信息材料基礎(chǔ)第二章微電子材料與器件

信息材料基礎(chǔ)第二章微電子材料與器件第一頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.1

半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)2.1.1半導(dǎo)體性質(zhì)電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。純凈半導(dǎo)體的電導(dǎo)率隨溫度升高而指數(shù)增加雜質(zhì)的種類和數(shù)量決定著半導(dǎo)體的電導(dǎo)率可以實(shí)現(xiàn)非均勻摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率受光輻照和高能電子等的影響第二頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日硅(Si)、鍺(Ge)原子結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)化模型：+14284+3228418+4價(jià)電子慣性核第三頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。它們是制造半導(dǎo)體器件的基本材料。+4+4+4+4+4+4+4+4

硅和鍺共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)示意圖：共價(jià)鍵本征半導(dǎo)體第四頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日當(dāng)T升高或光線照射時(shí)產(chǎn)生自由電子空穴對(duì)。

共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力。當(dāng)T=0K（無(wú)外界影響）時(shí)，共價(jià)鍵中無(wú)自由移動(dòng)的電子。這種現(xiàn)象稱本征激發(fā)。

本征激發(fā)第五頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

當(dāng)原子中的價(jià)電子激發(fā)為自由電子時(shí)，原子中留下空位，同時(shí)原子因失去價(jià)電子而帶正電。

當(dāng)鄰近原子中的價(jià)電子不斷填補(bǔ)這些空位時(shí)形成一種運(yùn)動(dòng)，該運(yùn)動(dòng)可等效地看作是空穴的運(yùn)動(dòng)。注意：空穴運(yùn)動(dòng)方向與價(jià)電子填補(bǔ)方向相反。自由電子—帶負(fù)電半導(dǎo)體中有兩種導(dǎo)電的載流子

空穴的運(yùn)動(dòng)空穴—帶正電第六頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日溫度一定時(shí)：

激發(fā)與復(fù)合在某一熱平衡值上達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。

熱平衡載流子濃度熱平衡載流子濃度：本征半導(dǎo)體中本征激發(fā)——產(chǎn)生自由電子空穴對(duì)。電子和空穴相遇釋放能量——復(fù)合。T導(dǎo)電能力ni或光照熱敏特性光敏特性第七頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

N型半導(dǎo)體：雜質(zhì)半導(dǎo)體+4+4+5+4+4簡(jiǎn)化模型：N型半導(dǎo)體多子——自由電子少子——空穴自由電子本征半導(dǎo)體中摻入少量五價(jià)元素構(gòu)成。第八頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日P型半導(dǎo)體+4+4+3+4+4簡(jiǎn)化模型：P型半導(dǎo)體少子——自由電子多子——空穴空穴本征半導(dǎo)體中摻入少量三價(jià)元素構(gòu)成。第九頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.1.2半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)電子共有化量子態(tài)能級(jí)電子填充能帶模型當(dāng)原子組合成晶體后，電子的量子態(tài)將發(fā)生質(zhì)的變化，它不再是固定于個(gè)別原子上運(yùn)動(dòng)，而是穿行于整個(gè)晶體中，電子運(yùn)動(dòng)的這種變化稱為“共有化”。第十頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日施主能級(jí)受主能級(jí)第十一頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.1.3半導(dǎo)體材料分類元素半導(dǎo)體：Si、Ge、P、C化合物半導(dǎo)體：GaAs、GaP、GaN固溶體半導(dǎo)體：Si-Ge、Ga1-xAlxAs、HgxCd1-xTe超晶格半導(dǎo)體：GaAs/AlGaAs組分型、摻雜型、應(yīng)變型第十二頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.2.1p-n結(jié)的形成2.2集成電路基礎(chǔ)由于N型半導(dǎo)體中有富裕的自由電子，而P型半導(dǎo)體中有富裕的自由的空穴，所以當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，P型半導(dǎo)體中的空穴就會(huì)向N型中擴(kuò)散，而N型半導(dǎo)體中的電子向P型中擴(kuò)散，結(jié)果是P型端帶負(fù)電，而N型端帶正電。因而會(huì)形成內(nèi)建電場(chǎng)，內(nèi)建電場(chǎng)的方向從N型端指向P型端，從而又阻止電子和空穴的擴(kuò)散。最后，依靠電子和空穴濃度梯度的擴(kuò)散和內(nèi)建電場(chǎng)的電作用達(dá)到平衡，在接觸面附近形成一個(gè)耗盡層，即p-n結(jié)。第十三頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

