阻的命名方法例子：.14實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中只標(biāo)寫102，1002為了區(qū)分是精度為±5％，±1％的電阻，于是±5％，±1％的電阻分別用3位，4位數(shù)來表示。這樣也就是說102=1K?精度為±5％1002=10K?精度為±1％0.22Ω=0.22R=R22*(只要是R在最前面，即表示阻值小于1Ω。)2.2Ω=2R222Ω=22R22.1Ω=22R1220Ω=220R*(只要是出現(xiàn)R或R在最后面，即表示阻值小于1K。)貼片電阻的主要特性參數(shù)--阻值--精度--尺寸.64實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中只標(biāo)寫102，1002貼片電阻的主要特性參數(shù).貼片電阻生產(chǎn)流程.65貼片電阻生產(chǎn)流程.16四、貼片電容基礎(chǔ)知識(shí)介紹貼片電容的基本定義貼片電容的結(jié)構(gòu)構(gòu)成貼片電容的封裝尺寸貼片電容的分類貼片電容的常見命名方法.四、貼片電容基礎(chǔ)知識(shí)介紹.66貼片電容的定義

多層片式陶瓷電容器（MultilayerCeramicCapacitor，MLCC）,簡稱貼片電容，是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合而成，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成我們常說的貼片電容。

用符號C表示，在國際單位制里，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是F，由于法拉這個(gè)單位太大，所以常用的電容單位有毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）等。換算關(guān)系是：1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）1微法（μF）=1000納法（nF）=1000000皮法（pF）。

特點(diǎn)：隔直流同交流

體積小，容量大

壽命長，可靠性高

適合表面貼裝（SMT）

無極性

擊穿時(shí)不燃燒爆炸，安全性高

.67貼片電容的定義.18貼片電容的結(jié)構(gòu)構(gòu)成

陶瓷介質(zhì)內(nèi)電極外電極.68貼片電容的結(jié)構(gòu)構(gòu)成陶瓷介質(zhì)內(nèi)電極外電極.19貼片電容封裝尺寸英制(inch)公制（mm）長度L（mm）寬度W（mm）010050.40±0.20±02010.60±0.30±040210051.00±0.50±060316081.60±0.80±080520122.00±1.25±120632163.20±1.60±121032253.20±2.50±181245324.50±3.20±備注：我們俗稱的封裝是指英制，尺寸公差不同的廠家存在一定的差異。.69貼片電容封裝尺寸英制(inch)公制（mm）長度L（mm）寬貼片電容的分類溫度穩(wěn)定性分類材質(zhì)溫度范圍溫度系數(shù)超穩(wěn)定級I級COG或NPO-55~125℃0±30ppm/℃COH-55~125℃0±60ppm/℃穩(wěn)定級II級X5R-55~85℃±15%X7R-55~125℃±15%能用級III級Z5U10~85℃﹢22%,-56%Y5V-30~85℃+22%,-82%.70貼片電容的分類溫度穩(wěn)定性分類材質(zhì)溫度范圍溫度系數(shù)超穩(wěn)定級I級NPO電容NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。封裝DC=50VDC=100V08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。.71NPO電容.22X7R電容X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到125℃時(shí)其容量變化為15%，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。封裝DC=50VDC=100V0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF.72X7R電容.23Z5U電容Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達(dá)每10年下降5%。盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。封裝DC=25VDC=50V08050.01μF---0.12μF0.01μF---0.1μF12060.01μF---0.33μF0.01μF---0.27μF12100.01μF---0.68μF0.01μF---0.47μF22250.01μF---1μF0.01μF---1μFZ5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍10℃---85℃溫度特性22%-----56%.73Z5U電容.24Y5V電容Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μF電容器。Y5V電容器的取值范圍如下表所示封裝DC=25VDC=50V08050.01μF---0.39μF0.01μF---0.1μF12060.01μF---1μF0.01μF---0.33μF12100.1μF---1.5μF0.01μF---0.47μF22250.68μF---2.2μF0.68μF---1.5μFY5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:工作溫度范圍-30℃---85℃溫度特性22%-----82%.74Y5V電容.25主要MLCC主要生產(chǎn)廠家：日本京瓷（

KYOCERA）、村田（Murata）、TDK；韓國三星（SAMSUNG）；國巨（YAGEO）、華新科（WALSIN）；大陸有名的則是宇陽（EYANG）、風(fēng)華高科、三環(huán)。容選形時(shí)需要考慮的因素很多，以下探討了MLCC的電容選形要素。選型要素-參數(shù)：電容值、容差、耐壓、使用溫度、尺寸-材質(zhì)介質(zhì)的性能-C0G電容器具有高溫度補(bǔ)償特性，適合作旁路電容和耦合電容-X7R電容器是溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業(yè)應(yīng)用-Z5U電容器特點(diǎn)是小尺寸和低成本，尤其適合應(yīng)用于去耦電路-Y5V電容器溫度特性最差，但容量大，可取代低容鋁電解電容貼片電容的選型.75主要MLCC主要生產(chǎn)廠家：日本京瓷（KYOCERA）、村貼片電容的常用命名方法

貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、材質(zhì)、精度、耐電壓、容量、端頭的要求以及包裝的要求。一般訂購貼片電容需提供的參數(shù)要有尺寸的大小、要求的精度、電壓的要求、容量值、以及要求的品牌即可。例1：Murata貼片電容命名方法例2：Samsung貼片電容命名方法1.序列代碼2.尺寸代碼3.材質(zhì)代碼4.電容值（pF）5.公差精度6.額定電壓7.厚度8.內(nèi)電極、端電極電鍍方式9.產(chǎn)品代碼10.控制代碼（預(yù)留用）11.包裝方式代碼①型號②序列③電容尺寸④高度尺寸⑤溫度特性⑥額定電壓⑦電容量（pF）⑧電容量公差⑨個(gè)別規(guī)格代號⑩包裝方法.76貼片電容的常用命名方法貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片例3：WALSIN貼片電容命名方法比如：1005N0R5A500CG：04020.5PF±0.05pF50V.77例3：WALSIN貼片電容命名方法比如：1005N0R5A貼片電容生產(chǎn)流程.78貼片電容生產(chǎn)流程.29五、電感基礎(chǔ)知識(shí)介紹電感的定義及作用電感的主要特性參數(shù)貼片電感的分類.79五、電感基礎(chǔ)知識(shí)介紹.30電感的定義及作用

電感是導(dǎo)線內(nèi)通過交流電流時(shí)，在導(dǎo)線的內(nèi)部及其周圍產(chǎn)生交變磁通，導(dǎo)線的磁通量與生產(chǎn)此磁通的電流之比。通俗的說就是利用電磁感應(yīng)的原理工作。其主要作用是阻交流通直流，阻高頻通低頻，也就是說高頻信號通過電感線圈時(shí)會(huì)遇到很大的阻力，很難通過，而對低頻信號通過它時(shí)所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號可以較容易的通過，電感線圈對直流電的電阻幾乎為零，其在電路中主要起到濾波、振蕩、延遲等作用；電感的符號與單位

電感符號：L

電感單位：亨(H)、毫亨(mH)、微亨(uH)，1H=103mH=106uH。

.80電感的定義及作用.31電感量L電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。感抗XL電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL。品質(zhì)因素Q品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。采用磁芯線圈，多股粗線圈均可提高線圈的Q值。分布電容

線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。采用分段繞法可減少分布電容。允許誤差：電感量實(shí)際值與標(biāo)稱之差除以標(biāo)稱值所得的百分?jǐn)?shù)。標(biāo)稱電流：指線圈允許通過的電流大小，通常用字母A、B、C、D、E分別表示，標(biāo)稱電流值為50mA、150mA、300mA、700mA、1600mA。電感的主要特性參數(shù).81電感量L電感的主要特性參數(shù).32A.小功率貼片電感器

小功率貼片電感器有三種結(jié)構(gòu)：繞線貼片電感器、多層貼片電感器、高頻貼片電感器。1）繞線貼片電感器

繞線貼片電感器是用漆包線繞在骨架上做成的，根據(jù)不同的骨架材料、不同的匝數(shù)而有不同的電感量等。

2）多層貼片電感器

多層貼片電感器是用磁性材料采用多層生產(chǎn)技術(shù)制成的無繞線電感器，采用鐵氧體膏漿及導(dǎo)電膏漿交替層疊并采用燒結(jié)工藝形成整體單片結(jié)構(gòu)，有密封的磁回路，有磁屏蔽作用。

1.繞線貼片電感2.多層（疊層）貼片電感3）高頻(微波)貼片電感器

高頻(微波)貼片電感器是在陶瓷基片上采用細(xì)密薄膜多層工藝技術(shù)制成，具有高精度(+/-2%~+/-5%)，且寄生電容極小。B.大功率貼片電感器

大功率貼片電感器都是繞線型的，主要用于電源、逆變器中，用作儲(chǔ)能器件或大電流LC濾波器件(降低噪聲電壓輸出)。它由方形或圓形工字形鐵氧體為骨架，采用不同直徑的漆包線繞制成。貼片電感的分類.82A.小功率貼片電感器

貼片電感的分類.33六、貼片LED基礎(chǔ)知識(shí)介紹貼片LED的定義貼片LED的分類貼片LED的正負(fù)極識(shí)別方法貼片LED的內(nèi)部結(jié)構(gòu)光譜貼片LED的關(guān)鍵參數(shù).六、貼片LED基礎(chǔ)知識(shí)介紹.83貼片LED的定義

貼片LED也叫做SMD

LED(貼片發(fā)光二極管），它的發(fā)光原理就是將電流通過化合物半導(dǎo)體，通過電子與空穴的結(jié)合，過剩的能量將以光的形式釋出，達(dá)到發(fā)光的效果。特點(diǎn)：

①發(fā)光原理是屬於冷性發(fā)光,而非藉由加熱或放電發(fā)光，所以元件壽命比鎢絲燈泡長約50~100倍，約