光刻與刻蝕工藝

lithographyIntroduction光刻潔凈室工藝流程光刻機光刻膠掩膜版圖形曝光與刻蝕

圖形曝光（lithography，又譯光刻術）利用掩膜版（mask）上的幾何圖形，通過光化學反應，將圖案轉移到覆蓋在半導體晶片上的感光薄膜層上（稱為光致抗蝕劑、光刻膠或光阻，resist，簡稱抗蝕劑）的一種工藝步驟這些圖案可用來定義集成電路中各種不同區(qū)域，如離子注入、接觸窗（contactwindow）與壓焊（bonding－pad）區(qū)。

刻蝕由圖形曝光所形成的抗蝕劑圖案，并不是電路器件的最終部分，而只是電路圖形的印模。為了產生電路圖形，這些抗蝕劑圖案必須再次轉移至下層的器件層上。這種圖案轉移（patterntransfer）是利用腐蝕（etching）工藝，選擇性地將未被抗蝕劑掩蔽的區(qū)域去除。圖形曝光與刻蝕ULSI對光刻有哪些基本要求？高分辨率在集成電路工藝中，通常把線寬作為光刻水平的標志，一般也可以用加工圖形線寬的能力來代表集成電路的工藝水平。高靈敏度的光刻膠光刻膠的靈敏度是指光刻膠的感光速度。產品的產量曝光時間確保光刻膠各項屬性均為優(yōu)異的前提下，提高光刻膠的靈敏度ULSI對光刻有哪些基本要求？

低缺陷缺陷關系成品率精密的套刻對準集成電路芯片的制作需要經過多次光刻，在各次曝光圖形之間要相互套準。ULSI的圖形線寬在1um以下，通常采用自對準技術。大尺寸硅片上的加工ULSI的芯片尺寸為1～2cm2提高經濟效益和硅片利用率潔凈室（1）潔凈室（2）

潔凈室的等級定義方式：（1）英制系統(tǒng)：每立方英尺中直徑大于或等于0.5um的塵埃粒子總數(shù)不準超過設計等級數(shù)值。（2）公制系統(tǒng)每立方米中直徑大于或等于0.5um的塵埃粒子總數(shù)不準超過設計等級數(shù)值（以指數(shù)計算，底數(shù)為10）。潔凈室（3）

例子：（1）等級為100的潔凈室（英制），直徑大于或等于0.5um的塵埃粒子總數(shù)不超過100個/ft3（2）等級為M3.5的潔凈室（公制），直徑大于或等于0.5um的塵埃粒子總數(shù)不超過103.5（約3500個/m3)100個/ft3=3500個/m3一個英制等級100的潔凈室相當于公制等級M3.5的潔凈室。潔凈室（4）

對一般的IC制造區(qū)域，需要等級100的潔凈室，約比一般室內空氣低4個數(shù)量級。在圖形曝光的工作區(qū)域，則需要等級10或1的潔凈室。lithographyIntroduction光刻潔凈室工藝流程光刻機光刻膠掩膜版光刻原理（（1）掩膜版圖形形轉移到光刻膠在光刻過程程中，光刻刻膠受到光光輻射之后后發(fā)生光化化學反應，，其內部分分子結構發(fā)發(fā)生變化，，在顯影液中中光刻膠感感光部分與與未感光部部分的溶解解速度相差差非常大。。利用光刻膠膠的這種特特性，就可可以在硅片片的表面涂涂上光刻膠膠薄層，通通過掩膜版版對光刻膠膠輻照，從從而使某些些區(qū)域的光光刻膠感光光之后，再再經過顯影就就可以在光光刻膠上留留下掩膜版版的圖形。。