利用摻雜工藝，把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體在原子級(jí)上緊密結(jié)合，P區(qū)與N區(qū)的交界面就形成了PN結(jié)。

摻雜N型P型PN結(jié)p-n結(jié)的形成第十四頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日半導(dǎo)體PN結(jié)能帶圖第十五頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日半導(dǎo)體PN結(jié)能帶圖第十六頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.2.2雙極型晶體管由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成又稱三極管第十七頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日NPN晶體管的偏置情況在正常使用條件下，晶體管發(fā)射結(jié)加正向小電壓，稱為正向偏置；收集結(jié)加反向大電壓，稱為反向偏置。具有放大信號(hào)的功能。第十八頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.2.3場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）場(chǎng)效應(yīng)晶體管分類第十九頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日S－源極；G－柵極；D－漏極MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)N溝MOSFET，電位低的一端為源，電位高的為漏；P溝MOSFET，電位高的一端為源，電位低的為漏；MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管第二十頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管NN第二十一頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.2.4集成電路發(fā)展簡(jiǎn)史

58年，鍺IC59年，硅IC61年，SSI（10~100個(gè)元件/芯片）

62年，MOSIC63年，CMOSIC64年，線性IC第二十二頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日65年，MSI（100~1000個(gè)元件/芯片）

69年，CCD

70年，LSI（1000~10萬(wàn)個(gè)元件/芯片），1KDRAM71年，8位MPUIC，400472年，4KDRAM，I2LIC

77年，VLSI（10萬(wàn)~1000萬(wàn)個(gè)元件/芯片），64KDRAM，

16位MPU80年，256KDRAM，2

m84年，1MDRAM，1

m85年，32位MPU，M68020第二十三頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

86年，ULSI（1000萬(wàn)~10億個(gè)元件/芯片），

4MDRAM(8×106,91mm2,0.8

m,150mm)，于89年開始商業(yè)化生產(chǎn)，95年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。88年，16MDRAM（3×107,135mm2,0.5

m,200mm），于92年開始商業(yè)化生產(chǎn)，97年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。

91年，64MDRAM（1.4×108,198mm2,0.35

m,200mm），于94年開始商業(yè)化生產(chǎn)，99年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。92年，256MDRAM（5.6×108,400

mm2,0.25

m,200mm），于98年開始商業(yè)化生產(chǎn)，2002年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。第二十四頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

95年，GSI（>10億個(gè)元件/芯片），

1GDRAM（2.2×109,700mm2,0.18

m,200mm），

2000年開始商業(yè)化生產(chǎn)，2004年達(dá)到生產(chǎn)頂峰。97年，4

GDRAM（8.8×109,986mm2,0.13

m,300mm），

2003年進(jìn)入商業(yè)化生產(chǎn)。第二十五頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

人的大腦：約有140億個(gè)腦細(xì)胞，每個(gè)腦細(xì)胞可完成“異或”或“或非”功能，長(zhǎng)度約為150

m

，消耗的能量約為

0.2

pJ。

比一比！

大規(guī)模集成技術(shù)：可在14

cm2的面積上制作出

140

億個(gè)具有同樣功能的器件，每個(gè)器件的長(zhǎng)度約為

15

m

，消耗的能量約為

0.005

pJ，工作壽命可達(dá)10億小時(shí)以上。第二十六頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日集成電路工業(yè)發(fā)展的第一定律即所謂

摩爾定律。

Intel公司的創(chuàng)始人之一戈登·摩爾先生在1965年4月19日發(fā)表于《電子學(xué)雜志》上的文章中提出，集成電路的能力將每年翻一番。1975年，他對(duì)此提法做了修正，稱集成電路的能力將每?jī)赡攴环?。摩爾定律現(xiàn)在的表達(dá)是：在價(jià)格不變的情況下，集成電路芯片上的晶體管數(shù)量每18

個(gè)月翻一番，即每3

年乘以

4。

2.2.5集成電路的發(fā)展規(guī)律第二十七頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

