月學渣1選修3經(jīng)典刷題

選修三經(jīng)典刷37（201 態(tài)14C原子中，核外存在 CS2分子中，共價鍵的類型有 ，C原子的雜化軌道類型是 ①在石墨烯晶體中，每個C原子連 個C原子②在石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個C原子連接 個C原子在同一平面。37（2016鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛?；卮鹣铝谢鶓B(tài)Ge原子的核外電子排布式為 ， Ge與C是同族元素，CGe原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子。。沸點光催化還原CO2CH4反應中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑。Zn、Ge、O電負性由 Ge單晶具有石型結(jié)構，其中Ge原子的雜化方式為 （0,0,0；B K原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號是，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構型相同，但金屬K的、沸點等都比金Cr低，原因是。（3）X射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I3AsF6中存在I3+離子。I3+離子的幾何構型 KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學材料，具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構，邊長為a=0.446nm，晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。K與O間的最短距離為 與K緊鄰的O個數(shù)為 KIO3晶胞結(jié)構的另一種表示中，IK處于位置，O處于位37（2015層電子數(shù)的3倍；D元素最外層有一個未成對電子?；卮鹣铝袉栴}：四種元素中電負性最大的是(填元素符號C。單質(zhì)A有兩種同素異形體，其中沸點高的 ；A和B的氫化物所屬的晶體類型分別 （3）C和D反應可生成組成比為1∶3的化合物E，E的立體構型為 （4）化合物D2A的立體構型為 ，單質(zhì)D與濕潤的Na2CO3反應可D2A其化學方程式為 （5）A和B能夠形成化合物F，其晶胞結(jié)構如圖所示，晶胞參數(shù)，a=0.566nm，F(xiàn)的化學式 ：晶胞中A原子的配位數(shù)為 ；列式計算晶體F的密度 37（2016鎳元素基態(tài)原子的電子排布式 ，3d能級上的未成對電子數(shù) 硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4①[Ni(NH3)6]SO4中陰離子的立體構型 ②在[Ni(NH3)6]SO4中Ni2+與NH3之間形成的化學鍵稱為 （PH3， 分子（填“極性”或“非極性”），中心原子的軌道雜化類型為。單質(zhì)銅及鎳都是 鍵形成的晶體；元素銅與鎳的第二電離能分別為。①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比 ②若合金的密度為dg·cm-3，晶胞參數(shù) nm35（2017(N5)6(H3O)3(NH4)4l 元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個電子形成氣態(tài)負一價離子時所放出的能量稱作第一電子親和能（E1。第現(xiàn)異常的原因 B．中心原子的價層電子對 D．共價鍵類②R中陰離子N?中的σ鍵總數(shù) 個。分子中的大π鍵可用符號n表示，其中m代 65則N?中的大π鍵應表示為 654③圖（b）中虛線代表氫鍵，其表示式為(NH+)N?H…Cl 4。元的相對質(zhì)量為M，則y的計算表達式為 。元素Mn與O中，第一電離能較大的 CO2和CH3OH分子中C原子的雜化形式分別 在CO2低壓合成甲醇反應所涉及的4種物質(zhì)中，沸點從高到低的順序為 。Mn(NO3) MgO具有NaCl型結(jié)構（如圖，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實驗測得Mg