光刻膠圖形形轉移到硅表面的薄薄膜在集成電路路制作中，，利用這層層剩余的光光刻膠圖形形作為保護護膜，可以以對硅表面面沒有被光光刻膠覆蓋蓋的區(qū)域進進行刻蝕，，或者對這這些區(qū)域進進行離子注注入，從而而把光刻膠上的的圖形轉移移到硅表面面的薄膜上上去，由此此形成各種種器件和電電路的結構構，或者對對未保護區(qū)區(qū)進行摻雜雜。光刻原理（（2）光刻原理（（3）光刻三要素素：光刻膠膠、掩膜版版和光刻機機光刻膠又叫叫光致抗蝕蝕劑，它是是由光敏化合物物、基體樹樹脂和有機機溶劑等混合而成成的膠狀液體光刻膠受到到特定波長長光線的作作用后，導導致其化學結構發(fā)發(fā)生變化，使光刻膠膠在某種特特定溶液中中的溶解特特性改變光刻過程的的主要步驟驟：曝光、顯影影、刻蝕Resistcoat(wafertrack)etch(ionimplantation)Develop(wafertrack)Expose(illuminationtool)resiststrippositivetonenegativetonemaskresistsubstrateProcessflowopticallitho光刻工藝過過程涂膠coating前烘prebaking曝光exposure顯影development堅膜postbake刻蝕etch去膠strip檢驗inspection1、涂膠1、涂膠涂膠目的在硅片表面面形成厚度度均勻、附附著性強、、并且沒有有缺陷的光光刻膠薄膜膜。怎樣才能讓讓光刻膠粘粘的牢一些些？可以開始涂涂膠了……怎么涂？旋轉涂膠法法：把膠滴滴在硅片，，然后使硅硅片高速旋旋轉，液態(tài)態(tài)膠在旋轉轉中因離心心力作用由由軸心沿徑徑向（移動動）飛濺出出去，但粘粘附在硅表表面的膠受受粘附力的的作用而留留下。在旋旋轉過程中中膠所含的的溶劑不斷斷揮發(fā)，故故可得到一一層均勻的的膠膜怎樣才算涂涂的好？膜厚均勻，，正膠<2%，負膠<5%涂膠-----轉速Vs膜厚轉速Vs膜厚其中：T表示膜厚，，S表示轉速；；從上式可可以看出，，光刻膠的的膜厚與旋旋轉速度的的平方根成成反比。2、前烘（softbake）－－再次改善光光刻膠粘附附性目的去除膠內的溶溶劑，提高高膠的粘附附力提高膠的抗抗機械摩擦擦的能力減小高速旋旋轉形成的的薄膜應力力條件:溫度：90to120℃時間：60sto120s2、前烘（softbake）－－再次次改善光刻刻膠粘附性性前烘不足光刻膠與硅硅片黏附性性變差因光刻膠中中溶劑含量量過高致使使曝光的精精確度下降降前烘過量延長時間，，產量降低低過高的溫度度使光刻膠膠層的粘附附性會因光光刻膠變脆脆而降低過高的溫度度會使光刻刻膠中的感感光劑發(fā)生生反應，使使光刻膠在在曝光時的的敏感度變變差3、曝光（Exposure）3、曝光（Exposure）曝光光通過掩模版照射，使照照射到的光光刻膠起光光化學反應應感光與未感感光的光刻刻膠對堿性性溶液的溶溶解度不同同掩模版上的的圖案，完完整地傳遞遞(Transfer)到晶片表面面的光阻上上目的：確定圖案的的精確形狀狀和尺寸完成順序兩兩次光刻圖圖案的準確確套制曝光后烘焙焙（PEB）駐波效應定義：入射射光與反射射光間的相相長和相消消干涉造成成的效應影響：曝光光過程中，，在曝光區(qū)區(qū)與非曝光光區(qū)邊界將將會出現(xiàn)駐駐波