集成電路工業(yè)發(fā)展的另一些規(guī)律為

建立一個(gè)芯片廠的造價(jià)也是每3

年乘以

4；線條寬度每6

年下降一半；芯片上每個(gè)器件的價(jià)格每年下降30%~40%；晶片直徑的變化：

60年：0.5

英寸，65年：1

英寸，

70年：2

英寸，75年：3

英寸，80年：4

英寸，

90年：6

英寸，95年：8

英寸（200mm），

2000年：12

英寸（300mm）。第二十八頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.2.6集成電路分類按集成電路功能：數(shù)字集成電路和模擬集成電路按結(jié)構(gòu)形式分類：半導(dǎo)體集成電路、膜集成電路和混合集成電路按有源器件類型和工藝：雙極型集成電路和MOS

集成電路按規(guī)模大小分類：小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、超大規(guī)模、甚大規(guī)模、巨大規(guī)模。指在一塊玻璃或陶瓷基片上，用膜形成技術(shù)和光刻技術(shù)等形成的多層金屬和金屬氧化物膜構(gòu)成電路中全部元器件及其互聯(lián)而實(shí)現(xiàn)某種電路功能的集成電路。第二十九頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

集成電路的發(fā)展展望目標(biāo)：集成度、可靠性、速度、功耗、成本努力方向：線寬、晶片直徑、設(shè)計(jì)技術(shù)

199219951998200120042007

比特/

芯片16

M64

M256

M1

G4

G16

G特征尺寸（μm）0.50.350.250.180.120.07晶片直徑（mm）200200200~400200~400200~400200~400美國(guó)1992~2007年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展規(guī)劃第三十頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日美國(guó)1997~2012年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展規(guī)劃1997199920012003200620092012

比特/

芯片256M1

G4

G16

G64

G256

G特征尺寸（μm）0.250.180.150.130.10.070.05晶片直徑（mm）200300300300300450450第三十一頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日我國(guó)國(guó)防科工委對(duì)世界硅微電子技術(shù)發(fā)展的預(yù)測(cè)200020102020

集成度1

G64

G256

G

特征尺寸（μm）0.180.10~0.070.05~0.01

晶片直徑（mm）300400450第三十二頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

可以看出，專家們認(rèn)為，至少在未來(lái)10

年內(nèi)，IC的發(fā)展仍將遵循摩爾定律，即集成度每3

年乘以4，而線寬則是每6年下降一半。

硅技術(shù)過(guò)去一直是，而且在未來(lái)的一段時(shí)期內(nèi)也還將是微電子技術(shù)的主體。目前硅器件與集成電路占了2000多億美元的半導(dǎo)體市場(chǎng)的95%以上。

硅微電子技術(shù)發(fā)展的幾個(gè)趨勢(shì)

1、單片系統(tǒng)集成（SOC）

2、整硅片集成（WSI）

3、半定制電路的設(shè)計(jì)方法

4、微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）

5、真空微電子技術(shù)第三十三頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

硅技術(shù)以外的半導(dǎo)體微電子技術(shù)發(fā)展方向

1、GaAs技術(shù)電子漂移速度快（硅的5.

7倍），抗輻射能力強(qiáng)，因此在武器系統(tǒng)中有重要作用。

2、GeSi/Si異質(zhì)結(jié)技術(shù)與目前已極為成熟的硅工藝有很好的兼容性，但可制成比硅器件與集成電路頻率更高，性能更好的器件與集成電路，被譽(yù)為第二代硅技術(shù)。

3、寬禁帶材料及器件技術(shù)主要有SiC與GaN材料，主要優(yōu)點(diǎn)是工作溫度可高達(dá)300攝氏度以上，因此在軍用系統(tǒng)中有重要的應(yīng)用價(jià)值。第三十四頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.2.8集成電路發(fā)展面臨的問(wèn)題

1、基本限制如熱力學(xué)限制。由于熱擾動(dòng)的影響，對(duì)數(shù)字邏輯系統(tǒng)，開關(guān)能量至少應(yīng)滿足

ES>4kT=1.65×10-20J。當(dāng)溝道長(zhǎng)度為0.1

m時(shí)，開關(guān)能量約為5×10-18J。在亞微米范圍，從熱力學(xué)的角度暫時(shí)不會(huì)遇到麻煩。又如加工尺度限制，顯然原子尺寸是最小可加工單位，但現(xiàn)在的最小加工單位遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于這個(gè)數(shù)值。

