電工電子實驗ewb仿真技術(shù)介紹之1.4m版

1EWBEWB簡.1988年開發(fā)的一種電子電路計算機仿真設(shè)計軟件。該軟件設(shè)計功能完善，操作界面友好、形象，非常易于掌握。EWB以SPICE3F5為軟件，增強了其在數(shù)字和模擬混合信號方面EWB納入電子類課程的教學(xué)當中。EWB的特EWB器仿真電子電路，就如同在做實驗一樣，非常真實，而且盡可不必為損壞儀器和元件而煩性分析、電路的噪聲分析和失真分析等常規(guī)分析，而且還提供了離散埃分析、電路的零極點EWBWindows操作系統(tǒng)的廣泛使用，EWBDOS版發(fā)展成可在WindowsWindows操作系統(tǒng)的許多優(yōu)點，如直觀的圖形操作界面，軟件的多任務(wù)同時運行等，EWB的功能和運行性能得到不斷地完善和提高。1996年InteractiveImageTechnologies.公司推出了ElectronicsWorkbench5·0版本。本書將介ElectronicsWorkbench5·0版本。ElectronicsWorkbench5·017MB的空間（EWB專業(yè)版軟件當運行 48620M8MB16MB； 48620M12MB16MB；20MB，當文件達到EWB軟件安，圖 關(guān)于兩套標準符號的選EWB中兩套標符號可選擇套是標準號AS另一套歐州標符號DN兩套標準中大部分元器件的符號是一樣的，但有些元器件的符號不一樣，象部分有源器件、數(shù)字1.、1.3和1.4所示。符 圖 圖 圖 單擊“屬性”按鈕，屏幕上出現(xiàn)“快捷方式Wewb32屬性”框，如圖1.5所示（T”c:\路徑\wewb32.exe/din，則選擇歐州標準符號。圖1.5“快捷方式Wewb32屬性”的使當用戶需要查詢有關(guān)信息時，可以使用。進入系統(tǒng)有兩種基本方法：一是從Help下拉菜單中選擇相應(yīng)令。用戶可以通過“ ”窗口（見圖1.6）選擇一個幫助，或者通過“索引”窗口（見圖1.7）根據(jù)關(guān)鍵字查找?guī)椭６怯檬髽诉x中你所想要查詢的元“？圖 窗圖 電子電路的仿真方法和步。用EWB軟件對電子電路進行仿真有兩種基本方法法是使用虛擬儀器直接測量電路，另。電路原理圖的輸入方或者將元件插入電路。刪除元件時，先用鼠標單擊要刪除的元件，然后選擇刪除工具并單擊之。刪除工具一般有兩種，一種是工具條上的“剪刀”按鈕；另一種是單擊鼠標右鍵，在下拉菜單中選擇“u（剪切）功能。元件一旦被刪除，其兩端的連線將自動連接在一起。插入元件時，拖同一個元件兩個引腳之間連接時，需要借助連接器（一個黑點，可從元器件的基本器件Delete（鼠標并松開左鍵，此時可以看到連線被斷開并。所有的連線都必須起始于一個元件的引腳，終止于一條線或另一個元件的引腳 第2章EWB的界面和菜標題還原最大化關(guān)閉析)、Window(窗口)Hilp(幫助)。而每個菜單項的下拉菜單中又包括若干條命令。File(文件)元器件 元器件 暫停按 圖 ElectronicsWorkbench工作界圖 ///2.3所示，用來打開以前曾經(jīng)創(chuàng)建過的某個電路文件。只能打開擴展名為.CA*、.CD*和.EWB的電路文件。/令，以保存當前電路文件，形成的電路文件的擴展名為.EWB。圖 圖 /恢復(fù)存盤命令（FileReverttoFileReverttoSaved，執(zhí)行恢復(fù)存盤命令，可將剛才保存的電路恢復(fù)到電路工作窗口。在/FileImport，執(zhí)行輸入文件命令，可輸入一個SPICE網(wǎng)表文件（Windows中擴展名為.net/單擊File/Export，執(zhí)行輸出文件命令，可將電路文件以擴展名為.net、.scr、.cmp、.cir和.pic//打印設(shè)置命令（FilePrint單擊File/PrintSetup，彈出打印設(shè)置框，在框中可以設(shè)置型號、屬性、退出命令（FileFile/ExitEWB系統(tǒng)，并關(guān)閉電路文件。如果退出前沒有保存，系統(tǒng)會提示先保存[Y][N]安裝命令（File/Edit(編輯)圖 EWB的編輯菜單剪切命令（Edit命令（Edit執(zhí)行命令，可將你所選擇的對象（如元器件、電路、文本等）放置在剪貼板上，以便粘貼命令（Edit刪除命令（Edit全選命令（EditSelect位圖命令（EditCopyas執(zhí)行位圖命令，可將選中電路的位圖到剪貼板上，以便在其它畫圖或文字編輯軟件EWB系統(tǒng)的電路窗口。EditCopyasBitmap圖 EWB的電路菜單90o。 ponent(1)用鼠標雙擊電路圖中的元件，在彈出的元件屬性框中進行設(shè)置；步驟一：選擇晶體管。步驟二：單擊ponentPropreties命令，彈出元件屬性框，如圖2.7所示。對話框中包含對晶體管Label(標號)、Models(模型)、Fault(故障)、Display(顯示)和ysisSetup(分Label(標號)ID。元件的標號可以隨意更改，ID)仿真需要。元件模型框如圖2.8所示。圖 圖 。Fault(標號項用來設(shè)置元件引腳之間的故障，用于仿真實際電路中可能出現(xiàn)的故障。單擊路)、Open(開路)None(無)。。圖 Short(短路)，即在元件兩個引腳之間接上一個小電阻，設(shè)置一個短路故障。Open(開路)，即在元件兩個引腳之間接上一個大電阻，設(shè)置一個開路故障。None(無)，即不設(shè)置任何故障。Display(標號)Label(標號)、Models(模型)ID等信息。其顯示對2.10所示。⑤ysisSetup(分析設(shè)置)(標號)項用來設(shè)置元件的特殊參數(shù)，如設(shè)置晶體管工作時的環(huán)境溫度等。