效應，，影響顯影影后所形成成的圖形尺尺寸和分辨辨率改善措施：：曝光后烘烘焙4、顯影（Development）4、顯影（Development）原理顯影時曝光光區(qū)與非曝曝光區(qū)的光光刻膠不同程度的的溶解顯影過程把已曝光的的硅晶片浸浸入顯影液液中，通過過溶解部分分光刻膠的的方法使膠膜中的潛潛影顯現(xiàn)出來的的過程顯影留下的的光刻膠圖圖形將在后后續(xù)的刻蝕蝕和離子注注入工藝中中作為掩膜4、顯影（Development）顯影方式：：浸漬顯影；；旋轉噴霧顯顯影影響顯影效效果的因素素：a.曝光時間；；b.前烘的溫度度和時間；；c.光刻膠的厚厚度；d.顯影液的濃濃度；e.顯影液的溫溫度；f.顯影液的攪攪拌情況4、顯影（Development）4、顯影（Development）顯影之后的的檢查掩膜版選用用是否正確確光刻膠的質質量是否滿滿足要求（（污染、劃劃痕、氣泡泡和條紋））圖形的質量量（有好的的邊界，圖圖形尺寸和和線寬滿足足要求）套準精度是是否滿足要要求光刻是唯一一可以返工工的工藝步步驟5、堅膜—顯影后必須須進一步增增強光刻膠膠粘附力堅膜在光刻顯影影后，再經經過一次烘烘烤，進一一步將膠內殘留的溶溶劑含量由由蒸發(fā)降到到最低，使使其硬化堅膜的目的的去除光刻膠膠中剩余的的溶劑，增強光刻膠膠對硅片表表面的附著著力提高光刻膠膠在刻蝕和和離子注入入過程中的的抗蝕性和保保護能力5、堅膜—顯影后必須須進一步增增強光刻膠膠粘附力6、去膠6、去膠經過刻蝕或或離子注入入后，將光光刻膠從表表面除去去膠方法濕法去膠有機溶液去去膠不腐蝕金屬屬，去除Al上的光刻膠膠需用有機機溶劑無機溶液去去膠干法去膠等離子體將將光刻膠剝剝除刻蝕效果好好，但有反反應殘留物物玷污問題題，故與濕濕法腐蝕搭搭配使用lithographyIntroduction光刻潔凈室工藝流程光刻機分辨率－曝曝光光源套準光刻膠光刻機光刻機的性性能可由下下面三個參參數(shù)來判別別分辨率光刻機的性性能可由下下面三個參參數(shù)來判別別套準精度產率對一給定的的掩膜版，，每小時能能曝光完成成的晶片數(shù)數(shù)量光刻機光刻機發(fā)展展為兩大類類型，即光光學光刻機機和非光學學光刻機，，如圖所示示。光學光刻機機采用紫外線作為光光源，而非光學光刻刻機的光源則來自自電磁光譜的其他他成分。曝光光源曝光光源普通光源光的波長范范圍大，圖圖形邊緣衍衍射現(xiàn)象嚴嚴重，滿足足不了特征征尺寸的要要求。晶圓生產用用的曝光光光源晶圓生產用用的曝光光光源最廣泛使用用的曝光光光源是高壓汞燈產生的光為為紫外光（（UV）三條發(fā)射線線I線(365nm)H線(405nm)G線(436nm)(0.35um工藝)曝光光源晶圓生產用用的曝光光光源產生的光為為深紫外光光（DUV）氟化氪KrF（248nm）（0.35um,0.25um,0.18CMOS技術）氟化氬ArF（193nm）(0.2um以下工藝））曝光光源曝光光源超細線條光光刻技術甚遠紫外線線(EUV)（13.4nm)電子束光刻刻(波粒二相性性，更多顯顯示粒子性性）以上兩種曝曝光光源比比較有前景景，可以對對亞100nm，亞50nm的特征尺寸寸進行光刻刻X射線離子束光刻刻光學曝光方方法光學曝光方方法遮蔽式曝光光接觸式曝光光提供約1um的分辨率對掩膜版造造成損傷接近式曝光光可以減小掩掩膜版損傷傷間隙會在掩掩膜版圖案案邊緣造成成光學衍射射分辨率降低低至2um～5um光學曝光方方法光學曝光方方法投影式曝光光利用投影的的方法，將將掩膜版上上圖案投影影至相距好好幾厘米的的晶片上。。