2、器件與工藝限制

3、材料限制硅材料較低的遷移率將是影響IC發(fā)展的一個(gè)重要障礙。

4、其他限制包括電路限制、測(cè)試限制、互連限制、管腳數(shù)量限制、散熱限制、內(nèi)部寄生耦合限制等。第三十五頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.2.9集成電路基本工藝技術(shù)器件設(shè)計(jì)芯片制造封裝電路設(shè)計(jì)材料制備第三十六頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日CrystalGrowthSlicingGraphiteHeaterSiMeltSiCrystalPolishingWaferingHighTemp.AnnealingFurnaceAnnealedWaferDefectFreeSurfacebyAnnealing(SurfaceImprovement）SurfaceDefectMapPolishedWafer第三十七頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日

橫向加工：圖形的產(chǎn)生與轉(zhuǎn)移（又稱為光刻，包括曝光、顯影、刻蝕等）。

縱向加工：摻雜（擴(kuò)散、離子注入、中子嬗變等），薄膜制備（蒸發(fā)、濺射、熱氧化、CVD等）。在大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中，光刻是最復(fù)雜、最昂貴和最關(guān)鍵的技術(shù)。光刻的成本占了總制造成本的1/3

以上。在集成電路制造技術(shù)的發(fā)展過(guò)程中，光刻技術(shù)的貢獻(xiàn)約占2/3。芯片制造第三十八頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日涂光刻膠（正）選擇曝光熱氧化SiO2工藝流程舉例（PN結(jié)的制造）第三十九頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日去膠摻雜顯影（第

1

次圖形轉(zhuǎn)移）刻蝕（第

2

次圖形轉(zhuǎn)移）NP第四十頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日蒸發(fā)鍍Al膜光刻Al電極CVD淀積SiO2膜光刻引線孔第四十一頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日SGDN溝道硅柵MOSFET剖面圖PNN第四十二頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日CMOS結(jié)構(gòu)剖面圖第四十三頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.3微電子材料襯底材料柵結(jié)構(gòu)材料互連材料鈍化層材料封裝材料第四十四頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日硅基微電子學(xué)中的材料系統(tǒng)第四十五頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.3.1襯底材料

鍺（Ge）是最早用于集成電路的襯底材料。Ge的優(yōu)點(diǎn)：載流子遷移率比硅高；在相同條件下，具有較高的工作頻率、較低的飽和壓降、較高的開關(guān)速度和較好的低溫性能。Ge的缺點(diǎn)：最高工作溫度只有85℃，Ge器件熱穩(wěn)定性不如硅；

Ge無(wú)法形成優(yōu)質(zhì)的氧化膜；

Ge中施主雜質(zhì)的擴(kuò)散遠(yuǎn)比受主雜質(zhì)快，工藝制作自由度小。Ge禁帶寬度0.72eVSi禁帶寬度1.1eV第四十六頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日水平布里奇曼法示意圖用途：Ge、GaAs、GeSe、GeTe、ZnS等單晶制備第四十七頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日硅（Si）是今后相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)集成電路的襯底材料。硅的優(yōu)點(diǎn)：

Si器件的最高工作溫度可達(dá)200℃

；高溫下可氧化生成二氧化硅薄膜；受主和施主雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)幾乎相同；

Si在地殼中的儲(chǔ)量非常豐富，Si原料是半導(dǎo)體原料中最便宜的。硅材料發(fā)展趨勢(shì)：晶片直徑越來(lái)越大缺陷密度越來(lái)越小表面平整度越來(lái)越好第四十八頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日單晶硅的制備過(guò)程石英砂粗硅（工業(yè)硅）高純多晶硅單晶硅純度95～99％純度99.9999999％直拉法優(yōu)點(diǎn)：不受容器限制，克服應(yīng)力導(dǎo)致晶體缺陷的缺點(diǎn)；籽晶旋轉(zhuǎn)，克服熔體溫度不均勻性引起的非均勻凝固。用途：Si、Ge、GaAs單晶制備?？膳可a(chǎn)300mm硅單晶，350mm的硅單晶制備也已成熟。第四十九頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日區(qū)熔法優(yōu)點(diǎn)：制備過(guò)程中熔體不與任何器物接觸；熔區(qū)體積很小，不需要保溫隔熱系統(tǒng)。雜質(zhì)對(duì)晶體的玷污很小。用途：Si、GaAs單晶制備。第五十頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日絕緣層上硅SOI（silicononinsulator,SOI）是一種新型的硅芯片材料。SOI結(jié)構(gòu)：