其分析設(shè)置框如圖2.11所示。圖 顯示圖 分析設(shè)置Circuit(電路)菜單下的創(chuàng)建子電路命令（Circuit/CreateSubcircuit，屏幕顯示Subcircuit框，如圖2.12所示。子電路框中有四個可選項。移動（MoveFromCircuit）代替（ReplaceinCircuit）圖 步驟三：在Subcircuit框中鍵入子電路的名稱，再選擇CopyFromCircuit或MoveFrom圖 個選擇子電路框，如圖2.14所示。步驟三：選擇子電路名，單擊Accept，子電路將作為一個電路模塊出現(xiàn)在電路工作窗口。6．放大命令(Circuit/ZoomInRestrictions)電路圖設(shè)置命令（CircuitSchematic選擇電路圖設(shè)置命令，可以設(shè)置一些與電路圖顯示方式有關(guān)的內(nèi)容。彈出的框如圖2.15ShowGrid顯示刪格)圖 圖 電路設(shè)置ShowReferenceID（ID）ShowModels（顯示元件模型）ShowNodes（顯示節(jié)點號）（Label）NameName。利用限制命令，可以實現(xiàn)仿真過程中對電路元件和電路分析方法的限制。單擊Circuit/Restrictions命令，窗口彈出限制框，如圖2.16所示框中包含General(一般限制)、 。圖 限制 1.2右上角的暫停（Pause）開關(guān)停止仿 圖 EWB的分析菜單分析設(shè)置命令（ysis/ysis用分析設(shè)置命令設(shè)置分析電路的條件。單擊ysis/ysisOptions，屏幕上彈出分析選項2.18所示。窗口含五個選項卡：通用（Global）分析設(shè)置、直流(DC)分析設(shè)置、暫態(tài)ElectronicsWorkbench14種分析電路的方法，其中直流工作點分析（ysis/DCOperatingPoint）交流頻率分析（ysis/ACFrequency）暫態(tài)分析（ysis/Transient）埃分析（ysis/Fourier）噪聲分析（ysis/Noise）失真分析（ysis/Distortion） ysis/ParameterSweep） ysis/DCSensitivity） ysis/ACSensitivity） ysis/TransferFunction） ysis/WorstCase） ysis/MonteCarlo）圖 該結(jié)果可以是圖形，也可以是數(shù)據(jù)。分析結(jié)果還可以用圖2.19上方里的工具進行存盤、打印、、粘貼等操作。圖 子工作平臺上的位置，使它們排列有序，互不，并且能擴大其窗口的使用面積。圖 EWB的窗口菜單幫助命令定工作界面中的元件或儀器后，再執(zhí)行Hilp幫助索引命令（Hilp版本注釋命令（Release執(zhí)行該命令可以顯示一些關(guān)于ElectronicsWorkbench5.0圖 EWB的幫助菜單工具2.22EWB的工具條，工具條提供了編輯電路所需要的一系列工具，使用該欄目下的工|||||||||||||刷存打剪復(fù)旋垂創(chuàng)元縮放縮在新盤引切制轉(zhuǎn)直子器小大放線翻翻電件比幫轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)路屬例助性圖 ——到剪切板元器件屬性——調(diào)出元器件屬性框，設(shè)置元器件屬性。EWB2.23所示。庫中存放著各種元器件和測試儀器，用戶可以根據(jù)需要隨時調(diào)用。元器件庫中的各種元器件按類別存放在不同的分庫中，EWB為每個3章中介紹。圖

形象地說，EWB系統(tǒng)類似一個實際的電子，元器件庫好象是一個材料庫，里邊存放戶在這個窗口可以作各種實驗和設(shè)計。你對EWB系統(tǒng)越熟悉，實驗和設(shè)計就會做的越漂亮。EWB系統(tǒng)為用戶提供的一個文字窗口，用戶可以在這個窗口對電路的功能狀態(tài)欄位于EWB工作界面的最下方，用來顯示當前令狀態(tài)和仿真溫度EWB工作界面的右上角還有兩個開關(guān)。上面的叫仿真電源開關(guān)，當搭接好電路并接好測試儀器后，單擊仿真電源開關(guān)，EWB開始對電路進行仿真。再次單擊它時，即可停止對電路的仿真。菜單下的激活命令（ysis/Activate）和停止命令（ysis/Stop）的功能相同。動時，就用鼠標單擊此按鈕。暫停開關(guān)的作用與分析菜單下的暫停命令（ysis/Pause）的功能3章EWB3.1所示。本章將對其作簡要介紹。用電基二晶?；鞌?shù)邏數(shù)指控其儀戶源本極體擬合字輯字示制它器器庫器管管集集集門模器器器庫件件庫庫成成成電塊件件件庫庫電電電路庫庫庫庫路路路庫庫庫庫圖 3.2所示。可見庫中包含了各種獨立電源和受直流電流源(DCCurrentSource)I。交流電流源(ACCurrentSource)I，頻率，相位。圖 Vcc(VccSource)——默認值：+5VVdd(VddSource)——默認值：+15V時鐘源(ClockSource)——可設(shè)置參數(shù)：頻率F，D，U設(shè)置范圍分別為：mV～kV，Hz～MHz，MHz～MHz。調(diào)頻源（FMSource）Ua，載波頻率?cM，設(shè)置范圍分別為：mV～kV，Hz～MHz，MHz～MHz。電壓控制正弦波振蕩器(VoltageControlledSineWaveOscillator)——1V，1V（0；1；0；0；0V（0；1KHz0；0；0z1，1V，05（0；；0；；0V0；1KHz，0；0；0Hz1V，1V，0.5，1S，1S（0；1；0；0；0V（0；1KHz，0；0；0Hz默認值分別為：0.5V，0V，1V，1S，1S，1S（0；1；0；0；0V（0；1，00；0S分段線性源(PiecewiseLinearSource)受控分段線性源(VoltageControlledPiecewiseLinearSource)可設(shè)置參數(shù)：坐標對數(shù)，坐標X，Y默認值分別為：120V，10KHz，5KHz。