（a）晶片整片片掃描（b）1：1步進重復光學曝光方方法lithographyIntroduction光刻潔凈室工藝流程光刻機分辨率－曝曝光光源套準光刻膠套準精度對準把所需圖形形在晶園表表面上定位位或對準。。如果說光刻刻膠是光刻刻工藝的“材料”核心，那么對準準和曝光則則是該工藝藝的“設備”核心。圖形的準準確對準是是保證器件件和電路正正常工作的的決定性因因素之一。。對準法則第一次光刻刻只是把掩膜膜版上的Y軸與晶園上上的平邊成成90o，如圖所示示。接下來的掩掩膜版都用用對準標記與上一層帶帶有圖形的的掩膜對準。。對準標記記是一個特殊的圖圖形（見圖圖），分布在每個個芯片圖形形的邊緣。經過光刻工工藝對準標標記就永遠留留在芯片表表面，同時時作為下一一次對準使使用。對準標記未對準種類類：(a)X方向(b)轉動(c)伸出lithographyIntroduction光刻潔凈室工藝流程光刻機光刻膠掩膜版光刻膠的基基本屬性主要有兩種種光刻膠：：正膠：曝光后顯顯影時曝光光部分被溶溶解，而沒沒有曝光的的部分留下下來——鄰疊氮醌類類負膠：曝光后顯顯影時沒有有曝光部分分被溶解，，而曝光的的部分留下下來——聚乙烯醇肉肉桂酸酯和和聚乙烯氧氧乙基肉桂桂酸酯基本光刻技技術*實際工藝中中正膠用的的比較多，，why?a.分辨率高b.抗干法腐蝕蝕的能力較較強c.抗熱處理的的能力強d.可用水溶液液顯影，溶溶漲現(xiàn)象小小e.可涂得較厚厚(2-3um)不影響分辨辨率，有較較好臺階覆覆蓋性f.適合1：1及縮小的投投影光刻負膠也有一一些優(yōu)點，，如:粘附性好，，抗?jié)穹ǜg能力強強等光刻膠的主要成分分1.樹脂(高分子聚合合物)光照不發(fā)生生反應，保保證光刻膠膠薄膜的附附著性和抗抗腐蝕性，，決定光刻刻膠薄膜的的膜厚、彈彈性和熱穩(wěn)穩(wěn)定性等光刻膠的主要成分分2.光敏劑（PAC）受光輻照之之后會發(fā)生生化學反應應光刻膠的主要成分分3.溶劑使光刻膠在在涂到硅片片表面之前前保持為液液態(tài)光刻膠的基基本屬性光學性質光敏度，折折射率力學和化學學性質固溶度、粘粘滯度、粘粘著度、抗抗腐蝕性、、熱穩(wěn)定性性、流動性性和對環(huán)境境的敏感度度其它特性純度、金屬屬含量、可可應用的范范圍、儲存存的有效期期和燃點對比度對比度會直直接影響到到曝光后光光刻膠膜的的傾角和線線寬。光刻膠的對對比度越高高，光刻膠膠層的側面面越陡，線線寬描述掩掩模尺寸的的準確度就就越高。且且陡峭的光光刻膠在干干法刻蝕中中可以減小小刻蝕過程程中的鉆蝕蝕效應，從從而提高分分辨率。光刻膠的基基本屬性光刻膠的膨膨脹在顯影過程程中，若顯顯影液滲透透到光刻膠膠中，光刻膠的體體積就會膨膨脹，這將導致致圖形尺寸寸發(fā)生變化化，影響分辨率率。正膠不發(fā)生生膨脹，負負膠發(fā)生膨膨脹現(xiàn)象。