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文檔簡介

黃君凱教授3.2氧化過程中雜質(zhì)再分布3.2.1影響的因素

（1）雜質(zhì)在界面附近的分凝系數(shù)

（2）雜質(zhì)在氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)：快擴(kuò)散與慢擴(kuò)散（3）氧化過程中界面的推進(jìn)速率黃君凱教授3.2.2再分布過程

:在硅襯底深處的雜質(zhì)平衡濃度;:在附近的雜質(zhì)平衡濃度

[結(jié)論]硅中的雜質(zhì)再分布影響著工藝和性能（界面陷阱特性、閾值電壓、接觸電阻等）圖3-10熱氧化引起的雜質(zhì)再分布過程氧化物吸收雜質(zhì)氧化物吸收雜質(zhì)氧化物析出雜質(zhì)氧化物析出雜質(zhì)黃君凱教授3.3二氧化硅掩模特性3.3.1氧化硅膜特性柵氧化膜：MOS器件（5~20nm）選擇性掩模：阻擋高溫下雜質(zhì)離子的擴(kuò)散（0.5~1.0mm）3.3.2掩模特性（溫度和時間）表3-1中的擴(kuò)散常數(shù)快擴(kuò)散黃君凱教授3.4氧化層質(zhì)量:<100>晶向為,<111>晶向為

:<100>晶向為,<111>晶向為:氧化中加氯能固定鈉離子而減少污染圖3-13熱氧化硅中電荷黃君凱教授3.5氧化層厚度表征3.5.1比色法根據(jù)顏色表比照晶片顏色確定厚度。3.5.2輪廓法通過輪廓儀拖動精細(xì)探針滑過薄膜層，由信號變化記錄膜

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