PolynomialSourceAB～K。默認值為：1。非線性相關(guān)源(NonlineaeDependentSource)——無固定參數(shù)值。與是計算機自動完成的。圖 ,上拉電阻(PullupResistor)——可設(shè)置參數(shù)：電阻，上拉電壓。電解電容(PolarizedCapacitor)——可設(shè)置參數(shù)：C?？勺冸娙?VariableCapacitor)——可設(shè)置參數(shù)：鍵，電容，比例設(shè)定，增量。可變電感(VariableInductor)——可設(shè)置參數(shù)：鍵，電感，比例設(shè)定，增量。無芯線圈(CorelessCoil)——可設(shè)置參數(shù)：匝數(shù)。默認值：121.011e-次級繞組11e-21.0磁通量坐標 磁通量坐標 3.4所示?？梢詮膸熘羞x擇各種類型的二圖 二極管設(shè)置范圍：GeneralMotorolaNationalZetex,Philips,Internat。穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：GeneralMotorolaPhilips。設(shè)置范圍：GeneralNationalZetex,Philips,Internat。肖特基二極管(ShockleyDiode)——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：2N××BT××C××MCR××S設(shè)置范圍：2N××MAC××BT圖 設(shè)置范圍： 設(shè)置范圍：Philips，Motorola。N溝道結(jié)型場效應(yīng)管(N-ChannelJFET)——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。National設(shè)置范圍：National, 三端耗盡型N溝道MOSFET(3-TerminalDepletionN-MOSFET)—設(shè)置范圍：Philips四端耗盡型NMOSFET(4-TerminalDepletionN-MOSFET)三端增強型NMOSFET(3-TerminalEnhancedN-MOSFET)設(shè)置范圍：Motorola，Zetex,Internat。PMOSFET(3-TerminalEnhancedP-MOSFET)——設(shè)置范圍：Motorola，Zetex,Internat，Philips。四端增強型NMOSFET(4-TerminalEnhancedN-MOSFET)——NFET(NChannelGaAsFET)PFET(PChannelGaAsFET)圖 LF××,LH××,LM××,LP××,LT××,MC××,MISC××,OPA××, OG,UBR××,Comlinea,Elantec,Harris,,Motorola,National,Texas. LF××,LH××,LM××,LP××,LT××,MC××,MISC××,OPA××,OP××OG,UBR××,Comlinea,Elantec,Harris,Linear,,Motorola,National,Texas. og,BURR,Comlinea,Linear,Texas。九端運算放大器（9-TerminalOpamp）—— og,BURR,Comlinea,Linear,Texas。電壓比較器（VoltageComparator）——鎖相環(huán)（Phase-LockedLoop）——圖 輸出：8位二進制數(shù)。設(shè)置范圍：CMOSMISCTTLD/A轉(zhuǎn)換器(電壓輸出)（DAC-V）8位二進制數(shù)。設(shè)置范圍：CMOSMISCTTLD/A(I)轉(zhuǎn)換器(電流輸出)（DAC-I）8位二進制數(shù)。設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。設(shè)置范圍：設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL圖 圖 設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL。設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL。設(shè)置范圍：CMOSMISC設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL。設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL。設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL。三態(tài)緩沖器（TristateBuffer）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL ittTrigger）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。與門集成電路（ANDGatesIC）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL?；蜷T集成電路（ORGatesIC）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。與非門集成電路（NANDGatesIC）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。或非門集成電路（NORGatesIC）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。非門集成電路（NOTGatesIC）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。異或門集成電路（XORGatesIC）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。同或門集成電路(XNORGatesIC)——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。緩沖器集成電路（BuffersIC）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。3.10所示。從左到右分別是：半加器（HalfAdder）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。設(shè)置范圍：CMOSMISCTTLRS觸發(fā)器（RSFlip-Flop）——默認設(shè)置：理想狀態(tài)。設(shè)置范圍：CMOS,MISC,TTL。JK觸發(fā)器(上升沿觸發(fā))（JKFlip-FlopwithActiveHighAsynchInput）——JK觸發(fā)器(下降沿觸發(fā))（JKFlip-FlopwithActiveLowAsynchInput）——設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL圖 D觸發(fā)器(上升沿觸發(fā))（JKFlip-FlopwithActiveHighAsynchInput）——設(shè)置范圍：CMOSMISCTTLD觸發(fā)器(下降沿觸發(fā))（JKFlip-FlopwithActiveLowAsynchInput）——設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL。多路選擇器集成電路（MultiplexerICs）——設(shè)置范圍：74××，4×××。（DemultiplexerIC）設(shè)置范圍：74××，4×××。編集成電路（EncoderIC）——設(shè)置范圍：74××，4×××。算術(shù)運算集成電路（ArithmeticIC）——設(shè)置范圍：74××，4×××。計數(shù)器集成電路（CounterIC）——設(shè)置范圍：74××，4×××。移位寄存器集成電路（ShiftRegisterIC）——設(shè)置范圍：74××，4×××。觸發(fā)器集成電路(Flip-FlopIC)——設(shè)置范圍：74××，4圖 （DC電流表（Ammeter）1nΩ，測量直流（DC）電流。（DC燈泡（Bulb）——默認設(shè)置：Pmax=10W，Vmax=12V。W~KWV~KV。七段數(shù)碼顯示器（Seven-SegmentDisplay）——設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL設(shè)置范圍：CMOSMISCTTL蜂鳴器（Buzzer）200Hz,9V,0.05A。光柱顯示器（BargraphDisplay）——2V,0.03A,0.01A。帶譯碼的光柱顯示器（DecodedBargraphDisplay）——圖 1e+12,1e-6。電壓積分器（VoitageIntegrator）——1e+12,上下限平滑范圍1e-6,輸出初始條件0V。電壓增益模塊（VoitageGainBlock）——默認設(shè)置：增益1V/V,輸出偏移電壓0V。傳遞函數(shù)模塊（TransferFunctionBlock）——輸入偏移電壓0V，0V，非歸一化角頻率1。0V，Yo，Y1V/V，X偏移0，X1V/V。0V,Y偏移o，Y1V/V，X偏移0，X1V/V，X100pV，X100pV默認設(shè)置：輸入偏移電壓0V，0V，0V，輸入增益1V/V，輸入增益1V/V，輸入增益1V/V，輸出增益1V/V，1V/V。電壓限幅器（VoltageLimiter）——1e-6受控電壓限幅器（VoltageControlledLimiter）——默認設(shè)置：輸入偏移電壓0V，1μV。電流限幅器模塊（CurrentLimiterBlock）——增益1V/V,1Ω，10mA，1μA，源電流平滑范圍1nA，罐電流平滑范圍1nA，內(nèi)/1nA。默認設(shè)置：輸入低電平0V,遲滯值0.1,0V,1。1GV/s圖 熔斷器（Fuse）1A。數(shù)據(jù)寫入器（WriteData）——無參數(shù)設(shè)置。子電路（網(wǎng)表元件（SPICESubcircuit）——設(shè)置范圍：OG,ELANTEC,LINEAR(單位長度電阻0.1Ω，單位長度電感1e-06H，單位長度電容1e-12F，單位長度電導(dǎo)1e-12S，斷點控制REL 斷點控制ABS 無損傳輸線(LosslessTransmission)——1e-9S