故正膠分分辨率高于于負膠，負負膠可通過過減小厚度度來提高分分辨率在相同的分分辨率下，，與負膠相相比可以使使用較厚的的正膠，從而得到到更好的平平臺覆蓋并并能降低缺缺陷的產生生，同時抗抗干法刻蝕蝕的能力也也更強。光刻膠的基基本屬性光刻膠的基基本屬性光敏度指光刻膠完完成所需圖圖形曝光的的最小曝光光劑量曝光劑量（（mj/cm2）＝光強（（單位面積積的功率））×曝光時間光敏度由曝曝光效率決決定曝光效率：：參與光刻刻膠曝光的的光子能量量與進入光光刻膠中的的光子能量量的比值正膠比負膠膠有更高的的曝光效率率，故正膠的的光敏度大大，光敏度度大可減小小曝光時間間光刻膠的基基本屬性抗刻蝕能力力圖形轉移時時，光刻膠膠抵抗刻蝕蝕的能力。。光刻膠對濕濕法腐蝕有有比較好的的抗腐蝕能能力，對大大部分的干干法刻蝕，，光刻膠的的抗刻蝕能能力則比較較差熱穩(wěn)定性通常干法刻刻蝕的工作作溫度比濕濕法腐蝕要要高，所以以光刻膠應應能夠承受受200℃以上的工作作溫度光刻膠的基基本屬性黏著力在刻蝕過程程中，如果果光刻膠黏黏附不牢就就會發(fā)生鉆蝕和浮膠膠，這將直接接影響光刻刻的質量，，甚至使整整個圖形丟丟失。增強黏附性性的方法：：1.涂膠前脫水水處理2.使用增粘劑劑（HMDS)3.提高堅膜的的循環(huán)溫度度光刻膠的基基本屬性光刻膠的溶溶解度光刻膠是由由溶劑溶解解了固態(tài)物物質（如樹樹脂）所形形成的液體體，其中溶溶解的固態(tài)態(tài)物質所占占的比重稱稱為溶解度度光刻膠的粘粘滯度影響甩膠后后光刻膠膜膜厚光刻膠的基基本屬性微粒數(shù)量和和金屬含量量光刻膠的純純凈度與光刻膠中中的微粒數(shù)數(shù)量和金屬屬含量有關關。光刻膠的生生產過程中中需要經過過嚴格的過過濾和包裝裝，且需要要在使用前前過濾。隨隨存儲時間間的增加，，光刻膠中中的微粒數(shù)數(shù)量還會繼繼續(xù)增加。。光刻膠中的的金屬含量量主要指鈉和鉀的含含量，鈉和鉀會會帶來污染染，降低器器件的性能能。儲存壽命光刻膠中的的成分隨時時間和溫度度發(fā)生變化化通常正膠的的壽命高于于負膠的在存儲期間間，由于交交叉鏈接的的作用，正正膠中的高高分子成分分會增加，，感光劑不不可溶，結結晶成沉淀淀物。光刻膠的基基本屬性lithographyIntroduction光刻潔凈室工藝流程光刻機光刻膠掩膜版掩膜版掩膜版上的的圖形代表表一層IC設計，將綜綜合的布局圖按照照IC工藝分成各層掩膜版版，如隔離離區(qū)為一層、柵柵極區(qū)為另另一層等，這些些掩膜版的的組合就是一組組IC工藝流程。。掩膜板的制制造傳統(tǒng)掩膜版版是在石英英板上淀積積薄的鉻(ge)層，在鉻層上形成成圖形。掩膜版是由由電子束或者激光束直接接刻寫在鉻層上的的。通常，制作作一個完整整的ULSI芯片需要20到25塊不同的掩掩膜。掩膜版的構構成石英玻璃板板鉻層鉻鉻的氮化物物或氧化物物+鉻+抗反射層掩膜版的保保護膜：密密封掩膜版版，防止空空氣中的微微粒以及其其它形式的的污染掩膜板的制制造掩膜板的制制造掩膜版好壞壞的關鍵因因素：缺陷陷密度缺陷的產生生原因制造掩膜版版時產生圖形曝光時時產生缺陷密度對對IC成品率的影影響其中：D為每單位面面積致命缺缺陷的平均均數(shù)，A為IC芯片的面積積，N為掩膜版的的層數(shù)要提高大面積芯片片的成品率，掩膜膜版的檢查與清洗是非常重要要的。