絕緣層/硅硅/絕緣層/硅優(yōu)點(diǎn)：減少了寄生電容，提高了運(yùn)行速度（提高20～35％）具有更低的功耗（降低35～70％）消除了閂鎖效應(yīng)抑制了襯底的脈沖電流干擾與現(xiàn)有硅工藝兼容，減少了13～20％工序第五十一頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日絕緣層上硅SOI制備技術(shù)注氧隔離技術(shù)（SeparationbyImplantedOxygen，SIMOX）

此技術(shù)在普通圓片的層間注入氧離子經(jīng)超過(guò)1300℃高溫退火后形成隔離層。該方法有兩個(gè)關(guān)鍵步驟：高溫離子注入和后續(xù)超高溫退火。鍵合再減薄的BESOI技術(shù)（BondandEtchback）通過(guò)硅和二氧化硅鍵合(Bond)技術(shù)，兩個(gè)圓片能夠緊密鍵合在一起，并且在中間形成二氧化硅層充當(dāng)絕緣層。這個(gè)過(guò)程分三步來(lái)完成。第一步是在室溫的環(huán)境下使一熱氧化圓片在另一非氧化圓片上鍵合；第二步是經(jīng)過(guò)退火增強(qiáng)兩個(gè)圓片的鍵合力度；第三步是通過(guò)研磨、拋光及腐蝕來(lái)減薄其中一個(gè)圓片直到所要求的厚度。第五十二頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日鍵合技術(shù)工藝過(guò)程第五十三頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日絕緣層上硅SOI制備技術(shù)注氫智能剝離技術(shù)（SmartCut）

1995年，MBruel利用鍵合和離子注入技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)提出了智能剝離（Smart-Cut）技術(shù)。它是利用氫離子注入到硅片中，形成具有氣泡層的注氫片，與支撐硅片鍵合（兩個(gè)硅片中至少有一片的表面帶有熱氧化的SiO2

覆蓋層），經(jīng)適當(dāng)?shù)臒崽幚硎棺淦瑥臍馀輰犹幫暾验_，形成SOI結(jié)構(gòu)。注氫智能剝離工藝過(guò)程第五十四頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日絕緣層上硅SOI制備技術(shù)注氧隔離和鍵合的SimbondSOI技術(shù)利用氧離子注入產(chǎn)生的一個(gè)分布均勻的離子注入層，并在退火過(guò)程中形成二氧化硅絕緣層。此二氧化硅絕緣層用來(lái)充當(dāng)化學(xué)腐蝕阻擋層，可對(duì)圓片在最終拋光前器件層的厚度及其均勻性有很好的控制。由于在此工藝中，表層硅的均勻性由氧離子注入工藝來(lái)控制，因此，頂層硅均勻性很好。同時(shí)，絕緣埋層的厚度可隨意調(diào)節(jié)。第五十五頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.3.2柵結(jié)構(gòu)材料

包括柵絕緣介質(zhì)和柵電極材料。柵絕緣介質(zhì)：缺陷少、漏電流小、抗擊穿強(qiáng)度高、穩(wěn)定性好、與Si有良好的界面特性、界面態(tài)密度低。二氧化硅氮氧化硅高k材料可有效防止硼離子擴(kuò)散、高介電常數(shù)、低漏電流密度、高抗老化擊穿特性增加介質(zhì)層物理厚度、減小隧穿電流如：Ta2O5、TiO2、（Sr，Ba）TiO3等第五十六頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日柵電極材料：串聯(lián)電阻小，寄生效應(yīng)小。Al多晶硅Polycide/Salicide不能滿足高溫處理的要求電阻率高多晶硅/金屬硅化物（TiSi2、WSi2）第五十七頁(yè)，共六十二頁(yè)，2022年，8月28日2.3.3互連