默認設(shè)置：動態(tài)電感0. 動態(tài)電容9.94718e-14F，串聯(lián)電阻6.42.4868e-11F0.001H，勵磁電阻128Ω，0.001H，0.01Nms/rad，額定旋轉(zhuǎn)速度1800PRM，額定電樞電壓115V，808A，額定場電壓115V，負載轉(zhuǎn)矩0Nm。默認設(shè)置：陽極-柵極-20V，陽極電流0.01A，柵極-2e-12F，陽極-2e-12F，柵極-2e-12F。默認設(shè)置：濾波器電感ESR10mA，開關(guān)頻率50Hz。4章EWB的儀EWB5.0元器件庫的最后一個分庫是儀器庫，用鼠標單擊儀器庫圖標，彈出儀器庫下拉菜單，（MultimeterGeneratorOscilloscopePlotterGenerater yzerConverter，后4種為數(shù)字儀器。虛擬儀器的使用和真實儀器的使用方法一樣，非常方便。首先用鼠標選中某圖 數(shù)字萬用表4.2所示。 正負端子圖 圖 以測電壓VA、電阻Ω和分貝值dB。當你需要選擇某項功能時，只需在數(shù)字萬用表面板上4.3選中電壓檔。Settings（用表參數(shù)設(shè)置框，如圖4.4所示。從中可以對數(shù)字萬用表內(nèi)部參數(shù)進行設(shè)置。圖 “Ohmmetercurrent”是指用歐姆表測量時，流過歐姆表的電流。“Decibelstandard”0dB1V電壓設(shè)為0dB10VdB20lg10/1dB20dB6V電壓設(shè)為0dB標準，當測量電壓仍為10V，用dB表示時，數(shù)字為20lg10/6dB，顯示4.437dB。通常習(xí)慣1μV、1mA、1V0dB標準?？梢姡胐B0dB對應(yīng)的電壓值。函數(shù)信號發(fā)生器（Function圖 圖 X軸重合；如果偏移量為正值，直流分量在XX3oo公共端oonoooo”端子與“rund（公共地）+oonoon+ DutyCycle(占空比) 示波器樣，可以雙蹤輸入，觀測信號的波形。示波器的圖標如圖4.7所示。圖標上有4個接線端子，A通道輸入端、B通道輸入端、外觸發(fā)端和接地端。 外觸發(fā)端A通道輸入 B通道輸入圖 圖 間基準)部分、Tigger(觸發(fā))部分、ChannelA(通道A)ChannelB(B)部分。A通道/B通B通道/AA通道/B通B通道/A通圖 4.9是示波器控制面板上時間基準部分的設(shè)置TimebaseX軸方向上時間基線s/div（ms/divμs/div）“XpositionX軸方向上時間基線的起始位置，改變其設(shè)置，可使時間基線左右移動?！癇/AAXBYA/B”與上述或“A/B”方式（ViB通道，VoA通道。 外觸發(fā)信號輸B通道A通道觸發(fā)圖 4.10是示波器控制面板上觸發(fā)方式部分的設(shè)置Edge”表示將輸入信號的上升沿或下降沿ABX軸時間基線掃描的觸發(fā)信號Ext”表示用示波器圖標上觸發(fā)端子連接的信號作為觸發(fā)信號來同步X軸時間基線掃描。一般情況下使用“Auto”方ChannelAChannelB，可以同時觀察和測量兩個信號。V/Div（mV/DivμV/Div為放大、衰減量，表示屏幕的Y軸方向上每格相應(yīng)的電壓值。輸入信號較小時，屏幕上顯示的V/Div”檔，并適當設(shè)置其數(shù)值，使屏幕上顯示的信 Y軸刻 Y軸偏Y軸輸入方圖 基線在屏幕中線上方，反之在屏幕中線下方。當顯示兩個信號時，可分別設(shè)置“YPosition”值，DC0 Timebase(時間基準) 0.10ns/Div~1s/DivXPosition(X軸位置) －5.00~5.00 TriggerLevel（觸發(fā)電平） －3.00~3.00 Auto、A、B、ExtVoltsperDivision（每格電壓） 0.01mV/Div~5KV/DivYPosition(Y軸位置) －3.00~3.00 AC、0、線連接到電路中某測量點；當測量點變黑后松開鼠標左鍵。從電源中拖動一接地符號到電4.8中示波器面板的“Expand4.12所示，用戶可以更細致地觀察波形，數(shù)據(jù)。單擊圖4.12中的“Reduce”按鈕，面板又縮小至原來的大小。圖 4.12展開面板右下方的“Save”按鈕，就可以以ASCII碼波特圖儀(BodeA(f)和相頻特性Ф(f)的一種--（接電路輸入端

-（接電路輸出端圖 4.14所示的波特圖儀的面板。波特圖儀的面板由兩部分 保存按選擇按觀察窗讀數(shù)指

圖 位)按鈕，顯示電路的相頻特性。Log（選擇“Lin（Log（Lin（I”分別是Vertical(縱軸表示測量信號的幅值或相位。當測量幅頻特性時，單擊“Log（對數(shù)）按鈕，；單擊“Lin（需要：若被測電路為無源網(wǎng)絡(luò)（振蕩電路除外，由于A(f)最大值為1，則縱軸的最終值設(shè)置為0dB，初始值設(shè)置為負值。若被測電路含有放大環(huán)節(jié)，由于A(f)可大于1，則縱軸的最終值IN（和“OUT（IN（OUT（2所述。圖 Address（地址、Trigger（觸發(fā)、Frequency（頻率、控制方式、二進制字等部分。圖 0000H~03FFH1024條字信號。用鼠標移動滾動條，即“Edit16位地址。“Current16位地址。“FinalCylce（Syep（Breakpoint（F9鍵恢復(fù)輸出。Pattern（的“PresavedPatterns（預(yù)置模式）框。圖 （含設(shè)置的斷點地址0000H。“Save”表示將字信存盤，字信的后綴為“.DP“Upcounter”表示預(yù)置字信號輸出模式為加法計數(shù)器模式?！癉owncounter“Shiftright”表示預(yù)置字信號輸出模式為右移移位模式?！癝hiftleft”表示預(yù)置字信號輸出模式為左移移位模式。Interal（ExeralCylce當選擇“External”方式時，必須接入外部觸發(fā)脈沖信號，而且要設(shè)置是“上升沿觸發(fā)”還Hz、kHzMHz，根據(jù)需要而定。