分辨率增強強技術－移移相掩膜移相掩膜（（phase-shiftingmask,PSM)在IC工藝中，光學圖形曝曝光系統(tǒng)追求較佳的的分辨率、、較深的聚聚焦深度與與較廣的曝曝光寬容度度基本原理是是在掩膜版版的某些透透明圖形上上增加或減減少一個透透明的介質質層，稱為為移相器，，使光波通通過這個介介質層后產產生180度的相位差差，與鄰近近透明區(qū)域域透過的光光波產生干干涉，從而而抵消圖形形邊緣的光光衍射效應應，提高曝光的的分辨率。lithographyIntroduction光刻刻蝕濕法刻蝕干法刻蝕什么叫刻蝕蝕？刻蝕——把進行光刻刻前所沉積積的薄膜中中沒有被光光刻膠覆蓋蓋及保護的的部分，以以化學反應應或是物理理作用的方方式加以去去除，以完完成轉移掩掩膜圖案到到薄膜上面面的目的。?？涛g分類濕法刻蝕（（WETETCHING）：利用液態(tài)化化學試劑或或溶液通過過化學反應進行刻蝕的的方法干法刻蝕（（DRYETCHING）：主要指利用用低壓放電電產生的等等離子體中中的離子或或游離基(處于激發(fā)態(tài)態(tài)的分子、、原子及各各種原子基基團等)與材料發(fā)生化學反反應或通過轟擊擊等物理作用而達到刻蝕蝕的目的刻蝕術語BIAS（偏差）腐蝕后的圖圖形與版圖圖的水平偏偏差。TOLERANCE（容差）各批圖形間間的偏差。。ETCHINGRATE（腐蝕速率率均勻度））=（最高速速率-最低速率））/（最高速率率+最低速率））*100%OVERETCHING（過腐蝕））SELECTIVITY（選擇性））SFS=腐蝕FILM速率/腐蝕SUBSTRATE速率會出現(xiàn)光刻刻膠的鉆蝕蝕---方向性腐蝕劑會腐腐蝕襯底而而改變襯底底形貌---選擇性lithographyIntroduction光刻刻蝕濕法刻蝕干法刻蝕刻蝕濕法腐蝕：：濕法化學刻刻蝕在半導導體工藝中中有著廣泛泛應用優(yōu)點是選擇性好、重復性好好、生產效效率高、設設備簡單、、成本低缺點是鉆蝕蝕嚴重、各向同性腐腐蝕，對圖形的的控制性較較差在工業(yè)生產產中一般以以3um線寬為界限限，小于3um普遍應用干干法刻蝕技技術。各向同性和和異性假設hf為下層材料料的厚度，，l為抗蝕劑底底下的側面面鉆蝕距離離，可以定定義各向異異性的比值值Af為：其中中：：t為時時間間，，而而Rl和Rv則分分別別為為水水平平方方向向與與垂垂直直方方向向腐腐蝕蝕的的速速率率；；對對各各向向同同性性腐腐蝕蝕而而言言，，Rl＝Rv，Af＝0；對對各各向向異異性性腐腐蝕蝕的的極極限限情情況況而而言言，，Rl＝0，Af＝1；濕法法刻刻蝕蝕技技術術（（1）WetEtchingSilicon（硅硅刻刻蝕蝕））腐蝕蝕液液成成份份：：HNO3、HF、CH3COOH（水水））醋酸酸比比水水好好，，可可以以抑抑制制HNO3的分分解解反應應方方程程：：Si+HNO3+6HFH2SiF6+HNO3+H2+H2O混合合液液成成份份不不同同腐腐蝕蝕速速率率不不同同各向向同同性性腐腐蝕蝕WetEtchingSiliconDioxide（二二氧氧化化硅硅刻刻蝕蝕））腐蝕蝕液液成成份份：：HF、氟氟化化氨氨（（NH4F）