可以在該區(qū)域內(nèi)的相應(yīng)框中直接鍵入ASCII邏輯分析儀（Logic外接時鐘輸入時鐘控制輸入觸發(fā)控制輸入圖 161601符號實Stop”Reset（Clock（rigger（（T2－T1圖 “Reset（“Clock（Set（“ClockSetup（時鐘設(shè)置）框，如圖4.20所示。其中“Clockedge（時鐘邊沿）可以選擇時鐘的上升沿（Positive）或下降沿（Negative）采樣。mode（鐘時，可對本框中的“Internalclockrate”項進行設(shè)置，以改變采樣時鐘的頻率?！癐nternalclockrate（內(nèi)部時鐘頻率）1Hz~999MHz范圍內(nèi)設(shè)置?！癈lockqualifier（時鐘確認）1、0或X。當“Clockqualifier1時，表示時鐘控制輸入為1時開放時鐘，邏輯分析儀可以進行波形；當“Clockqualifier”設(shè)置為00時開放時鐘；當“ClockqualifierX時，表示時鐘控制輸入總“Logicyzer（邏輯分析Pre-triggersamples（觸發(fā)前取樣點數(shù)Post-triggersamples（觸發(fā)后取樣點數(shù)）和“Thresholdvoltage（開啟電壓值。“rgrSe（“rgrpaens（觸方式框如圖.21所示框中有AC個觸發(fā)可以rgrobnaon8Aor、AorBorAen(Aor)enAen(BrAenBenAhn(no（xxxxxxxxxxxxxxrggrqafr觸發(fā)確認）X（或0）（或0A、、Cdivision（圖 圖 邏輯轉(zhuǎn)換儀（LogicEWB利用計算機仿真的優(yōu)勢，為用戶提供了邏輯轉(zhuǎn)換儀這種虛擬儀器(實際當中不存在這種4.2281個信號輸出端。圖 4.23所示的邏輯轉(zhuǎn)換儀的面板。面板分三部分：左圖 （A~H0。②根據(jù)所需要的邏輯關(guān)系修改真值表的輸出值（0、1X③按下“真值表轉(zhuǎn)換為邏輯表達式”按鈕，相應(yīng)的邏輯表達式會出①在面板底部的邏輯表達式顯示窗口內(nèi)寫入邏輯表達式“與-或”式或“或-與”式都②按下“邏輯表達式轉(zhuǎn)換為真值表”按鈕，得到相應(yīng)的真值表③按“邏輯表達式轉(zhuǎn)換為邏輯電路”按鈕得到相應(yīng)的邏輯電路④按下“邏輯表達式轉(zhuǎn)換為與非門邏輯電路”按鈕，得到相應(yīng)的5章EWB的分EWBSPICE(SimulationProgramWithIntegratedCircuitEmphasis)程序為基礎(chǔ)，可以對EWB4EWB14種：直流工作點分析（ysis/DCOperating交流頻率分析（ysis/AC ysis/DC ysis/ACSensitivity） ysis/TransferFunction） ysis/Monte Options（Global（DC（ransent（Device（nstruents（6~8個數(shù)量級。缺省設(shè)置：1.0e-12。用于一般雙極性晶體管、VLSI電路的設(shè)置。GminminimumconductanceGMIN)——最小電導(dǎo)。要求其不能為零，增大該值可以改Pivotrelativeratio(PIVREL)0-1之間。圖 Relativeerrortolerance(RELTOL)——相對誤差精度。改變該值會影響仿真速度和收斂1.0e-0.6~0.01之間。缺省設(shè)置：0.001。(6~8個數(shù)量級。缺省設(shè)置：1.0e-6。(Ramptime(RAMPTIME)——斜升時間。在確定時間內(nèi)，獨立電源、電容和電感從零上RelativeconvergencestepsizelimitCONVSTEP)——相對收斂步長限制。在求解直流工convergencelimit(CONVLIMIT)——收斂限制。用于某些元件模型內(nèi)部的收斂算法。） ognodeshunt 阻，該值應(yīng)該較大。缺省設(shè)置：可有可無。若選擇該項，缺省設(shè)置為1.0e＋12。在出現(xiàn)沒有直流）Temporaryfilesizeforsimulation(Mb)——仿真時臨時性文件規(guī)模。當仿真結(jié)果的文件達到它的最大規(guī)模時，會出現(xiàn)框，框里有停止仿真、使用剩余磁盤空間繼續(xù)仿真和圖 500~1000范圍內(nèi)增加該值。StepsinGminstepalgorithm(Gmin)——Gmin步進算法步長。適當選擇該值，有助Stepsinsourcestepalgorithm(SRCSTEPS)——Source步進算法步長。適當選擇該值，圖 TransienttimepointiterationsITL4)——暫態(tài)分析每時間點迭代次數(shù)的上限。增大此值會umorderforintegrationmethodMAXORD)——積分方法的最大階數(shù)。缺省設(shè)置：TransientErrorToleranceFactorTRTOL)——暫態(tài)誤差精度因素。缺省設(shè)置：7。一般不TransientysisIntegrationMethod(METHOD)——暫態(tài)分析數(shù)字積分方法。缺省設(shè)置：TRAPEZOIDAL（梯形法）適合振蕩電路模式；GEAR（變階積分）適合有理想開關(guān)的電路。(圖 MOSdraindiffusionarea(DEFAD)——MOSFET（金屬氧化物場效應(yīng)晶體管0MOSchannellengthDEFL)——MOSFET溝道長度。缺省設(shè)置：0.0001MOSchannelwidthDEFW)——MOSFET溝道寬度。缺省設(shè)置：0.0001(NonlinearModelEvaluationDeviceBypass(BYPASS)：ONOFF將增加仿真時間。一般不需要調(diào)整。Compacttransmissionlinedata( 圖 PauseaftereachscreenGenerratetimestepsautomatically——自動產(chǎn)生時間步長。缺省設(shè)置：選用或不選用?！癕inimumpoints（100“①SettoZeroUser-defined③CalculateDCoperatingpoint——將直流工作點分析結(jié)果作為初始條件進行分析。缺Pointspercycle——每周期顯示點數(shù)。減小該數(shù)能加快仿真時間，但仿真精度會降低。Logicyzer（邏輯分析儀）①Pre-triggersamples——邏輯分析儀觸發(fā)前的點數(shù)。缺省設(shè)置：100②Post-triggersamples——邏輯分析儀觸發(fā)后的點數(shù)。缺省設(shè)置：1000③Thresholdvoltage——邏輯分析儀高、低電平的門限電壓。缺省設(shè)置：3.5V直流工作點分析 ysis/DCOperatingCicuit(Options（Nodes（ysis”(分析)菜單下的“ysisOptions（分析設(shè)置DCOperatingPoint（直流工作點分析）項，EWB會把電路中所有節(jié)點的電壓數(shù)值和電源支路的電流數(shù)值，自動顯示在“ysis（分析）欄中的“ysisGraphs（分析結(jié)果圖）中。15.6圖 ”（1）單擊“ransistors（晶體管庫）NPN三極管到電路工作窗”Basic（Properties”框，在“Value”選項卡中設(shè)置電阻阻值，最后“確定。從“Sources（（或直流電壓源）符號，打開“ACVoltageSourceProperties”(或“BatteryProperties”)框，在“Value”選項卡下進行參數(shù)設(shè)置。5.6所示的分壓式偏置放大電路（也可以先連接電選擇“Circuit”(電路)SchematicOptions（）命令，打開相應(yīng)Shw/Hide（ID（Nodes（Point（ ysisGraphs（分析結(jié)果圖）中，如圖5.7所示。圖 交流頻率分析（ysis/AC選擇“ysis”(分析)菜單下的“ACFrequency（交流頻率分析）項，打開相應(yīng)的框，如圖5.8所示。在框中，根據(jù)提示設(shè)置參數(shù)。圖 “ACFrequency”Startfrequency(FSTART)：起始頻率。根據(jù)需要選擇掃描起始頻率。缺省設(shè)置：1Hz。Endfrequency(FSTOP)：終點頻率。根據(jù)需要選擇掃描終點頻率。缺省設(shè)置：10GHz。（DecadeVerticalscale：縱坐標刻度?？v坐標刻度有對數(shù)(Log)、線性（Linear）和分貝（Decibel）三Nodesincircuit：電路節(jié)點。在“Nodesincircuit”欄中選擇待分析節(jié)點，單擊“Add”按鈕，待分析節(jié)點便寫入“Nodesforysis”欄中。Nodesforysis：待分析節(jié)點（6）單擊“Esc215.667進行交流頻單擊“ysis”(分析)ACFrequency（交流頻率分析）命令，打開“ACStartfrequency(FSTART)：1HzEndfrequency(FSTOP)：10MHzSweeptype：DecadeVerticalscale：LogNodesfor 圖 暫態(tài)分析（電容由能量模型來描述，是暫態(tài)函數(shù)。 ysis”(分析)菜單下的“ransient（暫態(tài)分析）項，打開相應(yīng)的框，如圖5.9所示。在框中，根據(jù)提示設(shè)置參數(shù)。圖 Initialconditions（初始條件）SettoZero：零初始條件。缺省設(shè)置：不選。如果從零初始狀態(tài)開始分析則選擇此項。CalculateDCoperatingpoint：計算直流工作點。缺省設(shè)置：選用。如果將直流工作點分析②ysis（分析）Endtime(TSTOP)：終止時間。要求暫態(tài)分析的終止時間必須大于起始時間。缺省設(shè)置：Generatetimestepsautomatically：自動產(chǎn)生時間步長。自動選擇一個較為合理的或最大的umtimepoints：最大時間步長。模擬輸出的最大時間步長。缺省設(shè)置：1e-0.5s。Setplottingincrement/plottingincrement：設(shè)置繪圖線增量。缺省設(shè)置：1e-0.5s。Nodes（節(jié)點顯示）Nodesincircuit：電路節(jié)點。節(jié)點顯示窗口例出了電路中的全部節(jié)點。Nodesfor 例 圖 “ransient（SettoZeroEnd 埃分析 執(zhí)行離散埃變換，把時域中電壓波形變?yōu)轭l域中的成分，得到時域信號的頻譜函數(shù)。EWB會自動進行時域分析，以產(chǎn)生埃分析的結(jié)果。在進行埃分析時，必須首先在框里選擇一個輸出節(jié)點，以這個節(jié)點的電壓作為輸出變量進行分析。另外，分析還需要一個基本頻率，一般將電路流激勵源的頻率上的設(shè)定為基圖 8.5kHz0.5kHz0.5kHz13 埃分析步示/隱藏）/ShowNodes（顯示節(jié)點號選擇“ysis”(分析)菜單下的“ysis/Fourier（埃分析）項，打開相應(yīng)的框，如圖5.12所示。