水水溶溶液液反應應方方程程：：SiO2+6HFH2+SiF6+2H2O腐蝕蝕液液中中加加入入一一定定的的氟氟化化氨氨作作為為緩緩沖沖劑劑形成成的的腐腐蝕蝕液液稱稱為為BHF，又又稱稱作作緩緩沖沖氧氧化化層層腐腐蝕蝕（（buffered-oxide-etch,BOE)濕法法刻刻蝕蝕技技術術（（2）濕法法刻刻蝕蝕技技術術（（3）WetEtchingSi3N4（氮氮化化硅硅刻刻蝕蝕））腐蝕蝕液液成成份份：：180℃℃濃度度為為85％的的磷磷酸酸溶溶液液WetEtchingAl（鋁鋁刻刻蝕蝕））腐蝕蝕液液成成份份:lithographyIntroduction光刻刻刻蝕蝕濕法法腐腐蝕蝕干法法刻刻蝕蝕濺射射與與離離子子束束銑銑（（xi）蝕蝕：：通過過高高能能惰惰性性氣氣體體離離子子的的物物理理轟轟擊擊作作用用刻刻蝕蝕，，各各向向異異性性性性好好，，但但選選擇擇性性較較差差等離離子子刻刻蝕蝕(PlasmaEtching)：利用用放放電電產產生生的的游游離離基基（（游游離離態(tài)態(tài)的的原原子子、、分分子子或或原原子子團團））與與材材料料發(fā)發(fā)生生化化學學反反應應，，形形成成揮揮發(fā)發(fā)物物，，實實現(xiàn)現(xiàn)刻刻蝕蝕。。選選擇擇性性好好、、對對襯襯底底損損傷傷較較小小，，但但各各向向異異性性較較差差反應應離離子子刻刻蝕蝕(ReactiveIonEtching，簡稱為為RIE)：通過活性性離子對對襯底的的物理轟轟擊和化化學反應應雙重作作用刻蝕蝕。具有有濺射刻刻蝕和等等離子刻刻蝕兩者者的優(yōu)點點，同時時兼有各各向異性性和選擇擇性好的的優(yōu)點。。目前，，RIE已成為VLSI工藝中應應用最廣廣泛的主主流刻蝕蝕技術DRYETCHING干法刻蝕蝕DRYETCHING干法刻蝕蝕干法刻蝕蝕優(yōu)點：：分辨率高高各向異性性腐蝕能能力強某些情況況下腐蝕蝕選擇比比大均勻性、、重復性性好便于連續(xù)續(xù)自動操操作干法刻蝕蝕的應用用Si，Si3N4，SiO2Poly-Si,硅化物Al及其合金金耐熔金屬屬（Mo，W，Ta，Ti）DRYETCHING干法刻蝕蝕濕法刻蝕蝕工藝和和干法刻刻蝕工藝藝的比較較？干法刻蝕蝕優(yōu)缺點點：分辨率高高各向異性性腐蝕能能力強均勻性、、重復性性好便于連續(xù)續(xù)自動操操作成本高，，選擇比比一般較較低濕法刻蝕蝕的優(yōu)缺缺點：成本低廉廉選擇比高高各向同性性腐蝕速率率難以控控制半導體工工業(yè)的持持續(xù)成長長，是因因為可將將越來越越小的電電路圖案案轉移到到半導體體晶片上上。轉移移圖案的的兩個主主要工藝藝為圖形形曝光與與刻蝕。。目前大部部分的圖圖形曝光光設備為為光學系系統(tǒng)，我我們講到到了光學學圖形曝曝光系統(tǒng)統(tǒng)的各種種曝光工工具、掩掩膜版、、抗蝕劑劑與潔凈凈室。限限制光學學圖形曝曝光分辨辨率的主主要原因因為衍射射。然而而由于準準分子激激光、抗抗蝕劑化化學及分分辨率改改善技術術（如相相移掩膜膜版與光光學臨近近修正））的進步步，光學學圖形曝曝光至少少在130nm“時代”將將維持為為主流技技術。電子束圖圖形曝光光是掩膜膜版制作作和用于于探索新新器件的的納米工工藝的最最佳選擇擇，其它它圖形曝曝光工藝藝技術為為EUV、X射線圖形形曝光與與離子束束圖形曝曝光，雖雖然這些些技術都都具有100nm或更高的的分辨率率，但每每一個工工藝都有有其限制制：電子子束圖形形曝光的的鄰近效效應、EUV圖形曝光光的掩膜膜版空片片制作困困難、X射線圖形形曝光的的掩膜版版制作復復雜、離離子束圖圖形曝光光的隨機機空間電電荷等。。目前仍無無法明確確指出，，誰才是是光學圖圖形曝光光的明顯顯繼承者者。然而而，一個個混合搭搭配的方方式，可可以將每每一種圖圖形曝光光工藝的的特殊優(yōu)優(yōu)點融合合來改善善分辨率率和提高高產率。。濕法腐蝕蝕在半導導體工藝藝中被廣廣泛采用用。它特特別適用用全面性性的腐蝕蝕。濕法法化學腐腐蝕被用用于圖案案的轉移移，然而而，掩蔽蔽層下的的橫向鉆鉆蝕現(xiàn)象象將導致致腐蝕圖圖形的分分辨率損損失。干法刻蝕蝕是為了了得到較較高精確確度的圖圖案轉移移。干法法刻蝕和和等離子子體輔助助刻蝕是是相同的的。未來刻蝕蝕技術的的挑戰(zhàn)是是：高的的刻蝕選選擇比、、更好的的臨界尺尺寸控制制、低的的高寬比比相關性性與低等等離子體體導致的的損傷。。低壓、、高密度度等離子子體反應應器能滿滿足這些些要求。。當工藝藝由200mm發(fā)展到300mm，甚至更更大的晶晶片是，，晶片上上的刻蝕蝕均勻度度更需要要不斷的的改進，，而更進進一步的的集成化化設計，，必須發(fā)發(fā)展更新新的氣體體化學以以提供更更好的選選擇比。。9、靜夜四無無鄰，荒居居舊業(yè)貧。。。12月-2212月-22Thursday,December29,202210、雨雨中中黃黃葉葉樹樹，，燈燈下下白白頭頭人人。。。。03:52:0903:52:0903:5212/29/20223:52:09AM11、以我我獨沈沈久，，愧君君相見見頻。。。12月月-2203:52:0903:52Dec-2229-Dec-2212、故人江江海別，，幾度隔隔山川。。。03:52:0903:52:0903:52Thursday,December29,202213、乍見翻翻疑夢，，相悲各各問年。。。12月-2212月-2203:52:0903:52:09December29,202214、他鄉(xiāng)生生白發(fā)，，舊國見見青山。。。29十十二月20223:52:09上午午03:52:0912月-2215、比不不了得得就不不比，，得不不到的的就不不要。。。。十二月月223:52上上午午12月月-2203:52December29,202216、行動動出成成果，，工作作出財財富。。。2022/12/293:52:0903:52:0929December202217、做前，，能夠環(huán)環(huán)視四周周；做時時，你只只能或者者最好沿沿著以腳腳為起點點的射線線向前。。。3:52:09上午午3:52上午午03:52:0912月-229、沒有失敗敗，只有暫暫時停止成成功！。12月-2212月-22Thursday,December29,202210、很很多多事事情情努努力力了了未未必必有有結結果果，，但但是是不不努努力力卻卻什什么么改改變變也也沒沒有有。。。。03:52:0903:52:0903:52