在框中，根據(jù)提示設(shè)置參數(shù)。Fundamentalfrequency：基頻。即交流激勵源的頻率或最小公因數(shù)頻率。缺省設(shè)置：1kHz。Numberofharmonics：諧波數(shù)（包括基波在內(nèi)。缺省設(shè)置：9。Verticalscale：縱坐標刻度?？v坐標刻度有對數(shù)(Log)、線性（Linear）和分貝（Decibel）三圖 埃分析舉例4對圖5.10所示的二極管整流濾波電路的輸出電壓進行埃分析圖 OutputFundamentalfrequency：50HzDisplayphase：選中Outputaslinegraph噪聲分析 例如，在噪聲分析框中，把V1作為輸入噪聲源、N1作為輸出節(jié)點，則電路中所有噪聲N1V1N1的增益，得到等效輸入噪聲，再把等效輸入噪聲作為輸入信號，輸入到一個假定無噪聲的電路，它在N1上產(chǎn)生的噪聲就是輸出噪聲。示/隱藏）/ShowNodes（顯示節(jié)點號 ysis/Noise（如圖5.14所示。在框中，根據(jù)提示設(shè)置參數(shù)。①ysis（分析）Inputnoisereference：輸入噪聲參考源。缺省設(shè)置：電路中的第一個信號源。Outputnode：輸出節(jié)點。缺省設(shè)置：N1。Frequency（頻率）Startfrequency(FSTART)：起始頻率。缺省設(shè)置：1Hz。Endfrequency(FSTOT)：終止頻率。缺省設(shè)置：10GHz。（DecadeComponent（元件）Setpointspersummary：設(shè)置每次求和點數(shù)。當該項被選中后，顯示被選元件噪聲作用時的55.6V27為輸出圖 噪聲分析解：打開如圖5.14所示的噪聲分析框，設(shè)Inputnoisereference：V2Outputnode：N7End圖 失真分析（波失真，相位不一致造成交變失真。失真分析對于分析小的失真是非常有效的，而在暫態(tài)分路中每一點的二次諧波和三次諧波的復(fù)數(shù)值。假設(shè)電路中有兩個交流信號源f1和f2，則失真分析將在三個特定頻率中尋找電路變量的復(fù)數(shù)值，這三個頻率點是：f1和f2的和f1+f2、f1和f2的差f1－f2、f1f2中頻率較高的交流信號源的二次諧波頻率減去頻率較低的交流信號源的二次諧波頻率的差。EWB失真分析假設(shè)電路是模擬電路、小信號狀態(tài)。示/隱藏）/ShowNodes（顯示節(jié)點號ysis（“Distortion（如圖5.16所示。在框中，根據(jù)提示設(shè)置參數(shù)。Startfrequency(FSTART)：起始頻率。缺省設(shè)置：1Hz。（DecadeF2/F1ratiof1掃描范圍，f2被設(shè)定01。Nodesincircuit：電路節(jié)點。Nodesfor 圖 失真分析65.6所示，試對其進行失真分析。解：打開如圖5.16所示的噪聲分析框，設(shè)置Startfrequency(FSTART)：1kHzEndfrequency(FSTOT)：10MHzNodesforysis：75.17圖 參數(shù)掃描分析 ysis（Sweep（的框，如圖5.18所示。在框中，根據(jù)提示設(shè)置參數(shù)。Startvalue：掃描元件參數(shù)起始值。缺省設(shè)置：電路中元件所標注的參數(shù)值。Endvalue：掃描元件參數(shù)終止值。缺省設(shè)置：電路中元件所標注的參數(shù)值。（DecadeSweepfor：掃描用途。有DCOperatingPoint（直流工作點分析、Transient（暫態(tài)分析）和ACFrequency（交流頻率分析）三種選擇。缺省設(shè)置：Transientysis。參數(shù)掃描分析的結(jié)果是以曲線形式輸出的，而輸出曲線的數(shù)目與“掃描類型”的設(shè)置有關(guān)。（Liner）（ede乘以10Ocav圖 參數(shù)掃描分析例 C1解：照圖5.18框設(shè)置參數(shù)，選擇“Transientysis（暫態(tài)分析）選項，然后單擊“Set5.20所示。圖 圖 溫度掃描分析 參數(shù)一變，電路性能跟著變，嚴重時會導(dǎo)致電路不能正常工作。EWB提供溫度掃描分析的目的， ysis（Sweep（應(yīng)的框，如圖5.21所示。在框中，根據(jù)提示設(shè)置參數(shù)。Starttemperature：掃描起始溫度。缺省設(shè)置：27℃。Endtemperature：掃描終止溫度。缺省設(shè)置：27℃。（Decade1

SweepforDCOperatingPoint（直流工作點分析、Transient（暫態(tài)分析）圖 溫度掃描分析例7 試用溫度掃描分析功能分析圖5.10所示的二極管整流濾波電路在100℃時的工作情況。解：溫度掃描分析參數(shù)設(shè)置如圖5.21所示。選擇“Transient ysis（后單擊“Settransientoptions”按鈕，設(shè)置暫態(tài)分析參數(shù)，其中SettoZero：選用Starttime(TSTART)：0sEndtime(TSTOP)：0.1s。27100℃時的輸出曲線。圖 零極點分析 零極點分析是用來求解交流小信號電路的傳遞函數(shù)中零點和極點個數(shù)及數(shù)值的。它廣泛應(yīng)用并求得所有非線性元件在交流小信號條件下的線性化模型，然后，在此基礎(chǔ)上再求出電路傳遞函數(shù)的零點和極點。由于傳遞函數(shù)在輸入及輸出的選擇上可以是電壓，也可以是電流，因此，分析ysis（Zero（如圖5.23所示